Sample records for СУЛЬФИДЫ КРЕМНИЯ (silicon sulfides)
from WorldWideScience.org

Sample records 1 - 20 shown. Select sample records:



6

Том 73 (Математика/Издания)


2006-09-28

Алгебра - 8     [Первая страница] Предоставление копий   Том 73. Алгебра …

VINITI Projects Database (Russian)

9

Руководство по выбору силикона для разработки шампуней с кондиционированием A Silicone Selection Guide for Developing Conditioning Shampoos силикон полиэфиры ингридиенты Шампунь силикон полиэфиры ингридиенты

Halloran, D. J.

06934002502 Руководство по выбору силикона для разработки шампуней с кондиционированием [Текст] / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 14 c. - англ. - Пер.ст. A Silicone Selection Guide for Developing Conditioning Shampoos / D. J. Halloran из журн.: Soap/cosmetics Chemical Specialities. - 1992. - Vol. 68, N 3. - P.22,24-26. - Б. ц. Библиогр.: 8 назв. Рубрики: Шампунь Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Halloran, D. J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

12

Реформа ЖКХ (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип журнал Полное название (официальное) Реформа ЖКХ Профиль деятельност …

VINITI Projects Database (Russian)

14

Полупромышленные испытания малоотходной технологии обогащения комплексных теслитовых руд (Экология/Статьи)


2006-02-22

Тип Статья в сериальном издании Авторы Грекулова Л.А., Иванов С.И. Название Полупромышленные испытания малоотходной технологии обогащения комплексных теслитовых руд Реферат Передатсавлены матер …

VINITI Projects Database (Russian)

15

Поиск (ГСНТИ/О проекте)


2004-12-09

$query=$_GET['query']; $org=$_GET['org']; $rub=$_GET['rub']; $sq=""; $ss='/usr/local/etc/falcon/modfrs/msearch.pl "'; if($query!="")$sq=$ss."(".$query.")"; if($org!="") { if($sq!= …

VINITI Projects Database (Russian)

16

Организация по экономическому сотрудничеству и развитию (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Организация по экономическому сотрудничеству и развити …

VINITI Projects Database (Russian)

18

НОВОСТИ ТЕПЛОСНАБЖЕНИЯ (Энергетика/Статьи)


2006-02-17

Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название Н …

VINITI Projects Database (Russian)

19

Микроконтроллеры смешанного сигнала С8051Fxxx фирмы Silicon Laboratories и их применение Мировая электроника Додэка-XXI ; Микроконтроллеры


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Гладштейн М.А. Заглавие : Микроконтроллеры смешанного сигнала С8051Fxxx фирмы Silicon Laboratories и их применение : руководство пользователя Выходные данные : М.: Додэка-XXI, 2008 Колич.характеристики :328 с. Серия: Мировая электроника Примечания : ; Библиогр.: с. 328 ISBN, Цена 978-5-94120-162-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.47 УДК : Предметные рубрики: Микроконтроллеры Перейти к источнику в Интернете: Микроконтроллеры смешанного сигнала С8051Fxxx фирмы Silicon Laboratories и их применение, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

20

Международная служба труда при Международной организации труда (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Международная служба труда при Международной организац …

VINITI Projects Database (Russian)

22

Математика в сети Интернет (Математика/Ресурсы)


2006-06-02

    • В Московском математическом обществе • The American Mathematical Society (AMS) • Санкт-Петербургское математическое обществ …

VINITI Projects Database (Russian)

23

Лазерное осаждение сплавов карбида кремния Laser deposition of silicon carbid alloys лазерная технология осаждение карбид кремний силан пропан лазерная технология Кремний, карбиды, пленки осаждение карбид кремний силан пропан лазерная технология

Black, A.

06934003150 Лазерное осаждение сплавов карбида кремния [Текст] / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 5 c. - Пер.ст. Laser deposition of silicon carbid alloys / A. Black из журн.: Journal of Applied Physics. - 1988. - Vol. 64, N 5. - P. 2403-2404. - Б. ц. Библиогр.: 1 назв.ГРНТИ 47.09.2961.31.47 Рубрики: Кремний, карбиды, пленки Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Black, A. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

25

Конференция ООН по окружающей среде и развитию (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Конференция ООН по окружающей среде и развитию …

VINITI Projects Database (Russian)

26

Комиссия по глобальному управлению (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Комиссия по глобальному управлению …

VINITI Projects Database (Russian)

27

Ключевые слова (Живые системы/Информационные ресурсы)


2005-12-07

Русско-английский словарь ключевых слов в области живых системВстречающиеся латинские терминыCpG-динуклеотиды – CpG-dinucleotideCpG-островок – CpG islandS-D-последовательность -- S-D sequenc …

VINITI Projects Database (Russian)

28

Кабели с изоляцией из двуокиси кремния и системы соединителей для атомных реакторов Silicon dioxide insulated SI Cable and connector systems for nuclear reactors двуокись кремния атомный реактор кабель соединитель двуокись кремния атомный реактор Атомные электрические станции кабель соединитель двуокись кремния атомный реактор


06932002474 Кабели с изоляцией из двуокиси кремния и системы соединителей для атомных реакторов [Текст] / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 11 c. : ил. - Пер. материала фирмы: Silicon dioxide insulated SI Cable and connector systems for nuclear reactors / Whittaker Electronic Resourses(США). - 1990. - P. 1-4. - Б. ц.ГРНТИ 45.47.4158.33.39 Рубрики: Атомные электрические станции Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

30

Зарубежные научные издательства (ГСНТИ/Hidden)


2004-12-29

Специализированные, научные и технические издательства России Название издательства Страна (центральный офис) URL Виды изданий Основная тематика A O C S Press (American Oil Chemis …

VINITI Projects Database (Russian)

31

Зарубежные (англоязычные) информ. ресурсы по проблемам химической и биологической безопасности (Безопасность/Ресурсы)


2004-12-16

MEDLINE (http://www.ncbi.nlm.nih.gov/Entrez/medline.html) MEDLINE - наиболее полный источник биомедицинской информации. Она содержит более 8 млн. ссылок из 7300 различных изданий по химии, биохимии, …

VINITI Projects Database (Russian)

33

Европейская федерация по охране природы и животных (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Европейская федерация по охране природы и животных …

VINITI Projects Database (Russian)

36

Всемирная организация здравоохранения (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Всемирная организация здравоохранения …

VINITI Projects Database (Russian)

38

Всемирная метеорологическая организация (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Всемирная метеорологическая организация …

VINITI Projects Database (Russian)

39

Ведущиеся и законченные открытые научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (ГСНТИ/Ресурсы)


2004-12-10

Название БД: Регистрация интеллектуального продукта Название автоматизированной системы: Содержание: реферативная информация о результатах творческой деятельности зарегистрированных во ВНТИЦ с 19 …

VINITI Projects Database (Russian)

40

Бюллетень международных научных съездов, конференций, конгрессов, выставок (ГСНТИ/Hidden)


2004-12-29

Бюллетень международных научных съездов, конференций, конгрессов, выставок ДАННЫЕ НА 2003 ГОД Январь Россия, Пенза Пензенский ГУ, т. (8412) Межд. телекоммуникаци- 52 4346, ф. (8412) 66 5122, …

VINITI Projects Database (Russian)

42

Альпийское действие (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Альпийское действие Профиль …

VINITI Projects Database (Russian)

44

Александров Валерий Сергеевич (Автоматика и радиоэлектроника/Персоналии)


2006-04-17

ФамилияАлександровИмяВалерийОтчествоСергеевичСтранаRUZIPГородСанкт-ПетербургАдресМосковский пр., 19emailV.S.Alexandrov@vniim.ru (mailto:V.S.Alexandrov@vniim.ru)Ключевые словаФаксТелефон7 (812) 316-90- …

VINITI Projects Database (Russian)

45

silicon pad shower maximum detector for a

Alvsvaag, S.J.; Maeland, O.A.; Klovning, A.; Benvenuti, A.C.

R/5815/AE-95/08 A silicon pad shower maximum detector for a "shashlik" calorimeter [Text] : сборник / S.J.Alvsvaag,O.A.Maeland,A.Klovning и др. - Roma : [s. n.], 1995. - 6 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-95/08). - 500 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Калориметры в ядерной физике Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Alvsvaag, S.J.; Maeland, O.A.; Klovning, A.; Benvenuti, A.C. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

46

silicon calorimeter for cosmic antimatter search [Pubblicazione] INFN Антивещество, , ан

Barbiellini, G.; Basini, G.; Bidoli, V.

R/5815/AE-92/24 A silicon calorimeter for cosmic antimatter search [Text] : материалы временных коллективов / G.Barbiellini,G.Basini,V.Bidoli и др. - Roma : [s. n.], 1992. - 12 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-92/24). - 5 р. Библиогр.:с.12.ГРНТИ 41.25.37УДК 537.591.08 Рубрики: Антивещество Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Barbiellini, G.; Basini, G.; Bidoli, V. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

47

resource assessment of copper and nickel sulfides within the Mountain view area of the Stillwater complex, Montana Geol. survey bull./U.S. Dep. of the interior 0 ^aОценка запасов сульфидов меди и никеля в зоне наблюдения Маунтен, комплекс Стилуотер, шт.Монтана Библиогр.: с.27

Bawiec, W.J

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Attanasi E.D, Bawiec W.J Заглавие : A resource assessment of copper and nickel sulfides within the Mountain view area of the Stillwater complex, Montana Выходные данные : Washington: GPO, 1987 Колич.характеристики :4, 27 с Серия: Geol. survey bull./U.S. Dep. of the interior; 1674-B. Cont. on ore deposits in the early magmatic environment Примечания : ; Библиогр.: с.27 Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: A resource assessment of copper and nickel sulfides within the Mountain view area of the Stillwater complex, Montana Доп.точки доступа: Bawiec, W.J SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

48

resource assessment of copper and nickel sulfides within the Mountain View area of the Stillwater Complex, Montana US. Geol. survey bull. 0 ^aМесторождения медно-никелевых руд юго-западной части штата Монтана (США) GPO Библиогр.: с.27

Bawiec, W.J

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Attanasi E.D, Bawiec W.J Заглавие : A resource assessment of copper and nickel sulfides within the Mountain View area of the Stillwater Complex, Montana Выходные данные : Washington: GPO, 1987 Колич.характеристики :4, 27 с Серия: US. Geol. survey bull.; 1674.-(Contributions on ore deposits in the early magmatic environment Примечания : ; Библиогр.: с.27 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.49 УДК : Перейти к источнику в Интернете: A resource assessment of copper and nickel sulfides within the Mountain View area of the Stillwater Complex, Montana Доп.точки доступа: Bawiec, W.J SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

49

resource assessment of copper and nickel sulfides within the Mountain View area of the Stillwater Complex, Montana Bull./US. Geol. survey 0 ^aОценка ресурсов сульфидов меди и никеля в районе Маунтен-Вью, комплекс Стилуотер, Монтана US. Gov. print. off. Библиогр.: с.27

Bawiec, W.J

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Attanasi E.D, Bawiec W.J Заглавие : A resource assessment of copper and nickel sulfides within the Mountain View area of the Stillwater Complex, Montana Выходные данные : Washington: US. Gov. print. off., 1987 Колич.характеристики :4, 27 с Серия: Bull./US. Geol. survey; N 1674-B Примечания : ; Библиогр.: с.27 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.49 УДК : Перейти к источнику в Интернете: A resource assessment of copper and nickel sulfides within the Mountain View area of the Stillwater Complex, Montana Доп.точки доступа: Bawiec, W.J SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

50

remote controlled polarizer for silicon detectors [Pubblicazione] INFN Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Alteri, S.; Barnaba, O.; Bruschi, P.; Fossati, F.

R/5815/TC-94/03 A remote controlled polarizer for silicon detectors [Text] : сборник научных трудов / S.Alteri,O.Barnaba,P.Bruschi и др. - Roma : [s. n.], 1994. - 12 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/03). - 100 р. Библиогр.:с.12ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Alteri, S.; Barnaba, O.; Bruschi, P.; Fossati, F. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

51

optical properties of lumi nescence centras in silicon Physics Reports 0 ^aОптические свойства люминесцентных центров в кремнии North-Holland Publishing Co 0 ; люминесцентные центры; кремний 0 ; люминесцентные центры; кремний


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Davies, Gordon Заглавие : The optical properties of lumi nescence centras in silicon Выходные данные : Amsterdam: North-Holland Publishing Co, 1989 Колич.характеристики :с. 83-188: ил Серия: Physics Reports, ISSN 03701573;Vol.176;N3/4 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.31.23 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; люминесцентные центры; кремний Перейти к источнику в Интернете: The optical properties of lumi nescence centras in silicon SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

52

design of the L3 silicon microvertex detector [Pubblicazione] INFN Встречных пучков системы, , вспуси

Alpat, B.; Ambrosi, G.; Barbagli, G.

R/5815/AE-92/21 The design of the L3 silicon microvertex detector [Text] : сборник научных трудов / B.Alpat,G.Ambrosi,G.Barbagli и др. - Roma : [s. n.], 1992. - 6 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-92/21). - 5 р. Библиогр.:с.6.ГРНТИ 47.31.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Встречных пучков системы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Alpat, B.; Ambrosi, G.; Barbagli, G. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

54

X51-совместимые микроконтроллеры фирмы Silicon Laboratories (Cygnal) ИД СКИМЕН 0; Микроконтроллеры


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Николайчук О.И. Заглавие : X51-совместимые микроконтроллеры фирмы Silicon Laboratories (Cygnal) Выходные данные : М.: ИД СКИМЕН, 2004 Колич.характеристики :639 с. Примечания : ; Библиогр.: с. 632-633 ISBN, Цена 5-94929-005-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.47 УДК : Предметные рубрики: Микроконтроллеры Перейти к источнику в Интернете: X51-совместимые микроконтроллеры фирмы Silicon Laboratories (Cygnal), Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

55

Waseda University. Dept. of Electrical, Electronics, and Computer Engineering - Advanced. (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Robot motion simulation, Parallel computing ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Индекс: 169-8555 Город: Tokyo, Japan Адрес: 3-4-1 Ookubo, Shin …

VINITI Projects Database (Russian)

56

WIDGET:A data acquisition system for a balloon borne silicon particle calorimeter [Pubblicazione] INFN Космические лучи, Методы исследования, Аппаратура, , колу

Aversa, F.; Battaiotto, P.; Bidoli, V.; Colavita, A.

