Sample records for ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ (transistor amplifiers)
from WorldWideScience.org

Sample records 1 - 20 shown. Select sample records:



1

Центр для нашего будущего (Экология/Организации)


Тип неизвестно Полное название (официальное) Центр для нашего будущего Пр …

VINITI Projects Database (Russian)

2

ЦНИИ эпидемилогии МЗ РФ (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)


Типнаучно-исследовательский институтПолное название (официальное)ЦЕНТРАЛЬНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭПИДЕМИОЛОГИИ МИНИСТЕРСТВА ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РОССИИПрофиль деятельностиРазработка теоретиче …

VINITI Projects Database (Russian)

3

Фонд по охране окружающей среды (Экология/Организации)


Тип неизвестно Полное название (официальное) Фонд по охране окружающей среды …

VINITI Projects Database (Russian)

4

Универсальная десятичная классификация (ГСНТИ/Рубрикаторы)


УДК Консорциум Россия (http://forum.udcc.ru/index.php?s=3ba2c637762a492a7961eb7e821d2621) Общая методика применения Универсальной десятичной классификации Краткие исторические сведения об УДК Униве …

VINITI Projects Database (Russian)

5

Транзисторы и линейные ИС Practical transistors and linear integrated circuits Мир Транзисторы Интегральные схемы линейные

Greenfield, J. D.

Ж2-92/15589 Гринфилд, Д. Транзисторы и линейные ИС [Текст] : руководство по анализу и расчету / Д.Гринфилд;Пер. с англ. Н.И.Кузнецова. - М. : Мир, 1992. - 556 с. : ил. - Пер. изд. : Practical transistors and linear integrated circuits / J. D. Greenfield. - New York et al., 1988. - 6700 экз. - ISBN 5-03-001633-3 : Б. ц. Библиогр. в конце глав. Предм.-имен. указ.: с.545-552ГРНТИ 47.33УДК 621.3.049.77621.382.3 Рубрики: ТранзисторыИнтегральные схемы линейные Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Greenfield, J. D. Экз-ры: хр(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

7

Том 73 (Математика/Издания)


Алгебра - 8     [Первая страница] Предоставление копий   Том 73. Алгебра …

VINITI Projects Database (Russian)

8

Ссылки на похожие порталы и сайты (ГСНТИ/Hidden)


Ссылки на похожие порталы и сайты 1. Министерство промышленности, науки и технологий России — www.mnstp.ru (http://www.mnstp.ru/) 2. Российская академия наук - www.uis.isi …

VINITI Projects Database (Russian)

9

Северный совет министров (Экология/Организации)


Тип неизвестно Полное название (официальное) Северный совет министров Про …

VINITI Projects Database (Russian)

11

Российские научные издательства (ГСНТИ/Hidden)


Специализированные, научные и технические издательства России Название Город URL или почтовый адрес Виды издаваемой литературы Тематика (основная специализация) "Connect". Информа …

VINITI Projects Database (Russian)

13

Профессиональные усилители мощности Микро-Тек моделей 601 и 1201 Micro-Tech 601/1201 Professional Power Amplifiers. Owner's Manual усилители мощности усилители мощности Усилители мощности усилители мощности


06938003270 Профессиональные усилители мощности Микро-Тек моделей 601 и 1201 [Текст] : руководство пользователя / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 66 c. : ил. - англ. - Пер. материала фирмы: Micro-Tech 601/1201 Professional Power Amplifiers. Owner's Manual / Crown International Inc.(США). - S.l., 1992. - P.1-26. - Б. ц.ГРНТИ 47.41.33 Рубрики: Усилители мощности Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

14

Принципиальная гидрометаллургическая технология рациональной переработки кжк образований (Экология/Статьи)


Тип Статья в сериальном издании Авторы Иванков С.И. Название Принципиальная гидрометаллургическая технология рациональной переработки кобальтоносных железомаргонцевых корковых образований Рефера …

VINITI Projects Database (Russian)

18

Организации, учреждения и органы исполнительной власти РФ (Безопасность/Ресурсы)


Информационный сервер правительства Российской Федерации (http://www.government.gov.ru/index.html) Содержит актуальную информацию по органам исполнительной власти, законодательным и нормативным, п …

VINITI Projects Database (Russian)

20

Модульные усилители мощности серии DPA. Ч.N 983061 Modular power amplifiers D.P.A. Series part N 983061 system information. User Manual 39901; Усилители мощности


06930002298 Модульные усилители мощности серии DPA. Ч.N 983061 [Текст] : информация о системе. Руководство по эксплуатации / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 14 c. : ил. - англ. - Пер. материала фирмы: Modular power amplifiers D.P.A. Series part N 983061 system information. User Manual / Ling Dynamic Systems Ltd.(Англия). - 1983. - P.1-11. - Б. ц.ГРНТИ 81.09.81 Рубрики: Усилители мощности Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

22

Международная организация по стандартизации (Экология/Организации)


Тип неизвестно Полное название (официальное) Международная организация по стандартизации …

VINITI Projects Database (Russian)

23

Математика в сети Интернет (Математика/Ресурсы)


    • В Московском математическом обществе • The American Mathematical Society (AMS) • Санкт-Петербургское математическое обществ …

VINITI Projects Database (Russian)

24

Конференция ООН по торговле и развитию (Экология/Организации)


Тип неизвестно Полное название (официальное) Конференция ООН по торговле и развитию …

VINITI Projects Database (Russian)

28

Инструкция по эксплуатации транзисторного инвертора модели ФРИКОЛ-Z120-S с регулируемым напряжением и частотой фирмы Мицубиси Электрик VVVF Transistor Inverter Freqrol-Z120-S. Instruction Manual регулировка скорости меры безопасности инверторы электродвигатели регулировка скорости эксплуатация меры безопасности Инверторы (эл.) полупроводниковые инверторы электродвигатели регулировка скорости эксплуатация меры безопасности


06927004398 Инструкция по эксплуатации транзисторного инвертора модели ФРИКОЛ-Z120-S с регулируемым напряжением и частотой фирмы Мицубиси Электрик [Текст] / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 166 с. : ил. - англ. - Пер. материала фирмы: VVVF Transistor Inverter Freqrol-Z120-S. Instruction Manual / Mitsubishi Electric Co.(Япония). - S.a. - P.1-74. - Б. ц.ГРНТИ 45.37.29 Рубрики: Инверторы (эл.) полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

29

Институт Острова Земля (Экология/Организации)


Тип неизвестно Полное название (официальное) Институт Острова Земля Профи …

VINITI Projects Database (Russian)

32

Европейский союз охраны побережий (Экология/Организации)


Тип неизвестно Полное название (официальное) Европейский союз охраны побережий …

VINITI Projects Database (Russian)

34

Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE транзистор насыщение моделирование Транзисторы биполярные транзистор насыщение моделирование

Smithies, S. A.

96/133 Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE [Текст] / ТПП БССР. - [Б. м. : б. и.]. - 7 c. : ил. - англ. - Пер.ст. A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE / S. A. Smithies, Poole из журн.: Journal of Solid-State Circuits. - 1987. - Vol. 22, N 2. - P.301-303. - Б. ц. Библиогр.:20 назв.ГРНТИ 47.33 Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Smithies, S. A. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

35

ГУП "ВНИИстандарт" (ГСНТИ/Hidden)


ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО - ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ СТАНДАРТИЗАЦИИ ГОССТАНДАРТА РОССИИ" (ГУП "ВНИИстандарт") vniistand@gost.ru (mailto:vniistand@gos …

VINITI Projects Database (Russian)

36

ГЛАВНЫЙ БОТАНИЧЕСКИЙ САД им. Н.В. ЦИЦИНА РАН (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)


ТипПолное название (официальное)ГЛАВНЫЙ БОТАНИЧЕСКИЙ САД им. Н.В. ЦИЦИНАПрофиль деятельностиОсновные направления исследований- интродукция и акклиматизация растений; сохранение генофонда растений ex s …

VINITI Projects Database (Russian)

38

Всемирная организация здравоохранения (Экология/Организации)


Тип неизвестно Полное название (официальное) Всемирная организация здравоохранения …

VINITI Projects Database (Russian)

42

Англо-русский словарь по информатике (Информатика/Ресурсы)


   A B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=195&Itemid=310)&nb …

VINITI Projects Database (Russian)

44

Александров Валерий Сергеевич (Информатика/Персоналии)


Страна: Russian Federation Город: Санкт-Петербург Адрес: Московский пр., 19 Email: V.S.Alexandrov@vniim.ru Телефон: 7 (812) 316-90-73, Должность: Заместитель директора по науке Обл …

VINITI Projects Database (Russian)

45

Александров Валерий Сергеевич (Автоматика и радиоэлектроника/Персоналии)


ФамилияАлександровИмяВалерийОтчествоСергеевичСтранаRUZIPГородСанкт-ПетербургАдресМосковский пр., 19emailV.S.Alexandrov@vniim.ru (mailto:V.S.Alexandrov@vniim.ru)Ключевые словаФаксТелефон7 (812) 316-90- …

VINITI Projects Database (Russian)

46

study of new structure short channel MOS transistors Researches Моп-транзисторы


R/1872/923 Sekigawa, T. A study of new structure short channel MOS transistors [Text] : материал технической информации / T.Sekigawa. - Tokyo : [s. n.], 1991. - 110 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; n923). - 5.00 р. Текст яп.Рез.англ.Библиогр.в конце книгиГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Моп-транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

47

design of impedance-matching networks for radio-frequency and microwave amplifiers Artech house microwave libr. 0 ^aРасчет сетей с согласованием полных сопротивлений для высокочастотных и микроволновых усилителей Artech house Указ.: с.366-373


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Abrie P.L.D Заглавие : The design of impedance-matching networks for radio-frequency and microwave amplifiers Выходные данные : Dedham (Ma.): Artech house, 1985 Колич.характеристики :15, 373 с Серия: Artech house microwave libr. Примечания : ; Указ.: с.366-373 ISBN, Цена 0-89006-172-6: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: The design of impedance-matching networks for radio-frequency and microwave amplifiers, Перейти к источнику в Интернете:  AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

48

automatic test system for the L. muon drift chamber amplifiers [Pubbl.] INFN/Ist. naz. di fisica nucleare 0 ^aАвтоматическая измерительная система для усилителей дрейфовой мюонной камеры L. Библиогр.: с.15

Bove, A; Caiazzo, L; Lanzano, S.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : The automatic test system for the L. muon drift chamber amplifiers Выходные данные : Б.м., 1987 Колич.характеристики :15 с Серия: [Pubbl.] INFN/Ist. naz. di fisica nucleare; TC-87/9 Примечания : ; Библиогр.: с.15 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.27.31 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: The automatic test system for the L. muon drift chamber amplifiers Доп.точки доступа: Bove, A; Caiazzo, L; Lanzano, S. AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

49

Xiyou jinshu cailiao yu (Металлургия/Статьи)


Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название X …

VINITI Projects Database (Russian)

50

Wideband transistors and wideband hybrid IC modules Philips data handbook:Semiconductors полупроводниковый прибор Полупроводниковые приборы, Справочники полупроводниковый прибор


Q/5505/S10 Philips data handbook:Semiconductors [Text]. - Eindhoven : Philips.B. S10 : Wideband transistors and wideband hybrid IC modules. - 1987. - 780,VII p. p. : ill. - 4.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382(03) Рубрики: Полупроводниковые приборы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

51

Wideband low noise amplifiers exploiting thermal noise cancellation The Kluwer international series in engineering and computer science, analog circuits and signal processing Springer SpringerLink 39329; Усилители широкополосные

Klumperink, E.A.; Nauta, B.; SpringerLink (Online service)

621.375/B90-574325 Bruccoleri, F. Wideband low noise amplifiers exploiting thermal noise cancellation [Electronic resource] / F. Bruccoleri, E. A. Klumperink, B. Nauta. - Electronic text data. - Boston, Ma : Springer, 2005. - (The Kluwer international series in engineering and computer science, analog circuits and signal processing, ISSN 0893-3405 ; 840). - ISBN 1-4020-3188-2 : Б. ц.ГРНТИ 47.41.33УДК 621.375.121 Рубрики: Усилители широкополосныеПерейти к источнику в Интернете: Wideband low noise amplifiers exploiting thermal noise cancellation Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Klumperink, E.A.; Nauta, B.; SpringerLink (Online service) Экз-ры: AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

52

Wideband amplifiers Springer SpringerLink 39329; Усилители широкополосные

Margan, E.; SpringerLink (Online service)

621.375.121S81 Staric, P. Wideband amplifiers [Electronic resource] / P. Staric, E. Margan. - Electronic text data. - Boston, Ma : Springer, 2006. - ISBN 978-0-387-28341-8 : Б. ц.ГРНТИ 47.41.33УДК 621.375.121 Рубрики: Усилители широкополосныеПерейти к источнику в Интернете: Wideband amplifiers Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Margan, E.; SpringerLink (Online service) Экз-ры: AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

55

Vacuum transistors Futuretech транзистор Транзисторы транзистор


R/16822/64(1988) Futuretech [Text] : a probing look at strategic technologies that will significantly affect industry. - Englewood(NJ) : Techn.insights.64(1988) : Vacuum transistors. - 1988. - 14 p. - 3.00 р. Библиогр.:с.14ГРНТИ 47.29УДК 621.382.3 Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

56

V (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

57

Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO. Grenzflache sowie ihr Einfluss auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren 0 ^aИсследование атомарной шероховатости поверхности раздела Si-SiO., а также ее влияния на подвижность в транзисторах структуры металл-окисел-полупроводник. Дис Библиогр.: с. 122-126


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Hahn P.O Заглавие : Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO. Grenzflache sowie ihr Einfluss auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren : Diss Выходные данные : Hannover, 1982 Колич.характеристики :141 с Примечания : ; Библиогр.: с. 122-126 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 29.19.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO. Grenzflache sowie ihr Einfluss auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

58

University of Würzburg. Robotics and Telematics (Машиностроение/Организации)


