Sample records for ТРАНЗИСТОРЫ (transistors)
from WorldWideScience.org

Sample records 1 - 20 shown. Select sample records:



1

Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology 0 ^aПроектирование и моделирование высокочастотных LDMOS транзисторов. Дис. 0 ; моделирование транзисторов 0 ; моделирование транзисторов Библиогр.: с.47-50 0 ; моделирование транзисторов


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Vestling L. Заглавие : Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors : Diss. Выходные данные : Uppsala, 2002 Колич.характеристики :50 c: ил Серия: Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology, ISSN 1104-232X; N 681 Примечания : ; Библиогр.: с.47-50 ISBN, Цена 91-554-5210-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.14.07 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; моделирование транзисторов Перейти к источнику в Интернете: Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

2

Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors Forschungsber./BRD. Bundesmin. fur Forschung und Technologie 0 ^aИнтеграция на одной подложке ультравысокочастотных полевых МОП-транзисторов и биополярных транзисторов Библиогр.: с. 53


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Mueller W Заглавие : Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors Выходные данные : Bonn, 1982 Колич.характеристики :56 с Серия: Forschungsber./BRD. Bundesmin. fur Forschung und Technologie ; T-80-172 Примечания : ; Библиогр.: с. 53 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

3

Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE транзистор насыщение моделирование Транзисторы биполярные транзистор насыщение моделирование

Smithies, S. A.

96/133 Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE [Текст] / ТПП БССР. - [Б. м. : б. и.]. - 7 c. : ил. - англ. - Пер.ст. A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE / S. A. Smithies, Poole из журн.: Journal of Solid-State Circuits. - 1987. - Vol. 22, N 2. - P.301-303. - Б. ц. Библиогр.:20 назв.ГРНТИ 47.33 Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Smithies, S. A. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

4

Design,production,and testing of field effect transistors US.NASA contractor rep. 0 ^aРасчет,производство и испытание канальных транзисторов Библиогр.в конце текста


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sclar N Заглавие : Design,production,and testing of field effect transistors Выходные данные : Washington, 1982 Колич.характеристики :84 с Серия: US.NASA contractor rep.; N 166321 Примечания : ; Библиогр.в конце текста Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Design,production,and testing of field effect transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

5

A study of new structure short channel MOS transistors Researches of the Electrotechn.lab. 0 ^aИзучение МОП транзисторов с новой короткоканальной структурой Electrotechn.lab. 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура Текст яп.-Рез.англ.-Библиогр.:с.104-110 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sekigawa Toshihiro Заглавие : A study of new structure short channel MOS transistors Выходные данные : Tsukuda: Electrotechn.lab., 1991 Колич.характеристики :110,6 с: ил Серия: Researches of the Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106;N 923 Примечания : ; Текст яп.-Рез.англ.-Библиогр.:с.104-110 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура Перейти к источнику в Интернете: A study of new structure short channel MOS transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

6

Designing with field-effect transistors 0 ^aПроектирование полевых транзисторов McGraw-Hill 0 ; полевой транзистор Указ. в конце кн 0 ; полевой транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Designing with field-effect transistors . -2 ed. Выходные данные : New York etc.: McGraw-Hill, 1990 Колич.характеристики :296 с: ил Примечания : ; Указ. в конце кн Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевой транзистор Перейти к источнику в Интернете: Designing with field-effect transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

7

Technique de mise en serie des transistors de puissance pour la moyenne et haute tension 0 ^aТехника серийного выпуска мощностных транзисторов для среднего и высокого напряжения.Дис Библиогр.: с.139-141


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Cabaleiro Cortizo Заглавие : Technique de mise en serie des transistors de puissance pour la moyenne et haute tension : Diss Выходные данные : Toulouse, 1984 Колич.характеристики :141 с Примечания : ; Библиогр.: с.139-141 Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Technique de mise en serie des transistors de puissance pour la moyenne et haute tension TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

8

Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Report;N11 0 ^aМоделирование и методы измерения высокоскоростных биполярных транзисторов:Diss:Диссертация Helsingin teknillinen korkeakoulu.Electronic circuit design laboratory 0 ; биполярные транзисторы; измерение 0 ; биполярные транзисторы; измерение

Sipila, M. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Выходные данные : Espoo, 1989 Колич.характеристики :115 с: ил Коллективы : Helsingin teknillinen korkeakoulu.Electronic circuit design laboratory Серия: Report;N11 ISBN, Цена 951-754-881-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы; измерение Перейти к источнику в Интернете: Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Доп.точки доступа: Sipila, M. \.\ TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