R/5815/TC-93/05 WIDGET:A data acquisition system for a balloon borne silicon particle calorimeter [Text] : сборник научных трудов / F.Aversa,P.Battaiotto,V.Bidoli и др. - Roma : [s. n.], 1993. - 13 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-93/05). - 10 р. Библиогр.:с.10ГРНТИ 29.15.39УДК 537.591.08 Рубрики: Космические лучи--Методы исследования--Аппаратура Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Aversa, F.; Battaiotto, P.; Bidoli, V.; Colavita, A. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

57

W (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

58

Vibrational modes of silicon nanostructures UMSI research report Кремний, , кр

Jing, X.; Troullier, N.; Chelikowsky, R.; Wu, K.

R/17401/95/22 Vibrational modes of silicon nanostructures [Text] : сборник научных трудов / X.Jing,N.Troullier,R.Chelikowsky и др. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1995. - 11 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 95/22). - 2000 р. Библиогр.:с.8ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:530.145 Рубрики: Кремний Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Jing, X.; Troullier, N.; Chelikowsky, R.; Wu, K. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

59

Verification techniques for system-level design Morgan Kaufmann series in systems on silicon Morgan Kaufmann publ. ; Интегральные схемы большие. Проектирование. Автоматизация

Ghosh, I.; Prasad, M.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Fujita M., Ghosh I., Prasad M. Заглавие : Verification techniques for system-level design Выходные данные : Burlington, Ma: Morgan Kaufmann publ., 2008 Колич.характеристики :VIII, 240 p.: ill Серия: The Morgan Kaufmann series in systems on silicon/ ed.: W. Wolf Примечания : ; Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 235-240 ISBN, Цена 978-0-12-370616-4: р2953.46 р. ГРНТИ : ; 47.14.07 УДК : Предметные рубрики: Интегральные схемы большие Перейти к источнику в Интернете: Verification techniques for system-level design Доп.точки доступа: Ghosh, I.; Prasad, M. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

60

Verhalten von Gasblasen in Siliconolen sowie in flussigen Schlacken 0 ^aПараметры газовых пузырей в силиконовом масле, а также в жидком шлаке 0 ; газовый пузырь; силиконовое масло; шлак Библиогр.: с. 63-66 0 ; газовый пузырь; силиконовое масло; шлак


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Hasan A.K. Заглавие : Das Verhalten von Gasblasen in Siliconolen sowie in flussigen Schlacken : Diss Выходные данные : Aachen, 1989 Колич.характеристики :69, 78 с: ил Примечания : ; Библиогр.: с. 63-66 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 53.31.23 + ; 61.51.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; газовый пузырь; силиконовое масло; шлак Перейти к источнику в Интернете: Das Verhalten von Gasblasen in Siliconolen sowie in flussigen Schlacken SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

61

VHDL-2008. Just the new stuff Morgan Kaufmann series in systems on silicon Morgan Kaufmann publ. ; Программирования языки. VHDL

Lewis, J.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ashenden P.J., Lewis J. Заглавие : VHDL-2008. Just the new stuff Выходные данные : Burlington, Ma: Morgan Kaufmann publ., 2008 Колич.характеристики :X, 244 p. Серия: The Morgan Kaufmann series in systems on silicon/ ed.: W. Wolf Примечания : ; Алф. указ.: с. 237-244 ISBN, Цена 978-0-12-374249-0: р1979.63 р. ГРНТИ : ; 50.05.09 УДК : Предметные рубрики: Программирования языки Перейти к источнику в Интернете: VHDL-2008. Just the new stuff Доп.точки доступа: Lewis, J. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

64

University of Stuttgart. Institute of Parallel and Distributed Systems (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Mobile robots, Automation, Vision Сокр. название: IPVS ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Stuttgart, Deutschland www.ipvs.uni-s …

VINITI Projects Database (Russian)

66

University of Karlsruhe. Institut for Real-Time Computer Control Systems, Automation & Robotics (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Process automation, Mobile robots, Microrobotics, Distributed robotics, Parallel processing in robotics, Machine learning, Manipulation, Telerobotics, Hum …

VINITI Projects Database (Russian)

68

University of Electro-Communications. Takase Lab. (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Robots for production and man support Сокр. название: EC ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo, Japan www.Taka.is.uec.ac.jp/Engl …

VINITI Projects Database (Russian)

70

University of Bremen. Robotics Team (Computer Science) (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Biological inspired robots, Embodied spatial cognition, Extra terrestrial exploration, Search & rescue, Humanoids ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника …

VINITI Projects Database (Russian)

72

University of Birmingham, Nanoscale Physics Research Laboratory (Химия/Организации)


2006-04-05

Типнаучный центрПолное название (официальное)University of Birmingham, Nanoscale Physics Research LaboratoryПрофиль деятельностиThe Laboratory is committed to establishing and consolidating strong lin …

VINITI Projects Database (Russian)

73

University Bonn Institute of Computer Science III (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Mobile robots, Vision ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Bonn, Deutschland www.uni-bonn.de (www.uni-bonn.de) …

VINITI Projects Database (Russian)

76

University Aachen Communication and Distributed Systems (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Manufacturing, Distributed systems, Communication ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Aachen, Deutschland www-i4.infor …

VINITI Projects Database (Russian)

77

Ultra-high-purity silicon for infrared detectors Inform. circular/U.S. Dep. of the interior, Bureau of mines; 9237 0 ^aКремний ультравысокой частоты для инфракрасных детекторов:Перспективы в области материалов 0 ; инфракрасный детектор; полупроводниковый материал Библиогр.: с.12 0 ; инфракрасный детектор; полупроводниковый материал


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Neuharth C.R. Заглавие : Ultra-high-purity silicon for infrared detectors : A materials perspective Выходные данные : Washington, 1989 Колич.характеристики :13 с: ил Серия: Inform. circular/U.S. Dep. of the interior, Bureau of mines; 9237 Примечания : ; Библиогр.: с.12 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.37 + ; 47.57 + ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; инфракрасный детектор; полупроводниковый материал Перейти к источнику в Интернете: Ultra-high-purity silicon for infrared detectors, Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

78

Ultra-fast silicon bipolar technology Springer series in electronics and photonics;Vol.27 0 ^aТехнология изготовления сверхбыстродействующих схем на биполярных транзисторах Springer-Verl. 0 ; интегральные микросхемы Библиогр. в конце докл.-Пред. указ.: с. 165-167 0 ; интегральные микросхемы

Treitinger, L. .; Miura-Mattausch, M. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Ultra-fast silicon bipolar technology Выходные данные : Berlin etc.: Springer-Verl., 1988 Колич.характеристики :IX, 167 с: ил., табл Серия: Springer series in electronics and photonics;Vol.27 Примечания : ; Библиогр. в конце докл.-Пред. указ.: с. 165-167 ISBN, Цена 3-540-50638-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; интегральные микросхемы Перейти к источнику в Интернете: Ultra-fast silicon bipolar technology, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Treitinger, L. \.\; Miura-Mattausch, M. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

79

Ultra-fast silicon bipolar technology Springer series in electronics and photonics;N27 0 ^aСверхбыстрая технология кремниевых биполярных транзисторов Springer-Verl. 0 ; сверхбыстрая технология; кремниевые биполярных транзисторов Библиогр. в конце гл.-Указ.: с.165-167 0 ; сверхбыстрая технология; кремниевые биполярных транзисторов

Treitinger, L. .; Miura-Mattausch, M. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Ultra-fast silicon bipolar technology Выходные данные : Berlin etc.: Springer-Verl., 1988 Колич.характеристики :IX, 167 с: ил Серия: Springer series in electronics and photonics;N27 Примечания : ; Библиогр. в конце гл.-Указ.: с.165-167 ISBN, Цена 3-540-50638-I: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; сверхбыстрая технология; кремниевые биполярных транзисторов Перейти к источнику в Интернете: Ultra-fast silicon bipolar technology Доп.точки доступа: Treitinger, L. \.\; Miura-Mattausch, M. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

80

Ultra clean processing of silicon surfaces Diffusion a. defect data 0 ^aУльтрачистая обработка поверхностей кремния (UCPSS'98): Тр. Четвертого междунар. симп., Остенд, Бельгия, сент. 1998. Scitec publ. Указ. : Auth. ind., Keyword ind. : c. 295-301

Heyns, Marc .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Ultra clean processing of silicon surfaces : Proc. of the Fourth Intern. symp. on ultra clean processing of silicon surfaces (UCPSS'98), held in Ostend, Belgium, Sept. 21-23, 1998 Выходные данные : Zuerich: Scitec publ., 1999 Колич.характеристики :XIV, 301 c.: ил., табл Серия: Diffusion a. defect data, ISSN ISSN-1012; Vol. 65-66 Примечания : ; Библиогр. в конце докл. - ; Указ. : Auth. ind., Keyword ind. : c. 295-301 ISBN, Цена 3-908450-40-3: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Ultra clean processing of silicon surfaces Доп.точки доступа: Heyns, Marc \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

81

U (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

82

Two-wavelength laser-induced dissociation of silicon tetrafluoride with CW Co -lasers Препринт кремний; фторид; осаждение Кремний, фториды, Осаждение, , крфт кремний; фторид; осаждение

Ehbrecht, M.; Huisken, F.; Karpov, N.A.

М/42285/24(1995) Two-wavelength laser-induced dissociation of silicon tetrafluoride with CW Co -lasers [Text] : препринт / M.Ehbrecht,F.Huisken,N.A.Karpov и др. - Moscow, 1995. - 27 p. : il. - (Препринт / Институт общей физики(Москва) ; 24(1995)). - 45 экз. - Б. ц.ГРНТИ 31.15.29УДК 546.28'161:542.65(04) Рубрики: Кремний, фториды--Осаждение Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ehbrecht, M.; Huisken, F.; Karpov, N.A. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

83

Triggered fragmentation experiment with sodium, silicone oil, and pentane Ber./KfK/Kernforschungszentrum 0 ^aЭксперимент по триггерной фрагментации с помощью натрия, силиконового масла и пентана 0 ; триггерная фрагментация Рез. англ., нем.-Библиогр.: с.70-75 0 ; триггерная фрагментация


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Morita T. Заглавие : Triggered fragmentation experiment with sodium, silicone oil, and pentane Выходные данные : Karlsruhe, 1990 Колич.характеристики :79 с: ил Серия: Ber./KfK/Kernforschungszentrum, ISSN 0303-4003; N 3701e Примечания : ; Рез. англ., нем.-Библиогр.: с.70-75 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 58.33.28 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; триггерная фрагментация Перейти к источнику в Интернете: Triggered fragmentation experiment with sodium, silicone oil, and pentane SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

84

Transputer based local event builder for the KEK B-factory silicon micro vertex detector KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений,полупроводниковые, , деизиопо

Fukunaga, C.; Tanaka, M.; Ikeda, H.; Igarashi, Y.

R/17226/93-76 Transputer based local event builder for the KEK B-factory silicon micro vertex detector [Text] : монография / C.Fukunaga,M.Tanaka,H.Ikeda,Y.Igarashi. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 14 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-76). - 10 р. Библиогр.:с.9-10ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений,полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fukunaga, C.; Tanaka, M.; Ikeda, H.; Igarashi, Y. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

85

Track effects in silicon irradiated by swift high energy heavy ions Сообщения Объединенного института ядерных исследований ^aTrack effects in silicon, irradiated by swift high energy heavy ions 0 ; Кремний

Kobzev, A.P.; Orelovich, O.L.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Didyk A.Yu., Kobzev A.P., Orelovich O.L. Заглавие : Track effects in silicon irradiated by swift high energy heavy ions . -Препринт Выходные данные : Dubna, 2000 Колич.характеристики :7 p.: il. Серия: Сообщения Объединенного института ядерных исследований; Е14-2000-107 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 УДК : Предметные рубрики: Кремний Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Track effects in silicon irradiated by swift high energy heavy ions, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Kobzev, A.P.; Orelovich, O.L. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

86

Towards the first silicon laser NATO science series. Ser. II, Mathematics, physics and chemistry Kluwer acad. publ.


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : . 47.35.31. grnti Заглавие : Towards the first silicon laser : proceedings of the NATO Advanced research workshop on towards the first silicon laser, Trento, Italy, 21-26 Sept. 2002 Выходные данные : Dordrecht: Kluwer acad. publ., 2003 Колич.характеристики :XIV, 482 c.: ил., портр., табл Серия: NATO science series. Ser. II, Mathematics, physics and chemistry ; vol. 93 Примечания : ; Библиогр. в конце докл. Указ.: Subject ind.: c. 477-478 ISBN, Цена 1-4020-1194-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.35.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Towards the first silicon laser SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

88

Thermodynamic properties of sulfides Bull./US. Dep. of the interior. Bureau of mines 0 ^aТермодинамические свойства сульфидов Библиогр.: с. 424-427

Mah, A.D; Watson, S.W

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Pankratz L.B, Mah A.D, Watson S.W Заглавие : Thermodynamic properties of sulfides Выходные данные : Washington: GPO, 1987 Колич.характеристики :427 с Серия: Bull./US. Dep. of the interior. Bureau of mines; 689 Примечания : ; Библиогр.: с. 424-427 Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Thermodynamic properties of sulfides Доп.точки доступа: Mah, A.D; Watson, S.W SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

89

Thermal plasma synthesis of silicon and silicon carbide nanoparticles UMSI research report Кремний, Термическая обработка, , кр

Hatch, M.; Wei, Q.; Yang, L.; Stachowicz, L.

R/17401/93/122 Thermal plasma synthesis of silicon and silicon carbide nanoparticles [Text] : сборник научных трудов / M.Hatch,Q.Wei,L.Yang и др. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1993. - 7 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 93/122). - 50 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 61.31.47УДК 661.68.091.088 Рубрики: Кремний--Термическая обработка Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Hatch, M.; Wei, Q.; Yang, L.; Stachowicz, L. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

90

Theoretical analysis and design considerations for float-zone refinement of electronic grade silicon sheets UMSI research report кремний Кремний кремний

Salinger, G.; Derby, J.J.

