Sample records for УНИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (unipolar transistors)
from WorldWideScience.org

Sample records 1 - 20 shown. Select sample records:



1

физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем


АР01-5397 Будник, А. В. физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Будник. - Минск, 2001. - 21 с. : ил. В надзаг. : Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.:с. 17-18(16 назв.)ГРНТИ 47.13.11УДК 621.382.323.001.57(043)621.3.049.771.14.001.2(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

2

Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия


АР94-0432 Самсоненко, Б. Н. Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Б. Н. Самсоненко. - М., 1994. - 28 с В надзаг.: Моск. гос. ин-т электрон. техники (Техн. ун-т). Библиогр.:с.25-28 (33 назв.)ГРНТИ 47.3347.13.11УДК 621.382.323.002(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

3

Электрофизические характеристики и функциональные возможности транзисторных МТОП-структур


АР90-023219 Жужа, М. А. Электрофизические характеристики и функциональные возможности транзисторных МТОП-структур [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. А. Жужа. - Черновцы, 1990. - 16 с. В надзаг. : Черновиц. гос. ун-т. Библиогр.:с. 15-16(10 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

4

Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах


АР99-237 Пашковский, А. Б. Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. Б. Пашковский. - Фрязино, 1998. - 34 с. иблиогр.:с.31-34ГРНТИ 47.33УДК 621.382.2(043)621.382.323(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

5

Электромагнитные взаимодействия во входных цепях мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов и их энергетические и частотные характеристики


АР93-03391 Булгаков, О. М. Электромагнитные взаимодействия во входных цепях мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов и их энергетические и частотные характеристики [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / О. М. Булгаков. - Воронеж, 1993. - 18 с. : ил В надзаг.: Воронеж.гос.ун-т им.Ленинского комсомола. Библиогр.: с.15-18(27назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

6

Электродинамические эффекты в мощных СВЧ биполярных и МДП-транзисторах


АР94-0544 Гуков, П. О. Электродинамические эффекты в мощных СВЧ биполярных и МДП-транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / П. О. Гуков. - Воронеж, 1994. - 17 с. : ил В надзаг.:Воронеж.гос.ун-т.Библиогр.:с.15-17(17 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

7

Широтно-импульсные устройства управления на основе магнитно-транзисторных генераторов для систем вторичного электропитания


АР91-7106 Романов, А. В. Широтно-импульсные устройства управления на основе магнитно-транзисторных генераторов для систем вторичного электропитания [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / А. В. Романов. - Рязань, 1991. - 16 с. : ил В надзаг.: Рязан.политехн.ин-т. Библиогр.: с. 14-16(22назв.).ГРНТИ 47.59.39УДК 621.311.6:621.396.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

8

Численное моделирование структур мощных высоковольтных биполярных и ДМОП транзисторов


АР96-857 Куршева, Е. Н. Численное моделирование структур мощных высоковольтных биполярных и ДМОП транзисторов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Е. Н. Куршева. - Воронеж, 1995. - 22 с. : ил Библиогр.:с. 20-22 (20 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043)621.382.323(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

9

Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей


АР91-14121 Шварц, Н. Л. Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.полей:01.04.10 / Н. Л. Шварц. - Новосибирск, 1991. - 16 с. : ил В надзаг.: АН СССР,Сиб.отд-ние,Ин-т физики полупроводников. Библиогр.: с. 15-16(6 назв.).ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

10

Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах


АР91-2991 Ершова, Ю. В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова. - М., 1991. - 18 с. : ил В надзаг.: Моск.физ.-техн.ин-т. Библиогр.: с. 18(5 назв.).ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

11

Черно-белые и цветные жидкокристаллические видеодисплеи 14.7/11:А.М. на основе полисиликоновых тонкопленочных транзисторов 14.7/11:50 A.M. B/W and Colour LC Video Displays Addressed by Poly SI Tests жидкие кристаллы тонкопленочная технология дисплеи транзисторы жидкие кристаллы телевизоры тонкопленочная технология резисторы Дисплеи на жидких кристаллах дисплеи транзисторы жидкие кристаллы телевизоры тонкопленочная технология резисторы

Morozumi, S.

06935002897 Черно-белые и цветные жидкокристаллические видеодисплеи 14.7/11:А.М. на основе полисиликоновых тонкопленочных транзисторов [Text] / ВЦП. - [S. l. : s. n.]. - 11 c. : ил. - англ. - Пер.ст. 14.7/11:50 A.M. B/W and Colour LC Video Displays Addressed by Poly SI Tests / S. Morozumi, Oguchi из сб.: Proceedings of the International Symposium Digest. - S.l., S.a. - P.156-157. - Б. ц.ГРНТИ 50.10.2947.09.45 Рубрики: Дисплеи на жидких кристаллах Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Morozumi, S. Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

12

Центр для нашего будущего (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Центр для нашего будущего Пр …

VINITI Projects Database (Russian)

13

ЦНИИ эпидемилогии МЗ РФ (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)


2006-02-15

Типнаучно-исследовательский институтПолное название (официальное)ЦЕНТРАЛЬНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭПИДЕМИОЛОГИИ МИНИСТЕРСТВА ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РОССИИПрофиль деятельностиРазработка теоретиче …

VINITI Projects Database (Russian)

14

Формирование ионно-легированных и тонкопленочных структур для СВЧ транзисторов и микросхем


АР94-0437 Селезнев, Б. И. Формирование ионно-легированных и тонкопленочных структур для СВЧ транзисторов и микросхем [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Б. И. Селезнев. - СПб, 1994. - 32 с. В надзаг.:С.-Петербург.гос.электротехн.ун-т им.В.И.Ульянова (Ленина).Библиогр.:с.2732(46 назв.)ГРНТИ 47.33.3129.35.47УДК 621.382.3.029.6(043)621.3.049.77.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

15

Фонд по охране окружающей среды (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Фонд по охране окружающей среды …

VINITI Projects Database (Russian)

16

Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур


АР00-3392 Леженин, В. П. Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. П. Леженин. - Воронеж, 1998. - 19 с. : ил. Библиогр.:с. 18-19 (15 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

17

Физико-технологические основы создания мощных биполярных кремниевых транзисторов различного назначения в диапазоне частот 100-1000 МГц


АР00-сф95 Асессоров, В. В. Физико-технологические основы создания мощных биполярных кремниевых транзисторов различного назначения в диапазоне частот 100-1000 МГц [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.01 / В. В. Асессоров. - Воронеж, 1999. - 35 с. : ил. Библиогр.:с. 32-35(58 назв.)ГРНТИ 29.35.47УДК 621.382.3.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: сф(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

18

Физика отказов и обеспечение надежности мощных биополярных транзисторов ВЧ и СВЧ диапазона в режимах эксплуатации


АР92-010965 Рубаха, Е. А. Физика отказов и обеспечение надежности мощных биополярных транзисторов ВЧ и СВЧ диапазона в режимах эксплуатации [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Е. А. Рубаха. - М., 1992. - 72 с. : ил В надзаг.: НИИ "Пульсар". Библиогр.: с. 63-70(81 назв.).ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

19

Универсальная десятичная классификация (ГСНТИ/Рубрикаторы)


2004-12-09

УДК Консорциум Россия (http://forum.udcc.ru/index.php?s=3ba2c637762a492a7961eb7e821d2621) Общая методика применения Универсальной десятичной классификации Краткие исторические сведения об УДК Униве …

VINITI Projects Database (Russian)

20

Транзисторные преобразователи с высокочастотным импульсом регулирования (периодические режимы,коммутационные процессы,оптимизация,принципы построения)


АР91-7671 Комаров, Н. С. Транзисторные преобразователи с высокочастотным импульсом регулирования (периодические режимы,коммутационные процессы,оптимизация,принципы построения) [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.09.12 / Н. С. Комаров. - Киев, 1991. - 32 с. : ил В надзаг.: АН УССР,Ин-т электродинамики. Библиогр.: с. 26-31(73назв.).ГРНТИ 45.37УДК 621.314:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

21

Транзисторные преобразователи напряжения малой мощности для питания аппаратуры промышленного и бытового назначения


АР00-2399 Иванова, О. В. Транзисторные преобразователи напряжения малой мощности для питания аппаратуры промышленного и бытового назначения [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / О. В. Иванова. - М., 1999. - 28 с. : ил. В надзаг. : ОАО "НИИ вычисл.комплексов им.М.А.Карцева".Библиогр.:с. с.28 (11 назв.)ГРНТИ 47.59.39УДК 621.311.6:621.311.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

22

Транзисторные аппараты защиты и коммутации для низковольтных систем постоянного тока


АР02-4763 Распертов, В. В. Транзисторные аппараты защиты и коммутации для низковольтных систем постоянного тока [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.09.03 / В. В. Распертов. - М., 2001. - 20 с. В надзаг.: Моск. гос. авиац. ин-т (техн. ун-т). Библиогр.: с. 19-20 (12 назв.)ГРНТИ 45.31.31УДК 621.316.9:621.382(043)621.316.5:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

23

Транзисторные аппараты защиты и коммутации для авиационных систем переменного тока


АР01-2718 Серафимов, А. Е. Транзисторные аппараты защиты и коммутации для авиационных систем переменного тока [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.09.03 / А. Е. Серафимов. - М., 2000. - 20 с. : ил. Библиогр.:с. 19-20(11 назв.)ГРНТИ 55.47.29УДК 629.73.064.5(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

24

Транзисторная термометрия и ее применение в агромониторинге


АР00-205 Фогельсон, И. Б. Транзисторная термометрия и ее применение в агромониторинге [Текст] : диссертация в виде науч.докл.на соискание ученой степени д-ра техн.наук:06.01.14 / И. Б. Фогельсон. - СПб, 1998. - 70 с. : ил В надзаг. : Агрофиз.НИИ.Библиогр.:с. 65-69ГРНТИ 68.29.05УДК 63:551.5(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

26

Том 73 (Математика/Издания)


2006-09-28

Алгебра - 8     [Первая страница] Предоставление копий   Том 73. Алгебра …

VINITI Projects Database (Russian)

27

Термокондуктометрическое устройство контроля утечек потенциально опасных газов на основе полевых транзисторов


АР00-8142 Веряскина, О. Б. Термокондуктометрическое устройство контроля утечек потенциально опасных газов на основе полевых транзисторов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.11.13 / О. Б. Веряскина. - Нижний Новгород, 2000. - 23 с. : ил. Библиогр.:с. 21-23(25 назв.)ГРНТИ 59.35.29УДК 543.257.5.08(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

28

Теория электромагнитных процессов в однотактных транзисторных преобразователях постоянного напряжения


АР95-985 Поликарпов, А. Г. Теория электромагнитных процессов в однотактных транзисторных преобразователях постоянного напряжения [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.09.12 / А. Г. Поликарпов. - М., 1995. - 41 с. : ил В надзаг.: Моск.энерг.ин-т (техн.ун-т). Библиогр.: с.37-41 (65 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314.1:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

29

Теоретические и экспериментальные исследования распределенного усилителя с высокими рабочими характеристиками, работающего в диапазоне частот 2-18,5 ГГц A High-Performance 2-18 распределенное усиление интегральная схема полевой транзистор линия передачи матричный анализ усилитель распределенное усиление интегральная схема полевой транзистор линия передачи матричный анализ Усилители с распределенными параметрами усилитель распределенное усиление интегральная схема полевой транзистор линия передачи матричный анализ

McKay, T.