9

On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors 0 ^aХарактеристика и оптимизация высокоскоростных кремниевых биполярных транзисторов.Дис. 0 ; биполярные; транзисторы Рез.нидерл.-Библиогр.в конце ст 0 ; биполярные; транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Wijnen P.J.van Заглавие : On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors : Diss. Выходные данные : Delft, 1992 Колич.характеристики :V,265 с: ил Примечания : ; Рез.нидерл.-Библиогр.в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

10

Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes Linkoping studies in science a. technology. Dissertations 0 ^aЭлектрические характеристики полевых транзисторов и туннельных диодов:Дис Linkoping univ. Dep. of physics a. measurement technology Библиогр. в конце разд. ; Кристаллические триоды полевые ; Кристаллические диоды туннельные


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Chen, Qiang Заглавие : Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes : Akad. avh. Выходные данные : Linkoping: Linkoping univ. Dep. of physics a. measurement technology, 1993 Колич.характеристики :115 с. разд. паг.: ил Серия: Linkoping studies in science a. technology. Dissertations, ISSN 0345-7524; N 314 Примечания : ; Библиогр. в конце разд. ISBN, Цена 91-7871-152-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Предметные рубрики: Кристаллические триоды полевые Кристаллические диоды туннельные Перейти к источнику в Интернете: Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

11

Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors Doktorsavhandlingar vid Chalmers techniska hogskola;N639 0 ^aСвойства гетероперехода биполярных транзисторов 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория Библиогр.: с. 47-68 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Ramberg L.P. Заглавие : Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors Выходные данные : Goteborg, 1987 Колич.характеристики :6, 68 с: ил Серия: Doktorsavhandlingar vid Chalmers techniska hogskola;N639 Примечания : ; Библиогр.: с. 47-68 ISBN, Цена 91-7032-327-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория Перейти к источнику в Интернете: Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

12

Design and realization of bipolar transistors Design and measurement in electronic engineering 0 ^aРасчет и реализация биполярных транзисторов Wiley 0 ; биполярные транзисторы Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.193-198 0 ; биполярные транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ashburn P. Заглавие : Design and realization of bipolar transistors Выходные данные : Chichester etc.: Wiley, 1988 Колич.характеристики :XVII, 198 с+ил Серия: Design and measurement in electronic engineering Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.193-198 ISBN, Цена 0-471-91700-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Design and realization of bipolar transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

13

Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors Comprehensive analytical chemistry;Vol.23 0 ^aАналитическое и медико-биологическое применение ион-селективных полевых транзисторов Elsevier 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение

Sibbald, A.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Bergveld P., Sibbald A. Заглавие : Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors Выходные данные : Amsterdam etc.: Elsevier, 1988 Колич.характеристики :XVI, 172 л с.: ил Серия: Comprehensive analytical chemistry;Vol.23 ISBN, Цена 0-444-42976-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.05 + ; 76.13.31 + ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение Перейти к источнику в Интернете: Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Sibbald, A. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

14

Ein Charge-Sheet-Modell des Silicon-on-Insulator MOS-Transistors fur die Schaltungssimulation Fortschritt-Ber. VDI.R.9 0 ^aЗарядово-плоская модель MOS-транзисторов с кремнием на изоляторе для моделирования схем VDI-Verl. 0 ; MOS-транзистор 0 ; MOS-транзистор 0 ; MOS-транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Abel, Hans Bernd Заглавие : Ein Charge-Sheet-Modell des Silicon-on-Insulator MOS-Transistors fur die Schaltungssimulation Выходные данные : Dusseldorf: VDI-Verl., 1994 Колич.характеристики :XI, 146 с: ил Серия: Fortschritt-Ber. VDI.R.9, ISSN 0178-9422; N 187 ISBN, Цена 3-18-318709-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; mos-транзистор Перейти к источнику в Интернете: Ein Charge-Sheet-Modell des Silicon-on-Insulator MOS-Transistors fur die Schaltungssimulation TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

15

Транзисторы и линейные ИС Practical transistors and linear integrated circuits Мир Транзисторы Интегральные схемы линейные

Greenfield, J. D.

