Sample records for ДИОДЫ ЗЕНЕРА (zener diodes)
from WorldWideScience.org

Sample records 1 - 20 shown. Select sample records:



1

Томография с использованием цифровой рентгенографической системы с диодной матрицей Tomography Using a Diodes-array Digital Radiographie System матрица диодная лучи рентгеновские томография матрица диодная дефекты лучи рентгеновские процессор Композиционные материалы томография матрица диодная дефекты лучи рентгеновские процессор

Seshadri, M. D.

06936000229 Томография с использованием цифровой рентгенографической системы с диодной матрицей [Текст] / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 8 c. : ил. - Пер.ст. Tomography Using a Diodes-array Digital Radiographie System / M. D. Seshadri из журн.: International Journal of Radiation Applications and instrumentation. Applied Radiation and Isotopes. - 1990. - Vol. 41, N10/11. - P. 963-966. - Б. ц. Библиогр.: 6 назв.ГРНТИ 59.45.39 Рубрики: Композиционные материалы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Seshadri, M. D. Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

2

Светодиоды Light- emitting diodes Физматлит светодиод 32457; Светодиоды светодиод

Schubert, F. E.

Д9-08/49651 Шуберт, Ф. Е. Светодиоды [Текст] : монография / Ф. Е. Шуберт; пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. - М. : Физматлит, 2008 (Вологда) . - 495 с. : ил. - Предм. указ.: с. 488-495. - Пер. изд. : Light- emitting diodes / F. E. Schubert. - 2nd edition. - Cambridge, S.a. - 1100 экз. - ISBN 978-5-9221-0851-5 () : Б. ц.ГРНТИ 47.33.33УДК 621.383.52 Рубрики: Светодиоды Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Schubert, F. E. Экз-ры: хр(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

3

response of silicon diodes to 252 Cf neutrons before and after annealing Memorandum/Great Britain. Atomic energy authority. research group; M 3195 0 ^aЧувствительность кремниевых диодов к нейтронному излучению калифорния-252 до и после отжига Библиогр.: с.11

Myers, K.J

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Delafield H.J, Myers K.J Заглавие : The response of silicon diodes to 252 Cf neutrons before and after annealing Выходные данные : London, 1981 Колич.характеристики :14 с Серия: Memorandum/Great Britain. Atomic energy authority. research group; M 3195 Примечания : ; Библиогр.: с.11 ISBN, Цена 0-70-580923-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.21 + ; 47.33.29 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: The response of silicon diodes to 252 Cf neutrons before and after annealing Доп.точки доступа: Myers, K.J DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

4

measurement of series resistance in large area diodes Rep./Great Britain. Atomic energy auth. Research group 0 ^aИзмерение последовательного сопротивления в диодах большой площади Библиогр.: с.5


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Rawlings K.J Заглавие : The measurement of series resistance in large area diodes Выходные данные : Harwell, 1985 Колич.характеристики :11, 12 с Серия: Rep./Great Britain. Atomic energy auth. Research group; N R 11677 Примечания : ; Библиогр.: с.5 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 59.29.35 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: The measurement of series resistance in large area diodes DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

5

lens model for applied-B ion diodes Wissenschaftliche Berichte термоядерная установка Термоядерные установки термоядерная установка

W@:urz, H.; Landman I.S.

R/17669/6119 Ландман, И. С. A lens model for applied-B ion diodes [Text] : материал технической информации / И.С.Ландман,H.W@:urz. - Karlsruhe : [s. n.], 1999. - 26 p. : ill. - (Wissenschaftliche Berichte / FZKA, ISSN 0947-8620 ; 6119). - 10.00 р. Парал. загл. нем. Рез. нем. Библиогр.: с.23ГРНТИ 58.34УДК 621.039.6 Рубрики: Термоядерные установки Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: W@:urz, H.; Landman I.S. Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-108109 DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

6

lens model for applied-B ion diodes Wissenschaftliche Berichte ; Термоядерные установки

Wuz, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ландман И.С., Wuz H. Заглавие : A lens model for applied-B ion diodes Выходные данные : Karlsruhe, 1999 Колич.характеристики :26 p.: ill. Серия: Wissenschaftliche Berichte/ Forschungszentrum(Karlsruhe), ISSN 0947-8620; 6119 Примечания : ; Парал. загл. нем. Рез. нем. Библиогр.: с.23 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 58.34 УДК : Предметные рубрики: Термоядерные установки Перейти к источнику в Интернете: A lens model for applied-B ion diodes Доп.точки доступа: Wuz, H. DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

7

Time-dependent Monte Carlo simulation of Schottky diodes at terahertz frequencies UMSI research report;94/57 University of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute Библиогр.:с.3 ; Диоды импульсные. -Моделирование, диим