96/112 Теоретические и экспериментальные исследования распределенного усилителя с высокими рабочими характеристиками, работающего в диапазоне частот 2-18,5 ГГц [Текст] / ТПП УССР.Харьк.отд-ние. - [Б. м. : б. и.]. - 24 c. : ил. - англ. - Пер.ст. A High-Performance 2-18 / T. McKay ; IEEE из журн.: Transactions on Electron Devices. - Vol. ED-33, N 12. - GHz Distributed Amplifier-Theory and Experiment. - Б. ц. Библиогр.:14 назв.ГРНТИ 29.33.1547.41.3 Рубрики: Усилители с распределенными параметрами Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: McKay, T. Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

30

Схемотехническое проектирование и моделирование СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе


АР99-405 Фартушнов, С. А. Схемотехническое проектирование и моделирование СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / С. А. Фартушнов. - Саратов, 1998. - 20 с. : ил. Библиогр.:с. 19-20(6 назв.)ГРНТИ 47.41.31УДК 621.373.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

31

Структурно-параметрические методы компенсации сопутствующих нелинейностей транзисторных каскадов в режиме большого сигнала


АР98-2264 Сергеенко, А. И. Структурно-параметрические методы компенсации сопутствующих нелинейностей транзисторных каскадов в режиме большого сигнала [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.17 / А. И. Сергеенко. - Шахты, 1997. - 18 с. : ил. В надзаг. : Донская гос.акад.сервиса.Библиогр.:с. 17-18(15 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

32

Ссылки на похожие порталы и сайты (ГСНТИ/Hidden)


2004-12-29

Ссылки на похожие порталы и сайты 1. Министерство промышленности, науки и технологий России — www.mnstp.ru (http://www.mnstp.ru/) 2. Российская академия наук - www.uis.isi …

VINITI Projects Database (Russian)

33

Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора


АР00-590 Шипицин, Д. С. Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Д. С. Шипицин. - М., 1999. - 16 с. : ил. Библиогр.:с. 16 (3 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

34

Селективные свойства сенсоров на основе фосфорилсодержащих ионофоров по отношению к щелочноземельным металлам. Ионселективные полевые транзисторы на барий, кальций и литий


АР97-3573 Харитонов, А. Б. Селективные свойства сенсоров на основе фосфорилсодержащих ионофоров по отношению к щелочноземельным металлам. Ионселективные полевые транзисторы на барий, кальций и литий [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.02 / А. Б. Харитонов. - М., 1997. - 17 с. : ил. Библиогр.:с. 16-17ГРНТИ 31.19.15УДК 546.40.04:543.25(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

35

Северный совет министров (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Северный совет министров Про …

VINITI Projects Database (Russian)

36

Са-селективный сенсор на основе ионоселективного полевого транзистора с фотополимеризуемой мембраной: влияние процесса фотополимеризации на химико-аналитические свойства сенсора


АР00-3581 Левичев, С. С. Са-селективный сенсор на основе ионоселективного полевого транзистора с фотополимеризуемой мембраной: влияние процесса фотополимеризации на химико-аналитические свойства сенсора [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук:02.00.02 / С. С. Левичев. - СПб, 1999. - 16 с. : ил. В надзаг. :С.-Петерб. гос. ун-т. Библиогр.:с. 15-16(10 назв.)ГРНТИ 50.09.3731.25.17УДК 543.257.2.08(043)542.952.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

38

Российские научные издательства (ГСНТИ/Hidden)


2004-12-29

Специализированные, научные и технические издательства России Название Город URL или почтовый адрес Виды издаваемой литературы Тематика (основная специализация) "Connect". Информа …

VINITI Projects Database (Russian)

40

Разработка электрических интерполяционных моделей МОП-транзисторов повышенной точности


АР94-855 Люмаров, П. П. Разработка электрических интерполяционных моделей МОП-транзисторов повышенной точности [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук: 05.27.01 / П. П. Люмаров. - Новосибирск, 1993. - 16 с. : ил В надзаг.: Новосибир. гос. техн.ун-т. Библиогр.: с.15-16(8назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

41

Разработка основ проектирования и технологии транзисторных ключевых элементов для преобразовательной техники нового поколения


АР94-5504 Варданян, А. А. Разработка основ проектирования и технологии транзисторных ключевых элементов для преобразовательной техники нового поколения [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук в форме науч.докл.:05.13.05,05.27.01 / А. А. Варданян. - Ереван, 1994. - 65 с. : ил В надзаг.:Гос.инж.ун-т Армении.Библиогр.:с.61-64(32 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314.026(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

42

Разработка литографических методов и спецоборудования для создания СБИС и транзисторных структур с субмикронными размерами элементов


АР97-2656 Кривоспицкий, А. Д. Разработка литографических методов и спецоборудования для создания СБИС и транзисторных структур с субмикронными размерами элементов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / А. Д. Кривоспицкий. - М., 1997. - 38 с. : ил. Библиогр.:с. 34-38(55 назв.)ГРНТИ 47.13.17УДК 621.3.049.77.002:776(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

43

Разработка и исследование функциональных узлов для системы телекоммуникаций на основе уточненных моделей полевых транзисторов


Ар03-1064 Фадеева, Н. Е. Разработка и исследование функциональных узлов для системы телекоммуникаций на основе уточненных моделей полевых транзисторов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.12.13 / Н. Е. Фадеева. - Новосибирск, 2002. - 24 с. : ил. В надзаг.: Сибирск. гос. ун-т телекоммуникаций и информатики. Библиогр.: с. 21-24ГРНТИ 49.13.13УДК 621.39:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

44

Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии


АР96-3871 Моргунов, И. В. Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / И. В. Моргунов. - М., 1995. - 24 с. : ил Библиогр.:с. 22-23ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.026.002(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

45

Разработка и исследование сверхскоростных элементов на полевых транзисторах для интегральных радиоэлектронных устройств


АР98-1058 Ивченко, В. Г. Разработка и исследование сверхскоростных элементов на полевых транзисторах для интегральных радиоэлектронных устройств [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.05, 05.27.01 / В. Г. Ивченко. - Таганрог, 1997. - 22 с. : ил. В надзаг. :Таганрог.гос. радиотехн. ун-т. Библиогр.:с. 21-22ГРНТИ 47.14.17УДК 621.396.6(043)621.396.69(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

46

Разработка и исследование модульного экскаваторного преобразователя на транзисторах IGBT


АР02-3882 Сапельников, А. С. Разработка и исследование модульного экскаваторного преобразователя на транзисторах IGBT [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.09.03 / А. С. Сапельников. - М., 2001. - 20 с. + 100 экз. В надзаг.: Моск. энергет. ин-т (техн. ун-т)ГРНТИ 52.13.17УДК 622.271.4(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

47

Разработка и исследование высокочастотных транзисторных преобразователей напряжения с резонансным контуром


АР00-3853 Макаров, В. В. Разработка и исследование высокочастотных транзисторных преобразователей напряжения с резонансным контуром [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.09.12 / В. В. Макаров. - М., 1999. - 20 с. : ил. Библиогр.:с. 19-20 (13 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314.1(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

48

Разработка двухканальной транзисторной системы управления вентильным электродвигателем


АР98-4402 Бычков, В. В. Разработка двухканальной транзисторной системы управления вентильным электродвигателем [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.09.03 / В. В. Бычков. - М., 1998. - 16 с. : ил. Библиогр.:с. 15-16(9 назв.)ГРНТИ 45.29.31УДК 621.313.3-52(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

49

Разработка высокочастотных транзисторных преобразователей напряжения сети для стационарных и локальных систем электропитания


АР00-2595 Кастров, М. Ю. Разработка высокочастотных транзисторных преобразователей напряжения сети для стационарных и локальных систем электропитания [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.09.12 / М. Ю. Кастров. - М., 1999. - 20 с. : ил. Библиогр.:с. 19-20(11 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314(043)621.311.69(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

50

Разработка высокочастотных транзисторных преобразователей напряжения с уменьшенными коммутационными потерями


АР00-1721 Герасимов, А. А. Разработка высокочастотных транзисторных преобразователей напряжения с уменьшенными коммутационными потерями [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.09.12 / А. А. Герасимов. - М., 1999. - 20 с. : ил. Библиогр.:с. 19-20(11 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

51

Разработка адаптивных физитко-топологических моделей биполярных транзисторных структур


АР91-15145 Кучернюк, П. В. Разработка адаптивных физитко-топологических моделей биполярных транзисторных структур [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:06.27.01 / П. В. Кучернюк. - Киев, 1991. - 16 с В надзаг.: Киев.политехн.ин-т. Библиогр.: с. 16(8 назв.).ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

52

Прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием принципов пороговой логики методом троичного преобразования информативных параметров