R/17401/94/185 Yeckel, A. Theoretical analysis and design considerations for float-zone refinement of electronic grade silicon sheets [Text] : сборник научных трудов / A.Yeckel,G.Salinger,J.J.Derby. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1994. - 34 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 94/185). - 100 р. Библиогр.:с.32-34ГРНТИ 47.09.29УДК 621.315.592 Рубрики: Кремний Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Salinger, G.; Derby, J.J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

91

The use of the two simultaneous coordinates in a silicon microstrip detector [Pubblicazione] INFN полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор


R/5815/AE-96/01 Caria, M. The use of the two simultaneous coordinates in a silicon microstrip detector [Text] : invited talk at VERTEX 95,the IV intern.workshop on vertex detectors,Ein Gedi,11-18 June,1995 / M.Caria. - Roma : [s. n.], 1996. - 23 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/01). - 2000 р. Библиогр.:с.22-23ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

92

The thickness measurement of nanometer layers of SiO2 made in the process of the thermometric oxidation of silicon Препринт кремний; оксид; пленка; толщина; измерение Кремний, оксиды, пленки, Производство кремний; оксид; пленка; толщина; измерение

Rakov, A.V.; Strizhkov, I.B.; Novikov Yu.A.

М/42285/22(1995) Новиков, Ю. А. The thickness measurement of nanometer layers of SiO2 made in the process of the thermometric oxidation of silicon [Text] : препринт / Ю. А. Новиков, A. V. Rakov, I. B. Strizhkov. - Moscow, 1995. - 12 p. : il. - (Препринт / Институт общей физики(Москва) ; 22(1995)). - 100 экз. - Б. ц.ГРНТИ 45.09.37УДК 621.315.61.002(04) Рубрики: Кремний, оксиды, пленки--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Rakov, A.V.; Strizhkov, I.B.; Novikov Yu.A. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

93

The role of sponges in high-Antarctic carbon and silicon cycling Ber. zur Polar-u. Meeresforschung 0 ^aРоль губок в верхнем антарктическом карбоне и цикле кремния: Моделирование. Alfred-Wegener-Inst. fuer Polar-u. Meeresforschung Парал. загл. сер. , англ. Рез. : англ., нем.


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Gatti, Susanne Заглавие : The role of sponges in high-Antarctic carbon and silicon cycling : A modelling approach Выходные данные : Bremerhaven: Alfred-Wegener-Inst. fuer Polar-u. Meeresforschung, 2002 Колич.характеристики :VI, 124 c.: ил., табл Серия: Ber. zur Polar-u. Meeresforschung, ISSN 1618-3193; 434 Примечания : ; Библиогр. : с. 93-102. - ; Парал. загл. сер. , англ. Рез. : англ., нем. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.31.23 УДК : Перейти к источнику в Интернете: The role of sponges in high-Antarctic carbon and silicon cycling SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

94

The Iron and Steel Institute of Japan (Металлургия/Статьи)


2006-02-20

Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название T …

VINITI Projects Database (Russian)

96

The CDF silicon vertex trigger for b physics study Сообщения Объединенного института ядерных исследований ^aThe CDF silicon vertex trigger for B physics study 0 ; Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые

Budagov, J.; Chlachidze, G.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Belforte S., Budagov J., Chlachidze G. Заглавие : The CDF silicon vertex trigger for b physics study . -Препринт Выходные данные : Dubna, 2001 Колич.характеристики :8 p.: il. Серия: Сообщения Объединенного института ядерных исследований; Е1-2001-19 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Предметные рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Содержание : Перейти к источнику в Интернете: The CDF silicon vertex trigger for b physics study, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Budagov, J.; Chlachidze, G. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

97

Tests of a large scale production of double side sensors for the L3 silicon microvertex detector [Pubblicazione] INFN Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, Производство, , деизиопо

Fiandrini, E.; Massetti, R.

R/5815/AE-94/05 Caria, M. Tests of a large scale production of double side sensors for the L3 silicon microvertex detector [Text] : сборник научных трудов / M.Caria,E.Fiandrini,R.Massetti. - Roma : [s. n.], 1994. - 11 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-94/05). - 50 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5.002 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fiandrini, E.; Massetti, R. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

98

Test beam results from the prototype L3 silicon microvertex detectors [Pubblicazione] INFN Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо, , деизиопо

Adam, A.; Adriani, O.; Ahlen, S.; Ambrosi, G.

R/5815/AE-93/21 Test beam results from the prototype L3 silicon microvertex detectors [Text] : сборник научных трудов / A.Adam,O.Adriani,S.Ahlen и др. - Roma : [s. n.], 1993. - 19 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-93/21). - 20 р. Библиогр.:с.18-19ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Adam, A.; Adriani, O.; Ahlen, S.; Ambrosi, G. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

99

Temperature dependence of time resolution and electronic noise in a silicon detector telescope [Pubblicazione] INFN Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Codino, A.; Brunetti, M.T.; Federico, C.; Grimani, C,

R/5815/AE-95/05 Temperature dependence of time resolution and electronic noise in a silicon detector telescope [Text] : сборник / A.Codino,M.T.Brunetti,C.Federico и др. - Roma : [s. n.], 1995. - 14 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-95/05). - 100 р. Библиогр.:с.14ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Codino, A.; Brunetti, M.T.; Federico, C.; Grimani, C, Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

101

Technische Universität Dresden. Artificial Intelligence Institute - Mobile Robotics (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Cognitive robotics, Learning, High level control, Reflexive behaviours ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Dresden, Deutschland www …

VINITI Projects Database (Russian)

105

Subsurface and petroleum geology of the southwestern Santa Clara valley (

Stanley, R.G.; Jachens, R.C.; Lillis, P.G.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Subsurface and petroleum geology of the southwestern Santa Clara valley ("Silicon Valley"), California Выходные данные : Denver, 2002 Колич.характеристики :VI, 55 c: ил Серия: U.S.Geol. survey professional paper; 1663 Примечания : ; Библиогр.: с.42-47 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.53.23 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; подземная геология; нефтяная геология; "кремниевая долина" Перейти к источнику в Интернете: Subsurface and petroleum geology of the southwestern Santa Clara valley ("Silicon Valley"), California Доп.точки доступа: Stanley, R.G.; Jachens, R.C.; Lillis, P.G. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

106

Study on the growth mechanisms of hydrogenated amorphous silicon films by infrared reflection absorption spectroscopy Researches Кремниевые пленки, Производство, , крпл


R/1872/979 Toyoshima, Y. Study on the growth mechanisms of hydrogenated amorphous silicon films by infrared reflection absorption spectroscopy [Text] : сборник / Y.Toyoshima. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 78 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; 979). - 5000 р. Текст яп.Рез.англ.Библиогр.:с.75-77ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:539.23 Рубрики: Кремниевые пленки--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

107

Study on silicon detectors Pubblicazione;IMFM/TC-90/12 0 ^aИсследование кремниевых детекторов 0 ; кремниевые детекторы Библиогр.: kol.18 0 ; кремниевые детекторы

Bagnolatti, E.; Boero, M.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Gervino G., Bagnolatti E., Boero M. Заглавие : Study on silicon detectors Выходные данные : Б.м., 1990 Колич.характеристики :20 кол с.: ил Серия: Pubblicazione;IMFM/TC-90/12/ Ist. naz. di fisica nucleare Примечания : ; Библиогр.: kol.18 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые детекторы Перейти к источнику в Интернете: Study on silicon detectors Доп.точки доступа: Bagnolatti, E.; Boero, M. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

108

Study of the charge multiplication phenomenon is silicon epitaxial detector Сообщения Объединенного института ядерных исследований ^aStudy of the charge multiplication phenomenon in silicon epitaxial detector 0 ; Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые

Kushniruk, V.F.; Bialkowski, E.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Sobolev Yu.G., Kushniruk V.F., Bialkowski E. Заглавие : Study of the charge multiplication phenomenon is silicon epitaxial detector . -Препринт Выходные данные : Dubna, 1999 Колич.характеристики :6 p.: il. Серия: Сообщения Объединенного института ядерных исследований; Е13-99-185 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Предметные рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Study of the charge multiplication phenomenon is silicon epitaxial detector, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Kushniruk, V.F.; Bialkowski, E. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

109

Study of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy Препринт ^aInvestigation of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy 0 ; Углерод 0 ; Кремний 0 ; Катоды

Cheblukov, Yu.N.; Laazarev, N.E.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Suvorov A.L., Cheblukov Yu.N., Laazarev N.E. Заглавие : Study of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy Выходные данные : Moscow, 1998 Колич.характеристики :12 p.: il. Серия: Препринт; 24-98 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.29 УДК : Предметные рубрики: Углерод Кремний Катоды Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Study of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Cheblukov, Yu.N.; Laazarev, N.E. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

110

Study of position resolution and electron-hadron separation of electromagnetic calorimeter with a silicon structure Препринт

Gorodnichev, V.B.; Kachanov, V.A.; Khodyrev, V.Yu.

Н/7868/IHEP 93-106 Study of position resolution and electron-hadron separation of electromagnetic calorimeter with a silicon structure [Text] : препринт / V.B.Gorodnichev,V.A.Kachanov,V.Yu.Khodyrev и др. - Protvino, 1993. - 12 c. : ил. - (Препринт / Институт физики высоких энергий(Серпухов) ; IHEP 93-106). - 260 экз. - 49 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074(04) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Gorodnichev, V.B.; Kachanov, V.A.; Khodyrev, V.Yu. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

111

Structure and stability trende in the platium metal-silicon systems Acta Univ.Upsaliensis.Comprehensive summ.of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology 0 ^aНаправления в области структуры и устойчивости в системах: металл платиновой группы -кремний. Дис. 0 ; металл; платина; кремний 0 ; металл; платина; кремний Библиогр.:с.47-48 0 ; металл; платина; кремний


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Goeransson K. Заглавие : Structure and stability trende in the platium metal-silicon systems : Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :48 c: ил Серия: Acta Univ.Upsaliensis.Comprehensive summ.of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 448 Примечания : ; Библиогр.:с.47-48 ISBN, Цена 91-554-4448-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 + ; 61.31.51 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; металл; платина; кремний Перейти к источнику в Интернете: Structure and stability trende in the platium metal-silicon systems SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

112

Structural investigation of Nb-based layer sulfides 0 ^aСтруктурное исследование слоистых сульфидов на основе ниобия.^zrus 0 ; Неорганическая химия 0 ; интеркалаты 0 ; сульфиды 0 ; Неорганическая химия 0 ; интеркалаты 0 ; сульфиды 0 ; Неорганическая химия 0 ; интеркалаты 0 ; сульфиды


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Grippa, Aleksandr Jur'evic Заглавие : Structural investigation of Nb-based layer sulfides : Doctoral diss. ... Stockholm univ. Выходные данные : Stockholm, 2004 Колич.характеристики :113 c.: ил.; 24 см Примечания : ; Библиогр.: c. 83-89 ISBN, Цена 91-7265-899-1: 250 р. ГРНТИ : ; 31.17.15 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; неорганическая химия--0 ; интеркалаты--0 ; сульфиды Перейти к источнику в Интернете: Structural investigation of Nb-based layer sulfides SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

113

Spinning-current method for offset reduction in silicon Hall plates Датчики Холла, , дахо


J2/24496 Munter, P. J.A. Spinning-current method for offset reduction in silicon Hall plates [Text] : diss. / P.J.A.Munter. - Delft : [s. n.], 1992. - 149 p. : ill. - ISBN 90-6275-780-4 : 10 р. Рез.гол.Библиогр.:с. 125-129ГРНТИ 50.09.37УДК 681.586.728(043) Рубрики: Датчики Холла Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

114

Simulation of the DELPHI STIC silicon shower maximum detector [Pubblicazione] INFN полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Prest, M.

R/5815/AE-96/04 Della Ricca, G. Simulation of the DELPHI STIC silicon shower maximum detector [Text] : сборник / G.Della Ricca,M.Prest. - Roma : [s. n.], 1996. - 24 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/04). - 3000 р. Библиогр.:с.23-24ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Prest, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

115

Simulating capacitive cross-talk effects in DC-coupled hybrid silicon pixel detectors [Pubblicazione] INFN Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые

Pindo, M.

R/5815/TC-95/27 Bonvicini, V. Simulating capacitive cross-talk effects in DC-coupled hybrid silicon pixel detectors [Text] : сборник научных трудов / V.Bonvicini,M.Pindo. - S.l. : [s. n.], 1995. - 27 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-95/27). - 2000 р. Библиогр.:с.27ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Pindo, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

116

Silicones and silicone-modified materials ACS symp. ser. 0 ^aСиликоны и кремний-модифицированные материалы. Amer. chem. soc. Указ. : Auth. ind., Subject ind. : с. 561-602

Clarson, Stephen J. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicones and silicone-modified materials Выходные данные : Washington: Amer. chem. soc., 2000 Колич.характеристики :XI, 602 с.: ил., табл Серия: ACS symp. ser., ISSN 0097-6156; 729 Примечания : ; Библиогр. в конце докл. - ; Указ. : Auth. ind., Subject ind. : с. 561-602 ISBN, Цена 0-8412-3613-5: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicones and silicone-modified materials Доп.точки доступа: Clarson, Stephen J. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

117

Silicone elastomers Rapra rev. rep. 0 ^aСиликоновые эластомеры. Rapra technology ltd


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Jerschow, Peter Заглавие : Silicone elastomers Выходные данные : Shawbury, Shrewsbury (Shropshire): Rapra technology ltd, 2001 Колич.характеристики :164 с.: ил., табл Серия: Rapra rev. rep., ISSN 0889-3144; Vol. 12, nr 5, rep. 137 Примечания : ; Библиогр. : с. 65; Указ. : Subject ind. : с. 153-164 ISBN, Цена 1-85957-297-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.59.33 + ; 61.63 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Silicone elastomers SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

118

Silicon-on-insulator technology: materials to VLSI 0 ^aТехнология

Colinge, Jean-Pierre

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Colinge, Jean Pierre, Colinge, Jean-Pierre Заглавие : Silicon-on-insulator technology: materials to VLSI . -3d ed Выходные данные : Boston: Kluwer acad. publ., Cop. 2004 Колич.характеристики :X, 366 c.: ил., табл Примечания : ; Указ. : с. 361-366; Библиогр. в конце гл ISBN, Цена 1-4020-7773-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.31.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon-on-insulator technology: materials to VLSI, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Colinge, Jean-Pierre SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

119

Silicon-on-insulator 0 ^aСтруктура типа кремний на диэлектрике KTK sci. publ.;Dordrecht etc.:Reidel Указ.-Библиогр. в конце докл.