Mattauch, R.L.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bhapkar U.V., Mattauch R.L. Заглавие : Time-dependent Monte Carlo simulation of Schottky diodes at terahertz frequencies Выходные данные : Minneapolis(Mn), 1994 Колич.характеристики :4 p.: ill. Коллективы : University of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute Серия: UMSI research report;94/57/ Univ.of Minnesota Примечания : ; Библиогр.:с.3 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Диоды импульсные Перейти к источнику в Интернете: Time-dependent Monte Carlo simulation of Schottky diodes at terahertz frequencies Доп.точки доступа: Mattauch, R.L. DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

8

Time-dependent Monte Carlo simulation of Schottky diodes at terahertz frequencies UMSI research report Диоды импульсные, Моделирование, , диим

Mattauch, R.L.

R/17401/94/57 Bhapkar, U. V. Time-dependent Monte Carlo simulation of Schottky diodes at terahertz frequencies [Text] : сборник научных трудов / U.V.Bhapkar,R.L.Mattauch. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1994. - 4 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 94/57). - 100 р. Библиогр.:с.3ГРНТИ 47.33УДК 621.382.2.018.756.001.57 Рубрики: Диоды импульсные--Моделирование Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Mattauch, R.L. Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

9

Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes Acta polytechnica Scandinavica. El, Electrical engineering series Транзисторы биполярные, , битр Диоды полупроводниковые, , дипо


R/5050/72 Eranen, S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes [Text] : diss. / S.Eranen. - Helsinki : [s. n.], 1992. - 29 p. : ill. - (Acta polytechnica Scandinavica. El, Electrical engineering series, ISSN 0001-6845 ; n72). - ISBN 951-666-357-5 : 10 р. Библиогр.:с.27-29ГРНТИ 47.2947.33УДК 621.382.2(043)621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярныеДиоды полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

10

Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes Acta polytechnica Scandinavica. Electrical engineering ser. 0 ^aИзучение прибора на основе биполярного транзистора и полевого транзистора с полупроводниковым затвором 0 ; транзисторы;полупроводники Библиогр.: с.27-29 0 ; транзисторы;полупроводники


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Eranen S. Заглавие : Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss Выходные данные : Helsinki, 1992 Колич.характеристики :29 с: ил Серия: Acta polytechnica Scandinavica. Electrical engineering ser., ISSN 0001-6845; N 72 Примечания : ; Библиогр.: с.27-29 ISBN, Цена 951-666-357-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы;полупроводники Перейти к источнику в Интернете: Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes, Перейти к источнику в Интернете:  DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

11

Silicon rectifier diodes 0 ^aКремниевые выпрямительные диоды. Справочник за 1986/87 V nadzag.: SIEMENS. Библиогр. в тексте


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon rectifier diodes : Data book 1986/87/Siemens Aktiengesellschaft Выходные данные : Munchen, 1986 Колич.характеристики :179 с Примечания : ; V nadzag.: SIEMENS. Библиогр. в тексте Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon rectifier diodes DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

12

Silicon rectifier diodes 0 ^aКремниевые выпрямительные диоды. Справочник за 1986/87 V nadzag.: SIEMENS. Библиогр. в тексте


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon rectifier diodes : Data book 1986/87/Siemens Aktiengesellschaft Выходные данные : Munchen, 1986 Колич.характеристики :179 с Примечания : ; V nadzag.: SIEMENS. Библиогр. в тексте Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon rectifier diodes DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

13

Self-field pinch diodes Препринт плоскостной диод Диоды плоскостные плоскостной диод

Lebedev A.N.

М/9354/45(1997) Лебедев, А. Н. Self-field pinch diodes [Text] : препринт / А.Н.Лебедев. - Moscow, 1997. - 57 p. : il. - (Препринт / Физический ин-т им.П.Н.Лебедева(Москва) ; 45(1997)). - 60 экз. - Б. ц.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.23(04) Рубрики: Диоды плоскостные Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Lebedev A.N. Экз-ры: хр(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

14

Self-field pinch diodes Препринт ^aSelf-field pinch diodes 0 ; Диоды плоскостные


Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Лебедев А.Н. Заглавие : Self-field pinch diodes Выходные данные : Moscow, 1997 Колич.характеристики :57 p.: il. Серия: Препринт; 45(1997) Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Диоды плоскостные Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Self-field pinch diodes, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

15

Role of junction plasmons in light emission of mom diodes Publ./Kozp. fiz. kut. int. 0 ^aРоль переходных плазмонов в световой эмиссии MOM-диодов Рез. на англ., рус. и венг.яз. Библиогр.: с.14