Ж2-92/15589 Гринфилд, Д. Транзисторы и линейные ИС [Текст] : руководство по анализу и расчету / Д.Гринфилд;Пер. с англ. Н.И.Кузнецова. - М. : Мир, 1992. - 556 с. : ил. - Пер. изд. : Practical transistors and linear integrated circuits / J. D. Greenfield. - New York et al., 1988. - 6700 экз. - ISBN 5-03-001633-3 : Б. ц. Библиогр. в конце глав. Предм.-имен. указ.: с.545-552ГРНТИ 47.33УДК 621.3.049.77621.382.3 Рубрики: ТранзисторыИнтегральные схемы линейные Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Greenfield, J. D. Экз-ры: хр(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

16

study of new structure short channel MOS transistors Researches Моп-транзисторы


R/1872/923 Sekigawa, T. A study of new structure short channel MOS transistors [Text] : материал технической информации / T.Sekigawa. - Tokyo : [s. n.], 1991. - 110 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; n923). - 5.00 р. Текст яп.Рез.англ.Библиогр.в конце книгиГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Моп-транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

17

Wideband transistors and wideband hybrid IC modules Philips data handbook:Semiconductors полупроводниковый прибор Полупроводниковые приборы, Справочники полупроводниковый прибор


Q/5505/S10 Philips data handbook:Semiconductors [Text]. - Eindhoven : Philips.B. S10 : Wideband transistors and wideband hybrid IC modules. - 1987. - 780,VII p. p. : ill. - 4.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382(03) Рубрики: Полупроводниковые приборы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

18

Vacuum transistors Futuretech транзистор Транзисторы транзистор


R/16822/64(1988) Futuretech [Text] : a probing look at strategic technologies that will significantly affect industry. - Englewood(NJ) : Techn.insights.64(1988) : Vacuum transistors. - 1988. - 14 p. - 3.00 р. Библиогр.:с.14ГРНТИ 47.29УДК 621.382.3 Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

19

Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aНастраиваемый эффект спаривания в связанных сверхпроводящих одноэлектронных транзисторах. [Туннелирование одноэлектронное; Эффект Джозефсона]. Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Kimura, Mitsuru

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Katsumoto Shingo, Kimura Mitsuru Заглавие : Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Выходные данные : Tokyo: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 1996 Колич.характеристики :4 с.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3202 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 + ; 29.19.03 + ; 47.03.08 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Доп.точки доступа: Kimura, Mitsuru TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

20

Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors 0 ^aПеренос и соответствующие свойства гетеропереходов биполярных транзиторов Библиогр.: с.47-68 и в конце ст


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ramberg L.P Заглавие : Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors : Diss Выходные данные : Goteborg, 1987 Колич.характеристики :6, 68 с Примечания : ; Библиогр.: с.47-68 и в конце ст Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

21

Transistorschaltungen selbst entwickeln: Schon das Ohmsche Gesetz reicht aus, Transistorschaltungen erfolgreich durchzurechnen Franzis Elektronikbuch fur jedermann 0 ^aСамостоятельная разработка транзисторных схем. Для успешного расчета транзисторных схем достаточно знать закон Ома Franzis Указ.: с. 134-135


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Knobloch W Заглавие : Transistorschaltungen selbst entwickeln: Schon das Ohmsche Gesetz reicht aus, Transistorschaltungen erfolgreich durchzurechnen : Mit 87 Abbild Выходные данные : Munchen: Franzis, 1985 Колич.характеристики :135 с Серия: Franzis Elektronikbuch fur jedermann Примечания : ; Указ.: с. 134-135 ISBN, Цена 3-7723-7791-2: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistorschaltungen selbst entwickeln: Schon das Ohmsche Gesetz reicht aus, Transistorschaltungen erfolgreich durchzurechnen TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

22

Transistors Транзисторы


R/11575/60 ed. Transistors [Text]. - Pine Brook(NJ) : [s. n.].60 ed. - . - 1990. - Pag.var. - 60.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(05) Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

23

Transistors Транзисторы


R/11575/60 ed.,update Transistors [Text]. - Pine Brook(NJ) : [s. n.].60 ed.,update. - 1990. - Pag.var. - 20.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(05) Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

24

Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz Publications Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres полупроводниковый прибор Транзисторы полевые полупроводниковый прибор


R/1226/747/8,Sect.1 Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres [Text]. - Geneve : [s. n.].Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz. - 1 ed. - 1987. - 33 p. : ill. - (Publications / Commission electrotechnique internationale ; 747). - 0.50 р. Загл. и текст парал. англ.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

25

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

26

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

27

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

28

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

29

Transistors 0 ^aТранзистор. 1984


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors . -55th ed Выходные данные : Pine Brook (N.J.),Б.г. Колич.характеристики :4, 7 с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

30

Total-dose effects of y-ray irradiation on SOI-MOS transistors KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, Влияние ионизирующих излучений, , деизиопо

Matsushita, T.; Fukunaga, C.; Ikeda, H.; Saitoh, Y.