Тип: университет Профиль деятельности: Mobile Robots, Telematics, Space exploration, Robots in medicine ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Würzburrg, Deutschland www …

VINITI Projects Database (Russian)

60

University of Southern California Robotics Research Laboratory (Машиностроение/Организации)


Тип: научный центр Профиль деятельности: Research in autonomous robotics, biological and artificial neural systems, reinforcement learning, genetic algorithms, robotic and prosthetic hands, desig …

VINITI Projects Database (Russian)

62

University of Electro-Communications. Yamafuji and Ulyanov Lab. (Машиностроение/Организации)


Тип: университет Профиль деятельности: Mechatronics, Mobile robots, Manipulators Сокр. название: EC ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo, Japan www.yama.mce.uec.ac.jp/ …

VINITI Projects Database (Russian)

64

University of Dortmund. Institute of Robotics Research (Машиностроение/Организации)


Тип: научный центр Профиль деятельности: Multi-Robot-Systems, Space robotics, Automation, Communication, Mobile robots Сокр. название: IRF ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Do …

VINITI Projects Database (Russian)

66

University of Bremen. Institute for Automation (Машиностроение/Организации)


Тип: научный центр Профиль деятельности: Servicerobotics, Planning, Vision, Teaching, Inverse kinematics ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Bremen, Deutschland http://siem …

VINITI Projects Database (Russian)

69

University Aachen. European Center for Mechatronics (Машиностроение/Организации)


Тип: университет Профиль деятельности: Mechatronics, Micromechanics, Service robots, Communication, Userinterface, Sensor systems ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Aachen, Deutsc …

VINITI Projects Database (Russian)

70

University Aachen Prozeßsteuerung in der Schweißtechnik (Машиностроение/Организации)


Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Manufacturing ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Aahen, Deutschland www.rwth-aahen.de (www.rwth-aahen.de) …

VINITI Projects Database (Russian)

73

Two-dimensional electron system in quantum hall regime probed by metal single-electron transistor гетеропереход Гетеропереходы, Методы исследования гетеропереход


G2/20371 Wei, Y. Two-dimensional electron system in quantum hall regime probed by metal single-electron transistor [Text] : diss. / Y.Wei. - Stuttgart : [s. n.], 1998. - x,132 p. p. : ill. - 30.00 р. Рез.нем.Библиогр.:с.123-130ГРНТИ 47.33УДК 621.315.592.9(043) Рубрики: Гетеропереходы--Методы исследования Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

74

Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aНастраиваемый эффект спаривания в связанных сверхпроводящих одноэлектронных транзисторах. [Туннелирование одноэлектронное; Эффект Джозефсона]. Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Kimura, Mitsuru

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Katsumoto Shingo, Kimura Mitsuru Заглавие : Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Выходные данные : Tokyo: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 1996 Колич.характеристики :4 с.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3202 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 + ; 29.19.03 + ; 47.03.08 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Доп.точки доступа: Kimura, Mitsuru TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

75

Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors Doktorsavhandlingar vid Chalmers techniska hogskola;N639 0 ^aСвойства гетероперехода биполярных транзисторов 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория Библиогр.: с. 47-68 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Ramberg L.P. Заглавие : Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors Выходные данные : Goteborg, 1987 Колич.характеристики :6, 68 с: ил Серия: Doktorsavhandlingar vid Chalmers techniska hogskola;N639 Примечания : ; Библиогр.: с. 47-68 ISBN, Цена 91-7032-327-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория Перейти к источнику в Интернете: Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

76

Transistors Транзисторы


R/11575/60 ed. Transistors [Text]. - Pine Brook(NJ) : [s. n.].60 ed. - . - 1990. - Pag.var. - 60.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(05) Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

77

Transistors Транзисторы


R/11575/60 ed.,update Transistors [Text]. - Pine Brook(NJ) : [s. n.].60 ed.,update. - 1990. - Pag.var. - 20.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(05) Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

78

Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz Publications Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres полупроводниковый прибор Транзисторы полевые полупроводниковый прибор


R/1226/747/8,Sect.1 Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres [Text]. - Geneve : [s. n.].Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz. - 1 ed. - 1987. - 33 p. : ill. - (Publications / Commission electrotechnique internationale ; 747). - 0.50 р. Загл. и текст парал. англ.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

79

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

80

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

81

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

82

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

83

Transistors 0 ^aТранзистор. 1984


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors . -55th ed Выходные данные : Pine Brook (N.J.),Б.г. Колич.характеристики :4, 7 с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

84

Transistoren fur Verstarker- und Schalteranwendungen 0 ^aТранзисторы для использования в усилителях и переключателях. Справочник 1988/89 V nadzag.: SIEMENS. Библиогр. в конце ст


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistoren fur Verstarker- und Schalteranwendungen : Datenbuch 1988/89 Выходные данные : Dresden, 1988 Колич.характеристики :155 с Примечания : ; V nadzag.: SIEMENS. Библиогр. в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistoren fur Verstarker- und Schalteranwendungen TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

85

Transistoren aus dem Kombinat Mikroelektronik. Amateurr. electronica; Bd. 245 0 ^aТранзисторы в комбайне по микроэлектронике Militarverl. der ddr 0 ; транзисторы; микроэлектроника Библиогр: с . 95-96 0 ; транзисторы; микроэлектроника


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Beier, UWE Заглавие : Transistoren aus dem Kombinat Mikroelektronik. Выходные данные : Berlin: Militarverl. der ddr, 1989 Колич.характеристики :96 с: ил. Серия: Amateurr. electronica; Bd. 245 Примечания : ; Библиогр: с . 95-96 ISBN, Цена 3-327-00780-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы; микроэлектроника Перейти к источнику в Интернете: Transistoren aus dem Kombinat Mikroelektronik. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

86

Transistor-und SchaltkreistechniK 0 ^aТехнология переключающихся схем в транзисторах Militarverl. 0 ; технология; переключающиеся схемы; транзисторы Указ.: с. 353-367 0 ; технология; переключающиеся схемы; транзисторы

Schlegel, W.E.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Fischer H.-Jo., Schlegel W.E. Заглавие : Transistor-und SchaltkreistechniK . -3. v@:ollig @:uberarb. Aufl. Выходные данные : Berlin: Militarverl., 1987 Колич.характеристики :367 с Примечания : ; Указ.: с. 353-367 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; технология; переключающиеся схемы; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistor-und SchaltkreistechniK Доп.точки доступа: Schlegel, W.E. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

87

Transistor-Elektronik 0 ^aТранзисторная электроника. Использование полупроводниковых элементов и интегральных схем Technik

Pulvers, M

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Rumpf K.-H, Pulvers M Заглавие : Transistor-Elektronik : Anwendung von Halbleiterbauelementen und intergrierten Schaltungen . -9., bearb. Aufl Выходные данные : Berlin: Technik, 1984 Колич.характеристики :306 с Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistor-Elektronik Доп.точки доступа: Pulvers, M TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

88

Transistor- und Schaltkreistechnik Amateur-Bibliothek Militarverl. der DDR

Schlegel, Wolfgang

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Fischer, Hans-Joachim, Schlegel, Wolfgang Заглавие : Transistor- und Schaltkreistechnik Выходные данные : Berlin: Militarverl. der DDR, 1988 Колич.характеристики :368 S.: ill. Серия: Amateur-Bibliothek Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47 УДК : Доп.точки доступа: Schlegel, Wolfgang TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

89

Transistor television receivers 0 ^aТелевизионные приемники на транзисторах. Обзор электросхем, принятых в США, Великобритании, ФРГ, СССР и Японии Указ. в конце книги


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Towers T.D Заглавие : Transistor television receivers : A survey of world circuitry British, American, German, Russian, Japanese Выходные данные : London:Iliffe books; New York:Rider, 1963 Колич.характеристики :194 с Примечания : ; Указ. в конце книги Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.51 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Transistor television receivers TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

90

Transistor elektronik 0 ^aТранзисторная электроника:Применение полупроводниковых приборов и интегральных схем. Technik 0 ; транзисторная электроника; полупроводниковые приборы; интегральные схемы Библиогр.: с. 288-291 0 ; транзисторная электроника; полупроводниковые приборы; интегральные схемы

Pulvers, Manfred

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Rumpf, Kalr-Heinz, Pulvers, Manfred Заглавие : Transistor elektronik : Anwendung von Halbleiterbauelementen und integrierter Schaltungen . -10., bearb. Aufl. Выходные данные : Berlin: Technik, 1986 Колич.характеристики :296 с: ил Примечания : ; Библиогр.: с. 288-291 ISBN, Цена 3-341-00087-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.33.31 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторная электроника; полупроводниковые приборы; интегральные схемы Перейти к источнику в Интернете: Transistor elektronik, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Pulvers, Manfred TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

91

Transistor discontinues devices D.A.T.A. book electronic inform. ser. 0 ^aНеоднородные транзисторные устройства. Вып.24


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistor discontinues devices Выходные данные : San Diego (Ca), 1988 Колич.характеристики :27, 253. 14 с Серия: D.A.T.A. book electronic inform. ser. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistor discontinues devices TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

92

Transistor discontinued devices D.A.T.A. book. Electronic inform. ser. 0 ^aТранзисторные неоднородные приборы. Изд.23


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistor discontinued devices Выходные данные : Pine Brook (N.J.), 1987 Колич.характеристики :47, 252 с Серия: D.A.T.A. book. Electronic inform. ser. Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistor discontinued devices TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

93

Transistor discontinued devices D.A.T.A. book. Electronic inform. ser. 0 ^aТранзисторные неоднородные приборы. Изд.23


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistor discontinued devices Выходные данные : Pine Brook (N.J.), 1987 Колич.характеристики :47, 252 с Серия: D.A.T.A. book. Electronic inform. ser. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistor discontinued devices TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

94

Transistor discontinued devices D.A.T.A. book electronic inform. ser. 0 ^aНеоднородные транзисторные устройства. Т.22


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistor discontinued devices Выходные данные : San Diego (Ca.),Б.г. Колич.характеристики :56,3 с Серия: D.A.T.A. book electronic inform. ser. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistor discontinued devices TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

95

Transistor descontinued devices DATA book electronic inform. ser. 0 ^aДискретные приборы на транзисторах. 17-е изд. 1981-1982


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistor descontinued devices Выходные данные : San Diego (Ca), 1981 Колич.характеристики :11, 182 с Серия: DATA book electronic inform. ser. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistor descontinued devices TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

96

Transistor circuit techniques: Discrete and integrated Tutorial guides in electronic engineering 0 ^aТехника транзисторных схем (дискретных и интегральных) Reinhold Библиогр.: с. 165. Указ.: с. 170-172


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ritchie G.J Заглавие : Transistor circuit techniques: Discrete and integrated . -2 ed Выходные данные : Wokingham (Berkshire): Reinhold, 1987 Колич.характеристики :10, 172 с Серия: Tutorial guides in electronic engineering, ISSN 0266-2620 ; N 1 Примечания : ; Библиогр.: с. 165. Указ.: с. 170-172 ISBN, Цена 0-278-00034-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.17 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Transistor circuit techniques: Discrete and integrated TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

97

Transistor DATA book. Electronics inform. ser. 0 ^aТранзистор. 1987, вып.57


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistor Выходные данные : San Diego (Ca), 1986 Колич.характеристики :Разд. паг с Серия: DATA book. Electronics inform. ser. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistor TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

98

Transistor D.A.T.A.book inform.ser. 0 ^aТранзистор.1988


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistor Выходные данные : San Diego (Ca), 1988 Колич.характеристики :Разд.паг с Серия: D.A.T.A.book inform.ser. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistor TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

99

Transistor 0 ^aТранзисторы. Т.56. 1986


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistor Выходные данные : San Diego (Ca.), 1985 Колич.характеристики :Разд.паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistor TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

100

Transistor 0 ^aТранзисторы. Т.56. 1986


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistor Выходные данные : San Diego (Ca.), 1985 Колич.характеристики :Разд.паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistor TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

101

Tower's internationale Transistor-Vergleichsliste Franzis Транзисторы, Справочники, , тр


J2/25512 Tower's internationale Transistor-Vergleichsliste [Text] : :Uber 29000 amer.,europ.und jap.Transistoren mit ihren elektrischen und mechanischen Daten,ihre Hersteller und die verfugbaren Vergleichstypen:Ubers.aus engl. - 3.,neu bearb.und erw.Aufl. - Munchen : Franzis, 1991. - 432 S. - ISBN 3-7723-6274-5 : 68000 р.ГРНТИ 47.01.3347.33УДК 621.382.3(03) Рубрики: Транзисторы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

102

Total-dose effects of y-ray irradiation on SOI-MOS transistors KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, Влияние ионизирующих излучений, , деизиопо

Matsushita, T.; Fukunaga, C.; Ikeda, H.; Saitoh, Y.

R/17226/94-195 Total-dose effects of y-ray irradiation on SOI-MOS transistors [Text] : submitted to Nucl.instrum.meth.,A. / T.Matsushita,C.Fukunaga,H.Ikeda,Y.Saitoh. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 18 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-195). - 1000 р. Библиогр.:с.8-9ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Matsushita, T.; Fukunaga, C.; Ikeda, H.; Saitoh, Y. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

103

Toshiba. Research and Development Center (Машиностроение/Организации)


Тип: научный центр Профиль деятельности: Vision, Speech, Humanoids, Pipeline inspection, Control, Modular manipulation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo www.toshiba …

VINITI Projects Database (Russian)

104

Thyristors transistors Discontinued discrete semiconductors


R/16873/2 Discontinued discrete semiconductors [Text] / DATA digest. - San Diego(Ca) : data business publ.Vol. 2 : Thyristors transistors. - 1990. - 998, D84 p. - ISBN 1046-395X : 133.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382(05) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

105

Thin film transistors 0 ^aТонкопленочные транзисторы: Материалы и процессы.Т. 2: Поликристаллические тонкопленочные кремниевые транзисторы.