Szentirmay, Zs; Felszerfalvi, J

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : KroWo N, Szentirmay Zs, Felszerfalvi J Заглавие : Role of junction plasmons in light emission of mom diodes Выходные данные : Budapest, 1985 Колич.характеристики :19 с Серия: Publ./Kozp. fiz. kut. int., ISSN 0368-5330; N 1985-64 Примечания : ; Рез. на англ., рус. и венг.яз. Библиогр.: с.14 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.29.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Role of junction plasmons in light emission of mom diodes, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Szentirmay, Zs; Felszerfalvi, J DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

16

Role of emitter states in magnetotunneling through double-barrier resonant-tunneling diodes at high magnetic fields Techn.rep.of ISSP.Ser.A. 0 ^aРоль состояний эмиттера при магнитотуннелировании в резонансно-туннельных диодах с двойным барьером в сильных магнитных полях Inst.for solid state physics,Univ.of Tokyo 0 ; магнитотуннелирование Библиогр.: с.11-12 0 ; магнитотуннелирование

Yamada K.; Miura N.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Kamata N., Yamada K., Miura N. Заглавие : The Role of emitter states in magnetotunneling through double-barrier resonant-tunneling diodes at high magnetic fields Выходные данные : Tokyo: Inst.for solid state physics,Univ.of Tokyo, 1993 Колич.характеристики :29 c: ил Серия: Techn.rep.of ISSP.Ser.A., ISSN 0082-4798;N2658 Примечания : ; Библиогр.: с.11-12 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.03 + ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; магнитотуннелирование Перейти к источнику в Интернете: The Role of emitter states in magnetotunneling through double-barrier resonant-tunneling diodes at high magnetic fields Доп.точки доступа: Yamada K.; Miura N. DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

17

Relativistic electron fluid model in applied-B ion diodes Препринт Управляемый термоядерный синтез, , ситеуп

Gordeev A.V.

Н/12013/IAE-5962/6 Гордеев, А. В. Relativistic electron fluid model in applied-B ion diodes [Text] : препринт / А.В.Гордеев. - Moscow, 1996. - 12 p. - (Препринт / "Курчатовский ин-т",российский науч.центр(Москва) ; IAE-5962/6). - 74 экз. - Б. ц.ГРНТИ 58.34УДК 621.039.6(04) Рубрики: Управляемый термоядерный синтез Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Gordeev A.V. Экз-ры: хр(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

18

Properties of high efficiency X-band GaAs impatt diodes AFWAL techn. rep./US. Air force wright aeronautical lab. 0 ^aСвойства высокоэффективного арсенидгаллиевого лавинно-пролетного диода для частот 5,20-10,90 ГГц Библиогр.: с.116

Haddad, G.I

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Mains R.K, Haddad G.I Заглавие : Properties of high efficiency X-band GaAs impatt diodes Выходные данные : Ann Arbon (Mi), 1981 Колич.характеристики :116 с Серия: AFWAL techn. rep./US. Air force wright aeronautical lab.; N 81-1066 Примечания : ; Библиогр.: с.116 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Properties of high efficiency X-band GaAs impatt diodes Доп.точки доступа: Haddad, G.I DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

19

Progress in semiconductor laser diodes SPIE seminar proceedings;Vol.723 0 ^aУспехи в области разработки полупроводниковых лазерных диодов:Труды совещания, Кэмбридж (Массачуссетс), сент. 1986 0 ; полупроводниковые лазерные диоды Библиогр. в конце ст.-Указ.: с. 717 0 ; полупроводниковые лазерные диоды

Eichen, E. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Progress in semiconductor laser diodes : Proc. of the meet. 25-26 Sept. 1986 Cambridge (Ma) Выходные данные : Bellingham (Wa), 1987 Колич.характеристики :VI, 117 с: ил Серия: SPIE seminar proceedings;Vol.723/ Soc. of photo-optical instrumentation engineers Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с. 717 ISBN, Цена 0-89252-758-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.01.13 ; 47.35.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полупроводниковые лазерные диоды Перейти к источнику в Интернете: Progress in semiconductor laser diodes, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Eichen, E. \.\ DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

20

Optical communication with semiconductor laser diodes NASA contractor. rep.; 0 ^aОптическая связь с использованием полупроводниковых лазерных диодов:Межд.прогресс 0 ; оптическая связь; полупроводниковые лазерные диоды Библиогр.: с.21-23 0 ; оптическая связь; полупроводниковые лазерные диоды


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Davidson F. Заглавие : Optical communication with semiconductor laser diodes : Intern.progress rep. on NAG-356 Выходные данные : Washington, 1987 Колич.характеристики :24 с: ил.+8 л.ил Серия: NASA contractor. rep.; Примечания : ; Библиогр.: с.21-23 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.35.31 + ; 49.44.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; оптическая связь; полупроводниковые лазерные диоды Перейти к источнику в Интернете: Optical communication with semiconductor laser diodes DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