R/17226/94-195 Total-dose effects of y-ray irradiation on SOI-MOS transistors [Text] : submitted to Nucl.instrum.meth.,A. / T.Matsushita,C.Fukunaga,H.Ikeda,Y.Saitoh. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 18 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-195). - 1000 р. Библиогр.:с.8-9ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Matsushita, T.; Fukunaga, C.; Ikeda, H.; Saitoh, Y. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

31

Thyristors transistors Discontinued discrete semiconductors


R/16873/2 Discontinued discrete semiconductors [Text] / DATA digest. - San Diego(Ca) : data business publ.Vol. 2 : Thyristors transistors. - 1990. - 998, D84 p. - ISBN 1046-395X : 133.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382(05) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

32

Thin film transistors 0 ^aТонкопленочные транзисторы: Материалы и процессы.Т. 2: Поликристаллические тонкопленочные кремниевые транзисторы.


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Thin film transistors Выходные данные : Б.м.,Б.г. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Thin film transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

33

Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors Internal report DESY F35D-96-122, July 1996 0 ^aИзучение радиационных повреждений в аналоговых трактах КМОП, МОП-транзисторах и МОП-конденсаторах 0 ; ядерная физика 0 ; экспериментальные установки 0 ; ядерная физика 0 ; экспериментальные установки Рез. нем 0 ; ядерная физика 0 ; экспериментальные установки


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Bottcher, Stephan Заглавие : Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors : Diss. ... Univ. Hamburg Выходные данные : Hamburg, 1996 Колич.характеристики :134 стб: ил; 30 см Серия: Internal report DESY F35D-96-122, July 1996 Примечания : ; Рез. нем Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; ядерная физика--0 ; экспериментальные установки Перейти к источнику в Интернете: Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

34

Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes Acta polytechnica Scandinavica. El, Electrical engineering series Транзисторы биполярные, , битр Диоды полупроводниковые, , дипо


R/5050/72 Eranen, S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes [Text] : diss. / S.Eranen. - Helsinki : [s. n.], 1992. - 29 p. : ill. - (Acta polytechnica Scandinavica. El, Electrical engineering series, ISSN 0001-6845 ; n72). - ISBN 951-666-357-5 : 10 р. Библиогр.:с.27-29ГРНТИ 47.2947.33УДК 621.382.2(043)621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярныеДиоды полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

35

Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes Acta polytechnica Scandinavica. Electrical engineering ser. 0 ^aИзучение прибора на основе биполярного транзистора и полевого транзистора с полупроводниковым затвором 0 ; транзисторы;полупроводники Библиогр.: с.27-29 0 ; транзисторы;полупроводники


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Eranen S. Заглавие : Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss Выходные данные : Helsinki, 1992 Колич.характеристики :29 с: ил Серия: Acta polytechnica Scandinavica. Electrical engineering ser., ISSN 0001-6845; N 72 Примечания : ; Библиогр.: с.27-29 ISBN, Цена 951-666-357-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы;полупроводники Перейти к источнику в Интернете: Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

36

Small-signal transistors for amplifier and switching applications Siemens Транзисторы, Справочники, , тр


G2/19658 Small-signal transistors for amplifier and switching applications [Text] : data book 1988/89. - munchen : Siemens, 1988. - 155 p. : ill. - 3000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(03) Рубрики: Транзисторы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

37

Small-signal transistors for amplifier and switching applications Siemens ; Транзисторы . Справочники , тр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Small-signal transistors for amplifier and switching applications : Data book 1988/89 Выходные данные : Muchen: Siemens, 1988 Колич.характеристики :155 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors for amplifier and switching applications TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

38

Small-signal transistors Philips Транзисторы, Справочники, , тр


G2/19615 Small-signal transistors [Text] : data handbook SC04. - S.l. : Philips, 1995. - 1247 p. : ill. - 35000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(03) Рубрики: Транзисторы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