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Thin film transistors Выходные данные : Б.м.,Б.г. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Thin film transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

106

Thermal considerations in the use of solid state power amplifiers on the Geos spacecraft Rep./AIAA 0 ^aВопросы нагрева при использовании твердотельных усилителей мощности на космических кораблях

Mallette, L; Darby, S; Baatz, M; Ujihara, K

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Thermal considerations in the use of solid state power amplifiers on the Geos spacecraft Выходные данные : New York, 1984 Колич.характеристики :6 с Серия: Rep./AIAA; N 84-1753 Примечания : ; V nadzag. takze: AIAA 19th thermophysics conf., June 25-28, 1984, Snowmass (Co). Библиогр.: с.6 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 55.49 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Thermal considerations in the use of solid state power amplifiers on the Geos spacecraft Доп.точки доступа: Mallette, L; Darby, S; Baatz, M; Ujihara, K AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

107

Theory of insulated gate field effect transistor with negative differential electron mobility IC International centre for theoretical physics ( Trieste ) В надзаг.: IAEA, UNESCO


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Theory of insulated gate field effect transistor with negative differential electron mobility Выходные данные : Miramare; Trieste,Б.г. Коллективы : International centre for theoretical physics ( Trieste ) Серия: IC/ Intern. centre for theoretical physics; 95/274 Примечания : ; В надзаг.: IAEA, UNESCO Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.19.17 Перейти к источнику в Интернете: Theory of insulated gate field effect transistor with negative differential electron mobility TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

108

Theoretical study of power relativistic amplifiers for electron beam bunching Препринт Встречных пучков системы, , вспуси

Perelstein, E.A.; Bobyleva, L.V.; Elzhov, A.V.; Kazacha, V.I.

Н/2509/Е9-97-5 Theoretical study of power relativistic amplifiers for electron beam bunching [Text] : препринт / E.A.Perelstein,L.V.Bobyleva,A.V.Elzhov,V.I.Kazacha. - Dubna, 1997. - 11 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е9-97-5). - 295 экз. - 1356 р.ГРНТИ 47.31.37УДК 621.384.665(04) Рубрики: Встречных пучков системы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Perelstein, E.A.; Bobyleva, L.V.; Elzhov, A.V.; Kazacha, V.I. Экз-ры: хр(1) AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

109

The calorimetric nuclear amplifiers of energy Препринт калориметр Калориметры, , ка калориметр

Strugalska-Gola, E.; Mulas, E.

Н/2509/Е1-95-337 Strugalski, Z. The calorimetric nuclear amplifiers of energy [Text] : препринт / Z. Strugalski, E. Strugalska-Gola, E. Mulas. - Dubna, 1995. - 8 p. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е1-95-337). - 390 экз. - 462 р.ГРНТИ 44.33.31УДК 621.039.577(04) Рубрики: Калориметры Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Strugalska-Gola, E.; Mulas, E. Экз-ры: хр(1) AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

110

The calorimetric nuclear amplifiers of energy Препринт ^aThe calorimetric nuclear energy amplifiers 0 ; Калориметры , ка

Strugalska-Gola, E.; Mulas, E.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Strugalski Z., Strugalska-Gola E., Mulas E. Заглавие : The calorimetric nuclear amplifiers of energy Выходные данные : Dubna, 1995 Колич.характеристики :8 p. Серия: Препринт; Е1-95-337 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.33.31 УДК : Предметные рубрики: Калориметры Содержание : Перейти к источнику в Интернете: The calorimetric nuclear amplifiers of energy Доп.точки доступа: Strugalska-Gola, E.; Mulas, E. AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

112

The Institute of Nanotechnology (Химия/Организации)


Тип: институт Профиль деятельности: Развитие и продвижение всех аспектов нанотехнологии. Организация международных научных мероприятий, обучающих курсов для поощрения внедрения нанотехнологии в п …

VINITI Projects Database (Russian)

113

Technische Universität Münchenn. Theoretische Informatik und Grundlagen der KI (Машиностроение/Организации)


Тип: университет Профиль деятельности: Adaptive control, Mobile robots, Distributed AI, Neural Networks ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Münche n,, Deutschland www. …

VINITI Projects Database (Russian)

115

Technical University of Hamburg-Harburg. Department for machine tools and automation technology (Машиностроение/Организации)


Тип: университет Профиль деятельности: Autonomous robots, Vision, Pattern recognition, Medical robotics, Planning, Manipulation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Hamburg, Deutsch …

VINITI Projects Database (Russian)

116

Technical University Berlin. Real-Time Systems (Машиностроение/Организации)


Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Human interface, Vision, Realtime ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Berlin, Deutschland www.tu-berlin.de (www.tu-ber …

VINITI Projects Database (Russian)

117

TRANSISTOR level modeling for analog/RF IC design Springer SpringerLink 12243; Интегральные схемы аналоговые, Проектирование 48285; Радиоприемники, Схемы

Grabinsky, W. ed.; SpringerLink (Online service)

621.3.049.77-047.56T82 TRANSISTOR level modeling for analog/RF IC design [Electronic resource] / ed. W. Grabinsky [et al.]. - Electronic text data. - Dordrecht : Springer, 2006. - ISBN 978-1-4020-4556-1 : Б. ц.ГРНТИ 47.33.3147.47.31УДК 621.3.049.77-047.56621.396.621 Рубрики: Интегральные схемы аналоговые--ПроектированиеРадиоприемники--СхемыПерейти к источнику в Интернете: TRANSISTOR level modeling for analog/RF IC design Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Grabinsky, W. \ed.\; SpringerLink (Online service) Экз-ры: TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

118

T (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

119

Superconducting low noise parametric amplifiers and Josephson mixers Doktorsavhandlingar vid Chalmers techniska hogskola;N654 0 ^aМалошумящие параметрические усилители на сверхпроводниках и смесители Джозефсона 0 ; параметрические усилители на сверхпроводниках; смесители Джозефсона Библиогр. в конце гл 0 ; параметрические усилители на сверхпроводниках; смесители Джозефсона


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Olsson H.K. Заглавие : Superconducting low noise parametric amplifiers and Josephson mixers Выходные данные : Goteborg, 1988 Колич.характеристики :1 том, (разд.паг) с.: ил Серия: Doktorsavhandlingar vid Chalmers techniska hogskola;N654 Примечания : ; Библиогр. в конце гл ISBN, Цена 91-7032-349-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.33 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; параметрические усилители на сверхпроводниках; смесители джозефсона Перейти к источнику в Интернете: Superconducting low noise parametric amplifiers and Josephson mixers, Перейти к источнику в Интернете:  AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

120

Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes Acta polytechnica Scandinavica. El, Electrical engineering series Транзисторы биполярные, , битр Диоды полупроводниковые, , дипо


R/5050/72 Eranen, S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes [Text] : diss. / S.Eranen. - Helsinki : [s. n.], 1992. - 29 p. : ill. - (Acta polytechnica Scandinavica. El, Electrical engineering series, ISSN 0001-6845 ; n72). - ISBN 951-666-357-5 : 10 р. Библиогр.:с.27-29ГРНТИ 47.2947.33УДК 621.382.2(043)621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярныеДиоды полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

121

Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes Acta polytechnica Scandinavica. Electrical engineering ser. 0 ^aИзучение прибора на основе биполярного транзистора и полевого транзистора с полупроводниковым затвором 0 ; транзисторы;полупроводники Библиогр.: с.27-29 0 ; транзисторы;полупроводники


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Eranen S. Заглавие : Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss Выходные данные : Helsinki, 1992 Колич.характеристики :29 с: ил Серия: Acta polytechnica Scandinavica. Electrical engineering ser., ISSN 0001-6845; N 72 Примечания : ; Библиогр.: с.27-29 ISBN, Цена 951-666-357-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы;полупроводники Перейти к источнику в Интернете: Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

122

Special issue on system and network applications of optical amplifiers J.of lightwave technology 0 ^aСпециальный выпуск по системным и сетевым применениям оптических усилителей Inst.of electrical a.electronics engineers 0 ; оптические усилители Библиогр. в конце ст 0 ; оптические усилители


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Special issue on system and network applications of optical amplifiers Выходные данные : New York: Inst.of electrical a.electronics engineers, 1995 Колич.характеристики :701-981 c Серия: J.of lightwave technology, ISSN 0733-8724; Vol.13,N5 Примечания : ; Библиогр. в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.33.15 + ; 50.39.17 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; оптические усилители Перейти к источнику в Интернете: Special issue on system and network applications of optical amplifiers AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

123

Solid-state electronic amplifiers 0 ^aТвердотельные электронные усилители Reston publ.co Указ.: с.213-215

Lyons, R.A

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Beach D.P, Lyons R.A Заглавие : Solid-state electronic amplifiers Выходные данные : Reston (Va): Reston publ.co, 1984 Колич.характеристики :8,215 с Примечания : ; Указ.: с.213-215 ISBN, Цена 0-8359-6951-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Solid-state electronic amplifiers Доп.точки доступа: Lyons, R.A AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

124

Solid-state electronic amplifiers 0 ^aТвердотельные электронные усилители Prentice-Hall

Lyons, R.A

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Beach D.P, Lyons R.A Заглавие : Solid-state electronic amplifiers Выходные данные : Reston: Prentice-Hall, 1984 Колич.характеристики :213 с Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Solid-state electronic amplifiers Доп.точки доступа: Lyons, R.A AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

125

Small-signal transistors for amplifier and switching applications Siemens Транзисторы, Справочники, , тр


G2/19658 Small-signal transistors for amplifier and switching applications [Text] : data book 1988/89. - munchen : Siemens, 1988. - 155 p. : ill. - 3000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(03) Рубрики: Транзисторы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

126

Small-signal transistors for amplifier and switching applications Siemens ; Транзисторы . Справочники , тр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Small-signal transistors for amplifier and switching applications : Data book 1988/89 Выходные данные : Muchen: Siemens, 1988 Колич.характеристики :155 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors for amplifier and switching applications TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

127

Small-signal transistors Philips Транзисторы, Справочники, , тр


G2/19615 Small-signal transistors [Text] : data handbook SC04. - S.l. : Philips, 1995. - 1247 p. : ill. - 35000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(03) Рубрики: Транзисторы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

128

Small-signal transistors Philips ; Транзисторы . Справочники , тр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Small-signal transistors : Data handbook SC04 Выходные данные : Б.м., 1995 Колич.характеристики :1247 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

129

Small-signal transistors Discrete semiconductors:SC/Philips semiconductors 0 ^aТранзисторы, работающие в режиме малого сигнала. Справочник Philips


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Small-signal transistors Выходные данные : Hamburg: Philips, 1991 Колич.характеристики :896, III с.: ил. Серия: Discrete semiconductors:SC/Philips semiconductors Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.01.33 Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

130

Silizium Permeable Base Transistoren полевой; моп-транзистор МОП-транзисторы полевые полевой; моп-транзистор


G2/15628 Gruhle, A. Silizium Permeable Base Transistoren [Text] : Diss. / A.Gruhle. - Aachen : [s. n.], 1989. - 130 S. : Ill. - 1.00 р. Библиогр.: с.111-130ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(043) Рубрики: МОП-транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

131

Silizium Permeable Base Transistoren 0 ^aКремниевые транзисторы с проницаемой базой 0 ; кремниевые транзисторы Библиогр.: с.111-130 0 ; кремниевые транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Gruhle A. Заглавие : Silizium Permeable Base Transistoren : Diss Выходные данные : Aachen, 1989 Колич.характеристики :130 с: ил Примечания : ; Библиогр.: с.111-130 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Silizium Permeable Base Transistoren TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

132

Silicon germanium heterojunction bipolar transistors Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology 0 ^aКремниевые и германиевые биполярные гетеротранзисторы. Моделирование при большом уровне сигнала и характеристика низкочастотного шума. Дис. 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Библиогр.:с.109-112 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bruce S. Заглавие : Silicon germanium heterojunction bipolar transistors : Large-signal modelling a. low-frequency noise characterization aspects: Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :126 с: ил Серия: Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 479 Примечания : ; Библиогр.:с.109-112 ISBN, Цена 91-554-4558-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Перейти к источнику в Интернете: Silicon germanium heterojunction bipolar transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

134

Semiconductor-on-insulator and thin film transistor technology Symposia proceedings 0 ^aПолупроводник на диэлектрике и технология тонкопленочных транзисторов:Труды симп., Бостон (Массачуссетс), 1986 Materials research society(Boston) Materials research soc. 0 ; полупроводник на транзисторе; тонкопленочные транзисторы Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.471-474 0 ; полупроводник на транзисторе; тонкопленочные транзисторы

Chieng, A. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Semiconductor-on-insulator and thin film transistor technology : Symp. held Dec. 3-6, Boston (Ma) Выходные данные : Pittsburg (Pa): Materials research soc., 1986 Колич.характеристики :XVII, 474 с: ил Коллективы : Materials research society(Boston) Серия: Symposia proceedings/ Materials reserach soc., ISSN 02729172;N53 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.471-474 ISBN, Цена 0-931837-36-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полупроводник на транзисторе; тонкопленочные транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Semiconductor-on-insulator and thin film transistor technology Доп.точки доступа: Chieng, A. \.\ TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

135

S (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

136

Robot Books.com (Машиностроение/Ресурсы)


Тип2НазваниеRobot Books.comОписаниеReviews of robotics books, plus robot kits, movies, and toy robotsКлючевые словароботы, элементы, книги, продажаПерспективы развитияТип доступасвободныйФормат данных …

VINITI Projects Database (Russian)

138

Regimes transistores des machines tournantes electriques Coll. de la direction des etudes et recherches d'electricite de France 0 ^aНеустановившиеся режимы электрических машин Eyrolles Библиогр. в конце кн


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Barret P Заглавие : Regimes transistores des machines tournantes electriques Выходные данные : Paris: Eyrolles, 1982 Колич.характеристики :207 с Серия: Coll. de la direction des etudes et recherches d'electricite de France; N 43 Примечания : ; Библиогр. в конце кн Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Regimes transistores des machines tournantes electriques TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

139

Red book (Металлургия/Издания)


Тип Книга Авторы G.Effenberg, O.I. Bodak, L.A. Petrova Название …

VINITI Projects Database (Russian)

140

Radioastron space antenna: low-noise amplifiers cooling during ground-based radio-engineering tests Препринт Радиотелескопы, , ра

Bujakas, V.I.; Pyshkin, S.N.; Snopok, N.I.; Troitsky, V.F.