21

Numerical modelling of hot electron transport in Schottky-diodes and heterojunction structures 0 ^aЧисленное моделирование передачи горячих электронов в диодах Шоттки и в гетероструктурах 0 ; диод Шоттки Библиогр.: с.26-29 0 ; диод Шоттки


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Hjelmgren H. Заглавие : Numerical modelling of hot electron transport in Schottky-diodes and heterojunction structures : Diss Выходные данные : Goteborg, 1991 Колич.характеристики :V, 29 с: ил Примечания : ; Библиогр.: с.26-29 ISBN, Цена 91-7032-563-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; диод шоттки Перейти к источнику в Интернете: Numerical modelling of hot electron transport in Schottky-diodes and heterojunction structures, Перейти к источнику в Интернете:  DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

22

Modeling of the anode plasma in applied-B ion diodes Wissenschaftliche Berichte плазма Плазма, Моделирование плазма

W@:urz, H.; Landman I.S.

R/17669/6366 Ландман, И. С. Modeling of the anode plasma in applied-B ion diodes [Text] : сборник научных трудов / И.С.Ландман,H.W@:urz. - Karlsruhe : [s. n.], 1999. - 57 p. : ill. - (Wissenschaftliche Berichte / FZKA, ISSN 0947-8620 ; 6366). - 20.00 р. Рез.нем.Библиогр.:с.37-38ГРНТИ 29.27УДК 621.039.61:533.9 Рубрики: Плазма--Моделирование Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: W@:urz, H.; Landman I.S. Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-108416 DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

23

Modeling of the anode plasma in applied-B ion diodes Wissenschaftliche Berichte ; Плазма

Wuz, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ландман И.С., Wuz H. Заглавие : Modeling of the anode plasma in applied-B ion diodes Выходные данные : Karlsruhe, 1999 Колич.характеристики :57 p.: ill. Серия: Wissenschaftliche Berichte/ Forschungszentrum(Karlsruhe), ISSN 0947-8620; 6366 Примечания : ; Рез.нем.Библиогр.:с.37-38 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.27 УДК : Предметные рубрики: Плазма Перейти к источнику в Интернете: Modeling of the anode plasma in applied-B ion diodes Доп.точки доступа: Wuz, H. DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

24

Microwave noise measurements on double barrier resonant tunneling diodes EUT rep./Eindhoven univ.of technology.Fac.of electrical engineering 0 ^aИзмерения микроволнового шума резонансных туннельных диодов с двойным барьером 0 ; измерение микроволнового шума Библиогр.:с.106-109 0 ; измерение микроволнового шума

Heyker H.C.; Demarteau J.I.M.; Roer Th.G.van de

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Kwaspen J.J.M., Heyker H.C., Demarteau J.I.M., Roer Th.G.van de Заглавие : Microwave noise measurements on double barrier resonant tunneling diodes Выходные данные : Eindhoven, 1990 Колич.характеристики :VIII,109 c: ил Серия: EUT rep./Eindhoven univ.of technology.Fac.of electrical engineering, ISSN 0167-9708;90-E-242 Примечания : ; Библиогр.:с.106-109 ISBN, Цена 90-6144-242-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.81 + ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; измерение микроволнового шума Перейти к источнику в Интернете: Microwave noise measurements on double barrier resonant tunneling diodes Доп.точки доступа: Heyker H.C.; Demarteau J.I.M.; Roer Th.G.van de DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

25

Microwave diodes and subassemblies Philips data handbook:Electron tubes электронная лампа Электронные лампы, Справочники электронная лампа


Q/5506/T11 Philips data handbook:Electron tubes [Text]. - Eindhove : Philips.B. T11 : Microwave diodes and subassemblies. - 1986. - VIII,339 p. p. : ill. - 6.00 р.ГРНТИ 47.29.35УДК 621.385(03) Рубрики: Электронные лампы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

26

Methods for nonlinear analysis of microwave circuits with diodes Elektronika:Prace naukowe Noise in periodically driven microwave circuits with diodes Politechnika Warszawska радиосхема Радиосхемы, Анализ и синтез, , ра радиосхема

Faber, M.; Politechnika Warszawska

R/11492/112 Adamski, M. Methods for nonlinear analysis of microwave circuits with diodes [Text] ; Noise in periodically driven microwave circuits with diodes / M. Adamski, M. Faber ; M.Adamski,M.Faber. - Warszawa : [s. n.], 1996. - 133 p. : ill. - (Elektronika:Prace naukowe / Politech.Warszawska, ISSN 0137-2343 ; z.112). - 2000 р. Библиогр.в конце статейГРНТИ 47.41УДК 621.396.6.061 Рубрики: Радиосхемы--Анализ и синтез Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Faber, M.; Politechnika Warszawska Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