39

Small-signal transistors Philips ; Транзисторы . Справочники , тр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Small-signal transistors : Data handbook SC04 Выходные данные : Б.м., 1995 Колич.характеристики :1247 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

40

Small-signal transistors Discrete semiconductors:SC/Philips semiconductors 0 ^aТранзисторы, работающие в режиме малого сигнала. Справочник Philips


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Small-signal transistors Выходные данные : Hamburg: Philips, 1991 Колич.характеристики :896, III с.: ил. Серия: Discrete semiconductors:SC/Philips semiconductors Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.01.33 Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

41

Silicon germanium heterojunction bipolar transistors Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology 0 ^aКремниевые и германиевые биполярные гетеротранзисторы. Моделирование при большом уровне сигнала и характеристика низкочастотного шума. Дис. 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Библиогр.:с.109-112 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bruce S. Заглавие : Silicon germanium heterojunction bipolar transistors : Large-signal modelling a. low-frequency noise characterization aspects: Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :126 с: ил Серия: Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 479 Примечания : ; Библиогр.:с.109-112 ISBN, Цена 91-554-4558-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Перейти к источнику в Интернете: Silicon germanium heterojunction bipolar transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

42

Prozessstromquellen mit Transistorschaltern hoher Taktfrequenz Источники электрического тока полупроводниковые


G2/15518 G@:oller, E. Prozessstromquellen mit Transistorschaltern hoher Taktfrequenz [Text] : Diss. / E.G@:oller. - Stuttgart : [s. n.], 1990. - 157 S. : Ill. - 1.00 р. Библиогр.:с.152-157ГРНТИ 47.59.39УДК 621.311.6:621.382(043) Рубрики: Источники электрического тока полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-90903 TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

43

Practical transistors and linear integrated circuits Практические транзисторы и линейные интегральные схемы Wiley транзистор линейная интегральная схема Транзисторы Интегральные схемы линейные транзистор линейная интегральная схема


J2/23119 Greenfield, J. D. Practical transistors and linear integrated circuits [Text] : материал технической информации / J.D.Greenfield. - new york [etc.] : Wiley, 1988. - XIV, 686 p. 686 p. : ill. - ISBN 0-471-89097-9 : 31.60 р. Библиогр.в конце частей.Указ.:с.667-686 Перевод заглавия: Практические транзисторы и линейные интегральные схемыПеревод заглавия: Практические транзисторы и линейные интегральные схемыГРНТИ 47.33УДК 621.382.3621.3.049.77 Рубрики: ТранзисторыИнтегральные схемы линейные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-95468 TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

44

Practical transistors and linear integrated circuits 0 ^aПрактические транзисторы и линейные интегральные схемы Wiley 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы Библиогр. в конце частей.-Указ.: с. 667-686 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Greenfield J.D. Заглавие : Practical transistors and linear integrated circuits Выходные данные : New York etc: Wiley, 1988 Колич.характеристики :XIV, 686 с: ил Примечания : ; Библиогр. в конце частей.-Указ.: с. 667-686 ISBN, Цена 0-471-89097-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.33.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы Перейти к источнику в Интернете: Practical transistors and linear integrated circuits TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

45

PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs Philips МОП-транзисторы, Справочники


G2/19614 PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs [Text] : data handbook. - S.l. : Philips, 1995. - 637 p. : ill. - 20000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(03) Рубрики: МОП-транзисторы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

46

PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs Philips ; МОП-транзисторы силовые . Справочники , моситр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs : Data handbook Выходные данные : Б.м., 1995 Колич.характеристики :637 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: МОП-транзисторы силовые Перейти к источнику в Интернете: PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

47

Power transistors IEEE press sel. reprint ser. 0 ^aСиловые транзисторы: устройство, проектирование и применение IEEE press

Baliga, B.J; Chen, D.Y

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Power transistors : Device, design and applications Выходные данные : New York: IEEE press, 1984 Колич.характеристики :393 с Серия: IEEE press sel. reprint ser. Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Power transistors Доп.точки доступа: Baliga, B.J; Chen, D.Y TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

48

Power MOS transistors 0 ^aМощные транзисторы:Справочник Philips components 0 ; транзистор 0 ; транзистор


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Power MOS transistors : Product specifications Выходные данные : Eindhoven: Philips components, 1989 Колич.характеристики :498 с: ил Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзистор Перейти к источнику в Интернете: Power MOS transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

49

On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors Транзисторы биполярные, , битр, , битр