М/9354/17(1997) Radioastron space antenna: low-noise amplifiers cooling during ground-based radio-engineering tests [Text] : препринт / V.I.Bujakas,S.N.Pyshkin,N.I.Snopok,V.F.Troitsky. - Moscow, 1997. - 21 p. : il. - (Препринт / Физический ин-т им.П.Н.Лебедева(Москва) ; 17(1997)). - 50 экз. - Б. ц.ГРНТИ 41.51.29УДК 520.27(04) Рубрики: Радиотелескопы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Bujakas, V.I.; Pyshkin, S.N.; Snopok, N.I.; Troitsky, V.F. Экз-ры: хр(1) AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

141

Radiation hardness tests of GaAs amplifiers for liquid argon calorimetry Препринт Калориметры в ядерной физике

Ban, J.; Bartheld, V.; Brettel, H.

Н/2509/Е13-95-222 Radiation hardness tests of GaAs amplifiers for liquid argon calorimetry [Text] : препринт / J.Ban,V.Bartheld,H.Brettel и др. - Dubna, 1995. - 12 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е13-95-222). - 375 экз. - 708 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.07(04) Рубрики: Калориметры в ядерной физике Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ban, J.; Bartheld, V.; Brettel, H. Экз-ры: хр(1) AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

142

Ra (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

143

RF power amplifiers for mobile communications Analog circuits and signal processing Springer SpringerLink Усилители СВЧ

Steyaert, M.; SpringerLink (Online service)

621.375.029.5/R49-946515 Reynaert, P. RF power amplifiers for mobile communications [Electronic resource] / P. Reynaert, M. Steyaert. - Electronic text data. - Dordrecht : Springer, 2006. - (Analog circuits and signal processing). - ISBN 978-1-4020-5117-3 : Б. ц.ГРНТИ 47.41.33УДК 621.375.029.6 Рубрики: Усилители СВЧПерейти к источнику в Интернете: RF power amplifiers for mobile communications Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Steyaert, M.; SpringerLink (Online service) Экз-ры: AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

144

Prozessstromquellen mit Transistorschaltern hoher Taktfrequenz Источники электрического тока полупроводниковые


G2/15518 G@:oller, E. Prozessstromquellen mit Transistorschaltern hoher Taktfrequenz [Text] : Diss. / E.G@:oller. - Stuttgart : [s. n.], 1990. - 157 S. : Ill. - 1.00 р. Библиогр.:с.152-157ГРНТИ 47.59.39УДК 621.311.6:621.382(043) Рубрики: Источники электрического тока полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-90903 TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

145

Procedura di calcolo per transistori termici in un cilindro Com. naz. energia nucleare 0 ^aПорядок расчета термотранзисторов в цилиндре Библиогр.: с. 55


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Manca O Заглавие : Procedura di calcolo per transistori termici in un cilindro Выходные данные : Roma, 1982 Колич.характеристики :55 с Серия: Com. naz. energia nucleare Примечания : ; Библиогр.: с. 55 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Procedura di calcolo per transistori termici in un cilindro TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

146

Practical transistors and linear integrated circuits Практические транзисторы и линейные интегральные схемы Wiley транзистор линейная интегральная схема Транзисторы Интегральные схемы линейные транзистор линейная интегральная схема


J2/23119 Greenfield, J. D. Practical transistors and linear integrated circuits [Text] : материал технической информации / J.D.Greenfield. - new york [etc.] : Wiley, 1988. - XIV, 686 p. 686 p. : ill. - ISBN 0-471-89097-9 : 31.60 р. Библиогр.в конце частей.Указ.:с.667-686 Перевод заглавия: Практические транзисторы и линейные интегральные схемыПеревод заглавия: Практические транзисторы и линейные интегральные схемыГРНТИ 47.33УДК 621.382.3621.3.049.77 Рубрики: ТранзисторыИнтегральные схемы линейные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-95468 TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

147

Practical transistors and linear integrated circuits 0 ^aПрактические транзисторы и линейные интегральные схемы Wiley 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы Библиогр. в конце частей.-Указ.: с. 667-686 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Greenfield J.D. Заглавие : Practical transistors and linear integrated circuits Выходные данные : New York etc: Wiley, 1988 Колич.характеристики :XIV, 686 с: ил Примечания : ; Библиогр. в конце частей.-Указ.: с. 667-686 ISBN, Цена 0-471-89097-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.33.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы Перейти к источнику в Интернете: Practical transistors and linear integrated circuits TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

148

Practical guide to electronic amplifiers 0 ^aЭлектронные усилители. Руководство для специалистов Prentice Hall Указ.


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Lenk, John D Заглавие : Practical guide to electronic amplifiers : Basics. Simplified design. Audio frequency. Radio frequency. Intermediate frequency. Video frequency. Direct-coupled. Compound. Differential. Op-amp/ OTA. Tests. Troubleshooting Выходные данные : Englewood Cliffs (N.J.): Prentice Hall, 1991 Колич.характеристики :XV, 438 с.: ил. Примечания : ; Указ. ISBN, Цена 0-13-690843-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.33 Перейти к источнику в Интернете: Practical guide to electronic amplifiers AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

150

PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs Philips МОП-транзисторы, Справочники


G2/19614 PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs [Text] : data handbook. - S.l. : Philips, 1995. - 637 p. : ill. - 20000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(03) Рубрики: МОП-транзисторы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

151

PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs Philips ; МОП-транзисторы силовые . Справочники , моситр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs : Data handbook Выходные данные : Б.м., 1995 Колич.характеристики :637 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: МОП-транзисторы силовые Перейти к источнику в Интернете: PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

152

Power MOS transistors 0 ^aМощные транзисторы:Справочник Philips components 0 ; транзистор 0 ; транзистор


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Power MOS transistors : Product specifications Выходные данные : Eindhoven: Philips components, 1989 Колич.характеристики :498 с: ил Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзистор Перейти к источнику в Интернете: Power MOS transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

153

Parameter estimation for the Gummel-Poon transistor model Acta Polytechnica Scandinavica.Mathematics and Computing Machinery Series 0 ^aПараметрическая оценка для модели транзистора Гуммель-Пуна Finnish Academy of Technical sciences 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы

Lindqvist, P.; Vuorinen, M.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Granlund S., Lindqvist P., Vuorinen M. Заглавие : Parameter estimation for the Gummel-Poon transistor model Выходные данные : Helsinki: Finnish Academy of Technical sciences, 1989 Колич.характеристики :19 с: ил Серия: Acta Polytechnica Scandinavica.Mathematics and Computing Machinery Series, ISSN 03552713;N53 ISBN, Цена 951-666-282-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Parameter estimation for the Gummel-Poon transistor model, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Lindqvist, P.; Vuorinen, M. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

154

Pa (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

156

Operational amplifiers and linear integrated circuits Операционные усилители и линейные интегральные схемы:Теория и применения McGraw-Hill Усилители операционные Интегральные схемы линейные


J2/22218 Dailey, D. J. Operational amplifiers and linear integrated circuits [Text] : theory and applications / D.J.Dailey. - new york [etc.] : McGraw-Hill, 1989. - XII,418 p. p. : ill. - ISBN 0-07-039931-X : 29.51 р. Указ.: с.415-418 Перевод заглавия: Операционные усилители и линейные интегральные схемы:Теория и примененияПеревод заглавия: Операционные усилители и линейные интегральные схемы:Теория и примененияГРНТИ 50.09.3547.33.31УДК 621.375.024621.3.049.77 Рубрики: Усилители операционныеИнтегральные схемы линейные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-91566 AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

157

Operational amplifiers and linear integrated circuits 0 ^aОперационные усилители и линейные интегральные схемы:Теория и применения McGraw-Hill 0 ; операционные усилители; линейные интегральные схемы Указ.: с. 415-418 0 ; операционные усилители; линейные интегральные схемы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Dailey D.J. Заглавие : Operational amplifiers and linear integrated circuits : Theory and applications Выходные данные : New York etc: McGraw-Hill, 1989 Колич.характеристики :XII, 418 с: ил Примечания : ; Указ.: с. 415-418 ISBN, Цена 0-07-039931-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 + ; 50.09.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; операционные усилители; линейные интегральные схемы Перейти к источнику в Интернете: Operational amplifiers and linear integrated circuits AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

158

Operational amplifiers 0 ^aОперационные усилители Wiley 0 ; операционные усилители 0 ; операционные усилители Указ.: с.271-273 0 ; операционные усилители

Porat, D.I.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Barna A., Porat D.I. Заглавие : Operational amplifiers Выходные данные : New York etc: Wiley, 1989 Колич.характеристики :XII, 273 c: ил Примечания : ; Указ.: с.271-273 ISBN, Цена 0-471-84715-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; операционные усилители Перейти к источнику в Интернете: Operational amplifiers Доп.точки доступа: Porat, D.I. AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

159

Operation and modeling of the MOS transistor McGraw-Hill ser. in electrical engineering 0 ^aРабота и моделирование МОП-транзистора McGraw-Hill book co. 0 ; МОП-транзисторы 0 ; МОП-транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Tsividis Y.P. Заглавие : Operation and modeling of the MOS transistor Выходные данные : New York: McGraw-Hill book co., 1987 Колич.характеристики :505 с: ил Серия: McGraw-Hill ser. in electrical engineering Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; моп-транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Operation and modeling of the MOS transistor TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

160

Operation and modeling of the MOS transistor 0 ^aРазработка и моделирование MOS транзисторов McGraw-Hill 0 ; разработка; моделирование; MOS математическая модель; транзисторы Библиогр. в конце гл.-Указ.: с. 495-505 0 ; разработка; моделирование; MOS математическая модель; транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Tsividis, Yannis P. Заглавие : Operation and modeling of the MOS transistor Выходные данные : New York etc.: McGraw-Hill, 1987 Колич.характеристики :20, 505 с.: рис., табл Примечания : ; Библиогр. в конце гл.-Указ.: с. 495-505 ISBN, Цена 0-07-065381-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; разработка; моделирование; mos математическая модель; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Operation and modeling of the MOS transistor, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

161

On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors Транзисторы биполярные, , битр, , битр


J2/24465 Wijnen, P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors [Text] : diss. / P.J. van Wijnen. - Delft : [s. n.], 1992. - V,265 p. p. : ill. - 30 р., 20 р. Рез.гол.Библиогр. в конце статей.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(2) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

162

On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors 0 ^aХарактеристика и оптимизация высокоскоростных кремниевых биполярных транзисторов.Дис. 0 ; биполярные; транзисторы Рез.нидерл.-Библиогр.в конце ст 0 ; биполярные; транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Wijnen P.J.van Заглавие : On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors : Diss. Выходные данные : Delft, 1992 Колич.характеристики :V,265 с: ил Примечания : ; Рез.нидерл.-Библиогр.в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

163

On microwave low noise feedback amplifiers and control circuits Technical rep./School of electrical a.computer engineering.Chalmers univ.of technology;N 194 0 ^aМикроволновые усилители с низким шумом и обратной связью и цепи управления.Дис. 0 ; микроволновые усилители Библиогр.:л.13 0 ; микроволновые усилители


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Albinsson B. Заглавие : On microwave low noise feedback amplifiers and control circuits : Diss. Выходные данные : Gothebburg, 1990 Колич.характеристики :13 л с Серия: Technical rep./School of electrical a.computer engineering.Chalmers univ.of technology;N 194 Примечания : ; Библиогр.:л.13 ISBN, Цена 91-7032-477-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.33 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; микроволновые усилители Перейти к источнику в Интернете: On microwave low noise feedback amplifiers and control circuits, Перейти к источнику в Интернете:  AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

164

On microwave low noise feedback amplifiers and control circuits Doktorsavhandlingar/Chalmers tekniska hogskola 0 ^aМикроволновые усилители с обратной связью с низким уровнем шума и схемы управления 0 ; микроволновый усилитель 0 ; микроволновый усилитель


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Albinsson B. Заглавие : On microwave low noise feedback amplifiers and control circuits Выходные данные : Gothenburg, 1990 Колич.характеристики :13 с: ил Серия: Doktorsavhandlingar/Chalmers tekniska hogskola; N 740 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.33 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; микроволновый усилитель Перейти к источнику в Интернете: On microwave low noise feedback amplifiers and control circuits AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

166

Nonlinear theory of the current instability in a ballistic field effect transistor IC International centre for theoretical physics ( Trieste ) В надзаг.: IAEA, UNESCO


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Nonlinear theory of the current instability in a ballistic field effect transistor Выходные данные : Miramare; Trieste,Б.г. Коллективы : International centre for theoretical physics ( Trieste ) Серия: IC/ Intern. centre for theoretical physics; 95/273 Примечания : ; В надзаг.: IAEA, UNESCO Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.19.17 Перейти к источнику в Интернете: Nonlinear theory of the current instability in a ballistic field effect transistor TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

168

Newsflash 2 (Newsflashes/Newsflash)


Yesterday all servers in the U.S. went out on strike in a bid to get more RAM and better CPUs. A spokes person said that the need for better RAM was due to some fool increasing the front-side bus spee …

VINITI Projects Database (Russian)

169

Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 0 ^aИмитация схемы биполярного транзистора с изолированным затвором Lbc& 0 ; биполярный транзистор Библиогр.:с.129-139 0 ; биполярный транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Cotorogea M. Заглавие : Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) : Diss. Выходные данные : Berlin, 1993 Колич.характеристики :IV,139 c: ил Примечания : ; Библиогр.:с.129-139 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярный транзистор Перейти к источнику в Интернете: Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

170

National Nanotechnology Initiative (Химия/Ресурсы)


ТипНазваниеNational Nanotechnology InitiativeОписаниеThe National Nanotechnology Initiative (NNI) is a federal R&D program established to coordinate the multiagency efforts in nanoscale science, e …

VINITI Projects Database (Russian)

171

National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (Машиностроение/Организации)


Тип: научный центр Профиль деятельности: 3-d vision, Human friendly systems, Field robotics, Intelligent transport systems, Humanoids, Auditory signal processing Сокр. название: AIST ГРНТИ: …

VINITI Projects Database (Russian)

173

Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Springer sci. and Business Media, inc. ; Транзисторы

Guo, J.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Lundstrom M.S., Guo J. Заглавие : Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Выходные данные : New York (NY) [etc.]: Springer sci. and Business Media, inc., 2006 Колич.характеристики :VI, 217 p.: ill Примечания : ; Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 213-217 ISBN, Цена 0-387-28002-2: р2728.63 р. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Доп.точки доступа: Guo, J. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

174

Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Springer sci. and Business Media, inc. 38281; Транзисторы

Guo, J.