27

Methods for nonlinear analysis of microwave circuits with diodes Elektronika:Prace naukowe ; Радиосхемы . Анализ и синтез , ра

Faber, M.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Adamski M., Faber M. Заглавие : Methods for nonlinear analysis of microwave circuits with diodes Выходные данные : Warszawa, 1996 Колич.характеристики :133 p.: ill Серия: Elektronika:Prace naukowe, ISSN 0137-2343; Z.112 Примечания : ; Библиогр.в конце статей Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41 УДК : Предметные рубрики: Радиосхемы Перейти к источнику в Интернете: Methods for nonlinear analysis of microwave circuits with diodes Доп.точки доступа: Faber, M. DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

28

Manufacturing technology program for high burnout silicon Schottky-barrier mixer diodes for navy air-to-air avionics 0 ^aПрограмма разработки технологии производства смесительных диодов Шотки с высокой стойкостью к выгоранию для радиоэлектронного оборудования ракет класса воздух-воздух самолетов ВМС США V nadzag.: M/A-COM

Ellis, S

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Anand Y, Ellis S Заглавие : Manufacturing technology program for high burnout silicon Schottky-barrier mixer diodes for navy air-to-air avionics Выходные данные : Burlington (Ma.), 1981 Колич.характеристики :Разд.паг с Примечания : ; V nadzag.: M/A-COM Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 78.25.15 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Manufacturing technology program for high burnout silicon Schottky-barrier mixer diodes for navy air-to-air avionics Доп.точки доступа: Ellis, S DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

29

Lumineszenzdioden Light emitting diodes(Загл.англ.) Siemens светодиод Светодиоды, , св светодиод


G2/19655 Lumineszenzdioden [Text] = Light emitting diodes(Загл.англ.). - munchen : Siemens, 1994. - 348 S. : Ill. - 25000 р. Парал.загл.англ.ГРНТИ 59.41УДК 621.383.52 Рубрики: Светодиоды Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

30

Light-emitting diodes,lithium batteries and polymer devices Handbook of advanced electronic and photonic materials and devices электронный материал электронный прибор оптоэлектронный прибор Светодиоды, Справочники Аккумуляторные батереи литиевые, Справочники Полимерные изделия, Справочники электронный материал электронный прибор оптоэлектронный прибор


R/18093/10 Handbook of advanced electronic and photonic materials and devices [Text] / Ed.:H.S.Nalwa. - San Diego(Ca) : Acad.press.Vol. 10 : Light-emitting diodes,lithium batteries and polymer devices. - 2001. - XVI,313 p. p. : ill. - ISBN 0-12-513781-8 : 8500.00 р. Библиогр.в конце ст.Указ.:с.311-313ГРНТИ 47.33.3361.31.5961.61.99УДК 621.383.52(03)621.355.8(03)678.06(03) Рубрики: Светодиоды--СправочникиАккумуляторные батереи литиевые--СправочникиПолимерные изделия--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-109090 DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

31

Light emitting diodes Prentice-Hall intern. ser. in optoelectronics 0 ^aСветодиоды. Введение Prentice-Hall Intern. Библиогр. в конце разд. Указ.: с.255-258

Schairer, W

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Gillessen K, Schairer W Заглавие : Light emitting diodes : An introduction Выходные данные : Englewood Cliffs (NJ) et al.: Prentice-Hall Intern., 1987 Колич.характеристики :12, 258 с Серия: Prentice-Hall intern. ser. in optoelectronics Примечания : ; Библиогр. в конце разд. Указ.: с.255-258 ISBN, Цена 0-13-536533-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.29.31 + ; 47.33.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Light emitting diodes, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Schairer, W DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

32

Investigation into the emission spectrum of light emitting diodes for possible use as a light source for optical plant measurements Memorandum/Great Britain. Atomic energy authority. Research group; M 3384 0 ^aИсследование спектра излучения светоизлучающих диодов для возможного использования в качестве источников света для измерения параметров оптических устройств

Reid, M.A

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Diamond C.A, Reid M.A Заглавие : Investigation into the emission spectrum of light emitting diodes for possible use as a light source for optical plant measurements Выходные данные : London, 1984 Колич.характеристики :4 с Серия: Memorandum/Great Britain. Atomic energy authority. Research group; M 3384 ISBN, Цена 0-7058-0928-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 59.13.21 + ; 47.33.29 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Investigation into the emission spectrum of light emitting diodes for possible use as a light source for optical plant measurements Доп.точки доступа: Reid, M.A DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

33

High power laser diodes and applications SPIE seminar proc./Soc. of photo-optical instrumentation engineers 0 ^aМощные лазерные диоды и применения:Труды совещания, Лос Анджелес (Калифорния), янв. 1988 0 ; лазерный диод Библиогр. в конце статей.-Указ.: с.216-217 0 ; лазерный диод