АР02-6401 Стасюк, Д. М. Прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием принципов пороговой логики методом троичного преобразования информативных параметров [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / Д. М. Стасюк. - Минск, 2001. - 19 с. : ил. В надзаг.: Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.: с. 15-16(18 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33.019.3(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

53

Принципы разработки системы проектирования проектирования автогенераторов на СВЧ транзисторах


АР94-3625 Леоничева, Е. П. Принципы разработки системы проектирования проектирования автогенераторов на СВЧ транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.01 / Е. П. Леоничева. - М., 1993. - 14 с. В надзаг.: Моск.энерг.ин-т (Техн.ун-т). Библиогр.: с.14 (3 назв.)ГРНТИ 47.41.31УДК 621.373.12.001.2(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

54

Принципиальная гидрометаллургическая технология рациональной переработки кжк образований (Экология/Статьи)


2006-02-22

Тип Статья в сериальном издании Авторы Иванков С.И. Название Принципиальная гидрометаллургическая технология рациональной переработки кобальтоносных железомаргонцевых корковых образований Рефера …

VINITI Projects Database (Russian)

55

Преобразователи интегрального предварительного усилителя акустического излучения Acoustic Emission Integral PRE-AMP SEnsor акустическое излучение полевой транзистор предварительный усилитель преобразователь акустическое излучение соединитель полевой транзистор предварительный усилитель Усилители предварительные преобразователь акустическое излучение соединитель полевой транзистор предварительный усилитель


06931002556 Преобразователи интегрального предварительного усилителя акустического излучения [Текст] / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 7 c. : ил. - англ. - Пер.ст. Acoustic Emission Integral PRE-AMP SEnsor из журн.: Physical Acoustics Corp. - 1984. - P.1-2(США). - Б. ц.ГРНТИ 47.41.3347.55 Рубрики: Усилители предварительные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

57

Полигармонический анализ флуктуаций в автогенераторах на биполярных транзисторах


АР02-4450 Перфильев, А. А. Полигармонический анализ флуктуаций в автогенераторах на биполярных транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.12.04 / А. А. Перфильев. - М., 2001. - 20 с. + 100 экз. В надзаг.: Моск. энергет. ин-т техн. ун-т). Библиогр. в конце текста(5 назв.)ГРНТИ 47.41.31УДК 621.373.12(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

59

Осциллоскоп SS-5702 Instruction manual. Oscilloscope SS-5702 сигнал луч проверка калибровка запуск соединитель характеристики плата микросхема транзистор фаза Осциллографы сигнал луч проверка калибровка запуск соединитель характеристики плата микросхема транзистор фаза


06933001853 Осциллоскоп SS-5702 [Текст] : инструкция по эксплуатации / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 128 c. : ил. - англ. - Пер. материала фирмы: Instruction manual. Oscilloscope SS-5702 / Iwatsu(Япония). - S.l., S.a. - P.1-64. - Б. ц.ГРНТИ 47.29.29 Рубрики: Осциллографы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

60

Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления


АР97-3444 Тяжлов, В. С. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.10,01.04.03 / В. С. Тяжлов. - Саратов, 1997. - 15 с. : ил. Библиогр.:с.14-15 (14 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(043)621.375.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

61

Основы теории высокочастотных транзисторных преобразователей нового поколения с уменьшенными коммутационными потерями


АР96-2692 Лукин, А. В. Основы теории высокочастотных транзисторных преобразователей нового поколения с уменьшенными коммутационными потерями [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.09.12 / А. В. Лукин. - М., 1996. - 40 с. : ил Библиогр.:с. 37-40(33 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

63

Организации, учреждения и органы исполнительной власти РФ (Безопасность/Ресурсы)


2004-12-16

Информационный сервер правительства Российской Федерации (http://www.government.gov.ru/index.html) Содержит актуальную информацию по органам исполнительной власти, законодательным и нормативным, п …

VINITI Projects Database (Russian)

64

Оптимизация электрофизических и геометрических параметров полевых транзисторов в нелинейном режиме работы малошумящих усилителей СВЧ диапазопа


АР99-5799 Дыбой, А. В. Оптимизация электрофизических и геометрических параметров полевых транзисторов в нелинейном режиме работы малошумящих усилителей СВЧ диапазопа [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.03 / А. В. Дыбой. - Воронеж, 1998. - 18 с. : ил. Библиогр.:с. 17-18(9 назв.)ГРНТИ 47.3347.41.33УДК 621.382.323(043)621.375.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

65

Неразрушающий электрический контроль структур SiO -Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС


АР98-4394 Бутусов, И. Ю. Неразрушающий электрический контроль структур SiO -Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / И. Ю. Бутусов. - Воронеж, 1998. - 18 с. : ил. Библиогр.:с. 17-18(12 назв.)ГРНТИ 47.13.11УДК 621.382.323.002:658.562(043)621.3.049.77.002(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

66

Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p+-n-переходом


АР00-2426 Ильченко, Г. П. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p+-n-переходом [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. П. Ильченко. - Краснодар, 1999. - 19 с. Библиогр.:с. 18-19ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

67

Нелинейное взаимодействие многочастотных и шумовых сигналов в СВЧ усилителях на полевых транзисторах


АР99-583 Аверина, Л. И. Нелинейное взаимодействие многочастотных и шумовых сигналов в СВЧ усилителях на полевых транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / Л. И. Аверина. - Воронеж, 1998. - 19 с. Библиогр.:с. 15-19 (23 назв.)ГРНТИ 29.33.15УДК 621.375.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

69

Мощные быстродействующие ключи на основе статических индукционных транзисторов


АР92-9757 Пиляж, А. Мощные быстродействующие ключи на основе статических индукционных транзисторов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.12 / А. Пиляж. - М., 1992. - 15 с. : ил В надзаг.: Моск.энерг.ин-т. Библиогр.: с. 16(3назв.).ГРНТИ 47.59.37УДК 621.316.543:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

70

Моделирование электронных процессов в сверхскоростных биполярных гетероструктурных транзисторах


АР97-2717 Кулькова, Е. Ю. Моделирование электронных процессов в сверхскоростных биполярных гетероструктурных транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Е. Ю. Кулькова. - М., 1997. - 15 с. В надзаг. : Моск. гос. технол. ун-т "Станкин". Библиогр.:с. 14-15(8назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

71

Моделирование структурнозависимых технологических процессов формирования и характеритик поликремниевого МДП-транзистора


АР92-5398 Зиннурова, Э. З. Моделирование структурнозависимых технологических процессов формирования и характеритик поликремниевого МДП-транзистора [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Э. З. Зиннурова. - М., 1992. - 15 с В надзаг.: Рос.АН,Физ-технол.ин-т. Библиогр.: с. 15(3назв.).ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

72

Моделирование полевых транзисторов миллиметрового диапазона


АР00-799 Яцкевич, В. И. Моделирование полевых транзисторов миллиметрового диапазона [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.21, 05.27.01 / В. И. Яцкевич. - Минск, 1999. - 18 с. В надзаг. :Белоус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.:с. 17-18(15 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.029.6.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

73

Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в n-канале кремниевого субмикронного МОП-полевого транзистора


АР96-2679 Жевняк, О. Г. Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в n-канале кремниевого субмикронного МОП-полевого транзистора [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / О. Г. Жевняк. - Минск, 1996. - 18 с. В надзаг. :Белорус.гос.ун-т. Библиогр.:с. 15-16(17 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

74

Моделирование металлических одноэлектронных транзисторов


АР99-6841 Новик, Е. Г. Моделирование металлических одноэлектронных транзисторов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Е. Г. Новик. - Минск, 1999. - 20 с. В надзаг. :Белорус.гос.ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.:с. 16-17(14 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

75

Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС


АР94-5041 Муратчаев, С. А. Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / С. А. Муратчаев. - М., 1994. - 24 с. В надзаг.: Моск.гос.ин-т электронной техники (техн.ун-т). Библиогр.: с.23-24(9 назв.)ГРНТИ 47.3347.33.31УДК 621.382.33.001.57(043)621.3.049.771.14.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

76

Моделирование и исследование субмикронных транзисторных структур для монолитных интегральных схем СВЧ


АР91-15491 Букунов, С. В. Моделирование и исследование субмикронных транзисторных структур для монолитных интегральных схем СВЧ [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / С. В. Букунов. - СПб., 1991. - 16 с. В надзаг.: Ленингр.электротехн.ин-т им.В.И.Ульянова(Ленина). Библиогр.: с. 16(5 назв.).ГРНТИ 47.33.31УДК 621.3.049.77.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

77

Многофункциональные магнитно-транзисторные системы высоковольтного электропитания


АР91-11337 Криштафович, И. А. Многофункциональные магнитно-транзисторные системы высоковольтного электропитания [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.09.12 / И. А. Криштафович. - Киев, 1991. - 38 с. : ил В надзаг.: АН УССР,Ин-т электродинамики. Библиогр.: с. 36=38(24назв.).ГРНТИ 45.39УДК 621.311.6:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

78

Многоканальные источники вторичного электропитания на основе транзисторных однотактных преобразователей


АР93-2838 Сергеев, Б. С. Многоканальные источники вторичного электропитания на основе транзисторных однотактных преобразователей [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.09.12 / Б. С. Сергеев. - М., 1993. - 39 с. : ил В надзаг.: Моск.энерг.ин-т. Библиогр.: с.33-38(90 назв.)ГРНТИ 47.59.39УДК 621.311.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

79

Методологические основы контроля линейных размеров субмикронного диапазона методами оптической и растровой электронной микроскопии в технологии изготовления СВЧ-транзисторов


АР93-06903 Куликов, В. А. Методологические основы контроля линейных размеров субмикронного диапазона методами оптической и растровой электронной микроскопии в технологии изготовления СВЧ-транзисторов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / В. А. Куликов. - М., 1993. - 50 с. : ил В надзаг.: НИИ"Пульсар". Библиогр.: с.46-50ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.029.6.002(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

80

Метастабильность электронный состояний в а-SI:H B ее влияние на свойства материала и параметры тонкопленочных транзисторов