J2/27781 Lundstrom, M. S. Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation [Text] : монография / M. S. Lundstrom, J. Guo. - New York, NY [etc.] : Springer sci. and Business Media, inc., 2006. - VI, 217 p. : ill. - Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 213-217. - ISBN 0-387-28002-2 : 2728.63 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3 Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Guo, J. Экз-ры: хр(1), (1) Копия: мкф., Шифр MR-111757 TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

175

Nanofactory Instruments (Химия/Организации)


Типпромышленная компанияПолное название (официальное)Nanofactory InstrumentsПрофиль деятельностиNanofactory Instruments develop, manufacture and sell unique solutions for the electron microscopy marke …

VINITI Projects Database (Russian)

176

N (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

177

Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors Forschungsber./BRD. Bundesmin. fur Forschung und Technologie 0 ^aИнтеграция на одной подложке ультравысокочастотных полевых МОП-транзисторов и биополярных транзисторов Библиогр.: с. 53


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Mueller W Заглавие : Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors Выходные данные : Bonn, 1982 Колич.характеристики :56 с Серия: Forschungsber./BRD. Bundesmin. fur Forschung und Technologie ; T-80-172 Примечания : ; Библиогр.: с. 53 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

178

Modulation-doped field-effect transistors 0 ^aПорлевые транзисторы с дополнительной модуляцией.Принципы, проектирование, технология IEEE press 0 ; полдевые транзисторы Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 0 ; полдевые транзисторы

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Modulation-doped field-effect transistors : Principles, design, a. technology Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,523 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 ISBN, Цена 0-87942-255-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полдевые транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Modulation-doped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

179

Modulation-doped field-effect transistors 0 ^aПолевые транзисторы с добавленной модуляцией IEEE press 0 ; полевые транзисторы, потр Библиогр.в конце ст.-Указ.;с.441-454 0 ; полевые транзисторы, потр

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Modulation-doped field-effect transistors : Applications and circuits Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,455 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.;с.441-454 ISBN, Цена 0-87942-256-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевые транзисторы, потр Перейти к источнику в Интернете: Modulation-doped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

180

Moderne Bauelementkonzepte von Schottky Gate Feldeffekt-Transistoren aus III-V Verbindungshalbleitern 0 ^aСовременная концепция конструктивных элементов полевых транзисторов с затвором типа барьера Шотки из полупроводящих соединений III-IV групп. Дис


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Schubert E Заглавие : Moderne Bauelementkonzepte von Schottky Gate Feldeffekt-Transistoren aus III-V Verbindungshalbleitern : Diss Выходные данные : Stuttgart, 1986 Колич.характеристики :11, 128, A19 с Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Moderne Bauelementkonzepte von Schottky Gate Feldeffekt-Transistoren aus III-V Verbindungshalbleitern, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

181

Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Report;N11 0 ^aМоделирование и методы измерения высокоскоростных биполярных транзисторов:Diss:Диссертация Helsingin teknillinen korkeakoulu.Electronic circuit design laboratory 0 ; биполярные транзисторы; измерение 0 ; биполярные транзисторы; измерение

Sipila, M. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Выходные данные : Espoo, 1989 Колич.характеристики :115 с: ил Коллективы : Helsingin teknillinen korkeakoulu.Electronic circuit design laboratory Серия: Report;N11 ISBN, Цена 951-754-881-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы; измерение Перейти к источнику в Интернете: Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Доп.точки доступа: Sipila, M. \.\ TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

182

Modell zur Beschreibung der Hochfrequenzeigenschaften von bipolaren Transistoren 0 ^aМодель для описания высокочастотных характеристик биполярных транзисторов. Дис Библиогр.: с. 113-118


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Klose H Заглавие : Modell zur Beschreibung der Hochfrequenzeigenschaften von bipolaren Transistoren : Diss Выходные данные : Munchen, 1986 Колич.характеристики :120 с Примечания : ; Библиогр.: с. 113-118 Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Modell zur Beschreibung der Hochfrequenzeigenschaften von bipolaren Transistoren TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

183

Modeling and measurement methods for high speed bipolar transistors Report Транзисторы биполярные, Моделирование Транзисторы биполярные, Параметры, Измерение


R/16608/11 Sipil@:a, M. Modeling and measurement methods for high speed bipolar transistors [Text] : diss. / M.Sipil@:a. - Espoo : [s. n.], 1989. - Pag.var. : ill. - (Report / Helsinki univ. of technology, ISSN 0783-9448 ; n11). - ISBN 951-754-881-8 : 2.00 р. Библиогр. в конце ст. В б-ке имеется 2-ой экз. мфиша: MF-91-15699ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные--МоделированиеТранзисторы биполярные--Параметры--Измерение Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(2), (2) Копия: мкф., Шифр MR-85201 TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

184

Microwave transistors Philips data handbook:Semiconductors полупроводниковый прибор Полупроводниковые приборы, Справочники полупроводниковый прибор


Q/5505/S11 Philips data handbook:Semiconductors [Text]. - Eindhoven : Philips.B. S11 : Microwave transistors. - 1985. - VIII,368 p. p. : ill. - 4.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382(03) Рубрики: Полупроводниковые приборы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

185

Matching properties of deep sub-micron mos transistors The Kluwer international series in engineering and computer science, analog circuits and signal processing Springer SpringerLink 20251; Моп-транзисторы

Maes, H.E.; Sansen, W.; SpringerLink (Online service)

621.382.323C90 Croon, J. A. Matching properties of deep sub-micron mos transistors [Electronic resource] / J. A. Croon, H. E. Maes, W. Sansen. - Electronic text data. - Boston, Ma : Springer, 2005. - (The Kluwer international series in engineering and computer science, analog circuits and signal processing, ISSN 0893-3405 ; 851). - ISBN 978-0-387-24313-9 : Б. ц.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Моп-транзисторыПерейти к источнику в Интернете: Matching properties of deep sub-micron mos transistors Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Maes, H.E.; Sansen, W.; SpringerLink (Online service) Экз-ры: TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

186

Magnetotransportuntersuchungen an eindimensionalen Transistoren Исследование магнитопереноса в одномерных транзисторах.Дис. Транзисторы, , тр


G2/17426 Nieder, J. Magnetotransportuntersuchungen an eindimensionalen Transistoren [Text] : Diss. / J.Nieder. - Stuttgart : [s. n.], 1992. - 168 S. : Ill. - 10-00 р. Библиогр.:с.165-168 Перевод заглавия: Исследование магнитопереноса в одномерных транзисторах.Дис.Перевод заглавия: Исследование магнитопереноса в одномерных транзисторах.Дис.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(043) Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

187

Magnetotransportuntersuchungen an eindimensionalen Transistoren 0 ^aИсследование магнитопереноса в одномерных транзисторах.Дис. 0 ; одномерные транзисторы Библиогр.:с.165-168 0 ; одномерные транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Nieder J. Заглавие : Magnetotransportuntersuchungen an eindimensionalen Transistoren : Diss. Выходные данные : Stuttgart, 1992 Колич.характеристики :168 c: ил Примечания : ; Библиогр.:с.165-168 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; одномерные транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Magnetotransportuntersuchungen an eindimensionalen Transistoren TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

188

Magnetoresistance in a superconducting single-electron transistor with multiple connected Coulomb island Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aМагниторезистивный эффект в сверхпроводящих одноэлектронных транзисторах с множественно связанным кулоновским островком. [Сверхпроводящее мезоскопическое кольцо.] Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Kimura, Mitsuru; Katsumoto, Shingo

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sato Hideki, Kimura Mitsuru, Katsumoto Shingo Заглавие : Magnetoresistance in a superconducting single-electron transistor with multiple connected Coulomb island Выходные данные : Tokyo: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 1996 Колич.характеристики :4 c.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3209 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.19 + ; 47.13.08 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Magnetoresistance in a superconducting single-electron transistor with multiple connected Coulomb island Доп.точки доступа: Kimura, Mitsuru; Katsumoto, Shingo TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

189

MOS-Transistoren in selektiver Epitaxie 0 ^aТранзисторы со структурой металл-окисел-полупроводник в селективной эпитаксии. Дис Библиогр.: с. 132-139


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Voss H.J Заглавие : MOS-Transistoren in selektiver Epitaxie : Diss Выходные данные : Aachen, 1988 Колич.характеристики :2, 139 с Примечания : ; Библиогр.: с. 132-139 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.13.11 УДК : Перейти к источнику в Интернете: MOS-Transistoren in selektiver Epitaxie TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

191

Logarithmic amplifiers Reports;ID(RS)T-1872-76 0 ^aЛогарифмические усилители 0 ; логарифмические усилители Библиогр.: с. 491-492 0 ; логарифмические усилители


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Volkov V.M. Заглавие : Logarithmic amplifiers Выходные данные : Б.м., 1987 Колич.характеристики :492 с: ил Серия: Reports;ID(RS)T-1872-76/ US. Air Force systems command Примечания : ; Библиогр.: с. 491-492 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.33 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; логарифмические усилители Перейти к источнику в Интернете: Logarithmic amplifiers AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

192

Logarithmic amplifiers Reports;ID(RS)T-1872-76 0 ^aЛогарифмические усилители 0 ; логарифмические усилители Библиогр.: с. 491-492 0 ; логарифмические усилители


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Volkov V.M. Заглавие : Logarithmic amplifiers Выходные данные : Б.м., 1987 Колич.характеристики :492 с: ил Серия: Reports;ID(RS)T-1872-76/ US. Air Force systems command Примечания : ; Библиогр.: с. 491-492 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.33 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; логарифмические усилители Перейти к источнику в Интернете: Logarithmic amplifiers AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

194

Kurzkanal-Transistoren in breitbandigen analogen CMOS-Schaltkreis-Komponenten f@:ur die Systemintegration Fortschritt-Berichte VDI. Reihe 9, Elektronik аналоговая интегральная схема моп-транзистор Интегральные схемы аналоговые, Моделирование МОП-транзисторы, Моделирование аналоговая интегральная схема моп-транзистор


S/378/120 Br@:oer, B. Kurzkanal-Transistoren in breitbandigen analogen CMOS-Schaltkreis-Komponenten f@:ur die Systemintegration [Text] : сборник научных трудов / B.Br@:oer. - [S. l. : s. n.], 1991. - 129 S. - (Fortschritt-Berichte VDI. Reihe 9, Elektronik / Verein Dt.Ing., ISSN 0178-9422 ; N120). - ISBN 3-18-142009-3 : 40000 р. Библиогр.:с.114-126ГРНТИ 47.33.3147.33УДК 621.3.049.771.14.001.57621.382.323.001.57 Рубрики: Интегральные схемы аналоговые--МоделированиеМОП-транзисторы--Моделирование Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-103325 TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

196

K (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

197

Journal of nanoscience and nanotechnology (Металлургия/Ресурсы)


ТипОтдельный выпуск журналаАвторыНазваниеJournal of nanoscience and nanotechnologyРефератпубликуются материалы по нанотехнологиям и наноматериаламКлючевые словананотехнологии, наноматериалыПолное назв …

VINITI Projects Database (Russian)

199

Japan Marine Science and Technology Center Deep Sea Research (Машиностроение/Организации)


Тип: научный центр Профиль деятельности: Underwater robotics Сокр. название: JAMSTEC ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Yokosuka, Kanagawa, Japan www.jamstec.go.jp/index-e/ …

VINITI Projects Database (Russian)

201

Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Препринт ^aInvestigation of radiation stability of transistors and integrated circuits using the heavy ion beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons

Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : Автор(ы) : Didyk A.Yu., Nazarov W.N., Gulbekian G.G. Заглавие : Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Выходные данные : Dubna, 1994 Колич.характеристики :11 p.: il. Серия: Препринт; E14-94-218 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 + ; 47.33.37 УДК : 621.382.3:539.16(04) + 621.3.049.77:539.16(04) Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

202

Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Препринт

Didyk, A.Yu.; Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G.; Wronski, W.