Furukawa, Seljiro .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Silicon-on-insulator : Its technology a. applications Выходные данные : Tokyo: KTK sci. publ.;Dordrecht etc.:Reidel, 1985 Колич.характеристики :VIII, 295 с.: ил.; 24 см. Примечания : ; Указ.-Библиогр. в конце докл. ISBN, Цена 90-277-1940-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.07 Перейти к источнику в Интернете: Silicon-on-insulator, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Furukawa, Seljiro \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

120

Silicon-containing polymers 0 ^aКремнийсодержащие полимеры: наука и технология их синтеза и применение. Kluwer acad. publ.Cop. 2000 Указ. : с. 763-768

Jones, Richard G. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon-containing polymers : The science a. technology of their synthesis a. applications Выходные данные : Dordrecht etc.: Kluwer acad. publ.Cop. 2000,Б.г. Колич.характеристики :XX, 768 c.: ил., портр., табл Примечания : ; Библиогр. в конце ст. - ; Указ. : с. 763-768 ISBN, Цена 0-412-83110-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.59.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon-containing polymers Доп.точки доступа: Jones, Richard G. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

121

Silicon-based millimeter-wave devices Springer series in electronics a. photonics 0 ^aУстройства на кремниевой основе с миллиметровым диапазоном волн Springer 0 ; кремний; миллиметровые волны 0 ; кремний; миллиметровые волны Библиогр.в конце гл.-Указ.:с.339-343 0 ; кремний; миллиметровые волны

Luy, J.-F.; Russer, P.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon-based millimeter-wave devices Выходные данные : Berlin etc: Springer, 1994 Колич.характеристики :XVI,343 c: ил Серия: Springer series in electronics a. photonics; Vol.32 Примечания : ; Библиогр.в конце гл.-Указ.:с.339-343 ISBN, Цена 3-540-58047-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.29.37 + ; 47.33.29 + ; 47.45 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; миллиметровые волны Перейти к источнику в Интернете: Silicon-based millimeter-wave devices Доп.точки доступа: Luy, J.-F.; Russer, P. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

122

Silicon-based materials and devices 0 ^aМатериалы и устройства на основе кремния.Т. 2: Свойства и устройства.


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon-based materials and devices Выходные данные : Б.м.,Б.г. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon-based materials and devices SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

123

Silicon quantum integrated circuits. Silicon-germanium heterostructure devices: basics and realisations NanoScience and technology Springer Verl. ; Микроэлектронные приборы

Paul, D.J.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Kasper E., Paul D.J. Заглавие : Silicon quantum integrated circuits. Silicon-germanium heterostructure devices: basics and realisations Выходные данные : Berlin [etc.]: Springer Verl., 2005 Колич.характеристики :XII, 360 p.: ill Серия: NanoScience and technology/ ed.: P. Avouris [et al.], ISSN 1434-4904 Примечания : ; Библиогр. в конце разд. ISBN, Цена 3-540-22050-X: р3850.73 р. ГРНТИ : ; 47.33.37 УДК : Предметные рубрики: Микроэлектронные приборы Перейти к источнику в Интернете: Silicon quantum integrated circuits. Silicon-germanium heterostructure devices: basics and realisations, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Paul, D.J. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

124

Silicon pixel detectors Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment;Sec. A 0 ^aКремниевые детекторы изображения для частиц и рентгеновских лучей:Труды международной рабочей школы, Лаувен, Бельгия, 1988 г North-Holland Publ. Co 0 ; кремневые детекторы Библиогр. в конце докл 0 ; кремневые детекторы

Heijne, E.H.M. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Silicon pixel detectors : Proc. of the Intern. workshop on silicon. pixel detectors for particles a x-rays, Leuven, Belgium, May 31-Jun. 2, 1988 Выходные данные : Amsterdam: North-Holland Publ. Co, 1989 Колич.характеристики :VI, 467-630 с Серия: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment;Sec. A, ISSN 01689002;Vol275 Примечания : ; Библиогр. в конце докл Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремневые детекторы Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Silicon pixel detectors, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Heijne, E.H.M. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

125

Silicon p-i-n detector for scintillation light, elementary particles and X-rays spectroscopy Препринт ^aSilicon p-i-n detector for scintillation light, elementary particles and X-rays spectroscopy 0 ; Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые

Kuivalainen, P.; Khusainov, A.Kh.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Tisnek N., Kuivalainen P., Khusainov A.Kh. Заглавие : Silicon p-i-n detector for scintillation light, elementary particles and X-rays spectroscopy Выходные данные : Gatchina, 2000 Колич.характеристики :10 p.: il. Серия: Препринт; ЕР-17-2000 2360 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Предметные рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Silicon p-i-n detector for scintillation light, elementary particles and X-rays spectroscopy, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Kuivalainen, P.; Khusainov, A.Kh. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

126

Silicon nanoelectronics 1 ^aКремниевая наноэлектроника^zrus Taylor & Francis

Oda, Shunri .; Ferry, David .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon nanoelectronics Выходные данные : Boca Raton (FL): Taylor & Francis, 2005 Колич.характеристики :313, 12 c.: ил., портр Примечания : ; Указ. : с. 305-313; Библиогр. в конце ст ISBN, Цена 0-8247-2633-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09 + ; 47.03.05 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Silicon nanoelectronics, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Oda, Shunri \.\; Ferry, David \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

127

Silicon molecular beam epitaxy... J.of crystal growth 0 ^aМолекулярно-лучевая эпитаксия кремния.Труды симп.L на весенней конф.Европ.о-ва по исследованию материалов.Страсбург,1995 North-Holland 0 ; эпитаксия кремния 0 ; эпитаксия кремния Библиогр.в конце докл.-Указ.:с.442-450 0 ; эпитаксия кремния

Kasper, E.; Parker, E.H.C.

Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon molecular beam epitaxy... : Proc.of symp.L on silicon molecular beam epitaxy of the...E-MRS Spring conf. Выходные данные : Amsterdam etc: North-Holland, 1995 Колич.характеристики :XIV,450 c: ил Серия: J.of crystal growth, ISSN 0022-0248; Vol.157,N 1-4 Примечания : ; Библиогр.в конце докл.-Указ.:с.442-450 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 55.20.15 + ; 47.13.11 + ; 29.19.15 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; эпитаксия кремния Перейти к источнику в Интернете: Silicon molecular beam epitaxy... Доп.точки доступа: Kasper, E.; Parker, E.H.C. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

128

Silicon micromechanics with applications in optical scanning and sensing systems Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss. from the fac. of science 0 ^aМикромеханика кремния с применениями в оптических сканирующих и считывающих системах 0 ; микромеханика кремния Библиогр.: с.30 0 ; микромеханика кремния


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Kari G. Заглавие : Silicon micromechanics with applications in optical scanning and sensing systems Выходные данные : Uppsala, 1988 Колич.характеристики :30 с: ил Серия: Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss. from the fac. of science, ISSN 0282-7468; N160 Примечания : ; Библиогр.: с.30 ISBN, Цена 91-554-2265-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.11 + ; 81.37.13 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; микромеханика кремния Перейти к источнику в Интернете: Silicon micromechanics with applications in optical scanning and sensing systems, Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

129

Silicon micromachining with applications in microoptics Acta Univ.Upsaliensis.Comprehensive summ.of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology 0 ^aМикромеханическая обработка кремния применительно к микрооптике. Дис. 0 ; кремний; обработка; микрооптика 0 ; кремний; обработка; микрооптика Библиогр.:с.32-37 0 ; кремний; обработка; микрооптика


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Strandman C. Заглавие : Silicon micromachining with applications in microoptics : Diss. Выходные данные : Uppsala, 1998 Колич.характеристики :37 c: ил Серия: Acta Univ.Upsaliensis.Comprehensive summ.of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 401 Примечания : ; Библиогр.:с.32-37 ISBN, Цена 91-554-4314-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 81.37.13 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; обработка; микрооптика Перейти к источнику в Интернете: Silicon micromachining with applications in microoptics SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

130

Silicon induced interactions with emulsion AT 3.7 and 14.6 AGeT Препринт ^aSilicon-induced interactions with emulsion at 3,7 and 14,6 AGeV 0 ; Ядерные реакции с тяжелыми ионами

Aggarwal, M.M.; Alexandrov, Yu.A.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Adamovich, Aggarwal M.M., Alexandrov Yu.A. Заглавие : Silicon induced interactions with emulsion AT 3.7 and 14.6 AGeT Выходные данные : Dubna, 1992 Колич.характеристики :16 p.: il. Серия: Препринт; N1-92-569 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.19 УДК : Предметные рубрики: Ядерные реакции с тяжелыми ионами Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Silicon induced interactions with emulsion AT 3.7 and 14.6 AGeT, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Aggarwal, M.M.; Alexandrov, Yu.A. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

131

Silicon in polymer synthesis 0 ^aКремний в синтезе полимеров Springer 0 ; кремний; синтез полимеров 0 ; кремний; синтез полимеров Библиогр.:с.485-491.-Указ.:с.493-494 0 ; кремний; синтез полимеров

Kricheldorf, H.R.; Burger, C.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon in polymer synthesis Выходные данные : Berlin etc: Springer, 1996 Колич.характеристики :XI,494 c: ил Примечания : ; Библиогр.:с.485-491.-Указ.:с.493-494 ISBN, Цена 3-540-58294-0: Б.ц. УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; синтез полимеров Перейти к источнику в Интернете: Silicon in polymer synthesis, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Kricheldorf, H.R.; Burger, C. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

132

Silicon in organic, organometallic, and polymer chemistry 0 ^aКремний в органической, металлорганической и полимерной хмиии. WileyCop. 2000


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Brook, Michael A. Заглавие : Silicon in organic, organometallic, and polymer chemistry Выходные данные : New York: WileyCop. 2000,Б.г. Колич.характеристики :XXIV, 680 c.: ил., табл Примечания : ; Указ. : Subject ind. : c. 644-680; Библиогр. в конце глав ISBN, Цена 0-471-19658-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.21.29 + ; 31.25.01 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Silicon in organic, organometallic, and polymer chemistry SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

133

Silicon in organic synthesis Butterworth and Co (Publishers) Ltd 1 ; органический синтез ; кремний (англ. яз.) 1 ; органический синтез ; кремний (англ. яз.) ; Органическая химия (англ. яз.). Органический синтез (англ. яз.) 1 ; органический синтез ; кремний (англ. яз.)


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Colvin Ernest W. Заглавие : Silicon in organic synthesis : Butterworths monographs in chemistry and chemical engineering Выходные данные : London: Butterworth and Co (Publishers) Ltd, 1981 Колич.характеристики :348 p. ISBN, Цена 0-408-10619-0: р19-97 УДК : Предметные рубрики: Органическая химия (англ. яз.) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 1 ; органический синтез ; кремний (англ. яз.) Перейти к источнику в Интернете: Silicon in organic synthesis SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

134

Silicon germanium heterojunction bipolar transistors Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology 0 ^aКремниевые и германиевые биполярные гетеротранзисторы. Моделирование при большом уровне сигнала и характеристика низкочастотного шума. Дис. 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Библиогр.:с.109-112 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bruce S. Заглавие : Silicon germanium heterojunction bipolar transistors : Large-signal modelling a. low-frequency noise characterization aspects: Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :126 с: ил Серия: Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 479 Примечания : ; Библиогр.:с.109-112 ISBN, Цена 91-554-4558-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Перейти к источнику в Интернете: Silicon germanium heterojunction bipolar transistors SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

135

Silicon detectors for synchrotron radiation digital mammography [Pubblicazione] INFN

Arfelli, F.; Barbiellini, G.; Cantatore, G.; Castelli, E.

R/5815/TC-94/12 Silicon detectors for synchrotron radiation digital mammography [Text] : сборник научных трудов / F.Arfelli,G.Barbiellini,G.Cantatore и др. - Roma : [s. n.], 1994. - 7 p. : 2l ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/12). - 100 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 76.29.48УДК 618.19-073.75 Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Arfelli, F.; Barbiellini, G.; Cantatore, G.; Castelli, E. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

136

Silicon compilers Emerging technologies;N26 0 ^aПрограмма компоновки кремниевых интегральных схем:Технология, продажа, использование:Автоматизация расчета и изготовления интегральных схем Techn. insights 0 ; компоновка кремниевых интегральных схем; технология; продажа; использование; автоматизация; расчет 0 ; компоновка кремниевых интегральных схем; технология; продажа; использование; автоматизация; расчет


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon compilers : The technology, the vendors, the opportunities1 Выходные данные : Fort Lee (NJ): Techn. insights, 1987 Колич.характеристики :193 с: ил Серия: Emerging technologies;N26 ISBN, Цена 0-914993-40-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 + ; 50.41.25 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; компоновка кремниевых интегральных схем; технология; продажа; использование; автоматизация; расчет Перейти к источнику в Интернете: Silicon compilers SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

137

Silicon compilation Addisom-Wesley publ.co. Интегральные схемы большие, Проектирование, Автоматизация, , боинсх

Gajski, D.D. ed.

J2/25443 Silicon compilation [Text] : сборник научных трудов / ed. D. D. Gajski. - reading(ma) [etc.] : Addisom-Wesley publ.co., 1988. - X,452 p. p. : ill. - ISBN 0-201-09915-2 : 12500 р. Библиогр.в конце частей.ГРНТИ 47.33.31УДК 621.3.049.771.14.001.2-52 Рубрики: Интегральные схемы большие--Проектирование--Автоматизация Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Gajski, D.D. \ed.\ Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

138

Silicon compilation 0 ^aКремниевая компиляция Addison-Wesley 0 ; кремниевая компиляция 0 ; кремниевая компиляция


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Gajski D.D. Заглавие : Silicon compilation Выходные данные : New York: Addison-Wesley, 1989 Колич.характеристики :450 с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.05 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевая компиляция Перейти к источнику в Интернете: Silicon compilation SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

139

Silicon chemistry Monatsh. fuer Chemie 0 ^aХимия кремния 0 ; химия; кремний 0 ; химия; кремний Библиогр. в конце ст.- Рез. англ., нем 0 ; химия; кремний

Schubert, U.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon chemistry Выходные данные : Wien, 1999 Колич.характеристики :241 с: ил Серия: Monatsh. fuer Chemie, ISSN 0026-9247; Vol. 130, N 1 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.- Рез. англ., нем Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 + ; 31.21.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; химия; кремний Перейти к источнику в Интернете: Silicon chemistry Доп.точки доступа: Schubert, U. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

140

Silicon carbide power devices World sci.