АР93-02559 Попов, И. А. Метастабильность электронный состояний в а-SI:H B ее влияние на свойства материала и параметры тонкопленочных транзисторов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. А. Попов. - М., 1993. - 18 с. : ил В надзаг.: Моск.энерг.ин-т. Библиогр.: с.18(10 назв)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3-416(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

82

Международная организация по стандартизации (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Международная организация по стандартизации …

VINITI Projects Database (Russian)

83

Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3В5


АР99-4669 Хренов, Г. Ю. Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3В5 [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. Ю. Хренов. - М., 1999. - 34 с. В надзаг. :Физико-технол. ин-т Рос.АН. Библиогр.:с. 27-34(52 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323.001.57(043)621.382.33.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

84

Математическое моделирование субмикронных биполярных гетероструктурных транзисторов на основе полупроводниковых материалов АзВ5


АР95-1387 Карташов, С. Е. Математическое моделирование субмикронных биполярных гетероструктурных транзисторов на основе полупроводниковых материалов АзВ5 [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.*наук:01.04.04 / С. Е. Карташов. - М., 1994. - 13 с. В надзаг.:Моск.физ.-техн.ин-т РАН.Библиогр.:с.11-13(12 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

85

Математическое моделирование сверхвысокочастотных полевых транзисторов и монолитных интегральных схем в многочастотном режиме работы


АР98-0163 Сивяков, Д. Б. Математическое моделирование сверхвысокочастотных полевых транзисторов и монолитных интегральных схем в многочастотном режиме работы [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Д. Б. Сивяков. - Саратов, 1998. - 19 с. : ил. Библиогр.:с. 18-19(14 назв.)ГРНТИ 47.45.9947.33.31УДК 621.3.049.77.029.6(043)621.382.323.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

86

Математическое моделирование СВЧ транзисторных генераторов с внешней обратной связью


АР02-8243 Мазеева, Е. М. Математическое моделирование СВЧ транзисторных генераторов с внешней обратной связью [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.13.18 / Е. М. Мазеева. - Саратов, 2002. - 20 с. : ил. Библиогр.: с. 19-20ГРНТИ 47.41.31УДК 621.396.029.6.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

87

Математика в сети Интернет (Математика/Ресурсы)


2006-06-02

    • В Московском математическом обществе • The American Mathematical Society (AMS) • Санкт-Петербургское математическое обществ …

VINITI Projects Database (Russian)

88

Малогабаритные транзисторные преобразователи напряжения с улучшенными показателями качества для устройств радиотехники и средств связи


АР96-6980 Худяков, В. Ф. Малогабаритные транзисторные преобразователи напряжения с улучшенными показателями качества для устройств радиотехники и средств связи [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.12.13,05.09.12 / В. Ф. Худяков. - СПб, 1996. - 32 с. : ил. Библиогр.:с. 28-32(58 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

89

Конференция ООН по торговле и развитию (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Конференция ООН по торговле и развитию …

VINITI Projects Database (Russian)

91

Комплексное методическое и аппаратурное обеспечение проектирования охлажденных СВЧ малошумящих усилителей на полевых транзисторах


АР98-3922 Топольницкий, В. Н. Комплексное методическое и аппаратурное обеспечение проектирования охлажденных СВЧ малошумящих усилителей на полевых транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.17 / В. Н. Топольницкий. - М., 1998. - 23 с. : ил. В надзаг. :Особое конструкторское бюро Моск. энергет. ин-та (техн*.ун-та). Библиогр.:с. 22-23(17 назв.)ГРНТИ 29.33.15УДК 621.375.029.6.001.2(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

94

Исследование надежности силовых транзисторов и разработка методов их отбраковки


АР94-5248 Айрапетян, В. К. Исследование надежности силовых транзисторов и разработка методов их отбраковки [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. К. Айрапетян. - М., 1994. - 28 с. : ил В надзаг.: Всерос. электротехн. ин-т им. В.И.Ленина. Библиогр.:с.28 (6 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.026(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

95

Исследование моделей функционирования и разработка аппаратно-программного обеспечения системы измерения параметров мощных транзисторов


АР96-1657 Купчинский, В. И. Исследование моделей функционирования и разработка аппаратно-программного обеспечения системы измерения параметров мощных транзисторов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / В. И. Купчинский. - Красноярск, 1996. - 16 с. : ил Библиогр.:с. 16 (7 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.026.08(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

96

Исследование ионоселективных полевых транзисторов,избирательных к ионам CL ,BF ,K и NH


АР93-3032 Жукова, Т. В. Исследование ионоселективных полевых транзисторов,избирательных к ионам CL ,BF ,K и NH [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.02 / Т. В. Жукова. - М., 1993. - 16 с. : ил В надзаг.: Рос.хим.-технол.ун-т им.Д.И.Менделеева. Библиогр.: с.15-16(7назв.)ГРНТИ 47.3331.05.35УДК 621.382.323(043)543.257.1.08(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

97

Исследование и разработка управляемых транзисторных преобразователей для устройств электропитания большой мощности


АР96-6204 Бардин, А. И. Исследование и разработка управляемых транзисторных преобразователей для устройств электропитания большой мощности [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / А. И. Бардин. - Рязань, 1996. - 16 с. Библиогр.:с. 15-16(12 назв.)ГРНТИ 47.59.39УДК 621.311.6:621.396.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

98

Исследование и разработка транзисторных резонансных регуляторов постоянного тока средней мощности


АР94-68 Никифоров, А. А. Исследование и разработка транзисторных резонансных регуляторов постоянного тока средней мощности [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.06,05.09.12 / А. А. Никифоров. - М., 1993. - 20 с. : ил В надзаг.: Моск.энерг.ин-т(Техн.ун-т). Библиогр.: с.19-20(6 назв.)ГРНТИ 45.31УДК 621.316.721:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

99

Исследование и разработка транзисторных автогенераторов с широкой электронной перестройкой частоты


АР91-02057 Гребенников, А. В. Исследование и разработка транзисторных автогенераторов с широкой электронной перестройкой частоты [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.17 / А. В. Гребенников. - М., 1991. - 19 с. В надзаг. : Моск. ин-т связи. Библиогр.:с. 18-19(10 назв.)ГРНТИ 47.41.31УДК 621.373.12(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

100

Исследование и разработка теории транзисторных автоколебательных систем с учетом ионизирующего возмущения


АР90-012998 Сайчев, В. П. Исследование и разработка теории транзисторных автоколебательных систем с учетом ионизирующего возмущения [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.01 / В. П. Сайчев. - Горький, 1990. - 19 с. В надзаг. : Горьк. политехн. ин-т. Библиогр.:с. 18-19(14 назв.)ГРНТИ 47.05.05УДК 621.372.41.001.2-52(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

101

Исследование и разработка кодовых широтно-импульсных способов регулирования в транзисторных инверторах для асинхронного электропривода


АР94-2165 Аверин, С. В. Исследование и разработка кодовых широтно-импульсных способов регулирования в транзисторных инверторах для асинхронного электропривода [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.09.12 / С. В. Аверин. - М., 1994. - 16 с. : ил В надзаг.: Моск. энерг. ин-т (техн. ун-т). Библиогр.: с.16(4 назв.)ГРНТИ 45.41УДК 621-83-52(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

102

Исследование и разработка импульсных транзисторных преобразователей постоянного напряжения


АР95-848 Баймулкин, В. А. Исследование и разработка импульсных транзисторных преобразователей постоянного напряжения [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.12 / В. А. Баймулкин. - Чебоксары, 1994. - 23 с. : ил В надзаг.: Чуваш.гос.ун-т им.И.Н.Ульянова. Библиогр.: с.22-24(26 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314.1:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

103

Исследование и разработка высокочастотных преобразователей на основе нормально открытых статических индукционных транзисторов


АР93-4165 Кардаш, М. Исследование и разработка высокочастотных преобразователей на основе нормально открытых статических индукционных транзисторов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.12 / М. Кардаш. - М., 1993. - 12 с. : ил В надзаг.: Моск.энерг.ин-т. Библиогр.: с.12(2 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

104

Исследование и развитие технологически ориентированных методов моделирования МОП-транзисторных структур


АР94-1527 Тихомиров, П. А. Исследование и развитие технологически ориентированных методов моделирования МОП-транзисторных структур [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / П. А. Тихомиров. - М., 1993. - 16 с. : ил В надзаг.: НИИ физ. проблем им.Ф.В.Лукина. Библиогр.: с.15-16 (6 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

105

Исследование и оптимизация коммутационных процессов в транзисторных источниках питания с промежуточным звеном высокой частоты для электротехнологических установок


АР98-1918 Патанов, Д. А. Исследование и оптимизация коммутационных процессов в транзисторных источниках питания с промежуточным звеном высокой частоты для электротехнологических установок [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.09.03 / Д. А. Патанов. - СПб., 1998. - 16 с. : ил. Библиогр.:с. 16 (3 назв.)ГРНТИ 47.59.39УДК 621.311.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

106

Ионоселективные полевые транзисторы (ИСПТ) с мембранами на основе фотополимеризуемых полиакрилатов, чувствительные к ионам калия и аммония


АР98-4685 Абрамова, Н. Ю. Ионоселективные полевые транзисторы (ИСПТ) с мембранами на основе фотополимеризуемых полиакрилатов, чувствительные к ионам калия и аммония [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.02 / Н. Ю. Абрамова. - СПб, 1998. - 17 с. : ил. В надзаг. :С.-Петерб. гос. ун-т. Библиогр.:с. 17(6 назв.)ГРНТИ 47.3331.19.15УДК 681.586(043)546.32-128.04.08(043)546.39-128.04.08(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

107

Интегральные СВЧ устройства на полевых транзисторах с барьером Шотки


АР96-3316 Бочков, В. В. Интегральные СВЧ устройства на полевых транзисторах с барьером Шотки [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.03 / В. В. Бочков. - СПб., 1996. - 16 с Библиогр.:с. 15-16(14назв.)ГРНТИ 47.33.31УДК 621.3.049.77.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