Fiqueroa, L. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : High power laser diodes and applications : Proc. of the meet., 14-15 Jan. 1988, Los Angeles (Ca) Выходные данные : Bellingham(Wa), 1988 Колич.характеристики :VIII, 217 с: ил Серия: SPIE seminar proc./Soc. of photo-optical instrumentation engineers; N 893 Примечания : ; Библиогр. в конце статей.-Указ.: с.216-217 ISBN, Цена 0-89252-928-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.35.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; лазерный диод Перейти к источнику в Интернете: High power laser diodes and applications, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Fiqueroa, L. \.\ DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

34

Heterostructure diodes for millimeter wave power generation Штамп:Doktorsavh. vid Chalmers tekn. hogsk N.S. 0 ^aГетеростуктурные диоды для степенной генерации миллиметровых волн ; гетероструктурные диоды ; гетероструктурные диоды Изд. в сер.:Techn. rep./School of electrical a. computer engineering. Chalmers univ.of technology. N245 ; гетероструктурные диоды


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Gronqvist, Hans Заглавие : Heterostructure diodes for millimeter wave power generation : [Akad. avh. ...Chalmers tekn.hogsk.] Выходные данные : Goteborg(Sweden), 1993 Колич.характеристики :II,13,[130]с.: ил. Серия: Штамп:Doktorsavh. vid Chalmers tekn. hogsk N.S.; 989 Примечания : ; Изд. в сер.:Techn. rep./School of electrical a. computer engineering. Chalmers univ.of technology. N245 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ; гетероструктурные диоды Перейти к источнику в Интернете: Heterostructure diodes for millimeter wave power generation DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

35

Heterostructure diodes for millimeter wave power generation Technical rep./School of electrical a. computer engineering. Chalmers univ. of technology 0 ^aГетероструктурные диоды для генераторов миллиметровых волн:Дисс. Dep. of microwave technology. Chalmers univ. of technology Библиогр. в конце разд ; Генераторы сверхвысоких частот полупроводниковые


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Gronqvist H. Заглавие : Heterostructure diodes for millimeter wave power generation : Diss Выходные данные : Goteborg: Dep. of microwave technology. Chalmers univ. of technology, 1993 Колич.характеристики :207 с. разд. паг: 21 л. ил.: ил Серия: Technical rep./School of electrical a. computer engineering. Chalmers univ. of technology; N 245 Примечания : ; Библиогр. в конце разд ISBN, Цена 91-7032-907-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.31 Предметные рубрики: Генераторы сверхвысоких частот полупроводниковые Перейти к источнику в Интернете: Heterostructure diodes for millimeter wave power generation DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

36

Harmonic power generation of impatt diodes ARO rep./U.S. army research office 0 ^aГенерирование мощности гармоник лавинно-пролетных диодов (ЛПД) Библиогр.: с. 285-293


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Pao C.K Заглавие : Harmonic power generation of impatt diodes : Final rep Выходные данные : Research Triangle Park (NC.), 1985 Колич.характеристики :294 с Серия: ARO rep./U.S. army research office; N 186192-EL Примечания : ; Библиогр.: с. 285-293 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Harmonic power generation of impatt diodes DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

37

Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottkybarrier diodes Rep./Inst. fizyki i techniki jadrowej 0 ^aГенерация избытка - рекомбинационный шум в обратносмещенном диоде Шотки Рез. пол., рус. Библиогр.: с.21

Korbel, K

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Dabrowski W, Korbel K Заглавие : Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottkybarrier diodes Выходные данные : Krakow, 1988 Колич.характеристики :21 с Серия: Rep./Inst. fizyki i techniki jadrowej, ISSN 0302-9034; N 220/E Примечания : ; Рез. пол., рус. Библиогр.: с.21 Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottkybarrier diodes Доп.точки доступа: Korbel, K DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

38

Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottkybarrier diodes Rep./Inst. fizyki i techniki jadrowej 0 ^aГенерация избытка - рекомбинационный шум в обратносмещенном диоде Шотки Рез. пол., рус. Библиогр.: с.21

Korbel, K

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Dabrowski W, Korbel K Заглавие : Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottkybarrier diodes Выходные данные : Krakow, 1988 Колич.характеристики :21 с Серия: Rep./Inst. fizyki i techniki jadrowej, ISSN 0302-9034 ; N 220/E Примечания : ; Рез. пол., рус. Библиогр.: с.21 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottkybarrier diodes Доп.точки доступа: Korbel, K DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

39

Etude des conditions d'utilisation des diodes Schottky sur AsGa en videodetection dans la gamme submillimetrique 0 ^aИсследование возможностей использования диодов Шоттки на арсениде галлия в детектировании видеосигналов для судмиллиметрового диапазона. Дис Библиогр. в конце текста