Н/2509/E14-94-218 Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons [Text] : препринт / A.Yu.Didyk,W.N.Nazarov,G.G.Gulbekian,W.Wronski. - Dubna, 1994. - 11 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; E14-94-218). - 300 экз. - 301 р.ГРНТИ 47.3347.33.37УДК 621.382.3:539.16(04)621.3.049.77:539.16(04) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Didyk, A.Yu.; Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G.; Wronski, W. Экз-ры: хр(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

203

International University Bremen. Robotics Lab. (Машиностроение/Организации)


Тип: научный центр Профиль деятельности: Robotic rescue, Embedded systems Сокр. название: IUB ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Bremen, Deutschland http://robotics.iu- …

VINITI Projects Database (Russian)

204

International Organization for Standardization (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


ТипорганизацияПолное название (официальное)International Organization for Standardization - Международная организация по стандартизацииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация международная деяте …

VINITI Projects Database (Russian)

206

Integrated-circuit operational amplifiers 0 ^aОперационные усилители на интегральных схемах Prentice-Hall Указ.: 313-317


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Rutkowski G.B Заглавие : Integrated-circuit operational amplifiers . -2nd ed Выходные данные : Englewood Cliffs (NJ): Prentice-Hall, 1984 Колич.характеристики :12, 317 с Примечания : ; Указ.: 313-317 ISBN, Цена 0-13-469007-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.31 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Integrated-circuit operational amplifiers, Перейти к источнику в Интернете:  AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

207

Improved transistor-controlled and compulated brushless DC motors for electric vehicle propulsion NASA contractor rep. 0 ^aУсовершенствованные бесщеточные двигатели постоянного тока с транзисторным управлением и коммутацией для электрической силовой установки Библиогр. в конце частей

Demerdash, N.A; Miller, R.H; Neht, T.W; Nyamusa, T.A

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Improved transistor-controlled and compulated brushless DC motors for electric vehicle propulsion Выходные данные : Б.м., 1983 Колич.характеристики :397 с Серия: NASA contractor rep.; N CR-168053 Примечания : ; Библиогр. в конце частей Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 73.19.41 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Improved transistor-controlled and compulated brushless DC motors for electric vehicle propulsion Доп.точки доступа: Demerdash, N.A; Miller, R.H; Neht, T.W; Nyamusa, T.A TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

208

I (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

209

Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design Artech house integrated microsystems series Artech house ; Моп-транзисторы. Проектирование ; Логические схемы. Проектирование ; Запоминающие устройства полупроводниковые. Проектирование

Ionescu, A.M.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Mahapatra S., Ionescu A.M. Заглавие : Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design Выходные данные : Norwood, Ma: Artech house, 2006 Колич.характеристики :XVII, 218 p.: ill Серия: The Artech house integrated microsystems series Примечания : ; Библиогр. в конце глав. Указ.: с. 217-218 ISBN, Цена 1-59693-069-1: р2403.59 р. ГРНТИ : ; 47.33 + ; 50.09.29 + ; 50.11.31 УДК : + + Предметные рубрики: Моп-транзисторы Логические схемы Запоминающие устройства полупроводниковые Перейти к источнику в Интернете: Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design Доп.точки доступа: Ionescu, A.M. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

210

Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design Artech house integrated microsystems series Artech house 61262; Моп-транзисторы, Проектирование 48821; Логические схемы , Проектирование 11265; Запоминающие устройства полупроводниковые, Проектирование

Ionescu, A. M.

ODM/182 Mahapatra, S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design [Text] / S. Mahapatra, A. M. Ionescu. - Norwood, Ma : Artech house, 2006. - 1 электрон. опт. диск (CD-ROM). - (Artech house integrated microsystems series). - Б. ц. Издание является приложением к документу: Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design. -2006. Шифр J2/27884ГРНТИ 47.3350.09.2950.11.31УДК 621.382.323.001.2(086.82)004.312.2.001.2(086.82)004.33.087.2.001.2(086.82) Рубрики: Моп-транзисторы--ПроектированиеЛогические схемы --ПроектированиеЗапоминающие устройства полупроводниковые--Проектирование Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ionescu, A. M. Экз-ры: нто3(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

211

Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design Artech house integrated microsystems series Artech house 20429; Моп-транзисторы, Проектирование 17314; Логические схемы, Проектирование 11260; Запоминающие устройства полупроводниковые, Проектирование

Ionescu, A. M.

J2/27884 Mahapatra, S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design [Text] : материал технической информации / S. Mahapatra, A. M. Ionescu. - Norwood, Ma : Artech house, 2006. - XVII, 218 p. : ill. - (Artech house integrated microsystems series). - Библиогр. в конце глав. Указ.: с. 217-218. - ISBN 1-59693-069-1 : 2403.59 р. Приложение: Сопроводительный материал :ODM/182 (электрон. опт. диск (CD-ROM)-нто3)ГРНТИ 47.3350.09.2950.11.31УДК 621.382.323.001.2004.312.2.001.2004.33.087.2.001.2 Рубрики: Моп-транзисторы--ПроектированиеЛогические схемы--ПроектированиеЗапоминающие устройства полупроводниковые--Проектирование Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ionescu, A. M. Экз-ры: хр(1), (1) Копия: мкф., Шифр MR-111883 TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

214

High magnetic field study of ballistic transport in a resonant-tunneling hot-electron transistor (RHET) Techn.rep.of ISSP.Ser.A 0 ^aИсследование с применением сильных магнитных полей баллистического транспорта в резонансно-туннелирующем транзисторе на горячих электронах Inst.for solid state physics,Univ.of Tokyo 0 ; электроника; транзисторы, эл Библиогр.: с.14-16 0 ; электроника; транзисторы, эл

Takamasu, T.; Miura, N.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Strutz Th., Takamasu T., Miura N. Заглавие : High magnetic field study of ballistic transport in a resonant-tunneling hot-electron transistor (RHET) Выходные данные : Tokyo: Inst.for solid state physics,Univ.of Tokyo, 1995 Колич.характеристики :31 c: ил Серия: Techn.rep.of ISSP.Ser.A, ISSN 0082-4798; N2933 Примечания : ; Библиогр.: с.14-16 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.03.05 + ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; электроника; транзисторы, эл Перейти к источнику в Интернете: High magnetic field study of ballistic transport in a resonant-tunneling hot-electron transistor (RHET) Доп.точки доступа: Takamasu, T.; Miura, N. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

218

GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits 0 ^aБиполярные гетеротранзисторы на GaAs-GaAlAs и связанные с ними интегральные схемы. Дис Библиогр.: с.122-126


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Su L.M Заглавие : GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits : Diss Выходные данные : Aachen, 1984 Колич.характеристики :128 с Примечания : ; Библиогр.: с.122-126 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

219

G (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

220

Frequency compensation techniques for low-power operational amplifiers The Kluwer intern. ser. in engineering a. computer science Analog circuits a. signal processing 0 ^aМетоды частотной коррекции для маломощных операционных усилителей. Kluwer acad. publ. Указ. : с. 235-245

Huijsing, Johan H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Eschauzier Rudy G.H., Huijsing Johan H. Заглавие : Frequency compensation techniques for low-power operational amplifiers Выходные данные : Boston: Kluwer acad. publ., Cop. 1995 Колич.характеристики :XVI, 245 с.: ил., табл Серия: The Kluwer intern. ser. in engineering a. computer science; SECS 313. Analog circuits a. signal processing Примечания : ; Библиогр. : с. 231-234. - ; Указ. : с. 235-245 ISBN, Цена 0-7923-9565-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Frequency compensation techniques for low-power operational amplifiers Доп.точки доступа: Huijsing, Johan H. AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

222

Foster-Miller, Inc. (Химия/Организации)


Типпромышленная компанияПолное название (официальное)Foster-Miller, Inc.Профиль деятельностиNanotechnology company providing system design and integration, microelectronics services, biomedical techno …

VINITI Projects Database (Russian)

223

FirstBots Home (Машиностроение/Ресурсы)


Тип2НазваниеFirstBots HomeОписаниеFeaturing the simple mobile robot that most hobbyists can build in a weekend. Also containe links to uzer groups, publications, suppliers and other robotics topics.Кл …

VINITI Projects Database (Russian)

224

Finite-Elemente-Verfahren zur dreidimensionalen Analyse von bipolaren Transistoren auf der Basis von Netzwerken Транзисторы биполярные, Анализ и синтез


G2/16239 Vahrmann, R. Finite-Elemente-Verfahren zur dreidimensionalen Analyse von bipolaren Transistoren auf der Basis von Netzwerken [Text] : Diss. / R.Vahrmann. - Hannover : [s. n.], 1990. - VIII,135 S. S. : Ill. - 1.00 р. Библиогр.: с.125-134ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные--Анализ и синтез Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

225

Finite-Elemente-Verfahren zur dreidimensionalen Analyse von bipolaren Transistoren auf der Basis von Netzwerken 0 ^aМетод конечных элементов для трехмерного анализа биполярных транзисторов на схемной основе:Дис. 0 ; биполярный транзистор Библиогр.: с. 125-134 0 ; биполярный транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Vahrmann R. Заглавие : Finite-Elemente-Verfahren zur dreidimensionalen Analyse von bipolaren Transistoren auf der Basis von Netzwerken : Diss. Выходные данные : Hannover, 1990 Колич.характеристики :VIII, 135 с: ил Примечания : ; Библиогр.: с. 125-134 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярный транзистор Перейти к источнику в Интернете: Finite-Elemente-Verfahren zur dreidimensionalen Analyse von bipolaren Transistoren auf der Basis von Netzwerken TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

226

FinFETs and other multi-gate transistors Springer Science + Business Media LLC SpringerLink 37689; Транзисторы

Colinge, J. ed.; SpringerLink (Online service)

621.382.3F54 FinFETs and other multi-gate transistors [Electronic resource] / ed. J. Colinge. - Electronic text data. - Boston, Ma : Springer Science + Business Media LLC, 2008. - ISBN 978-0-387-71752-4 : Б. ц.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3 Рубрики: ТранзисторыПерейти к источнику в Интернете: FinFETs and other multi-gate transistors Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Colinge, J. \ed.\; SpringerLink (Online service) Экз-ры: TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

227

Fiber laser sources and amplifiers Proceedings оптическая связь оптоэлектроника Оптическая связь, Съезды и конференции оптическая связь оптоэлектроника

Digonnet, M.J.F. ed.

R/7309/1171 Fiber laser sources and amplifiers [Text] : proc.of the meet., 6-8 Sept. 1990, Boston (Ma) / ed. M. J.F. Digonnet. - Washington(DC) : [s. n.], 1990. - VIII, 358 p. 358 p. : ill. - (Proceedings / Soc.of photo-optical instrumentation engineers ; n1171). - ISBN 0-8194-15373-9 : 3864.64 р. Библиогр. в конце ст.ГРНТИ 49.44.31УДК 621.391.63(063) Рубрики: Оптическая связь--Съезды и конференции Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Digonnet, M.J.F. \ed.\ Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкфш., Шифр MF-90-15333 AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

228

Feedforward amplifiers for wideband communication systems Springer SpringerLink 129706; Усилители высокой частоты

SpringerLink (Online service)

621.391.1.083.92/L49-581442 Legarda, J. Feedforward amplifiers for wideband communication systems [Electronic resource] / J. Legarda. - Electronic text data. - Boston, Ma : Springer, 2006. - ISBN 9780387351384. - ISBN 0-387-35138-8 : Б. ц.ГРНТИ 47.41.33УДК 621.375.029.5 Рубрики: Усилители высокой частотыПерейти к источнику в Интернете: Feedforward amplifiers for wideband communication systems Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: SpringerLink (Online service) Экз-ры: AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

230

Evaluation and analysis of operational amplifiers by three-frequency method Researches/Electrotechn. lab. 0 ^aОценка и анализ операционных усилителей трехчастотным методом Текст яп. Рез. англ. Библиогр.: с.53-56


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Yoshizaki H Заглавие : Evaluation and analysis of operational amplifiers by three-frequency method Выходные данные : Mito, 1987 Колич.характеристики :63 с Серия: Researches/Electrotechn. lab., ISSN 0366-9106; N 879 Примечания : ; Текст яп. Рез. англ. Библиогр.: с.53-56 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Evaluation and analysis of operational amplifiers by three-frequency method AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

231

Evaluation and analysis of operational amplifiers by three-frequency method Researches/Electrotechn. lab. 0 ^aОценка и анализ операционных усилителей трехчастотным методом Текст яп. Рез. англ. Библиогр.: с.53-56


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Yoshizaki H Заглавие : Evaluation and analysis of operational amplifiers by three-frequency method Выходные данные : Mito, 1987 Колич.характеристики :63 с Серия: Researches/Electrotechn. lab., ISSN 0366-9106; N 879 Примечания : ; Текст яп. Рез. англ. Библиогр.: с.53-56 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Evaluation and analysis of operational amplifiers by three-frequency method AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

232

European Cooperation in Legal Metrology (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


ТипОрганизацияПолное название (официальное)European Cooperation in Legal Metrology - Европейское сотрудничество в области законодательной метрологииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация междун …

VINITI Projects Database (Russian)

233

European Committee for Standardization - Европейский Комитет по стандартизации (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


ТипОрганизацияПолное название (официальное)European Committee for Standardization - Европейский Комитет по стандартизацииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация международная деятельностьСокращё …

VINITI Projects Database (Russian)

236

Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone 0 ^aИсследование и реализация цифрового управления транзисторным регулятором скорости для асинхронных машин. Применение на электрической тяги Библиогр.: с. 153-155


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Venuat J Заглавие : Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone : Application a la traction electrique: Diss Выходные данные : Toulouse, 1983 Колич.характеристики :155 с Примечания : ; Библиогр.: с. 153-155 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.35 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

237

Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion 0 ^aИсследование характеристик короткозамкнутого асинхронного двигателя, питающегося от транзисторного (МОП) управляемого генератора мощности с широтно-импульсной модуляцией Библиогр.: с. 127-129


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Olivier E Заглавие : Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion : Diss Выходные данные : Grenoble, 1982 Колич.характеристики :129 с Примечания : ; Библиогр.: с. 127-129 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.29.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

238

Erbium-doped fiber amplifiers: principles and applications 0 ^aУсилители на основе волокна, легированного эрбием: принцины и применение Wiley-Interscience 0 ; усилители; волокно 0 ; усилители; волокно Библиогр.: с.668-747.- Указ.: с.749-770 0 ; усилители; волокно


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Desurvire E. Заглавие : Erbium-doped fiber amplifiers: principles and applications Выходные данные : Hoboken: Wiley-Interscience, 2002 Колич.характеристики :XXVII,770 c: ил Примечания : ; Библиогр.: с.668-747.- Указ.: с.749-770 ISBN, Цена 0-471-26434-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.33 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; усилители; волокно Перейти к источнику в Интернете: Erbium-doped fiber amplifiers: principles and applications AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

239

Erbium-doped fiber amplifiers 0 ^aУсилители на основе волокна, легированного эрбием. Разработка устройств и систем Wiley-Interscience 0 ; эрбий; волокно 0 ; эрбий; волокно Библиогр.в конце ст.-Указ.: с. 755-763 0 ; эрбий; волокно

Bayart, D.; Desthieux, B.; Bigo, S.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Desurvire E., Bayart D., Desthieux B., Bigo S. Заглавие : Erbium-doped fiber amplifiers : Device a. system developments Выходные данные : New York: Wiley-Interscience, 2002 Колич.характеристики :XLV,763 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.: с. 755-763 ISBN, Цена 0-471-41903-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.33 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; эрбий; волокно Перейти к источнику в Интернете: Erbium-doped fiber amplifiers Доп.точки доступа: Bayart, D.; Desthieux, B.; Bigo, S. AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

240

Epson. Industrial Robots-Devision (Машиностроение/Организации)


Тип: хозяйственная Профиль деятельности: Manufacturing, Manipulation, Control ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Email: robot.infos@epson.de Город: Deutschland www.epson.de/en …

VINITI Projects Database (Russian)

242

Electron devices and amplifiers Mir усилитель электронный прибор Усилители Электронные приборы усилитель электронный прибор

Панаев, Г.А.; Савельев, Б.Н.