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : . 47.33.29. grnti Автор(ы) : Baliga, B.Jayant Заглавие : Silicon carbide power devices Выходные данные : New Jersey: World sci., 2005 Колич.характеристики :XXI, 503 c.: ил Примечания : ; Библиогр. в конце гл. Указ.: с. 493-503 ISBN, Цена 981-256-605-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon carbide power devices SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

141

Silicon carbide and related materials. 2005, pt 2 Е 0 ^aКарбид кремния и материалы на его основе. 2005, ч. 2: Е труды Международной конференции (ICSCRM 2005), Питсбург, Пенсильвания, США, сент. 2005.^zrus


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : ; 31.15.17. grnti Заглавие : Silicon carbide and related materials. 2005, pt 2 : Proceedings of the International conference on silicon carbide and related materials-2005, Pittsburgh, Pa, USA, Sept 18-23, 2005 Выходные данные : Б.м., 2006 Колич.характеристики :C. LXX-XC, 781-1612, 10: ил., табл Серия: Е; vol. 527-529 ISBN, Цена 0-87849-425-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.15.17 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon carbide and related materials. 2005, pt 2 SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

142

Silicon carbide and related materials. 2005, pt 1 Е 0 ^aКарбид кремния и материалы на его основе. 2005, ч. 1: Е труды Международной конференции (ICSCRM 2005), Питсбург, Пенсильвания, США, сент. 2005.^zrus


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : ; 31.15.17. grnti Заглавие : Silicon carbide and related materials. 2005, pt 1 : Proceedings of the International conference on silicon carbide and related materials-2005, Pittsburgh, Pa, USA, Sept. 18-23, 2005 Выходные данные : Б.м., 2006 Колич.характеристики :778, LVI c.: ил., табл Серия: Е; vol. 527-529 ISBN, Цена 0-87849-425-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.15.17 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon carbide and related materials. 2005, pt 1 SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

143

Silicon and silicones 0 ^aКремний и силиконы:Об орудиях каменного века, антикварной керамике, современной керамике, компьютерах, спец. материалах и их происхождении Springer 0 ; кремний; силиконы; применение Имен., предм. указ. и указ. источника: с.175-181 0 ; кремний; силиконы; применение


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Rochow E.G. Заглавие : Silicon and silicones : About stoneage tools, antique pottery, modern ceramics, computers, space materials and how they all got that way Выходные данные : Berlin: Springer, 1987 Колич.характеристики :11, 181 с: ил Примечания : ; Имен., предм. указ. и указ. источника: с.175-181 ISBN, Цена 3-540-17565-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; силиконы; применение Перейти к источнику в Интернете: Silicon and silicones, Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

144

Silicon X-ray detector for synchrotron radiation digital radiology [Pubblicazione] INFN Рентгенология

Arfelli, F.; Barbiellini, G.; Cantatore, G.; Castelli, E.

R/5815/TC-94/09 Silicon X-ray detector for synchrotron radiation digital radiology [Text] : сборник / F.Arfelli,G.Barbiellini,G.Cantatore и др. - Trieste : [s. n.], 1994. - 8 p. : 8 l.ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/09). - 50 р. Библиогр.:с.7.ГРНТИ 76.29.62УДК 615.471:616-073.753 Рубрики: Рентгенология Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Arfelli, F.; Barbiellini, G.; Cantatore, G.; Castelli, E. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

146

Silicon 0 ^aРазвитие и будущее технологии кремния.^zrus Springer 0 ; Кремний 0 ; полупроводниковые материалы 0 ; Кремний 0 ; полупроводниковые материалы 0 ; Кремний 0 ; полупроводниковые материалы

Siffert, Paul; Krimmel, Eberhard F

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Silicon : Evolution and future of a technology Выходные данные : Berlin etc.: Springer, 2004 Колич.характеристики :XX, 549 c.: ил.; 24 см ISBN, Цена 3-540-40546-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.31.47 + ; 47.09.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний--0 ; полупроводниковые материалы Перейти к источнику в Интернете: Silicon Доп.точки доступа: Siffert, Paul; Krimmel, Eberhard F SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

147

Siemens. Robotics Research (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Mobile robots, Automation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: München, Deutschland www.siemens.de (www.siemens.de) …

VINITI Projects Database (Russian)

148

Shape and functional elements of the bulk silicon microtechnique Springer ; Кремниевые структуры


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Fruhauf J. Заглавие : Shape and functional elements of the bulk silicon microtechnique : a man. of wet-etched silicon structures Выходные данные : Berlin [etc.]: Springer, 2005 Колич.характеристики :XII, 221 p.: ill Примечания : ; Библиогр. в конце глав. Указ.: с. 217-221 ISBN, Цена 3-540-22109-3: р3508.67 р. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Предметные рубрики: Кремниевые структуры Перейти к источнику в Интернете: Shape and functional elements of the bulk silicon microtechnique SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

149

Semiconductor silicon crystal technology 0 ^aПолупроводниковый кристаллический кремний для сверхбольших интегральных схем Acad. press Указ.-Библиогр. в конце гл.


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Shimura, Fumio Заглавие : Semiconductor silicon crystal technology Выходные данные : San Diego etc.: Acad. press, 1989 Колич.характеристики :VIII, 426 с.: ил.; 23 см. Примечания : ; Указ.-Библиогр. в конце гл. ISBN, Цена 0-12-640045-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 Перейти к источнику в Интернете: Semiconductor silicon crystal technology, Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

150

Semiconductor silicon Springer series in materials science;N13 0 ^aКремний для полупроводниковых устройств:Материалы и технология:Труды летней школы, 1988, Эриче Springer-Verl. 0 ; кремний; полупроводниковые устройства Библиогр. в конце гл. -Указ.: с. 345 0 ; кремний; полупроводниковые устройства

Harbeke, G. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Semiconductor silicon : Materials science a. technology. Proc. of the summer school, Erice, July Б-15, 1988 Выходные данные : Berlin: Springer-Verl.; Heidelberg; New York, 1989 Колич.характеристики :IX, 345 с: ил Серия: Springer series in materials science;N13 Примечания : ; Библиогр. в конце гл. -Указ.: с. 345 ISBN, Цена 3-540-51073-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; полупроводниковые устройства Перейти к источнику в Интернете: Semiconductor silicon, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Harbeke, G. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

151

SDC silicon tracking system KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо


R/17226/93-130 Unno, Y. The SDC silicon tracking system [Text] : presented at the intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors,May 22-24 1993,Hiroshima / Y.Unno. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 41 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-130). - 100 р. Библиогр.:с.18ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

153

Role of higher solanes in process for hydrogenated amorphous silicon films Researches ; Кремниевые пленки


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Suzuki A. Заглавие : Role of higher solanes in process for hydrogenated amorphous silicon films Выходные данные : Tsukuba, 2000 Колич.характеристики :64 p.: ill. Серия: Researches/ Electrotechnical laboratory(Tokyo), ISSN 0366-9106; N992 Примечания : ; Текст яп.Рез.англ.Библиогр.в конце ст. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 УДК : Предметные рубрики: Кремниевые пленки Перейти к источнику в Интернете: Role of higher solanes in process for hydrogenated amorphous silicon films SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

154

Robot Books.com (Машиностроение/Ресурсы)


2006-04-13

Тип2НазваниеRobot Books.comОписаниеReviews of robotics books, plus robot kits, movies, and toy robotsКлючевые словароботы, элементы, книги, продажаПерспективы развитияТип доступасвободныйФормат данных …

VINITI Projects Database (Russian)

155

Ri (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

157

Readout system of the silicon microstrip vector detector for the KEK B-factory KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Tanaka, M.; Ikeda, H.; Fujita, Y.; Ozaki, H.

R/17226/93-92 Readout system of the silicon microstrip vector detector for the KEK B-factory [Text] : presented at the intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors,May 22-24,1993,Hiroshima / M.Tanaka,H.Ikeda,Y.Fujita и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 16 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-92). - 50 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Tanaka, M.; Ikeda, H.; Fujita, Y.; Ozaki, H. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

158

Radiation tolerance for the SMA2SH - series front-end chips for silicon micro-strip detector KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Ikeda, H.; Fukunaga, C.; Saitoh, Y.; Inoue, M.

R/17226/96-1 Radiation tolerance for the SMA2SH - series front-end chips for silicon micro-strip detector [Text] : сборник научных трудов / H.Ikeda,C.Fukunaga,Y.Saitoh и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 15 kol. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-1). - 1000 р. Библиогр.:кол:7-8ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ikeda, H.; Fukunaga, C.; Saitoh, Y.; Inoue, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

159

Radiation hardness of silicon detectors for collider experiments Препринт Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые, Влияние ионизирующих излучений

Golutvin, I.; Cheremukhin, A.; Fefelova, E.

Н/2509/Е14-95-97 Radiation hardness of silicon detectors for collider experiments [Text] : препринт / I.Golutvin,A.Cheremukhin,E.Fefelova и др. - Dubna, 1995. - 39 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е14-95-97). - 340 экз. - 1872 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5(04) Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Golutvin, I.; Cheremukhin, A.; Fefelova, E. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

160

Radiation effects of double-sided silicon strip sensors KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, Влияние ионизирующих излучений, , деизиопо

Tamura, N.; Hatakenaka, T.; Iwata, Y.; Kubota, M.

R/17226/93-140 Radiation effects of double-sided silicon strip sensors [Text] : presented at the intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors,May 22-24 1993,Hiroshima / N.Tamura,T.Hatakenaka,Y.Iwata и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 21 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-140). - 100 р. Библиогр.:с.9ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Tamura, N.; Hatakenaka, T.; Iwata, Y.; Kubota, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

161

Radiation damage in silicon detectors La rivista del nuovo cimento. Ser.3 полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, Влияние ионизирующих излучений, , деизиопо полупроводниковый детектор

Bruzzi, M.

R/12165/17,N 11 Borchi, E. Radiation damage in silicon detectors [Text] : сборник / E.Borchi,M.Bruzzi. - Bologna : [s. n.], 1994. - 63 p. : ill. - (La rivista del nuovo cimento. Ser.3, ISSN 0393-697X ; vol.17,N 11). - 500 р. Библиогр.:с.59-63ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Bruzzi, M. Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-105863 SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

163

Quantum transport of electrons in nanostructured silicon MOSFETs МОП-транзисторы полевые, , мопотр


J2/24498 Graaf, C. de Quantum transport of electrons in nanostructured silicon MOSFETs [Text] : diss. / C.de Graaf. - Delft : [s. n.], 1992. - 132 p. : ill. - 10 р. Рез.гол.Библиогр. в конце статейГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(043) Рубрики: МОП-транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

164

Proton irradion P-bulk silicon strip detectors using 12 GeV PS at KEK KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, Влияние ионизирующих излучений, , деизиопо полупроводниковый детектор

Terada, S.; Iwasaki, H.; Kohriki, T.; Kondo, T.

R/17226/96-77 Proton irradion P-bulk silicon strip detectors using 12 GeV PS at KEK [Text] : сборник научных трудов / S.Terada,H.Iwasaki,T.Kohriki и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 12 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-77). - 3000 р. Библиогр.:с.12ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Terada, S.; Iwasaki, H.; Kohriki, T.; Kondo, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

165

Proceedings...,Banff,Canada,1997 Thin solid films 0 ^aТруды 7-го межд.симп.по молекулярно-пучковой эпитаксии кремния, Банфф,1997 International symposium on silicon molecular beam epitaxy Elsevier 0 ; кремний; молекулярно-пучковая эпитаксия 0 ; кремний; молекулярно-пучковая эпитаксия Библиогр.в конце ст.-Указ.: с.265-271 0 ; кремний; молекулярно-пучковая эпитаксия

Barbeau, J.H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Proceedings...,Banff,Canada,1997 Выходные данные : Amsterdam etc: Elsevier, 1998 Колич.характеристики :X,271 c: ил Коллективы : International symposium on silicon molecular beam epitaxy (7;1997;Banff) Серия: Thin solid films, ISSN 0040-6090; Vol.321 Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.: с.265-271 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.16 + ; 47.13.11 + ; 55.20.15 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; молекулярно-пучковая эпитаксия Перейти к источнику в Интернете: Proceedings...,Banff,Canada,1997 Доп.точки доступа: Barbeau, J.H. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

166

Proceedings of the fifth international symposium on inorganic... Amherst (Ma), Aug. 8-12, 1988 Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements 0 ^aТруды 5-го междунар. симпоз. по неорганическим циклическим системам, Амхерст; США, август 1988 Gordon and Breach Science Publ. 0 ; неорганическая; циклическая; система 0 ; неорганическая; циклическая; система


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Proceedings of the fifth international symposium on inorganic... Amherst (Ma), Aug. 8-12, 1988 Выходные данные : London: Gordon and Breach Science Publ., 1989 Колич.характеристики :250 с: ил Серия: Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, ISSN 0308-664X; Vol.41; N1-2, 1989; Pt.1 ISBN, Цена 0-677-22130-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; неорганическая; циклическая; система Перейти к источнику в Интернете: Proceedings of the fifth international symposium on inorganic... Amherst (Ma), Aug. 8-12, 1988, Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

167

Proceedings of the fifth international symposium on inorganic... Amherst (Ma), Aug. 8-12, 1988 Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements 0 ^aТруды 5-го междунар. симпоз. по неорганическим циклическим системам, Амхерст, США, август 1988 г. Gordon and Breach Science Publ. 0 ; неорганическая; циклическая система 0 ; неорганическая; циклическая система


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Proceedings of the fifth international symposium on inorganic... Amherst (Ma), Aug. 8-12, 1988 Выходные данные : London: Gordon and Breach Science Publ., 1989 Колич.характеристики :217(253-470) с: ил Серия: Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, ISSN 0308-664X; 41; N3-4, 1989; Pt.2 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; неорганическая; циклическая система Перейти к источнику в Интернете: Proceedings of the fifth international symposium on inorganic... Amherst (Ma), Aug. 8-12, 1988 SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

168

Proceedings of the XIII International symposium on the organic chemistry of sulfur chemistry, 7-12 Aug. 1988, Odense, Denmark Phosphorus, sulfer a. silicon a. the related elements 0 ^aМеждународный симпозиум по органической химии серы, Дания, 1988 г.Т.2 Gordon a. Beach 0 ; органическая химия 0 ; органическая химия

Pedersen, C.Th. .; Becher, J. .

Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Proceedings of the XIII International symposium on the organic chemistry of sulfur chemistry, 7-12 Aug. 1988, Odense, Denmark Выходные данные : New York etc.: Gordon a. Beach, 1988 Колич.характеристики :IV, 209-394 с: ил Серия: Phosphorus, sulfer a. silicon a. the related elements, ISSN 1042-6507; Vol.43, N1/2, N3/4 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.21.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; органическая химия Перейти к источнику в Интернете: Proceedings of the XIII International symposium on the organic chemistry of sulfur chemistry, 7-12 Aug. 1988, Odense, Denmark Доп.точки доступа: Pedersen, C.Th. \.\; Becher, J. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

169

Proceedings of the XIII International symposium on the organic chemistry of sulfur chemistry, 7-12 Aug. 1988, Odense, Denmark Phosphorus, sulfer a. silicon a. the related elements 0 ^aМеждународный симпозиум по органической химии серы, Дания, 1988 г.Т.1 Gordon a. Beach 0 ; сера; органическая химия 0 ; сера; органическая химия

Pedersen, C.Th. .; Becher, J. .

Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Proceedings of the XIII International symposium on the organic chemistry of sulfur chemistry, 7-12 Aug. 1988, Odense, Denmark Выходные данные : New York etc.: Gordon a. Beach, 1989 Колич.характеристики :208 с: ил Серия: Phosphorus, sulfer a. silicon a. the related elements, ISSN 1042-6507; Vol.43, N1/2, N3/4 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.21.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; сера; органическая химия Перейти к источнику в Интернете: Proceedings of the XIII International symposium on the organic chemistry of sulfur chemistry, 7-12 Aug. 1988, Odense, Denmark Доп.точки доступа: Pedersen, C.Th. \.\; Becher, J. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

170

Proceedings of symposium B on science and technology of defects in silicon of the E-MRS meeting, Strasbourg, France, May 30-June 2, 1989 Materials Science and Engineering.Solid- State Materials for Advanced Technology;B Elsevier Sequoia SA 0 ; наука; технология; дефекты кремния Библиогр. в конце ст.-Указ.: с. 497-505 0 ; наука; технология; дефекты кремния


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Proceedings of symposium B on science and technology of defects in silicon of the E-MRS meeting, Strasbourg, France, May 30-June 2, 1989 Выходные данные : Lausanne: Elsevier Sequoia SA,Б.г. Колич.характеристики :12, 505 с.: рис., табл Серия: Materials Science and Engineering.Solid- State Materials for Advanced Technology;B, ISSN 09215107;Vol.4;Nr1/4 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с. 497-505 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.01.13 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; наука; технология; дефекты кремния Перейти к источнику в Интернете: Proceedings of symposium B on science and technology of defects in silicon of the E-MRS meeting, Strasbourg, France, May 30-June 2, 1989 SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

171

Preparation and properties of silicon nitride based materials Materials Science Forum 0 ^aПолучение и свойства материалов на основе нитрида кремния Trans Tech Publications, Journal Division 0 ; нитрид кремния Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.1-7 0 ; нитрид кремния

Bonnell, Dawn .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Preparation and properties of silicon nitride based materials Выходные данные : Aedermannsdorf: Trans Tech Publications, Journal Division, 1989 Колич.характеристики :VIII, 307 с: ил Серия: Materials Science Forum, ISSN 02555476;Vol.47 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.1-7 ISBN, Цена 0-87849-593-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.35.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; нитрид кремния Перейти к источнику в Интернете: Preparation and properties of silicon nitride based materials, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Bonnell, Dawn \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

172

Preparation and characterization of heterocyclic selenium sulfides Kemian laitoksen raporttisarja 0 ^aПриготовление и характеристика гетероциклических сульфидов селена 0 ; гетероциклические сульфиды селена Библиогр.: с. 47-51 0 ; гетероциклические сульфиды селена


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Pekonen P. Заглавие : Preparation and characterization of heterocyclic selenium sulfides : Diss Выходные данные : Oulu, 1991 Колич.характеристики :51 с: ил Серия: Kemian laitoksen raporttisarja, ISSN 0358528X;N35 Примечания : ; Библиогр.: с. 47-51 ISBN, Цена 951-42-3230-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.21.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; гетероциклические сульфиды селена Перейти к источнику в Интернете: Preparation and characterization of heterocyclic selenium sulfides SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

173

Precambrian deposits of zinc-copper-lead sulfides and zinc spinel(gahnite) in Colorado Bull./US.Geol.survey 0 ^aДокембрийские месторождения сульфидов цинка-меди-свинца и цинковой шпинели (ганит) в Колорадо GPO Библиогр.: с.28-31

Raymond, W.H

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sheridan D.M, Raymond W.H Заглавие : Precambrian deposits of zinc-copper-lead sulfides and zinc spinel(gahnite) in Colorado Выходные данные : Washington: GPO, 1984 Колич.характеристики :31 с Серия: Bull./US.Geol.survey; N 1550 Примечания : ; Библиогр.: с.28-31 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.49 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Precambrian deposits of zinc-copper-lead sulfides and zinc spinel(gahnite) in Colorado Доп.точки доступа: Raymond, W.H SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

174

Precambrian deposits of zinc-copper-lead sulfides and zinc spinel (gahnite) in Colorado Geolog. Surv. Bull. 0 ^aДокембрийские сульфидные медно-свинцово-цинковые и цинково-шпинелевые (ганитовые) месторождения в Колорадо

Raymond, W.H

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sheridan D.M, Raymond W.H Заглавие : Precambrian deposits of zinc-copper-lead sulfides and zinc spinel (gahnite) in Colorado Выходные данные : Washington: US GPO, 1984 Колич.характеристики :31 с Серия: Geolog. Surv. Bull.; B. 1550 Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Precambrian deposits of zinc-copper-lead sulfides and zinc spinel (gahnite) in Colorado Доп.точки доступа: Raymond, W.H SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

175

Pr (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

176

Power-supply/ground-ripple rejection capability of the SMA2SH preamplifier array for a silicon micro-strip detector KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Ikeda, H.; Saitoh, Y.; Inoue, M.; Yamanaka, J.

R/17226/96-2 Power-supply/ground-ripple rejection capability of the SMA2SH preamplifier array for a silicon micro-strip detector [Text] : сборник научных трудов / H.Ikeda,Y.Saitoh,M.Inoue и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 12 kol. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-2). - 1000 р. Библиогр.:кол.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ikeda, H.; Saitoh, Y.; Inoue, M.; Yamanaka, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

177

Porous silicon carbide and gallium nitride 0 ^aПористые карбид кремния и нитрид галлия: эпитаксия, катализ и применение в биотехнологии.^zrus Wiley В подзаг.: Feenstra Randall M., Wood Colin E.C.


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : ; 31.15.17. grnti Заглавие : Porous silicon carbide and gallium nitride : epitaxy, catalysis, and biotechnology applications Выходные данные : Chichester (W. Sx.): Wiley, 2008 Колич.характеристики :XIV, 318 c.: ил., табл Примечания : ; Библиогр. в конце ст. Указ.: с. 311-318. - ; В подзаг.: Feenstra Randall M., Wood Colin E.C. ISBN, Цена 978-0-470-51752-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.15.17 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Porous silicon carbide and gallium nitride SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

178

Polycrystalline silicon for integrated circuit applications kluwer international series in engineering and computer science;N45 0 ^aПоликристаллический кремний для применения в интегральной схеме Kluwer academic publ. 0 ; поликристаллический кремний; интегральные схемы Библиогр.: с. 249-280.-Указ.: с. 281-290 0 ; поликристаллический кремний; интегральные схемы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Kamins T. Заглавие : Polycrystalline silicon for integrated circuit applications Выходные данные : Boston: Kluwer academic publ.; Dordrecht; Lancaster, 1988 Колич.характеристики :VIII, 290 с: ил Серия: The kluwer international series in engineering and computer science;N45 Примечания : ; Библиогр.: с. 249-280.-Указ.: с. 281-290 ISBN, Цена 0-89838-259-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; поликристаллический кремний; интегральные схемы Перейти к источнику в Интернете: Polycrystalline silicon for integrated circuit applications, Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

179

Physical chemistry of, in and on silicon Springer series in materials science;8 0 ^aФизическая химия кремния Springer-Verl. 0 ; кремний Библиогр.: с. 105-118.-Указ.: Subject ind.: с. 121-122 0 ; кремний

Meda, L.; Mooradia, A. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Cerofolini G., Meda L. Заглавие : Physical chemistry of, in and on silicon Выходные данные : Berlin: Springer-Verl.; Heidelberg; New York, 1989 Колич.характеристики :8, 122 с: ил Серия: Springer series in materials science;8 Примечания : ; Библиогр.: с. 105-118.-Указ.: Subject ind.: с. 121-122 ISBN, Цена 3-540-19049-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 + ; 31.17.15 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний Перейти к источнику в Интернете: Physical chemistry of, in and on silicon, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Meda, L.; Mooradia, A. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

180

Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements Gordon and Breach Science Publ.


Вид документа : Журнал Шифр издания : Заглавие : Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements Выходные данные : London: Gordon and Breach Science Publ.,Б.г. ISSN: 10426507 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.23 Перейти к источнику в Интернете: Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

181

Performance of a double-sided silicon microstrip detector with a wide-pitch N-side readout using a field-plate and a multi P-stop structure KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Saitoh, Y.; Akamine, T.; Inoue, M.; Yamanaka, J.

R/17226/96-140 Performance of a double-sided silicon microstrip detector with a wide-pitch N-side readout using a field-plate and a multi P-stop structure [Text] : submitted to the IEEE nuclear science symp.,Nov.3-9,1996,Anaheim(Ca) / Y.Saitoh,T.Akamine,M.Inoue и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 7 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-140). - 1000 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Akamine, T.; Inoue, M.; Yamanaka, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

183

Oxygen, carbon, hydrogen and nitrogen in crystalline silicon Symposia proceedings 0 ^aКислород, углерод, водород и азот в кристаллическом кремнии:Труды симпозиума, Бостон, США, 1985 Materials research society(Boston) Materials research soc. 0 ; примеси; кислород; углерод; водород; азот; полупроводник; конференция Библиогр. в конце ст.-Авт., предм. указ.: с. 575-579 0 ; примеси; кислород; углерод; водород; азот; полупроводник; конференция

Mikkelsen, J.C. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Oxygen, carbon, hydrogen and nitrogen in crystalline silicon : Symp. held Dec. 2-5, 1985, Boston, Mass., USA Выходные данные : Pittsburg (Pa): Materials research soc., 1987 Колич.характеристики :15, 579 с: ил Коллективы : Materials research society(Boston) Серия: Symposia proceedings/ Materials reserach soc., ISSN 02729172;Vol.59 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Авт., предм. указ.: с. 575-579 ISBN, Цена 0-931837-24-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 + ; 29.01.13 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; примеси; кислород; углерод; водород; азот; полупроводник; конференция Перейти к источнику в Интернете: Oxygen, carbon, hydrogen and nitrogen in crystalline silicon, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Mikkelsen, J.C. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

184

Oxidation studies of silicon nitride based ceramics Chemical communications Керамические материалы и изделия, нитридные, Коррозия и защита от нее, , изкемани


Q/3409/4,1993 Persson, J. Oxidation studies of silicon nitride based ceramics [Text] : an interpretation of the nonparabolic oxidation behaviour:Diss. / J.Persson. - Stockholm : [s. n.], 1993. - 81 p. : ill. - (Chemical communications / Stockholm univ., ISSN 0366-5607 ; n4,1993). - ISBN 91-7153-164-5 : 20 р. Библиогр.:с.76-81ГРНТИ 61.35.29УДК 666.762.93.01:620.193(043) Рубрики: Керамические материалы и изделия, нитридные--Коррозия и защита от нее Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

185

Osaka University. Asada Lab. (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Vision-based behavior learning of mobile robots, Visual servoing and its application ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Osaka, Japan www …

VINITI Projects Database (Russian)

186

Optical properties and transport properties of hydrogenated amorphous silicon 0 ^aОптические свойства и перенос гидрогенезированного аморфного кремния:Дис 0 ; гидрогенезированный аморфный кремний Библиогр. в конце ст 0 ; гидрогенезированный аморфный кремний


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Heuvel J.C.van den Заглавие : Optical properties and transport properties of hydrogenated amorphous silicon : Diss Выходные данные : Delft, 1989 Колич.характеристики :IX, 133 с: ил Примечания : ; Библиогр. в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 + ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; гидрогенезированный аморфный кремний Перейти к источнику в Интернете: Optical properties and transport properties of hydrogenated amorphous silicon SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

187

Optical integrated structures and circuits on silicon Publications VTT Интегральная оптика, , иноп, , иноп, , иноп Интегральные схемы оптические, , инопсх, , инопсх, , инопсх


R/11634/106 Aarnio, J. Optical integrated structures and circuits on silicon [Text] : diss. / J.Aarnio. - Espoo : VTT, 1992. - Pag.var. : ill. - (Publications / Valtion teknillinen tutkimuskeskus(Helsinki), ISSN 0358-5069 ; n106). - ISBN 951-38-4224-X : 10 р., 50 р. Библиогр. в конце статейГРНТИ 29.33.39УДК 621.3.049.77.082.5(043) Рубрики: Интегральная оптикаИнтегральные схемы оптические Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(2) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

188

Optical analog readout and control of the central silicon vertex detector of H1 at HERA Progress report полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Erdmann, W.; Eichler, R.; Niggli, H.; Pitzl, D.

R/16572/PR-95-21 Optical analog readout and control of the central silicon vertex detector of H1 at HERA [Text] : сборник / W.Erdmann,R.Eichler,H.Niggli и др. - Villigen : [s. n.], 1995. - 12 p. : ill. - (Progress report / Paul Scherrer Inst. ; PR-95-21). - 1000 р. Библиогр.:с.5-6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Erdmann, W.; Eichler, R.; Niggli, H.; Pitzl, D. Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-106436 SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

189

Operator interface and control system for the BELLE experiment silicon microvertex detector KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Fukunaga, C.; Tanaka, M.

R/17226/95-100 Korhonen, T. Operator interface and control system for the BELLE experiment silicon microvertex detector [Text] : presented at the 9th conf.on real-time computer applications in nuclear,particle and plasma physics(RT-95),May 23-26,1995,East Lansing,MI,USA / T.Korhonen,C.Fukunaga,M.Tanaka. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 5 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-100). - 1000 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fukunaga, C.; Tanaka, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

190

On the nature of incident angle dependence of residual defect in silicon surface barrier detector Препринт полупроводниковый детектор; ионизирующее излучение Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор; ионизирующее излучение

Поляков, А.Н.; Polyakov A.N.; Tsyganov Yu.S.