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Pyee M Заглавие : Etude des conditions d'utilisation des diodes Schottky sur AsGa en videodetection dans la gamme submillimetrique : Diss Выходные данные : Paris,Б.г. Колич.характеристики :Разд. паг с Примечания : ; Библиогр. в конце текста Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude des conditions d'utilisation des diodes Schottky sur AsGa en videodetection dans la gamme submillimetrique DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

40

Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes Linkoping studies in science a. technology. Dissertations 0 ^aЭлектрические характеристики полевых транзисторов и туннельных диодов:Дис Linkoping univ. Dep. of physics a. measurement technology Библиогр. в конце разд. ; Кристаллические триоды полевые ; Кристаллические диоды туннельные


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Chen, Qiang Заглавие : Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes : Akad. avh. Выходные данные : Linkoping: Linkoping univ. Dep. of physics a. measurement technology, 1993 Колич.характеристики :115 с. разд. паг.: ил Серия: Linkoping studies in science a. technology. Dissertations, ISSN 0345-7524; N 314 Примечания : ; Библиогр. в конце разд. ISBN, Цена 91-7871-152-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Предметные рубрики: Кристаллические триоды полевые Кристаллические диоды туннельные Перейти к источнику в Интернете: Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

41

Diodes Диоды полупроводниковые


R/12715/57,Vol.2 Diodes [Text] : discrete semiconductors. - Englewood(Co) : [s. n.]. - ISSN 1040-0249.Ed. 57,Vol.2. - 1990. - Pag.var. - 20.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.2(05) Рубрики: Диоды полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

42

Diodes Диоды полупроводниковые


R/12715/57,Vol.1 Diodes [Text] : discrete semiconductors. - Englewood(Co) : [s. n.]. - ISSN 1040-0249.Ed. 57,Vol.1. - 1990. - 1059 p. - 50.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.2(05) Рубрики: Диоды полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

43

Diodes Диоды полупроводниковые


R/12715/57,Update Diodes [Text] : discrete semiconductors. - Englewood(Co) : [s. n.]. - ISSN 1040-0249.Ed. 57,Update. - 1990. - Pag.var. - 35.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.2(05) Рубрики: Диоды полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

44

Diodes Диоды полупроводниковые


R/12715/59 Diodes [Text] : discrete semiconductors. - Englewood(Co) : [s. n.]. - ISSN 1040-0249.Ed. 59. - Update. - 1992. - 109,B1-D18 p. p. : ill. - 2000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.2(05) Рубрики: Диоды полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

45

Diodes optoelectronics Discontinued discrete semiconductors


R/16873/1 Discontinued discrete semiconductors [Text] / DATA digest. - San Diego(Ca) : data business publ.Vol. 1 : Diodes optoelectronics. - 1990. - 1177 p. - ISBN 1046-395X : 135.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382(05) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

46

Diodes in photovoltaic modules and arrays Rep./US.Department of energy 0 ^aДиоды в фотогальванических модулях и антенных решетках.Итоговый отчет Библиогр.в тексте


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Diodes in photovoltaic modules and arrays : Final rep Выходные данные : Philadelphia (Pa.), 1984 Колич.характеристики :86 с Серия: Rep./US.Department of energy; JPL/956254-2 Примечания : ; Библиогр.в тексте Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Diodes in photovoltaic modules and arrays DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

47

Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes requlatrices. Sect.1: Specification particuliere... Publications Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres полупроводниковый прибор Диоды полупроводниковый прибор


R/1226/747/3,Sect.1 Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres [Text]. - Geneve : [s. n.].Pt. 3,Sect.1 : Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes requlatrices. Sect.1: Specification particuliere.. - 1st ed. - 1986. - 23 p. : ill. - (Publications / Commission electrotechnique internationale ; 747). - 0.50 р. Парал. загл. англ.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.2 Рубрики: Диоды Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

48

Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes regulatrices. Sect.2: Specification particuliere cadre pour les diodes regulatrices de... Publications Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres полупроводниковый прибор Диоды полупроводниковый прибор


R/1226/747/3,Sect.2 Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres [Text]. - Geneve : [s. n.].Pt. 3,Sect.2 : Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes regulatrices. Sect.2: Specification particuliere cadre pour les diodes regulatrices de.. - 1 ed. - 1986. - 25 p. - (Publications / Commission electrotechnique internationale ; 747). - 0.50 р. Загл. и текст парал. англ.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.2 Рубрики: Диоды Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

49

Diodes Discrete semiconductors: SC:Data handb./Philips semiconductors 0 ^aПолупроводниковые диоды. Справочник Philips