108

Инструкция по эксплуатации транзисторного инвертора модели ФРИКОЛ-Z120-S с регулируемым напряжением и частотой фирмы Мицубиси Электрик VVVF Transistor Inverter Freqrol-Z120-S. Instruction Manual регулировка скорости меры безопасности инверторы электродвигатели регулировка скорости эксплуатация меры безопасности Инверторы (эл.) полупроводниковые инверторы электродвигатели регулировка скорости эксплуатация меры безопасности


06927004398 Инструкция по эксплуатации транзисторного инвертора модели ФРИКОЛ-Z120-S с регулируемым напряжением и частотой фирмы Мицубиси Электрик [Текст] / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 166 с. : ил. - англ. - Пер. материала фирмы: VVVF Transistor Inverter Freqrol-Z120-S. Instruction Manual / Mitsubishi Electric Co.(Япония). - S.a. - P.1-74. - Б. ц.ГРНТИ 45.37.29 Рубрики: Инверторы (эл.) полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

109

Институт Острова Земля (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Институт Острова Земля Профи …

VINITI Projects Database (Russian)

110

Инжекционно-полевые транзисторные структуры для аналоговых ИМС


АР00-3344 Луговский, В. П. Инжекционно-полевые транзисторные структуры для аналоговых ИМС [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. П. Луговский. - Минск, 1999. - 20 с. В надзаг. : Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.:с. 15-17 (30 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(043)621.3.049.77(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

111

Импульсный источник электропитания. Модели PE 1141/02, PE 1141/52, PE 1143/02, PE 1143/52 Switched mode power supply РЕ 1141/02, РЕ 1141/52, РЕ 1143/02, РЕ 1143/52 источник электропитания логика транзисторно-транзисторная источник электропитания вход выход сигнал параметр логика транзисторно-транзисторная диод стабилитрон защита Источники питания импульсные источник электропитания вход выход сигнал параметр логика транзисторно-транзисторная диод стабилитрон защита


06927002883 Импульсный источник электропитания. Модели PE 1141/02, PE 1141/52, PE 1143/02, PE 1143/52 [Текст] : руководство по эксплуатации / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 34 c. : ил. - Пер. материала фирмы: Switched mode power supply РЕ 1141/02, РЕ 1141/52, РЕ 1143/02, РЕ 1143/52 : Operating manual / Philips(Бельгия). - 1987. - P. 1-10. - Б. ц.ГРНТИ 50.09.43 Рубрики: Источники питания импульсные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

112

Изотермическая неустойчивость и шнурование тока в полевых транзисторах и полупроводниковых структурах (к проблеме внезапных отказов и ограничений области режимов работы полевых транзисторов)


АР97-1799 Ващенко, В. А. Изотермическая неустойчивость и шнурование тока в полевых транзисторах и полупроводниковых структурах (к проблеме внезапных отказов и ограничений области режимов работы полевых транзисторов) [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / В. А. Ващенко. - М., 1997. - 34 с. : ил. В надзаг. :Гос.унитарное науч.-производственное предприятие "Пульсар". Библиогр.:с. 32-34ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

115

Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники


АР00-5465 Тимофеев, М. В. Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. В. Тимофеев. - М., 2000. - 25 с. : ил. В надзаг. :Моск.физ.-техн.ин-т. Библиогр.:с. 23-24 (10 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

116

Европейский союз охраны побережий (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Европейский союз охраны побережий …

VINITI Projects Database (Russian)

118

Декомпозиционный структурный синтез малошумящих широкополосных транзисторных УВЧ и СВЧ усилителей


АР93-6627 Покровский, М. Ю. Декомпозиционный структурный синтез малошумящих широкополосных транзисторных УВЧ и СВЧ усилителей [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.17 / М. Ю. Покровский. - Томск, 1993. - 23 с. : ил В надзаг.: Том.ин-т автоматизир.систем упр. и радиоэлектроники. Библиогр.: с.21-23 (22 назв.)ГРНТИ 47.14.13УДК 621.375.121.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

119

Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE транзистор насыщение моделирование Транзисторы биполярные транзистор насыщение моделирование

Smithies, S. A.

96/133 Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE [Текст] / ТПП БССР. - [Б. м. : б. и.]. - 7 c. : ил. - англ. - Пер.ст. A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE / S. A. Smithies, Poole из журн.: Journal of Solid-State Circuits. - 1987. - Vol. 22, N 2. - P.301-303. - Б. ц. Библиогр.:20 назв.ГРНТИ 47.33 Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Smithies, S. A. Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

120

Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах


АР00-5288 Сомов, А. И. Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Сомов. - Ульяновск, 1999. - 17 с. : ил Библиогр.:с. 16-17 (9 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.026(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

121

ГУП "ВНИИстандарт" (ГСНТИ/Hidden)


2004-12-21

ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО - ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ СТАНДАРТИЗАЦИИ ГОССТАНДАРТА РОССИИ" (ГУП "ВНИИстандарт") vniistand@gost.ru (mailto:vniistand@gos …

VINITI Projects Database (Russian)

122

ГЛАВНЫЙ БОТАНИЧЕСКИЙ САД им. Н.В. ЦИЦИНА РАН (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)


2006-02-16

ТипПолное название (официальное)ГЛАВНЫЙ БОТАНИЧЕСКИЙ САД им. Н.В. ЦИЦИНАПрофиль деятельностиОсновные направления исследований- интродукция и акклиматизация растений; сохранение генофонда растений ex s …

VINITI Projects Database (Russian)

123

Высокочастотный преобразователь на IGBT транзисторах для индукционного нагрева


АР98-4050 Чаколья Перес Эдгар Гонсало Высокочастотный преобразователь на IGBT транзисторах для индукционного нагрева [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.09.12 / Чаколья Перес Эдгар Гонсало. - М., 1998. - 19 с. : ил. Библиогр.:с. 19(1 назв.)ГРНТИ 45.43.35УДК 621.365.5(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

124

Высокочастотные транзисторные преобразователи с непрерывным потреблением тока и мягким переключением


АР00-7012 Якушев, В. А. Высокочастотные транзисторные преобразователи с непрерывным потреблением тока и мягким переключением [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.12 / В. А. Якушев. - М., 2000. - 20 с. : ил. Библиогр.:с. 20 (4 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314:621.382(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

125

Высокочастотные транзисторные преобразователи постоянного напряжения с применением планарных трансформаторов и дросселей с печатными обмотками


АР97-2481 Мифтахутдинов, Р. К. Высокочастотные транзисторные преобразователи постоянного напряжения с применением планарных трансформаторов и дросселей с печатными обмотками [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.09.12 / Р. К. Мифтахутдинов. - М., 1997. - 20 с. : ил. Библиогр.:с. 20(5 назв.)ГРНТИ 45.37.31УДК 621.314.1(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

127

Всемирная организация здравоохранения (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Всемирная организация здравоохранения …

VINITI Projects Database (Russian)

129

Влияние состояния поверхности арсенида галлия на характеристики полевых транзисторов с барьером Шоттки СВЧ диапазона


АР92-08405 Виноградова, Н. С. Влияние состояния поверхности арсенида галлия на характеристики полевых транзисторов с барьером Шоттки СВЧ диапазона [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Н. С. Виноградова. - М., 1992. - 23 с. В надзаг.: Моск.ин-т электрон.техники. Библиогр.: с. 21-23(16 назв.).ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

130

Взаимодействие многочастотных и шумовых сигналов в нелинейном режиме работы малошумящих усилителей СВЧ диапазона на НЕМТ транзисторах


АР02-2026 Лопатин, А. И. Взаимодействие многочастотных и шумовых сигналов в нелинейном режиме работы малошумящих усилителей СВЧ диапазона на НЕМТ транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.03 / А. И. Лопатин. - Воронеж, 2001. - 19 с. + 100 экз. В надзаг.: Воронеж. гос. ун-т. Библиогр.: с.17-19(18 назв.)ГРНТИ 29.33.15УДК 621.375.029.6(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

133

Быстродействующие диодно-транзисторные ограничители мощности для приемных модулей СВЧ в гибридноинтегральном и монолитном исполнениях


АР93-3035 Лазутин, Ю. А. Быстродействующие диодно-транзисторные ограничители мощности для приемных модулей СВЧ в гибридноинтегральном и монолитном исполнениях [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Ю. А. Лазутин. - М., 1993. - 20 с. : ил В надзаг.: Моск.энерг.ин-т. Библиогр.: с.19-20(17 назв.)ГРНТИ 47.45.33УДК 621.374.34(043)621.382.323(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

134

Англо-русский словарь по информатике (Информатика/Ресурсы)


2005-02-11

   A B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=195&Itemid=310)&nb …

VINITI Projects Database (Russian)

135

Аналитическое моделирование физических особенностей полупроводниковых структур при расчете основных характеристик быстродействующих полевых транзисторов


АР94-1489 Кузнецов, М. Г. Аналитическое моделирование физических особенностей полупроводниковых структур при расчете основных характеристик быстродействующих полевых транзисторов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.10 / М. Г. Кузнецов. - М., 1994. - 26 с. : ил В надзаг.: Моск. гос. ин-т электрон. техники (Техн. ун-т). Библиогр.: с.25-26ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

136

Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ)


АР01-1685 Николаенков, Ю. К. Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Ю. К. Николаенков. - Воронеж, 2000. - 16 с. : ил. Библиогр.:с. 15-16 (17 назв.)ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33.001.57(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

137

Анализ и разработка усилителей мощности на полевых транзисторах для передатчиков с ОМ


АР92-3109 Самойлов, И. В. Анализ и разработка усилителей мощности на полевых транзисторах для передатчиков с ОМ [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.17 / И. В. Самойлов. - Воронеж, 1992. - 17 с. : ил В надзаг.: Воронеж.политехн.ин-т. Библиогр.: с. 16-17(5 назв.).ГРНТИ 47.41.33УДК 621.375.026(043) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш. ТРАНЗИСТОР$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

139

Александров Валерий Сергеевич (Информатика/Персоналии)


2006-02-21

Страна: Russian Federation Город: Санкт-Петербург Адрес: Московский пр., 19 Email: V.S.Alexandrov@vniim.ru Телефон: 7 (812) 316-90-73, Должность: Заместитель директора по науке Обл …

VINITI Projects Database (Russian)