Н/2509/Е7-94-346 Цыганов, Ю. С. On the nature of incident angle dependence of residual defect in silicon surface barrier detector [Text] : препринт / Ю.С.Цыганов,А.Н.Поляков. - Dubna, 1994. - 4 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е7-94-346). - 305 экз. - 90 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5(04) Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Поляков, А.Н.; Polyakov A.N.; Tsyganov Yu.S. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

191

On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors Транзисторы биполярные, , битр, , битр


J2/24465 Wijnen, P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors [Text] : diss. / P.J. van Wijnen. - Delft : [s. n.], 1992. - V,265 p. p. : ill. - 30 р., 20 р. Рез.гол.Библиогр. в конце статей.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(2) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

192

O (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

193

Non-destructive characterisation by means of ultrasonics of radial cracks resulting from vickers indentations in reaction-bonded silicon nitride Physical sciences Rapport EUR Office for ofic.publ.of the europ.communities Кремний, нитриды, Ультразвуковой метод исследования, , крни

Lemaitre, P. ed.

R/6006/13535-EN Non-destructive characterisation by means of ultrasonics of radial cracks resulting from vickers indentations in reaction-bonded silicon nitride [Text] : сборник научных трудов / ed. P. Lemaitre. - Luxembourg : Office for ofic.publ.of the europ.communities, 1991. - 30 p. - (Physical sciences) (Rapport EUR / EURATOM ; 13535-EN). - 500 р.ГРНТИ 61.35.29УДК 666.762.93.01:620.179 Рубрики: Кремний, нитриды--Ультразвуковой метод исследования Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Lemaitre, P. \ed.\ Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-104679 SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

194

Newsflash 3 (Newsflashes/Newsflash)


2004-08-09

Aoccdrnig to a rscheearch at an Elingsh uinervtisy, it deosn't mttaer in waht oredr the ltteers in a wrod are, the olny iprmoetnt tihng is taht frist and lsat ltteer is at the rghit pclae. The rset ca …

VINITI Projects Database (Russian)

196

New profiled silicon PIN photodiode for scintillation detector KEK preprint сцинтилляционный детектор Сцинтилляционные детекторы сцинтилляционный детектор

Saitoh, Y.; Akamine, T.; Satoh, K.; Inoue, M.

R/17226/94-145 New profiled silicon PIN photodiode for scintillation detector [Text] : сборник научных трудов / Y.Saitoh,T.Akamine,K.Satoh и др. - S.l. : [s. n.], 1994. - 5 p. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-145). - 100 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.3 Рубрики: Сцинтилляционные детекторы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Akamine, T.; Satoh, K.; Inoue, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

197

New insulator film of integrated capacitor for a silicon strip detector KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Okuno, S.; Ikeda, H.; Akamine, T.; Saitoh, Y.

R/17226/93-169 New insulator film of integrated capacitor for a silicon strip detector [Text] : submitted to the IEEE transaction on nuclear sci.symp.,Nov.2-6,1993,San Francisco(Ca) / S.Okuno,H.Ikeda,T.Akamine и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 4 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-169). - 100 р. Библиогр.:с.4ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Okuno, S.; Ikeda, H.; Akamine, T.; Saitoh, Y. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

198

New developments in silicon drift detectors [Pubblicazione] INFN пропорциональная камера Пропорциональные камеры, , капр пропорциональная камера

Rashevsky, A.; Bonvicini, V.; Burger, P.; Виноградов, Л.

R/5815/AE-96/12 New developments in silicon drift detectors [Text] : сборник / A.Rashevsky,V.Bonvicini,P.Burger и др. - Roma : [s. n.], 1996. - 13 p. : 11 l.il. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/12). - 3000 р. Библиогр.:с.9ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.23 Рубрики: Пропорциональные камеры Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Rashevsky, A.; Bonvicini, V.; Burger, P.; Виноградов, Л. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

199

Neutron transmutation doping of silicon by magnesium Препринт ^aNeutron transmutation doping of silicon by magnesium 0 ; Кремний . Легирование , кр

Shek, E.I.; Shabalin, E.P.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Соболев Н.А., Shek E.I., Shabalin E.P. Заглавие : Neutron transmutation doping of silicon by magnesium Выходные данные : St.Petersburg, 1993 Колич.характеристики :9 p. Серия: Препринт; 1606 Примечания : ; Библиогр.: с. 9 (8 назв.) Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Предметные рубрики: Кремний Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Neutron transmutation doping of silicon by magnesium, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Shek, E.I.; Shabalin, E.P. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

200

National Nanotechnology Initiative (Химия/Ресурсы)


2006-04-05

ТипНазваниеNational Nanotechnology InitiativeОписаниеThe National Nanotechnology Initiative (NNI) is a federal R&D program established to coordinate the multiagency efforts in nanoscale science, e …

VINITI Projects Database (Russian)

202

Nanotechnology R and D policy of Japan and nanotechnology support project (Химия/Статьи)


2006-02-21

Тип: Статья в сериальном издании Авторы: Kishi Teruo Реферат: В Японии во 2-м базисном плане по науке и технологиям (2001-2005 гг.) область нанотехнологий и материалов отнесена к числу приорит …

VINITI Projects Database (Russian)

205

Minority carrier transport in heavily doped silicon Транзисторы биполярные, , битр


J2/24380 Pan, Y. Minority carrier transport in heavily doped silicon [Text] : diss. / Y.Pan. - Delf : [s. n.], 1992. - VIII,139 p. p. - 30 р. Библиогр.:с.118-127ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

206

Microwave circuits on silicon substrates IEEE trans.on microwave theory & techniques 0 ^aСВЧ-схемы на кремниевой подложке Inst.of electrical & electronics eng. 0 ; СВЧ-схемы; кремниевая подложка 0 ; СВЧ-схемы; кремниевая подложка Библиогр.в конце ст 0 ; СВЧ-схемы; кремниевая подложка

Luy, J.-F.; Ponchak, G.E.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Microwave circuits on silicon substrates Выходные данные : New York: Inst.of electrical & electronics eng., 1998 Колич.характеристики :509-722 c: ил Серия: IEEE trans.on microwave theory & techniques, ISSN 0018-9480; Vol.46,N 5,pt 2 (spec.iss.) Примечания : ; Библиогр.в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; свч-схемы; кремниевая подложка Перейти к источнику в Интернете: Microwave circuits on silicon substrates Доп.точки доступа: Luy, J.-F.; Ponchak, G.E. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

207

Microstructure technology in silicon, quartz and diamond Acta Univ.Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss.from the Fac.of science a. technology 0 ^aТехнология микроструктуры в кремнии, кварце и алмазе. Дис. 0 ; кремний; кварц; алмазы; микроструктура 0 ; кремний; кварц; алмазы; микроструктура Библиогр.: с.35-37 0 ; кремний; кварц; алмазы; микроструктура


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Rangsten P. Заглавие : Microstructure technology in silicon, quartz and diamond : Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :37 c: ил Серия: Acta Univ.Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss.from the Fac.of science a. technology, ISSN 1104-232X; N 484 Примечания : ; Библиогр.: с.35-37 ISBN, Цена 91-554-4572-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.04 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; кварц; алмазы; микроструктура Перейти к источнику в Интернете: Microstructure technology in silicon, quartz and diamond SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

208

Micro-discharges of AC-coupled silicon strip sensors KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Ohsugi, T.; Iwata, Y.; Ohyama, H.; Ohmoto, T.

R/17226/93-129 Micro-discharges of AC-coupled silicon strip sensors [Text] : presented at the intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors,May 22-24 1993,Hiroshima / T.Ohsugi,Y.Iwata,H.Ohyama и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 17 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-129). - 100 р. Библиогр.:с.9-10ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ohsugi, T.; Iwata, Y.; Ohyama, H.; Ohmoto, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

209

Measurements and characterization of a hole trap in neutron-irradiated silicon Rapport кремний Кремний, Влияние ионизирующих излучений, , кр кремний


R/15656/96-07 Avset, B. S. Measurements and characterization of a hole trap in neutron-irradiated silicon [Text] : сборник / B.S.Avset. - Oslo : [s. n.], 1996. - 42 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 96-07). - 10000 р. Библиогр.:с.40-42ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:539.16 Рубрики: Кремний--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

210

Measurement of spatial resolution and charge collection in double sided double metal silicon microstrip detectors [Pubblicazione] INFN Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые, , деизиопо


R/5815/AE-95/10 Troncon, C. Measurement of spatial resolution and charge collection in double sided double metal silicon microstrip detectors [Text] : сборник / C.Troncon. - Roma : [s. n.], 1995. - 5 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-95/10). - 500 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

211

M (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-04

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

212

Light-induced monolayer modification of chlorinated silicon (111) surfaces studied with a scanning tunneling microscope Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aВызванная светом монослойная модификация (111) поверхностей хлорированного кремния, исследуемая с помощью растрового туннельного микроскопа Inst. for solid state physics 0 ; поверхность кремния; адсорбция 0 ; поверхность кремния; адсорбция Библиогр.: с.17 0 ; поверхность кремния; адсорбция

Komori, F.; Hattori, K.; Murata, Y.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Shudo K.-i., Komori F., Hattori K., Murata Y. Заглавие : Light-induced monolayer modification of chlorinated silicon (111) surfaces studied with a scanning tunneling microscope Выходные данные : Tokyo: Inst. for solid state physics, 1994 Колич.характеристики :26 c: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; N 2830 Примечания : ; Библиогр.: с.17 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.31.27 + ; 29.19.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; поверхность кремния; адсорбция Перейти к источнику в Интернете: Light-induced monolayer modification of chlorinated silicon (111) surfaces studied with a scanning tunneling microscope Доп.точки доступа: Komori, F.; Hattori, K.; Murata, Y. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

213

Light emission from silicon Journal of luminescence North-Holland кремний Кремний, Люминесценция, Съезды и конференции, , кр кремний

Vial, J.-C. ed.

V2346/Vol.57,N 1-6,1993 Light emission from silicon [Text] : papers from symp.,held in Strasbourg,1993 / ed. J. -C. Vial. - Amsterdam : North-Holland, 1993. - XII,358 p. p. : ill. - (Journal of luminescence, ISSN ISSN 0022-2313 ; vol.57,N 1-6,1993). - Б. ц. Библиогр.в конце статей.Указ.:с.351-354ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:535.37(063) Рубрики: Кремний--Люминесценция--Съезды и конференции Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Vial, J.-C. \ed.\ Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

214

Langevin molecular dynamics with quantum forces:application to silicon clusters UMSI research report Статистическая физика, , стфи

Chelikowsky, J.R.

R/17401/94/117 Binggeli, N. Langevin molecular dynamics with quantum forces:application to silicon clusters [Text] : монография / N.Binggeli,J.R.Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1994. - 20 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 94/117). - 100 р. Библиогр.:с.16-18ГРНТИ 29.17УДК 536.75 Рубрики: Статистическая физика Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Chelikowsky, J.R. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

215

LSI design and data-acquisition architecture for a silicon micro-vertex detector at the KEK B-factory KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Tanaka, M.; Ikeda, H.; Ikeda, M.; Inaba, S.

R/17226/93-67 LSI design and data-acquisition architecture for a silicon micro-vertex detector at the KEK B-factory [Text] : монография / M.Tanaka,H.Ikeda,M.Ikeda и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 15 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-67). - 10 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Tanaka, M.; Ikeda, H.; Ikeda, M.; Inaba, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

216

L (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-05

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

217

Kimura Shigeru (Машиностроение/Персоналии)


2006-02-16

Страна: Japan Адрес: 502, Kandatsu, Tsuchiura, Ibaraki, 300-0013, Japan Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организация: Hitachi Ltd., Mechanical Engineering Research Lab. …

VINITI Projects Database (Russian)

219

Junction and interstrip capacitance of silicon microstrip detectors [Pubblicazione] INFN полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Prest, M.; Zampa, N.

R/5815/TC-94/13a Bonvicini, V. Junction and interstrip capacitance of silicon microstrip detectors [Text] : монография / V.Bonvicini,M.Prest,N.Zampa. - Roma : [s. n.], 1994. - 7 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/13a). - 100 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Prest, M.; Zampa, N. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

221

Journal of inorganic and organometallic polymers Proceedings <


V4934/Vol.1,N 4,1991/2 "Advances in silicon-based polymer science",international topical workshop (2;1990;Hawaii). Proceedings [Text] / Ed.:J.M.Zeigler. - New York,London : Plenum press.2. - 1991. - 427-606 p. p. : ill. - (Journal of inorganic and organometallic polymers, ISSN ISSN 1053-0495 ; vol.1,N 4,1991). - Б. ц. Библиогр.в конце статейГРНТИ 31.25.15УДК 678.84(063) Рубрики: Полимеры кремнийорганические--Съезды и конференции Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

222

Journal of inorganic and organometallic polymers Proceedings <


V4934/Vol.1,N 3,1991/1 "Advances in silicon-based polymer science",international topical workshop (2;1990;Hawaii). Proceedings [Text] / Ed.:J.M.Zeigler. - New York,London : Plenum press.1. - 1991. - 245-426 p. p. : ill. - (Journal of inorganic and organometallic polymers, ISSN ISSN 1053-0495 ; vol.1,N 3,1991). - Б. ц. Библиогр.и конце статейГРНТИ 31.25.15УДК 678.84(063) Рубрики: Полимеры кремнийорганические--Съезды и конференции Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

223

Journal of computational and theoretical nanoscience (Металлургия/Ресурсы)


2006-02-19

Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название J …

VINITI Projects Database (Russian)

225

J (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

226

Investigation of silicon planar detectors for LHC project Препринт ^aInvestigation of silicon planar detectors for LHC project

Golutvin, I.; Rashevsky, A.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : Автор(ы) : Cheremukhin A., Golutvin I., Rashevsky A. Заглавие : Investigation of silicon planar detectors for LHC project Выходные данные : Dubna, 1994 Колич.характеристики :18 p.: il. Серия: Препринт; E13-94-247 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : 539.1.074.5(04) Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Investigation of silicon planar detectors for LHC project, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Golutvin, I.; Rashevsky, A. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

227

Investigation of silicon planar detectors for LHC project Препринт

Cheremukhin, A.; Golutvin, I.; Rashevsky, A.