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Diodes Выходные данные : Hamburg: Philips, 1990 Колич.характеристики :871, IX с.: ил. Серия: Discrete semiconductors: SC:Data handb./Philips semiconductors Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.01.33 Перейти к источнику в Интернете: Diodes DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

50

Diodes 0 ^aДиоды D.A.T.A. Business publ. 0 ; диод 0 ; диод


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Diodes Выходные данные : San Diego: D.A.T.A. Business publ., 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; диод Перейти к источнику в Интернете: Diodes DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

51

Diodes 0 ^aДиоды D.A.T.A. Business publ. 0 ; диод 0 ; диод


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Diodes Выходные данные : San Diego: D.A.T.A. Business publ., 1990 Колич.характеристики :1059 с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; диод Перейти к источнику в Интернете: Diodes DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

52

Diodes 0 ^aДиоды D.A.T.A. Business publ. 0 ; диод 0 ; диод


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Diodes Выходные данные : San Diego: D.A.T.A. Business publ., 1990 Колич.характеристики :Разд. паг. с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; диод Перейти к источнику в Интернете: Diodes DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

53

DRIFTPIC,a computer program for the calculation of ion trajectories in the drift section of externally applied-B diodes Berichte KfK термоядерная установка Термоядерные установки, Проектирование, Автоматизация, , теус термоядерная установка

Schmidt, W.; Westermann, T.

S/333/5207 Feher, L. DRIFTPIC,a computer program for the calculation of ion trajectories in the drift section of externally applied-B diodes [Text] : сборник научных трудов / L.Feher,W.Schmidt,T.Westermann. - Karlsruhe : [s. n.], 1993. - 28 p. : ill. - (Berichte KfK / KfK, ISSN 0303-4003 ; 5207). - 50 р. Рез.англ.Библиогр.:с.24-25ГРНТИ 58.34УДК 621.039.6:004 Рубрики: Термоядерные установки--Проектирование--Автоматизация Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Schmidt, W.; Westermann, T. Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-104771 DIODES$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

54

DRIFTPIC,a computer program for the calculation of ion trajectories in the drift section of externally applied-B diodes Berichte KfK ; Термоядерные установки; Проектирование; Автоматизация, теус

Schmidt, W.; Westermann, T.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Feher L., Schmidt W., Westermann T. Заглавие : DRIFTPIC,a computer program for the calculation of ion trajectories in the drift section of externally applied-B diodes Выходные данные : Karlsruhe, 1993 Колич.характеристики :28 p.: ill. Серия: Berichte KfK/ Kernforschungszentrum(Karlsruhe), ISSN 0303-4003; 5207 Примечания : ; Рез.англ.Библиогр.:с.24-25 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 58.34 УДК : Предметные рубрики: Термоядерные установки Перейти к источнику в Интернете: DRIFTPIC,a computer program for the calculation of ion trajectories in the drift section of externally applied-B diodes Доп.точки доступа: Schmidt, W.; Westermann, T. DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

55

DRIFTPIC,a computer program for the calculation of ion trajectories in the drift section of externally applied-B diodes Berichte KFK Kernforschungszentrum(Karlsruhe) Рез.англ.Библиогр.:с.24-25 ; Термоядерные установки. -Проектирование. --Автоматизация, теус

Schmidt, W.; Westermann, T.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Feher L., Schmidt W., Westermann T. Заглавие : DRIFTPIC,a computer program for the calculation of ion trajectories in the drift section of externally applied-B diodes Выходные данные : Karlsruhe, 1993 Колич.характеристики :28 p.: ill. Коллективы : Kernforschungszentrum(Karlsruhe) Серия: Berichte KFK, ISSN 03034003;5207 Примечания : ; Рез.англ.Библиогр.:с.24-25 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 58.34 УДК : Предметные рубрики: Термоядерные установки Перейти к источнику в Интернете: DRIFTPIC,a computer program for the calculation of ion trajectories in the drift section of externally applied-B diodes Доп.точки доступа: Schmidt, W.; Westermann, T. DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

56

Characteristics of GaAs Schottky-barrier diodes for millimeter-wave mixers Technical rep./School of electrical a. computer engineering Chalmers univ. of technology 0 ^aХарактеристики мышьяково-галлиевых диодов с барьером Шоттки для миллиметрововолновых преобразователях S.n. Библиогр.: с.18


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Zirath H Заглавие : Characteristics of GaAs Schottky-barrier diodes for millimeter-wave mixers : Diss Выходные данные : Goteborg: S.n., 1986 Колич.характеристики :3, 18 с Серия: Technical rep./School of electrical a. computer engineering Chalmers univ. of technology; N 164 Примечания : ; Библиогр.: с.18 ISBN, Цена 91-7032-260-0: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.35 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Characteristics of GaAs Schottky-barrier diodes for millimeter-wave mixers DIODES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)