140

Александров Валерий Сергеевич (Автоматика и радиоэлектроника/Персоналии)


2006-04-17

ФамилияАлександровИмяВалерийОтчествоСергеевичСтранаRUZIPГородСанкт-ПетербургАдресМосковский пр., 19emailV.S.Alexandrov@vniim.ru (mailto:V.S.Alexandrov@vniim.ru)Ключевые словаФаксТелефон7 (812) 316-90- …

VINITI Projects Database (Russian)

141

Xiyou jinshu cailiao yu (Металлургия/Статьи)


2006-02-20

Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название X …

VINITI Projects Database (Russian)

144

V (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

145

University of Würzburg. Robotics and Telematics (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mobile Robots, Telematics, Space exploration, Robots in medicine ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Würzburrg, Deutschland www …

VINITI Projects Database (Russian)

147

University of Southern California Robotics Research Laboratory (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Research in autonomous robotics, biological and artificial neural systems, reinforcement learning, genetic algorithms, robotic and prosthetic hands, desig …

VINITI Projects Database (Russian)

149

University of Electro-Communications. Yamafuji and Ulyanov Lab. (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mechatronics, Mobile robots, Manipulators Сокр. название: EC ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo, Japan www.yama.mce.uec.ac.jp/ …

VINITI Projects Database (Russian)

151

University of Dortmund. Institute of Robotics Research (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Multi-Robot-Systems, Space robotics, Automation, Communication, Mobile robots Сокр. название: IRF ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Do …

VINITI Projects Database (Russian)

153

University of Bremen. Institute for Automation (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Servicerobotics, Planning, Vision, Teaching, Inverse kinematics ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Bremen, Deutschland http://siem …

VINITI Projects Database (Russian)

156

University Aachen. European Center for Mechatronics (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mechatronics, Micromechanics, Service robots, Communication, Userinterface, Sensor systems ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Aachen, Deutsc …

VINITI Projects Database (Russian)

157

University Aachen Prozeßsteuerung in der Schweißtechnik (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Manufacturing ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Aahen, Deutschland www.rwth-aahen.de (www.rwth-aahen.de) …

VINITI Projects Database (Russian)

160

Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aНастраиваемый эффект спаривания в связанных сверхпроводящих одноэлектронных транзисторах. [Туннелирование одноэлектронное; Эффект Джозефсона]. Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Kimura, Mitsuru

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Katsumoto Shingo, Kimura Mitsuru Заглавие : Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Выходные данные : Tokyo: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 1996 Колич.характеристики :4 с.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3202 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 + ; 29.19.03 + ; 47.03.08 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Доп.точки доступа: Kimura, Mitsuru TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

161

Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors Doktorsavhandlingar vid Chalmers techniska hogskola;N639 0 ^aСвойства гетероперехода биполярных транзисторов 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория Библиогр.: с. 47-68 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Ramberg L.P. Заглавие : Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors Выходные данные : Goteborg, 1987 Колич.характеристики :6, 68 с: ил Серия: Doktorsavhandlingar vid Chalmers techniska hogskola;N639 Примечания : ; Библиогр.: с. 47-68 ISBN, Цена 91-7032-327-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория Перейти к источнику в Интернете: Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

162

Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors 0 ^aПеренос и соответствующие свойства гетеропереходов биполярных транзиторов Библиогр.: с.47-68 и в конце ст


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ramberg L.P Заглавие : Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors : Diss Выходные данные : Goteborg, 1987 Колич.характеристики :6, 68 с Примечания : ; Библиогр.: с.47-68 и в конце ст Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

163

Transistorschaltungen selbst entwickeln: Schon das Ohmsche Gesetz reicht aus, Transistorschaltungen erfolgreich durchzurechnen Franzis Elektronikbuch fur jedermann 0 ^aСамостоятельная разработка транзисторных схем. Для успешного расчета транзисторных схем достаточно знать закон Ома Franzis Указ.: с. 134-135


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Knobloch W Заглавие : Transistorschaltungen selbst entwickeln: Schon das Ohmsche Gesetz reicht aus, Transistorschaltungen erfolgreich durchzurechnen : Mit 87 Abbild Выходные данные : Munchen: Franzis, 1985 Колич.характеристики :135 с Серия: Franzis Elektronikbuch fur jedermann Примечания : ; Указ.: с. 134-135 ISBN, Цена 3-7723-7791-2: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistorschaltungen selbst entwickeln: Schon das Ohmsche Gesetz reicht aus, Transistorschaltungen erfolgreich durchzurechnen TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

164

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

165

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

166

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

167

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

168

Transistors 0 ^aТранзистор. 1984


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors . -55th ed Выходные данные : Pine Brook (N.J.),Б.г. Колич.характеристики :4, 7 с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

169

Toshiba. Research and Development Center (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Vision, Speech, Humanoids, Pipeline inspection, Control, Modular manipulation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo www.toshiba …

VINITI Projects Database (Russian)

170

Thin film transistors 0 ^aТонкопленочные транзисторы: Материалы и процессы.Т. 2: Поликристаллические тонкопленочные кремниевые транзисторы.


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Thin film transistors Выходные данные : Б.м.,Б.г. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Thin film transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

172

The Institute of Nanotechnology (Химия/Организации)


2006-02-21

Тип: институт Профиль деятельности: Развитие и продвижение всех аспектов нанотехнологии. Организация международных научных мероприятий, обучающих курсов для поощрения внедрения нанотехнологии в п …

VINITI Projects Database (Russian)

173

Technische Universität Münchenn. Theoretische Informatik und Grundlagen der KI (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Adaptive control, Mobile robots, Distributed AI, Neural Networks ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Münche n,, Deutschland www. …

VINITI Projects Database (Russian)

175

Technique de mise en serie des transistors de puissance pour la moyenne et haute tension 0 ^aТехника серийного выпуска мощностных транзисторов для среднего и высокого напряжения.Дис Библиогр.: с.139-141


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Cabaleiro Cortizo Заглавие : Technique de mise en serie des transistors de puissance pour la moyenne et haute tension : Diss Выходные данные : Toulouse, 1984 Колич.характеристики :141 с Примечания : ; Библиогр.: с.139-141 Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Technique de mise en serie des transistors de puissance pour la moyenne et haute tension TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

176

Technical University of Hamburg-Harburg. Department for machine tools and automation technology (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Autonomous robots, Vision, Pattern recognition, Medical robotics, Planning, Manipulation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Hamburg, Deutsch …

VINITI Projects Database (Russian)

177

Technical University Berlin. Real-Time Systems (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Human interface, Vision, Realtime ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Berlin, Deutschland www.tu-berlin.de (www.tu-ber …

VINITI Projects Database (Russian)

178

T (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-04

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

179

Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors Internal report DESY F35D-96-122, July 1996 0 ^aИзучение радиационных повреждений в аналоговых трактах КМОП, МОП-транзисторах и МОП-конденсаторах 0 ; ядерная физика 0 ; экспериментальные установки 0 ; ядерная физика 0 ; экспериментальные установки Рез. нем 0 ; ядерная физика 0 ; экспериментальные установки


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Bottcher, Stephan Заглавие : Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors : Diss. ... Univ. Hamburg Выходные данные : Hamburg, 1996 Колич.характеристики :134 стб: ил; 30 см Серия: Internal report DESY F35D-96-122, July 1996 Примечания : ; Рез. нем Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; ядерная физика--0 ; экспериментальные установки Перейти к источнику в Интернете: Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

180

Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes Acta polytechnica Scandinavica. Electrical engineering ser. 0 ^aИзучение прибора на основе биполярного транзистора и полевого транзистора с полупроводниковым затвором 0 ; транзисторы;полупроводники Библиогр.: с.27-29 0 ; транзисторы;полупроводники


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Eranen S. Заглавие : Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss Выходные данные : Helsinki, 1992 Колич.характеристики :29 с: ил Серия: Acta polytechnica Scandinavica. Electrical engineering ser., ISSN 0001-6845; N 72 Примечания : ; Библиогр.: с.27-29 ISBN, Цена 951-666-357-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы;полупроводники Перейти к источнику в Интернете: Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

181

Small-signal transistors for amplifier and switching applications Siemens ; Транзисторы . Справочники , тр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Small-signal transistors for amplifier and switching applications : Data book 1988/89 Выходные данные : Muchen: Siemens, 1988 Колич.характеристики :155 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors for amplifier and switching applications TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

182

Small-signal transistors Philips ; Транзисторы . Справочники , тр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Small-signal transistors : Data handbook SC04 Выходные данные : Б.м., 1995 Колич.характеристики :1247 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

183

Small-signal transistors Discrete semiconductors:SC/Philips semiconductors 0 ^aТранзисторы, работающие в режиме малого сигнала. Справочник Philips


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Small-signal transistors Выходные данные : Hamburg: Philips, 1991 Колич.характеристики :896, III с.: ил. Серия: Discrete semiconductors:SC/Philips semiconductors Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.01.33 Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

184

Silicon germanium heterojunction bipolar transistors Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology 0 ^aКремниевые и германиевые биполярные гетеротранзисторы. Моделирование при большом уровне сигнала и характеристика низкочастотного шума. Дис. 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Библиогр.:с.109-112 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bruce S. Заглавие : Silicon germanium heterojunction bipolar transistors : Large-signal modelling a. low-frequency noise characterization aspects: Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :126 с: ил Серия: Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 479 Примечания : ; Библиогр.:с.109-112 ISBN, Цена 91-554-4558-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Перейти к источнику в Интернете: Silicon germanium heterojunction bipolar transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

186

S (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

187

Robot Books.com (Машиностроение/Ресурсы)


2006-04-13

Тип2НазваниеRobot Books.comОписаниеReviews of robotics books, plus robot kits, movies, and toy robotsКлючевые словароботы, элементы, книги, продажаПерспективы развитияТип доступасвободныйФормат данных …

VINITI Projects Database (Russian)

189

Red book (Металлургия/Издания)


2006-02-20

Тип Книга Авторы G.Effenberg, O.I. Bodak, L.A. Petrova Название …

VINITI Projects Database (Russian)