Д7-90/85764 Вайсбурд, Ф. И. Electron devices and amplifiers [Text] : transl.from the rus. / Ф. И. Вайсбурд, Г. А. Панаев, Б. Н. Савельев. - Moscow : Mir, 1990. - 528 с. : ил. - 5460 экз. - ISBN 5-03-001587-6 : 3 р. Перед загл.авт.:F.Wiessburd,G.Panayev,B.SavelyevГРНТИ 47.3347.41.33УДК 621.384621.375 Рубрики: УсилителиЭлектронные приборы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Панаев, Г.А.; Савельев, Б.Н. Экз-ры: хр(1) AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

243

Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes Linkoping studies in science a. technology. Dissertations 0 ^aЭлектрические характеристики полевых транзисторов и туннельных диодов:Дис Linkoping univ. Dep. of physics a. measurement technology Библиогр. в конце разд. ; Кристаллические триоды полевые ; Кристаллические диоды туннельные


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Chen, Qiang Заглавие : Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes : Akad. avh. Выходные данные : Linkoping: Linkoping univ. Dep. of physics a. measurement technology, 1993 Колич.характеристики :115 с. разд. паг.: ил Серия: Linkoping studies in science a. technology. Dissertations, ISSN 0345-7524; N 314 Примечания : ; Библиогр. в конце разд. ISBN, Цена 91-7871-152-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Предметные рубрики: Кристаллические триоды полевые Кристаллические диоды туннельные Перейти к источнику в Интернете: Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

244

Einsatzkriterien fur Transistoren unterschiedlicher Technologie in Pulswechselrichtern mit hoher Schaltfrequenz 0 ^aКритерии использования транзисторов различной технологии в импульсных преобразователях постоянного тока в переменный с высокой частотой коммутации:Дис. 0 ; использование транзистора; импульсный преобразователь Библиогр.: с.98-104 0 ; использование транзистора; импульсный преобразователь


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Schroder H. Заглавие : Einsatzkriterien fur Transistoren unterschiedlicher Technologie in Pulswechselrichtern mit hoher Schaltfrequenz : Diss Выходные данные : Berlin, 1988 Колич.характеристики :110 с: ил Примечания : ; Библиогр.: с.98-104 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; использование транзистора; импульсный преобразователь Перейти к источнику в Интернете: Einsatzkriterien fur Transistoren unterschiedlicher Technologie in Pulswechselrichtern mit hoher Schaltfrequenz TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

245

Einsatz eines Mikrowellen-Spitzenmessplatzes zur Charakterisierung von Transistoren direkt auf dem Wafer im Frequenzbereich von 0,045 bis 26,5 GHz Berichte Использование микроволнового стенда для измерения пиковых значений в целях получения характеристики транзисторов непосредственно на подложке в диапазоне частот от 0,045 до 26,6 ГГц транзистор Транзисторы СВЧ, Параметры, Измерение транзистор


R/2657/2459 Stassen, R. Einsatz eines Mikrowellen-Spitzenmessplatzes zur Charakterisierung von Transistoren direkt auf dem Wafer im Frequenzbereich von 0,045 bis 26,5 GHz [Text] : сборник научных трудов / R.Stassen. - J@:ulich : [s. n.], 1991. - 88 S. : Ill. - (Berichte / Kernforschungsanlage(Julich), ISSN 0366-0885 ; N2459). - 3.00 р. Библиогр.: с.78-80 Перевод заглавия: Использование микроволнового стенда для измерения пиковых значений в целях получения характеристики транзисторов непосредственно на подложке в диапазоне частот от 0,045 до 26,6 ГГцПеревод заглавия: Использование микроволнового стенда для измерения пиковых значений в целях получения характеристики транзисторов непосредственно на подложке в диапазоне частот от 0,045 до 26,6 ГГцГРНТИ 47.33.29УДК 621.382.3.029.6.08 Рубрики: Транзисторы СВЧ--Параметры--Измерение Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

246

Einsatz eines Mikrowellen-Spitzenmessplatzes zur Charakterisierung von Transistoren direkt auf dem Wafer im Frequenzbereich von 0,045 bis 26,5 GHz Ber./Kernforschungsanlage 0 ^aИспользование микроволнового стенда для измерения пиковых значений в целях получения характеристики транзисторов непосредственно на подложке в диапазоне частот от 0,045 до 26,6 ГГц 0 ; пиковое значение; транзистор Библиогр.: с.78-80 0 ; пиковое значение; транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Stassen R. Заглавие : Einsatz eines Mikrowellen-Spitzenmessplatzes zur Charakterisierung von Transistoren direkt auf dem Wafer im Frequenzbereich von 0,045 bis 26,5 GHz Выходные данные : Julich, 1991 Колич.характеристики :88 с: ил Серия: Ber./Kernforschungsanlage, ISSN 0366-0885; N 2459 Примечания : ; Библиогр.: с.78-80 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; пиковое значение; транзистор Перейти к источнику в Интернете: Einsatz eines Mikrowellen-Spitzenmessplatzes zur Charakterisierung von Transistoren direkt auf dem Wafer im Frequenzbereich von 0,045 bis 26,5 GHz TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

247

E (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

248

Direct transistor-level layout for digital blocks Springer Science + Business Media Inc. SpringerLink 12308; Интегральные схемы цифровые, Проектирование, Автоматизация

Rutenbar, R.A.; SpringerLink (Online service)

621.384.001.2-52/G64-007819 Gopalakrishnan, P. Direct transistor-level layout for digital blocks [Electronic resource] / P. Gopalakrishnan, R. A. Rutenbar. - Electronic text data. - Boston, Ma : Springer Science + Business Media Inc., 2005. - ISBN 978-1-402-08063-0 : Б. ц.ГРНТИ 50.09.29УДК 004.312'12 Рубрики: Интегральные схемы цифровые--Проектирование--АвтоматизацияПерейти к источнику в Интернете: Direct transistor-level layout for digital blocks Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Rutenbar, R.A.; SpringerLink (Online service) Экз-ры: TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

249

Direct extraction of MOS transistor current model parameters Technical rep./School of electrical a. computer engineering. Chalmers univ. of technology 0 ^aПрямой вывод формул параметров модели тока МОП-транзистора:Дисс. Библиогр. в конце разд ; МОП-приборы. Параметры


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Karlsson P.R. Заглавие : Direct extraction of MOS transistor current model parameters : Diss. Выходные данные : Goteborg, 1994 Колич.характеристики :113 с. разд. паг.: ил., портр Серия: Technical rep./School of electrical a. computer engineering. Chalmers univ. of technology; N 248 Примечания : ; Библиогр. в конце разд ISBN, Цена 91-7032-931-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Предметные рубрики: МОП-приборы Перейти к источнику в Интернете: Direct extraction of MOS transistor current model parameters TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

250

Digest,3 Oct.1986,London/Organised by Professional group E10 (Circuit theory and design) Colloquium digest/Inst.of electrical engineers.Electronics div. 0 ^aДайджест коллоквиума по усилителям,Лондон,1986 Colloquium on amplifiers (1986 ; London) Библиогр.в кн


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Digest,3 Oct.1986,London/Organised by Professional group E10 (Circuit theory and design) Выходные данные : London, 1986 Колич.характеристики :Разд.паг с Коллективы : Colloquium on amplifiers (1986 ; London) Серия: Colloquium digest/Inst.of electrical engineers.Electronics div.; N 1986/94 Примечания : ; Библиогр.в кн Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Digest,3 Oct.1986,London/Organised by Professional group E10 (Circuit theory and design) AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

251

Digest,3 Oct.1986,London/Organised by Professional group E10 (Circuit theory and design) Colloquium digest/Inst.of electrical engineers.Electronics div. 0 ^aДайджест коллоквиума по усилителям,Лондон,1986 Colloquium on amplifiers (1986 ; London) Библиогр.в кн


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Digest,3 Oct.1986,London/Organised by Professional group E10 (Circuit theory and design) Выходные данные : London, 1986 Колич.характеристики :Разд.паг с Коллективы : Colloquium on amplifiers (1986 ; London) Серия: Colloquium digest/Inst.of electrical engineers.Electronics div.; N 1986/94 Примечания : ; Библиогр.в кн Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.41.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Digest,3 Oct.1986,London/Organised by Professional group E10 (Circuit theory and design) AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

252

Designing with field-effect transistors McGraw-Hill Транзисторы полевые

Oxner, E. сост.rev.

MF-92-15943 Designing with field-effect transistors [Text] : diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner. - 2nd ed. - New York etc. : McGraw-Hill, 1990. - 296 p. : ill. - 7.20 р. Указ. в конце кн.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(086.2) Рубрики: Транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Oxner, E. \сост.rev.\ Экз-ры: ХР(1), (1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

253

Designing with field-effect transistors 0 ^aПроектирование полевых транзисторов McGraw-Hill 0 ; полевой транзистор Указ. в конце кн 0 ; полевой транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Designing with field-effect transistors . -2 ed. Выходные данные : New York etc.: McGraw-Hill, 1990 Колич.характеристики :296 с: ил Примечания : ; Указ. в конце кн Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевой транзистор Перейти к источнику в Интернете: Designing with field-effect transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

254

Design,production,and testing of field effect transistors US.NASA contractor rep. 0 ^aРасчет,производство и испытание канальных транзисторов Библиогр.в конце текста


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sclar N Заглавие : Design,production,and testing of field effect transistors Выходные данные : Washington, 1982 Колич.характеристики :84 с Серия: US.NASA contractor rep.; N 166321 Примечания : ; Библиогр.в конце текста Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Design,production,and testing of field effect transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

255

Design with operational amplifiers and analog integrated circuits 0 ^aРасчет операционных усилителей и аналоговых интегральных схем McGraw-Hill 0 ; операционный усилитель; интегральная схема 0 ; операционный усилитель; интегральная схема


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Franco S. Заглавие : Design with operational amplifiers and analog integrated circuits Выходные данные : New York: McGraw-Hill, 1988 Колич.характеристики :636 с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.35 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; операционный усилитель; интегральная схема AMPLIFIERS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

256

Design of low-voltage bipolar operational amplifiers Усилители операционные, Проектирование


J2/24209 Fonderie, J. Design of low-voltage bipolar operational amplifiers [Text] : diss. / J.Fonderie. - Delft : [s. n.], 1991. - XIV,197 p. p. : ill. - ISBN 90-9004571-6 : 5.00 р. Библиогр. в конце главГРНТИ 47.41.3350.09.35УДК 621.375.024.001.2(043) Рубрики: Усилители операционные--Проектирование Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

257

Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Rapports ; Фазовращатели . Проектирование , фа ; Фазовращатели . Моделирование , фа

Jensen, G.U.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Nawaz M., Jensen G.U. Заглавие : Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Выходные данные : Oslo, 1995 Колич.характеристики :39 p.: ill Серия: Rapports/ Universitetet i Oslo.Fysisk institutt, ISSN 0332-5571; 95-09 Примечания : ; Библиогр.:с.38-39 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.45.31 УДК : Предметные рубрики: Фазовращатели Фазовращатели Перейти к источнику в Интернете: Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Доп.точки доступа: Jensen, G.U. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

258

Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Rapport Фазовращатели, Проектирование, , фа Фазовращатели, Моделирование, , фа

Jensen, G.U.