J2/24465 Wijnen, P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors [Text] : diss. / P.J. van Wijnen. - Delft : [s. n.], 1992. - V,265 p. p. : ill. - 30 р., 20 р. Рез.гол.Библиогр. в конце статей.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(2) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

50

Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Springer sci. and Business Media, inc. ; Транзисторы

Guo, J.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Lundstrom M.S., Guo J. Заглавие : Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Выходные данные : New York (NY) [etc.]: Springer sci. and Business Media, inc., 2006 Колич.характеристики :VI, 217 p.: ill Примечания : ; Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 213-217 ISBN, Цена 0-387-28002-2: р2728.63 р. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Доп.точки доступа: Guo, J. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

51

Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Springer sci. and Business Media, inc. 38281; Транзисторы

Guo, J.

J2/27781 Lundstrom, M. S. Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation [Text] : монография / M. S. Lundstrom, J. Guo. - New York, NY [etc.] : Springer sci. and Business Media, inc., 2006. - VI, 217 p. : ill. - Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 213-217. - ISBN 0-387-28002-2 : 2728.63 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3 Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Guo, J. Экз-ры: хр(1), (1) Копия: мкф., Шифр MR-111757 TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

52

Modulation-duped field-effect transistors 0 ^aПолевые транзисторы с добавлением модуляций.Принципы расчета и технология IEEE press 0 ; полевые транзисторы 0 ; полевые транзисторы Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 0 ; полевые транзисторы

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Modulation-duped field-effect transistors : Principles (des.) a. technology Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,523 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 ISBN, Цена 0-8794-2255-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевые транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Modulation-duped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

53

Modulation-doped field-effect transistors 0 ^aПорлевые транзисторы с дополнительной модуляцией.Принципы, проектирование, технология IEEE press 0 ; полдевые транзисторы Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 0 ; полдевые транзисторы

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Modulation-doped field-effect transistors : Principles, design, a. technology Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,523 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 ISBN, Цена 0-87942-255-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полдевые транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Modulation-doped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

54

Modulation-doped field-effect transistors 0 ^aПолевые транзисторы с добавленной модуляцией IEEE press 0 ; полевые транзисторы, потр Библиогр.в конце ст.-Указ.;с.441-454 0 ; полевые транзисторы, потр

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Modulation-doped field-effect transistors : Applications and circuits Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,455 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.;с.441-454 ISBN, Цена 0-87942-256-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевые транзисторы, потр Перейти к источнику в Интернете: Modulation-doped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

55

Modeling and measurement methods for high speed bipolar transistors Report Транзисторы биполярные, Моделирование Транзисторы биполярные, Параметры, Измерение


R/16608/11 Sipil@:a, M. Modeling and measurement methods for high speed bipolar transistors [Text] : diss. / M.Sipil@:a. - Espoo : [s. n.], 1989. - Pag.var. : ill. - (Report / Helsinki univ. of technology, ISSN 0783-9448 ; n11). - ISBN 951-754-881-8 : 2.00 р. Библиогр. в конце ст. В б-ке имеется 2-ой экз. мфиша: MF-91-15699ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные--МоделированиеТранзисторы биполярные--Параметры--Измерение Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(2), (2) Копия: мкф., Шифр MR-85201 TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

56

Microwave transistors Philips data handbook:Semiconductors полупроводниковый прибор Полупроводниковые приборы, Справочники полупроводниковый прибор


Q/5505/S11 Philips data handbook:Semiconductors [Text]. - Eindhoven : Philips.B. S11 : Microwave transistors. - 1985. - VIII,368 p. p. : ill. - 4.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382(03) Рубрики: Полупроводниковые приборы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

57

Microwave field-effect transistors-theory, design and applications Electronic and electrical engineering research studies: Electronic devices and systems ser. 0 ^aПолевые транзисторы диапазона СВЧ - теория, расчет структуры и применения Research studies press; New York et al. Библиогр. в конце глав. Указ.: с.631-636


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Pengelly R.S Заглавие : Microwave field-effect transistors-theory, design and applications . -2nd ed Выходные данные : Letchworth (Hertfordshire): Research studies press; New York et al., 1986 Колич.характеристики :22, 636 с Серия: Electronic and electrical engineering research studies: Electronic devices and systems ser.; N 1 Примечания : ; Библиогр. в конце глав. Указ.: с.631-636 ISBN, Цена 0-86380-040-8: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Microwave field-effect transistors-theory, design and applications TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