190

Ra (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

191

Practical transistors and linear integrated circuits 0 ^aПрактические транзисторы и линейные интегральные схемы Wiley 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы Библиогр. в конце частей.-Указ.: с. 667-686 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Greenfield J.D. Заглавие : Practical transistors and linear integrated circuits Выходные данные : New York etc: Wiley, 1988 Колич.характеристики :XIV, 686 с: ил Примечания : ; Библиогр. в конце частей.-Указ.: с. 667-686 ISBN, Цена 0-471-89097-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.33.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы Перейти к источнику в Интернете: Practical transistors and linear integrated circuits TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

193

PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs Philips ; МОП-транзисторы силовые . Справочники , моситр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs : Data handbook Выходные данные : Б.м., 1995 Колич.характеристики :637 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: МОП-транзисторы силовые Перейти к источнику в Интернете: PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

194

Power transistors IEEE press sel. reprint ser. 0 ^aСиловые транзисторы: устройство, проектирование и применение IEEE press

Baliga, B.J; Chen, D.Y

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Power transistors : Device, design and applications Выходные данные : New York: IEEE press, 1984 Колич.характеристики :393 с Серия: IEEE press sel. reprint ser. Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Power transistors Доп.точки доступа: Baliga, B.J; Chen, D.Y TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

195

Power MOS transistors 0 ^aМощные транзисторы:Справочник Philips components 0 ; транзистор 0 ; транзистор


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Power MOS transistors : Product specifications Выходные данные : Eindhoven: Philips components, 1989 Колич.характеристики :498 с: ил Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзистор Перейти к источнику в Интернете: Power MOS transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

196

Pa (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

198

On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors 0 ^aХарактеристика и оптимизация высокоскоростных кремниевых биполярных транзисторов.Дис. 0 ; биполярные; транзисторы Рез.нидерл.-Библиогр.в конце ст 0 ; биполярные; транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Wijnen P.J.van Заглавие : On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors : Diss. Выходные данные : Delft, 1992 Колич.характеристики :V,265 с: ил Примечания : ; Рез.нидерл.-Библиогр.в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

201

Newsflash 2 (Newsflashes/Newsflash)


2004-08-09

Yesterday all servers in the U.S. went out on strike in a bid to get more RAM and better CPUs. A spokes person said that the need for better RAM was due to some fool increasing the front-side bus spee …

VINITI Projects Database (Russian)

202

National Nanotechnology Initiative (Химия/Ресурсы)


2006-04-05

ТипНазваниеNational Nanotechnology InitiativeОписаниеThe National Nanotechnology Initiative (NNI) is a federal R&D program established to coordinate the multiagency efforts in nanoscale science, e …

VINITI Projects Database (Russian)

203

National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: 3-d vision, Human friendly systems, Field robotics, Intelligent transport systems, Humanoids, Auditory signal processing Сокр. название: AIST ГРНТИ: …

VINITI Projects Database (Russian)

205

Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Springer sci. and Business Media, inc. ; Транзисторы

Guo, J.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Lundstrom M.S., Guo J. Заглавие : Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Выходные данные : New York (NY) [etc.]: Springer sci. and Business Media, inc., 2006 Колич.характеристики :VI, 217 p.: ill Примечания : ; Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 213-217 ISBN, Цена 0-387-28002-2: р2728.63 р. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Доп.точки доступа: Guo, J. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

206

Nanofactory Instruments (Химия/Организации)


2006-04-05

Типпромышленная компанияПолное название (официальное)Nanofactory InstrumentsПрофиль деятельностиNanofactory Instruments develop, manufacture and sell unique solutions for the electron microscopy marke …

VINITI Projects Database (Russian)

207

N (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

208

Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors Forschungsber./BRD. Bundesmin. fur Forschung und Technologie 0 ^aИнтеграция на одной подложке ультравысокочастотных полевых МОП-транзисторов и биополярных транзисторов Библиогр.: с. 53


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Mueller W Заглавие : Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors Выходные данные : Bonn, 1982 Колич.характеристики :56 с Серия: Forschungsber./BRD. Bundesmin. fur Forschung und Technologie ; T-80-172 Примечания : ; Библиогр.: с. 53 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

209

Modulation-duped field-effect transistors 0 ^aПолевые транзисторы с добавлением модуляций.Принципы расчета и технология IEEE press 0 ; полевые транзисторы 0 ; полевые транзисторы Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 0 ; полевые транзисторы

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Modulation-duped field-effect transistors : Principles (des.) a. technology Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,523 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 ISBN, Цена 0-8794-2255-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевые транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Modulation-duped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

210

Modulation-doped field-effect transistors 0 ^aПорлевые транзисторы с дополнительной модуляцией.Принципы, проектирование, технология IEEE press 0 ; полдевые транзисторы Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 0 ; полдевые транзисторы

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Modulation-doped field-effect transistors : Principles, design, a. technology Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,523 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 ISBN, Цена 0-87942-255-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полдевые транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Modulation-doped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

211

Modulation-doped field-effect transistors 0 ^aПолевые транзисторы с добавленной модуляцией IEEE press 0 ; полевые транзисторы, потр Библиогр.в конце ст.-Указ.;с.441-454 0 ; полевые транзисторы, потр

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Modulation-doped field-effect transistors : Applications and circuits Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,455 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.;с.441-454 ISBN, Цена 0-87942-256-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевые транзисторы, потр Перейти к источнику в Интернете: Modulation-doped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

212

Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Report;N11 0 ^aМоделирование и методы измерения высокоскоростных биполярных транзисторов:Diss:Диссертация Helsingin teknillinen korkeakoulu.Electronic circuit design laboratory 0 ; биполярные транзисторы; измерение 0 ; биполярные транзисторы; измерение

Sipila, M. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Выходные данные : Espoo, 1989 Колич.характеристики :115 с: ил Коллективы : Helsingin teknillinen korkeakoulu.Electronic circuit design laboratory Серия: Report;N11 ISBN, Цена 951-754-881-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы; измерение Перейти к источнику в Интернете: Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Доп.точки доступа: Sipila, M. \.\ TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

213

Microwave field-effect transistors-theory, design and applications Electronic and electrical engineering research studies: Electronic devices and systems ser. 0 ^aПолевые транзисторы диапазона СВЧ - теория, расчет структуры и применения Research studies press; New York et al. Библиогр. в конце глав. Указ.: с.631-636


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Pengelly R.S Заглавие : Microwave field-effect transistors-theory, design and applications . -2nd ed Выходные данные : Letchworth (Hertfordshire): Research studies press; New York et al., 1986 Колич.характеристики :22, 636 с Серия: Electronic and electrical engineering research studies: Electronic devices and systems ser.; N 1 Примечания : ; Библиогр. в конце глав. Указ.: с.631-636 ISBN, Цена 0-86380-040-8: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Microwave field-effect transistors-theory, design and applications TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

214

Microscopic theory of electronic noise in semiconductor unipolar structures La rivista del nuovo cimento. Ser.3 ; Полупроводниковые приборы; Шумы, попр

Reggiani, L.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Varani L., Reggiani L. Заглавие : Microscopic theory of electronic noise in semiconductor unipolar structures Выходные данные : Bologna, 1994 Колич.характеристики :110 p.: ill. Серия: La rivista del nuovo cimento. Ser.3, ISSN 0393-697X; Vol.17,N 7 Примечания : ; Библиогр.:с.106-110 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Полупроводниковые приборы Перейти к источнику в Интернете: Microscopic theory of electronic noise in semiconductor unipolar structures Доп.точки доступа: Reggiani, L. UNIPOLAR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

218

K (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

219

Journal of nanoscience and nanotechnology (Металлургия/Ресурсы)


2006-02-20

ТипОтдельный выпуск журналаАвторыНазваниеJournal of nanoscience and nanotechnologyРефератпубликуются материалы по нанотехнологиям и наноматериаламКлючевые словананотехнологии, наноматериалыПолное назв …

VINITI Projects Database (Russian)

221

Japan Marine Science and Technology Center Deep Sea Research (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Underwater robotics Сокр. название: JAMSTEC ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Yokosuka, Kanagawa, Japan www.jamstec.go.jp/index-e/ …

VINITI Projects Database (Russian)

223

Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Препринт ^aInvestigation of radiation stability of transistors and integrated circuits using the heavy ion beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons

Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : Автор(ы) : Didyk A.Yu., Nazarov W.N., Gulbekian G.G. Заглавие : Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Выходные данные : Dubna, 1994 Колич.характеристики :11 p.: il. Серия: Препринт; E14-94-218 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 + ; 47.33.37 УДК : 621.382.3:539.16(04) + 621.3.049.77:539.16(04) Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

224

International University Bremen. Robotics Lab. (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Robotic rescue, Embedded systems Сокр. название: IUB ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Bremen, Deutschland http://robotics.iu- …

VINITI Projects Database (Russian)

225

International Organization for Standardization (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


2006-04-17

ТипорганизацияПолное название (официальное)International Organization for Standardization - Международная организация по стандартизацииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация международная деяте …

VINITI Projects Database (Russian)

227

I (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

233

GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits 0 ^aБиполярные гетеротранзисторы на GaAs-GaAlAs и связанные с ними интегральные схемы. Дис Библиогр.: с.122-126


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Su L.M Заглавие : GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits : Diss Выходные данные : Aachen, 1984 Колич.характеристики :128 с Примечания : ; Библиогр.: с.122-126 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

234

G (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

236

Foster-Miller, Inc. (Химия/Организации)


2006-04-05

Типпромышленная компанияПолное название (официальное)Foster-Miller, Inc.Профиль деятельностиNanotechnology company providing system design and integration, microelectronics services, biomedical techno …

VINITI Projects Database (Russian)

237

FirstBots Home (Машиностроение/Ресурсы)


2006-04-13

Тип2НазваниеFirstBots HomeОписаниеFeaturing the simple mobile robot that most hobbyists can build in a weekend. Also containe links to uzer groups, publications, suppliers and other robotics topics.Кл …

VINITI Projects Database (Russian)

239

European Cooperation in Legal Metrology (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


2006-04-17

ТипОрганизацияПолное название (официальное)European Cooperation in Legal Metrology - Европейское сотрудничество в области законодательной метрологииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация междун …