R/15656/95-09 Nawaz, M. Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) [Text] : сборник / M.Nawaz,G.U.Jensen. - Oslo : [s. n.], 1995. - 39 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 95-09). - 200 р. Библиогр.:с.38-39ГРНТИ 47.45.31УДК 621.372.852.2 Рубрики: Фазовращатели--ПроектированиеФазовращатели--Моделирование Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Jensen, G.U. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

259

Design and realization of bipolar transistors Design and measurement in electronic engineering 0 ^aРасчет и реализация биполярных транзисторов Wiley 0 ; биполярные транзисторы Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.193-198 0 ; биполярные транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ashburn P. Заглавие : Design and realization of bipolar transistors Выходные данные : Chichester etc.: Wiley, 1988 Колич.характеристики :XVII, 198 с+ил Серия: Design and measurement in electronic engineering Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.193-198 ISBN, Цена 0-471-91700-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Design and realization of bipolar transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

260

Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology 0 ^aПроектирование и моделирование высокочастотных LDMOS транзисторов. Дис. 0 ; моделирование транзисторов 0 ; моделирование транзисторов Библиогр.: с.47-50 0 ; моделирование транзисторов


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Vestling L. Заглавие : Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors : Diss. Выходные данные : Uppsala, 2002 Колич.характеристики :50 c: ил Серия: Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology, ISSN 1104-232X; N 681 Примечания : ; Библиогр.: с.47-50 ISBN, Цена 91-554-5210-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.14.07 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; моделирование транзисторов Перейти к источнику в Интернете: Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

261

Der Bau von transistorgesteuerten Sensormatrizen in D@:unnschichttechnik f@:ur Bilder und Temperaturfelder преобразователь датчик Преобразователи изображений, , изпр Датчики температуры, , дате преобразователь датчик


G2/20046 Horst, D. Der Bau von transistorgesteuerten Sensormatrizen in D@:unnschichttechnik f@:ur Bilder und Temperaturfelder [Text] : Diss. / D.Horst. - Stuttgart : [s. n.], 1997. - 161 S. : Ill. - 20000 р. Библиогр.:с.155-160ГРНТИ 29.31.2950.09.37УДК 621.383.8(043)681.586'36(043) Рубрики: Преобразователи изображенийДатчики температуры Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

262

Darmstadt University of Technology. Control Systems Theory & Robotics Department (Машиностроение/Организации)


Тип: университет Профиль деятельности: Control, Manipulaion, Mobile robots ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Darmstadt, Deutschland www.rt.e-technik.tu-darmstadt.de/index …

VINITI Projects Database (Russian)

264

Daimler Chrysler Research & Technology. Cognition and Robotics Group, Sensor-based and... (Машиностроение/Организации)


Тип: научный центр Профиль деятельности: Mobile robots, Manufacturing assistants, Learning, Human/robot interaction ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Berlin, Deutschland …

VINITI Projects Database (Russian)

266

Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance 0 ^aВклад в изучение прямых преобразователей частоты на транзисторах мощности. Дис Библиогр.: с. 169-172


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Perin A Заглавие : Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance : Diss Выходные данные : Toulouse, 1984 Колич.характеристики :172 с Примечания : ; Библиогр.: с. 169-172 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.37 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

267

Comparison of thin film transistor and SOI technologies Symp. proc./Materials research soc. Boston(Ma 0 ^aСравнение технологий тонкопленочного транзистора и SOI. Труды симпозиума. Альбукерке (США, штат Нью-Мексико), 1984 г North-Holland Библиогр. в конце статей. Указ.: с.319-321

Lam, H.W; Thompson, M.J

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Comparison of thin film transistor and SOI technologies : Symp., Febr. 1984, Albuquerque(NM) Выходные данные : New York etc.: North-Holland, 1984 Колич.характеристики :15, 321 с Серия: Symp. proc./Materials research soc. Boston(Ma, ISSN 0272-9172 ; N 33 Примечания : ; Библиогр. в конце статей. Указ.: с.319-321 ISBN, Цена 0-444-00899-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 45.09 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Comparison of thin film transistor and SOI technologies Доп.точки доступа: Lam, H.W; Thompson, M.J TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

268

Compact transistor modelling for circuit design Computational microelectronics 0 ^aМоделирование малогабаритных транзисторов при конструировании электронных схем Springer-Verl. 0 ; малогабаритные транзисторы Библиогр.в конце гл. 0 ; малогабаритные транзисторы

Klaassen, F.M.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Graaff H.C.de, Klaassen F.M. Заглавие : Compact transistor modelling for circuit design Выходные данные : Wien; New York: Springer-Verl., 1990 Колич.характеристики :XII,351 c: ил Серия: Computational microelectronics, ISSN 0179-0307 Примечания : ; Библиогр.в конце гл. ISBN, Цена 3-211-82136-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.14.07 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; малогабаритные транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Compact transistor modelling for circuit design Доп.точки доступа: Klaassen, F.M. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

270

Channel formation in organic field-effect transistors UMSI research report Univ.of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute полевой транзистор Транзисторы полевые полевой транзистор

Balk, J.W.; Ruden, P.P.; Univ.of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute

R/17401/2002/86 Li, T. Channel formation in organic field-effect transistors [Text] : сборник научных трудов / T.Li,J.W.Balk,P.P.Ruden. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2002. - 4312-4318 p. p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 2002/86). - 10.00 р. Библиогр.: с.4317-4318ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Balk, J.W.; Ruden, P.P.; Univ.of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

272

Cambridge Scientific Abstracts (Металлургия/Организации)


ТипбиблиотекаПолное название (официальное)Cambridge Scientific AbstractsПрофиль деятельностиинформационное обеспечение в области металлургииСокращённое официальное названиеCSAДата создания1966ГРНТИРФФ …

VINITI Projects Database (Russian)

273

Ca (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca&nb …

VINITI Projects Database (Russian)

275

Bonus rep.:Ballistic transistors:computer/communications breakthrough Futuretech транзистор Транзисторы транзистор


R/16822/2(1986) Futuretech [Text] : a probing look at strategic technologies that will significantly affect industry. - Englewood(NJ) : Techn.insights.2(1986) : Bonus rep.:Ballistic transistors:computer/communications breakthrough. - 1986. - 16 p. - 3.00 р. Библиогр.:с.15-16ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3 Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

276

Betriebsverhalten und Verluste von Asynchron-Kafiglaufermotoren beim Betrieb am Transistor-Pulswechselrichter 0 ^aРабочие характеристики и потери при эксплуатации асинхронных электродвигателей с короткозамкнутым ротором при наличии транзисторного импульсного преобразователя постоянного тока в переменный. Дис Указ.: с.96-100


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Schindler A Заглавие : Betriebsverhalten und Verluste von Asynchron-Kafiglaufermotoren beim Betrieb am Transistor-Pulswechselrichter : Diss Выходные данные : Darmstadt, 1985 Колич.характеристики :102 с Примечания : ; Указ.: с.96-100 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.37 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Betriebsverhalten und Verluste von Asynchron-Kafiglaufermotoren beim Betrieb am Transistor-Pulswechselrichter TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

277

Betriebsverhalten und Verluste von Asynchron-Kafiglaufermotoren beim Betrieb am Transistor-Pulswechselrichter 0 ^aРабочие характеристики и потери при эксплуатации асинхронных электродвигателей с короткозамкнутым ротором при наличии транзисторного импульсного преобразователя постоянного тока в переменный. Дис Указ.: с.96-100


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Schindler A Заглавие : Betriebsverhalten und Verluste von Asynchron-Kafiglaufermotoren beim Betrieb am Transistor-Pulswechselrichter : Diss Выходные данные : Darmstadt, 1985 Колич.характеристики :102 с Примечания : ; Указ.: с.96-100 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.37 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Betriebsverhalten und Verluste von Asynchron-Kafiglaufermotoren beim Betrieb am Transistor-Pulswechselrichter TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

278

Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern Транзисторы биполярные, , битр Преобразователи частоты, , прча


G2/17820 Schutt, R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern [Text] : Diss. / R.Schutt. - Hannover : [s. n.], 1992. - VII,139 S. S. - 10 р. Библиогр.:с.:120-122ГРНТИ 47.3345.37.31УДК 621.382.33(043)621.314.26(043) Рубрики: Транзисторы биполярныеПреобразователи частоты Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

279

Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern Библиогр.:с.:120-122 ; Транзисторы биполярные, битр ; Преобразователи частоты, прча


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Schutt R. Заглавие : Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern : Diss. Выходные данные : Hannover, 1992 Колич.характеристики :VII,139 S. Примечания : ; Библиогр.:с.:120-122 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 + ; 45.37.31 УДК : + Предметные рубрики: Транзисторы биполярные Преобразователи частоты Перейти к источнику в Интернете: Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

280

Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads Researches/Electrotechn. lab. 0 ^aОсновы теории и расчет быстродействия интегральных микросхем с МОП-структурой с МОП-транзисторами в качестве нагрузки Текст на яп.яз. Рез. на англ.яз. Библиогр. в конце ст


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Hayashi Y Заглавие : Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads Выходные данные : Tsukuba, 1988 Колич.характеристики :212 с Серия: Researches/Electrotechn. lab.; N 890 Примечания : ; Текст на яп.яз. Рез. на англ.яз. Библиогр. в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.17 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

281

B (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B Ca (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=195&Itemid=310)&nb …

VINITI Projects Database (Russian)

283

Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Rapports ; Транзисторы СВЧ . Моделирование , свтр

Jensen, G.U.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Nawaz M., Jensen G.U. Заглавие : Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Выходные данные : Oslo, 1995 Колич.характеристики :13 p.: ill Серия: Rapports/ Universitetet i Oslo.Fysisk institutt, ISSN 0332-5571; 95-01 Примечания : ; Библиогр.:с.9 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы СВЧ Перейти к источнику в Интернете: Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Доп.точки доступа: Jensen, G.U. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

284

Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Rapport транзистор Транзисторы СВЧ транзистор

Jensen, G.U.

R/15656/95-01 Nawaz, M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) [Text] : сборник / M.Nawaz,G.U.Jensen. - Oslo : [s. n.], 1995. - 13 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 95-01). - 200 р. Библиогр.:с.9ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.029.6 Рубрики: Транзисторы СВЧ Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Jensen, G.U. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

285

Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors Comprehensive analytical chemistry;Vol.23 0 ^aАналитическое и медико-биологическое применение ион-селективных полевых транзисторов Elsevier 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение

Sibbald, A.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Bergveld P., Sibbald A. Заглавие : Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors Выходные данные : Amsterdam etc.: Elsevier, 1988 Колич.характеристики :XVI, 172 л с.: ил Серия: Comprehensive analytical chemistry;Vol.23 ISBN, Цена 0-444-42976-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.05 + ; 76.13.31 + ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение Перейти к источнику в Интернете: Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Sibbald, A. TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

287

Advanced design techniques for RF power amplifiers Springer SpringerLink Усилители высокой частоты, Проектирование

Krizhanovski, V.; SpringerLink (Online service)

621.375.029.5.001.2R88 Rudiakova, A. Advanced design techniques for RF power amplifiers [Electronic resource] / A. Rudiakova, V. Krizhanovski. - Electronic text data. - Dordrecht : Springer, 2006. - ISBN 978-1-4020-4639-1 : Б. ц.ГРНТИ 47.41.33УДК 621.375.029.5.001.2 Рубрики: Усилители высокой частоты--ПроектированиеПерейти к источнику в Интернете: Advanced design techniques for RF power amplifiers Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Krizhanovski, V.; SpringerLink (Online service) Экз-ры: AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

288

Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem Reports Адаптивный многосеточный метод применительно к проблемам биполярного транзистора биполярный транзистор Транзисторы биполярные биполярный транзистор


R/16211/NM-R9115 Molenaar, J. Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem [Text] : доклад, тезисы доклада / J.Molenaar. - Amsterdam : [s. n.], 1991. - 18 p. : ill. - (Reports / Centrum voor wiskunde en inform., ISSN 0169-0388 ; NM-R9115). - 1.00 р. Библиогр.: с.17-18 Перевод заглавия: Адаптивный многосеточный метод применительно к проблемам биполярного транзистораПеревод заглавия: Адаптивный многосеточный метод применительно к проблемам биполярного транзистораГРНТИ 47.33.29УДК 621.382.33 Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTOR$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

289

Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem Rep./Centrum voor wiskunde en informatica. Dep. of numerical mathematics 0 ^aАдаптивный многосеточный метод применительно к проблемам биполярного транзистора 0 ; биполярный транзистор Библиогр.: с. 17-18 0 ; биполярный транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Molenaar J. Заглавие : Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem Выходные данные : Amsterdam, 1991 Колич.характеристики :18 с: ил Серия: Rep./Centrum voor wiskunde en informatica. Dep. of numerical mathematics; NM-R9115 Примечания : ; Библиогр.: с. 17-18 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярный транзистор Перейти к источнику в Интернете: Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

290

Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem Rep./Centrum voor wiskunde en informatica, Dep.off numerical mathematics;NM-R9115 0 ^aПрименение адаптивного многосеточного метода к решению задачи о биполярном транзисторе 0 ; биполярный транзистор Библиогр.:с,17-18 0 ; биполярный транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Molenaar J. Заглавие : Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem Выходные данные : Amsterdam, 1991 Колич.характеристики :18 с: ил Серия: Rep./Centrum voor wiskunde en informatica, Dep.off numerical mathematics;NM-R9115 Примечания : ; Библиогр.:с,17-18 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 27.41.19 + ; 47.13.05 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярный транзистор Перейти к источнику в Интернете: Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

291

Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem Rep. NM/Centrum voor wiskunde en informatica. Dep. of numerical mathematics 0 ^aЗадача биполярного транзистора, решаемая методом адаптивной мультисетки Stichting math. centrum 0 ; биполярный транзистор Библиогр.: с. 17-18 0 ; биполярный транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Molenaar J. Заглавие : Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem Выходные данные : Amsterdam: Stichting math. centrum, 1991 Колич.характеристики :18 с Серия: Rep. NM/Centrum voor wiskunde en informatica. Dep. of numerical mathematics, ISSN 0169-0388; R9115 Примечания : ; Библиогр.: с. 17-18 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярный транзистор Перейти к источнику в Интернете: Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

292

A/D converters,V/F & F/V converters,sample/track-hold amplifiers... Analog devices techn.ref.books Data converter reference manual Преобразователи аналого, цифровые и цифро, аналоговые, Справочники


Q/5652/2 Data converter reference manual [Text]. - S.l. : [s. n.].Vol. 2 : A/D converters,V/F & F/V converters,sample/track-hold amplifiers.. - 1992. - Pag.var. : ill. - (Analog devices techn.ref.books). - 30000 р. Библиогр.в конце частей.Указ.в конце книгиГРНТИ 50.09.49УДК 621.3.087.92(03) Рубрики: Преобразователи аналого--цифровые и цифро--аналоговые--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: фмз(1) AMPLIFIERS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

293

A study of new structure short channel MOS transistors Researches of the Electrotechn.lab. 0 ^aИзучение МОП транзисторов с новой короткоканальной структурой Electrotechn.lab. 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура Текст яп.-Рез.англ.-Библиогр.:с.104-110 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sekigawa Toshihiro Заглавие : A study of new structure short channel MOS transistors Выходные данные : Tsukuda: Electrotechn.lab., 1991 Колич.характеристики :110,6 с: ил Серия: Researches of the Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106;N 923 Примечания : ; Текст яп.-Рез.англ.-Библиогр.:с.104-110 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура Перейти к источнику в Интернете: A study of new structure short channel MOS transistors TRANSISTOR$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)