58

Matching properties of deep sub-micron mos transistors The Kluwer international series in engineering and computer science, analog circuits and signal processing Springer SpringerLink 20251; Моп-транзисторы

Maes, H.E.; Sansen, W.; SpringerLink (Online service)

621.382.323C90 Croon, J. A. Matching properties of deep sub-micron mos transistors [Electronic resource] / J. A. Croon, H. E. Maes, W. Sansen. - Electronic text data. - Boston, Ma : Springer, 2005. - (The Kluwer international series in engineering and computer science, analog circuits and signal processing, ISSN 0893-3405 ; 851). - ISBN 978-0-387-24313-9 : Б. ц.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Моп-транзисторыПерейти к источнику в Интернете: Matching properties of deep sub-micron mos transistors Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Maes, H.E.; Sansen, W.; SpringerLink (Online service) Экз-ры: TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

59

Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Препринт ^aInvestigation of radiation stability of transistors and integrated circuits using the heavy ion beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons

Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : Автор(ы) : Didyk A.Yu., Nazarov W.N., Gulbekian G.G. Заглавие : Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Выходные данные : Dubna, 1994 Колич.характеристики :11 p.: il. Серия: Препринт; E14-94-218 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 + ; 47.33.37 УДК : 621.382.3:539.16(04) + 621.3.049.77:539.16(04) Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

60

Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Препринт

Didyk, A.Yu.; Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G.; Wronski, W.

Н/2509/E14-94-218 Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons [Text] : препринт / A.Yu.Didyk,W.N.Nazarov,G.G.Gulbekian,W.Wronski. - Dubna, 1994. - 11 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; E14-94-218). - 300 экз. - 301 р.ГРНТИ 47.3347.33.37УДК 621.382.3:539.16(04)621.3.049.77:539.16(04) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Didyk, A.Yu.; Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G.; Wronski, W. Экз-ры: хр(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

61

GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits 0 ^aБиполярные гетеротранзисторы на GaAs-GaAlAs и связанные с ними интегральные схемы. Дис Библиогр.: с.122-126


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Su L.M Заглавие : GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits : Diss Выходные данные : Aachen, 1984 Колич.характеристики :128 с Примечания : ; Библиогр.: с.122-126 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

62

FinFETs and other multi-gate transistors Springer Science + Business Media LLC SpringerLink 37689; Транзисторы

Colinge, J. ed.; SpringerLink (Online service)

621.382.3F54 FinFETs and other multi-gate transistors [Electronic resource] / ed. J. Colinge. - Electronic text data. - Boston, Ma : Springer Science + Business Media LLC, 2008. - ISBN 978-0-387-71752-4 : Б. ц.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3 Рубрики: ТранзисторыПерейти к источнику в Интернете: FinFETs and other multi-gate transistors Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Colinge, J. \ed.\; SpringerLink (Online service) Экз-ры: TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

63

Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone 0 ^aИсследование и реализация цифрового управления транзисторным регулятором скорости для асинхронных машин. Применение на электрической тяги Библиогр.: с. 153-155


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Venuat J Заглавие : Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone : Application a la traction electrique: Diss Выходные данные : Toulouse, 1983 Колич.характеристики :155 с Примечания : ; Библиогр.: с. 153-155 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.35 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

64

Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion 0 ^aИсследование характеристик короткозамкнутого асинхронного двигателя, питающегося от транзисторного (МОП) управляемого генератора мощности с широтно-импульсной модуляцией Библиогр.: с. 127-129


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Olivier E Заглавие : Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion : Diss Выходные данные : Grenoble, 1982 Колич.характеристики :129 с Примечания : ; Библиогр.: с. 127-129 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.29.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

65

Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion 0 ^aИсследование характеристик короткозамкнутого асинхронного двигателя, питающегося от транзисторного (МОП) управляемого генератора мощности с широтно-импульсной модуляцией Библиогр.: с. 127-129


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Olivier E Заглавие : Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion : Diss Выходные данные : Grenoble, 1982 Колич.характеристики :129 с Примечания : ; Библиогр.: с. 127-129 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.29.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

66

Designing with field-effect transistors McGraw-Hill Транзисторы полевые

Oxner, E. сост.rev.