VINITI Projects Database (Russian)

240

European Committee for Standardization - Европейский Комитет по стандартизации (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


2006-04-17

ТипОрганизацияПолное название (официальное)European Committee for Standardization - Европейский Комитет по стандартизацииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация международная деятельностьСокращё …

VINITI Projects Database (Russian)

243

Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone 0 ^aИсследование и реализация цифрового управления транзисторным регулятором скорости для асинхронных машин. Применение на электрической тяги Библиогр.: с. 153-155


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Venuat J Заглавие : Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone : Application a la traction electrique: Diss Выходные данные : Toulouse, 1983 Колич.характеристики :155 с Примечания : ; Библиогр.: с. 153-155 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.35 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

244

Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion 0 ^aИсследование характеристик короткозамкнутого асинхронного двигателя, питающегося от транзисторного (МОП) управляемого генератора мощности с широтно-импульсной модуляцией Библиогр.: с. 127-129


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Olivier E Заглавие : Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion : Diss Выходные данные : Grenoble, 1982 Колич.характеристики :129 с Примечания : ; Библиогр.: с. 127-129 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.29.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

245

Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion 0 ^aИсследование характеристик короткозамкнутого асинхронного двигателя, питающегося от транзисторного (МОП) управляемого генератора мощности с широтно-импульсной модуляцией Библиогр.: с. 127-129


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Olivier E Заглавие : Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion : Diss Выходные данные : Grenoble, 1982 Колич.характеристики :129 с Примечания : ; Библиогр.: с. 127-129 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.29.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

246

Epson. Industrial Robots-Devision (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: хозяйственная Профиль деятельности: Manufacturing, Manipulation, Control ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Email: robot.infos@epson.de Город: Deutschland www.epson.de/en …

VINITI Projects Database (Russian)

248

Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes Linkoping studies in science a. technology. Dissertations 0 ^aЭлектрические характеристики полевых транзисторов и туннельных диодов:Дис Linkoping univ. Dep. of physics a. measurement technology Библиогр. в конце разд. ; Кристаллические триоды полевые ; Кристаллические диоды туннельные


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Chen, Qiang Заглавие : Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes : Akad. avh. Выходные данные : Linkoping: Linkoping univ. Dep. of physics a. measurement technology, 1993 Колич.характеристики :115 с. разд. паг.: ил Серия: Linkoping studies in science a. technology. Dissertations, ISSN 0345-7524; N 314 Примечания : ; Библиогр. в конце разд. ISBN, Цена 91-7871-152-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Предметные рубрики: Кристаллические триоды полевые Кристаллические диоды туннельные Перейти к источнику в Интернете: Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

249

Ein Charge-Sheet-Modell des Silicon-on-Insulator MOS-Transistors fur die Schaltungssimulation Fortschritt-Ber. VDI.R.9 0 ^aЗарядово-плоская модель MOS-транзисторов с кремнием на изоляторе для моделирования схем VDI-Verl. 0 ; MOS-транзистор 0 ; MOS-транзистор 0 ; MOS-транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Abel, Hans Bernd Заглавие : Ein Charge-Sheet-Modell des Silicon-on-Insulator MOS-Transistors fur die Schaltungssimulation Выходные данные : Dusseldorf: VDI-Verl., 1994 Колич.характеристики :XI, 146 с: ил Серия: Fortschritt-Ber. VDI.R.9, ISSN 0178-9422; N 187 ISBN, Цена 3-18-318709-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; mos-транзистор Перейти к источнику в Интернете: Ein Charge-Sheet-Modell des Silicon-on-Insulator MOS-Transistors fur die Schaltungssimulation TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

250

E (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

251

Designing with field-effect transistors 0 ^aПроектирование полевых транзисторов McGraw-Hill 0 ; полевой транзистор Указ. в конце кн 0 ; полевой транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Designing with field-effect transistors . -2 ed. Выходные данные : New York etc.: McGraw-Hill, 1990 Колич.характеристики :296 с: ил Примечания : ; Указ. в конце кн Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевой транзистор Перейти к источнику в Интернете: Designing with field-effect transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

252

Design,production,and testing of field effect transistors US.NASA contractor rep. 0 ^aРасчет,производство и испытание канальных транзисторов Библиогр.в конце текста


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sclar N Заглавие : Design,production,and testing of field effect transistors Выходные данные : Washington, 1982 Колич.характеристики :84 с Серия: US.NASA contractor rep.; N 166321 Примечания : ; Библиогр.в конце текста Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Design,production,and testing of field effect transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

253

Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Rapports ; Фазовращатели . Проектирование , фа ; Фазовращатели . Моделирование , фа

Jensen, G.U.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Nawaz M., Jensen G.U. Заглавие : Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Выходные данные : Oslo, 1995 Колич.характеристики :39 p.: ill Серия: Rapports/ Universitetet i Oslo.Fysisk institutt, ISSN 0332-5571; 95-09 Примечания : ; Библиогр.:с.38-39 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.45.31 УДК : Предметные рубрики: Фазовращатели Фазовращатели Перейти к источнику в Интернете: Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Доп.точки доступа: Jensen, G.U. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

254

Design and realization of bipolar transistors Design and measurement in electronic engineering 0 ^aРасчет и реализация биполярных транзисторов Wiley 0 ; биполярные транзисторы Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.193-198 0 ; биполярные транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ashburn P. Заглавие : Design and realization of bipolar transistors Выходные данные : Chichester etc.: Wiley, 1988 Колич.характеристики :XVII, 198 с+ил Серия: Design and measurement in electronic engineering Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.193-198 ISBN, Цена 0-471-91700-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Design and realization of bipolar transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

255

Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology 0 ^aПроектирование и моделирование высокочастотных LDMOS транзисторов. Дис. 0 ; моделирование транзисторов 0 ; моделирование транзисторов Библиогр.: с.47-50 0 ; моделирование транзисторов


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Vestling L. Заглавие : Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors : Diss. Выходные данные : Uppsala, 2002 Колич.характеристики :50 c: ил Серия: Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology, ISSN 1104-232X; N 681 Примечания : ; Библиогр.: с.47-50 ISBN, Цена 91-554-5210-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.14.07 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; моделирование транзисторов Перейти к источнику в Интернете: Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

256

Darmstadt University of Technology. Control Systems Theory & Robotics Department (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Control, Manipulaion, Mobile robots ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Darmstadt, Deutschland www.rt.e-technik.tu-darmstadt.de/index …

VINITI Projects Database (Russian)

258

Daimler Chrysler Research & Technology. Cognition and Robotics Group, Sensor-based and... (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Mobile robots, Manufacturing assistants, Learning, Human/robot interaction ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Berlin, Deutschland …

VINITI Projects Database (Russian)

260

Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance 0 ^aВклад в изучение прямых преобразователей частоты на транзисторах мощности. Дис Библиогр.: с. 169-172


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Perin A Заглавие : Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance : Diss Выходные данные : Toulouse, 1984 Колич.характеристики :172 с Примечания : ; Библиогр.: с. 169-172 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.37 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

261

Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance 0 ^aВклад в изучение прямых преобразователей частоты на транзисторах мощности. Дис Библиогр.: с. 169-172


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Perin A Заглавие : Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance : Diss Выходные данные : Toulouse, 1984 Колич.характеристики :172 с Примечания : ; Библиогр.: с. 169-172 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.37 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

264

Cambridge Scientific Abstracts (Металлургия/Организации)


2006-02-19

ТипбиблиотекаПолное название (официальное)Cambridge Scientific AbstractsПрофиль деятельностиинформационное обеспечение в области металлургииСокращённое официальное названиеCSAДата создания1966ГРНТИРФФ …

VINITI Projects Database (Russian)

265

Ca (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2004-12-31

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca&nb …

VINITI Projects Database (Russian)

267

Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads Researches/Electrotechn. lab. 0 ^aОсновы теории и расчет быстродействия интегральных микросхем с МОП-структурой с МОП-транзисторами в качестве нагрузки Текст на яп.яз. Рез. на англ.яз. Библиогр. в конце ст


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Hayashi Y Заглавие : Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads Выходные данные : Tsukuba, 1988 Колич.характеристики :212 с Серия: Researches/Electrotechn. lab.; N 890 Примечания : ; Текст на яп.яз. Рез. на англ.яз. Библиогр. в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.17 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

268

B (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B Ca (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=195&Itemid=310)&nb …

VINITI Projects Database (Russian)

270

Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Rapports ; Транзисторы СВЧ . Моделирование , свтр

Jensen, G.U.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Nawaz M., Jensen G.U. Заглавие : Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Выходные данные : Oslo, 1995 Колич.характеристики :13 p.: ill Серия: Rapports/ Universitetet i Oslo.Fysisk institutt, ISSN 0332-5571; 95-01 Примечания : ; Библиогр.:с.9 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы СВЧ Перейти к источнику в Интернете: Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Доп.точки доступа: Jensen, G.U. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

271

Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors Comprehensive analytical chemistry;Vol.23 0 ^aАналитическое и медико-биологическое применение ион-селективных полевых транзисторов Elsevier 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение

Sibbald, A.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Bergveld P., Sibbald A. Заглавие : Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors Выходные данные : Amsterdam etc.: Elsevier, 1988 Колич.характеристики :XVI, 172 л с.: ил Серия: Comprehensive analytical chemistry;Vol.23 ISBN, Цена 0-444-42976-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.05 + ; 76.13.31 + ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение Перейти к источнику в Интернете: Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Sibbald, A. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

273

A study of new structure short channel MOS transistors Researches of the Electrotechn.lab. 0 ^aИзучение МОП транзисторов с новой короткоканальной структурой Electrotechn.lab. 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура Текст яп.-Рез.англ.-Библиогр.:с.104-110 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sekigawa Toshihiro Заглавие : A study of new structure short channel MOS transistors Выходные данные : Tsukuda: Electrotechn.lab., 1991 Колич.характеристики :110,6 с: ил Серия: Researches of the Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106;N 923 Примечания : ; Текст яп.-Рез.англ.-Библиогр.:с.104-110 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура Перейти к источнику в Интернете: A study of new structure short channel MOS transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)