MF-92-15943 Designing with field-effect transistors [Text] : diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner. - 2nd ed. - New York etc. : McGraw-Hill, 1990. - 296 p. : ill. - 7.20 р. Указ. в конце кн.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(086.2) Рубрики: Транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Oxner, E. \сост.rev.\ Экз-ры: ХР(1), (1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

67

Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Rapports ; Фазовращатели . Проектирование , фа ; Фазовращатели . Моделирование , фа

Jensen, G.U.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Nawaz M., Jensen G.U. Заглавие : Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Выходные данные : Oslo, 1995 Колич.характеристики :39 p.: ill Серия: Rapports/ Universitetet i Oslo.Fysisk institutt, ISSN 0332-5571; 95-09 Примечания : ; Библиогр.:с.38-39 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.45.31 УДК : Предметные рубрики: Фазовращатели Фазовращатели Перейти к источнику в Интернете: Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Доп.точки доступа: Jensen, G.U. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

68

Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Rapport Фазовращатели, Проектирование, , фа Фазовращатели, Моделирование, , фа

Jensen, G.U.

R/15656/95-09 Nawaz, M. Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) [Text] : сборник / M.Nawaz,G.U.Jensen. - Oslo : [s. n.], 1995. - 39 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 95-09). - 200 р. Библиогр.:с.38-39ГРНТИ 47.45.31УДК 621.372.852.2 Рубрики: Фазовращатели--ПроектированиеФазовращатели--Моделирование Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Jensen, G.U. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

69

Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance 0 ^aВклад в изучение прямых преобразователей частоты на транзисторах мощности. Дис Библиогр.: с. 169-172


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Perin A Заглавие : Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance : Diss Выходные данные : Toulouse, 1984 Колич.характеристики :172 с Примечания : ; Библиогр.: с. 169-172 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.37 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

70

Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance 0 ^aВклад в изучение прямых преобразователей частоты на транзисторах мощности. Дис Библиогр.: с. 169-172


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Perin A Заглавие : Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance : Diss Выходные данные : Toulouse, 1984 Колич.характеристики :172 с Примечания : ; Библиогр.: с. 169-172 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.37 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

71

Channel formation in organic field-effect transistors UMSI research report Univ.of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute полевой транзистор Транзисторы полевые полевой транзистор

Balk, J.W.; Ruden, P.P.; Univ.of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute

R/17401/2002/86 Li, T. Channel formation in organic field-effect transistors [Text] : сборник научных трудов / T.Li,J.W.Balk,P.P.Ruden. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2002. - 4312-4318 p. p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 2002/86). - 10.00 р. Библиогр.: с.4317-4318ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Balk, J.W.; Ruden, P.P.; Univ.of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

72

Bonus rep.:Ballistic transistors:computer/communications breakthrough Futuretech транзистор Транзисторы транзистор


R/16822/2(1986) Futuretech [Text] : a probing look at strategic technologies that will significantly affect industry. - Englewood(NJ) : Techn.insights.2(1986) : Bonus rep.:Ballistic transistors:computer/communications breakthrough. - 1986. - 16 p. - 3.00 р. Библиогр.:с.15-16ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3 Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

73

Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads Researches/Electrotechn. lab. 0 ^aОсновы теории и расчет быстродействия интегральных микросхем с МОП-структурой с МОП-транзисторами в качестве нагрузки Текст на яп.яз. Рез. на англ.яз. Библиогр. в конце ст


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Hayashi Y Заглавие : Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads Выходные данные : Tsukuba, 1988 Колич.характеристики :212 с Серия: Researches/Electrotechn. lab.; N 890 Примечания : ; Текст на яп.яз. Рез. на англ.яз. Библиогр. в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.17 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

74

Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Rapports ; Транзисторы СВЧ . Моделирование , свтр

Jensen, G.U.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Nawaz M., Jensen G.U. Заглавие : Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Выходные данные : Oslo, 1995 Колич.характеристики :13 p.: ill Серия: Rapports/ Universitetet i Oslo.Fysisk institutt, ISSN 0332-5571; 95-01 Примечания : ; Библиогр.:с.9 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы СВЧ Перейти к источнику в Интернете: Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Доп.точки доступа: Jensen, G.U. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

75

Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Rapport транзистор Транзисторы СВЧ транзистор

Jensen, G.U.

R/15656/95-01 Nawaz, M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) [Text] : сборник / M.Nawaz,G.U.Jensen. - Oslo : [s. n.], 1995. - 13 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 95-01). - 200 р. Библиогр.:с.9ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.029.6 Рубрики: Транзисторы СВЧ Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Jensen, G.U. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)