Н/2509/E13-94-247 Investigation of silicon planar detectors for LHC project [Text] : препринт / A.Cheremukhin,I.Golutvin,A.Rashevsky и др. - Dubna, 1994. - 18 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; E13-94-247). - 370 экз. - 300 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5(04) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Cheremukhin, A.; Golutvin, I.; Rashevsky, A. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

228

Intrinsic point defects, impurities and their diffusion in silicon Computational microelectronics 0 ^aСобственные точечные дефекты, примеси и их диффузия в кремнии Springer 0 ; точечные дефекты; примеси; кремний 0 ; точечные дефекты; примеси; кремний Библиогр. в конце гл.- Указ.: с.543-554 0 ; точечные дефекты; примеси; кремний


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Pichler P. Заглавие : Intrinsic point defects, impurities and their diffusion in silicon Выходные данные : Wien: Springer; New York, 2004 Колич.характеристики :XXI, 554 c: ил Серия: Computational microelectronics Примечания : ; Библиогр. в конце гл.- Указ.: с.543-554 ISBN, Цена 3-211-20687-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.11 + ; 47.09.29 + ; 29.19.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; точечные дефекты; примеси; кремний Перейти к источнику в Интернете: Intrinsic point defects, impurities and their diffusion in silicon SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

230

International Organization for Standardization (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


2006-04-17

ТипорганизацияПолное название (официальное)International Organization for Standardization - Международная организация по стандартизацииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация международная деяте …

VINITI Projects Database (Russian)

232

Integrated silicon flow sensors 0 ^aИнтегрированные кремниевые датчики потока:Дис 0 ; кремниевые датчики Загл., рез. англ., нидерл. -Библиогр.: с. 169-177 0 ; кремниевые датчики


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Oudheusden B.V.van Заглавие : Integrated silicon flow sensors : Diss Выходные данные : Delft, 1989 Колич.характеристики :XIV, 184 с: ил Примечания : ; Загл., рез. англ., нидерл. -Библиогр.: с. 169-177 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 59.37.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые датчики Перейти к источнику в Интернете: Integrated silicon flow sensors SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

233

Integrated silicon flip-flop sensors 0 ^aКремниевые триггерные датчики, выполненные по интегральной технологии:Дис 0 ; кремниевые триггерные датчики Библиогр. в конце гл 0 ; кремниевые триггерные датчики


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Lian W. Заглавие : Integrated silicon flip-flop sensors : Diss Выходные данные : Delft, 1989 Колич.характеристики :125 с: ил Примечания : ; Библиогр. в конце гл Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.37 + ; 50.09.37 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые триггерные датчики Перейти к источнику в Интернете: Integrated silicon flip-flop sensors, Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

234

Integrated silicon colour sensors 0 ^aКремниевые датчики с избирательной спектральной чувствительностью в интегральном исполнении:Дис. 0 ; кремниевые датчики; спектральная чувствительность Рез. гол.-Библиогр. в конце гл 0 ; кремниевые датчики; спектральная чувствительность


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Wolffenbuttel R.F. Заглавие : Integrated silicon colour sensors : Diss. Выходные данные : Delft, 1988 Колич.характеристики :II, 108 с: ил Примечания : ; Рез. гол.-Библиогр. в конце гл Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.37 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые датчики; спектральная чувствительность Перейти к источнику в Интернете: Integrated silicon colour sensors SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

235

Instabilities in silicon devices 0 ^aНеустойчивость кремниевых устройств:Пассирование кремния и неустойчивость структур МОП (металл-окисел-полупроводник) North-Holland 0 ; кремний; пассирование; структура 0 ; неустойчивость; металл-окисел-полупроводник Библиогр. в конце гл.-Авт., предм. указ. к Т. 1: с. 503-517 0 ; кремний; пассирование; структура 0 ; неустойчивость; металл-окисел-полупроводник

Barbottin, G. .; Vapaille, A. .

Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Instabilities in silicon devices : Silicon passivation and related instabilities Выходные данные : Amsterdam: North-Holland, 1986 Колич.характеристики :24, 517 с.: ил. Примечания : ; Библиогр. в конце гл.-Авт., предм. указ. к Т. 1: с. 503-517 ISBN, Цена 0-444-87944-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09 + ; 29.19.31 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; пассирование; структура--0 ; неустойчивость; металл-окисел-полупроводник Перейти к источнику в Интернете: Instabilities in silicon devices, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Barbottin, G. \.\; Vapaille, A. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

236

Influence of the leakage current on the performance of large area silicon drift detectors [Pubblicazione] INFN ; Пропорциональные камеры

Rashevsky, A.; Nouais, D.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Piemonte C., Rashevsky A., Nouais D. Заглавие : Influence of the leakage current on the performance of large area silicon drift detectors Выходные данные : Roma, 2000 Колич.характеристики :18 p.: ill Серия: [Pubblicazione] INFN/ Istituto nazionale di fisica nucleare(Roma); TC-00/04 Примечания : ; Библиогр.:с.18 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Предметные рубрики: Пропорциональные камеры Перейти к источнику в Интернете: Influence of the leakage current on the performance of large area silicon drift detectors Доп.точки доступа: Rashevsky, A.; Nouais, D. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

238

Hydrogenated amorphus and microcrystalline silicon deposited from silane-hydrogen mixtures 0 ^aГидрогенезированный аморфный и микрокристаллический кремний, осажденный из силано-водородных смесей:Дис 0 ; гидрогенезированный аморфный микрокристаллический кремний; силано-водородные смеси Библиогр. в конце гл 0 ; гидрогенезированный аморфный микрокристаллический кремний; силано-водородные смеси


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Oort R.C.van Заглавие : Hydrogenated amorphus and microcrystalline silicon deposited from silane-hydrogen mixtures : Diss Выходные данные : Delft, 1989 Колич.характеристики :120 с: ил Примечания : ; Библиогр. в конце гл Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; гидрогенезированный аморфный микрокристаллический кремний; силано-водородные смеси Перейти к источнику в Интернете: Hydrogenated amorphus and microcrystalline silicon deposited from silane-hydrogen mixtures SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

239

Hydrogen incorporation and radiation induced dynamics in metal-oxide silicon structures Berichte Полупроводниковые приборы, Влияние ионизирующих излучений, , попр


R/3812/B 509 Briere, M. A. Hydrogen incorporation and radiation induced dynamics in metal-oxide silicon structures [Text] : a study using nuclear reaction analysis:Diss. / M.A.Briere. - Berlin : [s. n.], 1993. - 90 p. : ill. - (Berichte / Hahn-Meitner-Inst., ISSN 1431-4940 ; b 509). - 150 р. Рез.нем.Библиогр.:с.60-68ГРНТИ 47.33УДК 621.382:539.16(043) Рубрики: Полупроводниковые приборы--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-104870 SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

240

Humboldt-University. Charite: Surgical Robotics and Navigation (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Surgical robotics ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Berlin, Deutschland www.ukrv.de/rv/mkg/sr (www.ukrv.de/rv/mkg/sr) …

VINITI Projects Database (Russian)

241

Hitachi Seisakusho Ltd. Robotics,Aerospace Development and Environmental Protection (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: хозяйственная Профиль деятельности: Mechatronics, Control, Vision ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo, Japan www.hitachi.co.jp (www.hitachi.co.jp) …

VINITI Projects Database (Russian)

242

Heterostructures on silicon NATO ASI ser. Ser.E:Appl.sciences 0 ^aГетероструктуры на кремнии. Перспективы, связанные с использованием кремния. Труды Семинара по перспективным исследованиям НАТО, Карджезе,Корсика,Франция,1988 Kluwer acad.publ. 0 ; кремний; гетероструктуры 0 ; кремний; гетероструктуры Библиогр. в конце докл.-Указ.:с.359-362 0 ; кремний; гетероструктуры

Nissim, Y.I.; Rosencher, E.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Heterostructures on silicon : One step further with silicon: Proc.of the NATO Advanced research workshop on heterostructures on silicon..., Cargese,Corsica,France, May 15-20,1988 Выходные данные : Dordrecht etc: Kluwer acad.publ., 1989 Колич.характеристики :XIII,362 c: ил Серия: NATO ASI ser. Ser.E:Appl.sciences; Vol.160 Примечания : ; Библиогр. в конце докл.-Указ.:с.359-362 ISBN, Цена 0-7923-0124-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 + ; 29.19.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; гетероструктуры Перейти к источнику в Интернете: Heterostructures on silicon Доп.точки доступа: Nissim, Y.I.; Rosencher, E. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

243

Heteroepitaxy on silicon Symposia proceedings 0 ^aГетероэпитаксия на кремнии:Труды симпоз. Пало Альто (Калифорния), 1986 Materials research society(Boston) Materials research soc. 0 ; гетероэпитаксия на кремнии Библиогр. в конце ст.-Указ.: с. 269-273 0 ; гетероэпитаксия на кремнии

Fan, J.C.C. .; Poate, J.M. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Heteroepitaxy on silicon : Symp. Apr. 16-18, 1986, Palo Alto (Ca) Выходные данные : Pittsburg (Pa): Materials research soc., 1986 Колич.характеристики :XXII, 273 с: ил Коллективы : Materials research society(Boston) Серия: Symposia proceedings/ Materials reserach soc., ISSN 02729172;Vol.67 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с. 269-273 ISBN, Цена 0-931837-33-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 45.09.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; гетероэпитаксия на кремнии Перейти к источнику в Интернете: Heteroepitaxy on silicon Доп.точки доступа: Fan, J.C.C. \.\; Poate, J.M. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

244

Heteroepitaxy on silicon Materials research soc. symp. proc. 0 ^aТеоретические основы и структуры гетероэпитаксиальных пленок на кремнии и приборов на их основе. Материалы Международного симпозиума. Рино (штат Невада, США), 1988 г. Materials research soc. Указ.-Библиогр. в конце докл.

Choi, Hong .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Heteroepitaxy on silicon : Fundamentals, structure, a. devices,Symp., held Apr. 5-8, 1988, Reno, Nevada, USA Выходные данные : Pittsburgh (Pa.): Materials research soc., 1988 Колич.характеристики :XV, 541 с.: ил.; 24 см. Серия: Materials research soc. symp. proc., ISSN 0272-9172 Примечания : ; Указ.-Библиогр. в конце докл. ISBN, Цена 0-931837-86-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 Перейти к источнику в Интернете: Heteroepitaxy on silicon Доп.точки доступа: Choi, Hong \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

245

Handbook of silicon semiconductor metrology 0 ^aСправочник по метрологии кремниевых полупроводниковых материалов. DekkerCop. 2001 Указ. : c. 869-874

Diebold, Alain C .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Handbook of silicon semiconductor metrology Выходные данные : New York; Basel: DekkerCop. 2001,Б.г. Колич.характеристики :XVI, 874 c.: ил., табл Примечания : ; Библиогр. в конце глав. - ; Указ. : c. 869-874 ISBN, Цена 0-8247-0506-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 90.27 + ; 47.09.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Handbook of silicon semiconductor metrology Доп.точки доступа: Diebold, Alain C \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

246

H (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

247

Global partnerchip for systems on silicon Полупроводниковые приборы, , попр


J2/26247 Global partnerchip for systems on silicon [Text] : сборник научных трудов / Siemens AG. - S.l. : [s. n.], S. a. - 18 p. : ill. - 1000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382 Рубрики: Полупроводниковые приборы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

248

German Aerospace Center. Institute of Robotics and Mechatronics (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Mechatronics, Control, Learning, Man-Machine interfaces, Telerobotics, Vision, Medicine Сокр. название: DLR ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника …

VINITI Projects Database (Russian)

249

GeneNetWorks™ (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Ресурсы)


2006-02-16

Типбаза данныхНазваниеGeneNetWorks™ОписаниеIntegrated system GeneNetWorks™ is designed for accumulation of experimental data, data navigation, data analysis, and analysis of dependencies in the field …

VINITI Projects Database (Russian)

251

Fundamental studies on the prediction of degradation of amorphous silicon solar cells Researches Солнечные батареи кремниевые, Надежность, , бакрсо

Nakahara, K.; Nakamura, K.

R/1872/958 Nakazawa, S. Fundamental studies on the prediction of degradation of amorphous silicon solar cells [Text] : монография / S.Nakazawa,K.Nakahara,K.Nakamura. - Tsukuba : [s. n.], 1994. - 48 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; n958). - 50 р. Текст яп.ГРНТИ 44.41.35УДК 621.383.51.019.3 Рубрики: Солнечные батареи кремниевые--Надежность Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Nakahara, K.; Nakamura, K. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

252

Fraunhofer-Institute for Factory Operation and Automation Main Department Automation (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Sensor based robotics control (Vision, Stereo image processing, Tactile), Manipulation, Service robotics (walking robots, facade Сокр. название: FhG I …

VINITI Projects Database (Russian)

253

Fracture toughness of silicon and thin film micro-structures by wedge indentation UMSI research report пленочная микроэлектроника Пленочная микроэлектроника, , мипл пленочная микроэлектроника

Boer, M.P.de; He Huang; Nelson, J.C.; Jiang, Z.P.

R/17401/95/259 Fracture toughness of silicon and thin film micro-structures by wedge indentation [Text] : сборник научных трудов / M.P.de Boer,He Huang,J.C.Nelson и др. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1995. - Var.pag. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 95/259). - 1000 р. Библиогр.в конце книгиГРНТИ 47.33.37УДК 621.3.049.76-416 Рубрики: Пленочная микроэлектроника Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Boer, M.P.de ; He Huang; Nelson, J.C.; Jiang, Z.P. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

255

FirstBots Home (Машиностроение/Ресурсы)


2006-04-13

Тип2НазваниеFirstBots HomeОписаниеFeaturing the simple mobile robot that most hobbyists can build in a weekend. Also containe links to uzer groups, publications, suppliers and other robotics topics.Кл …

VINITI Projects Database (Russian)

256

First principles simulation of liquid silicon using langevin dynamics with quantum interatomic forces UMSI research report Кремний, , кр

Troullier, N.; Binggeli, N.

R/17401/93/129 Chelikowsky, J. R. First principles simulation of liquid silicon using langevin dynamics with quantum interatomic forces [Text] : сборник научных трудов / J.R.Chelikowsky,N.Troullier,N.Binggeli. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1993. - 15 p.,6 l. p.,6 l. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 93/129). - 10 р. Библиогр.:с.12-13ГРНТИ 31.17.15УДК 546.28-14 Рубрики: Кремний Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Troullier, N.; Binggeli, N. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

257

First observation of thermal runaway in the radiation damaged silicon detector KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, Влияние ионизирующих излучений, , деизиопо полупроводниковый детектор

Kohriki, T.; Kondo, T.; Iwasaki, H.; Terada, S.

R/17226/95-157 First observation of thermal runaway in the radiation damaged silicon detector [Text] : сборник научных трудов / T.Kohriki,T.Kondo,H.Iwasaki и др. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 3 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-157). - 1000 р. Библиогр.:с.3ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Kohriki, T.; Kondo, T.; Iwasaki, H.; Terada, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

258

Fast neutron damage of silicon pin photodiodes Rep.:Inst. fizyki i techniki jadrowej AGH Рез. англ., пол., рус.-Библиогр.: с. 26

Kazimierz, Korbel; Skoczen, Andrzej

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Dabrowski, Wladyslaw, Kazimierz, Korbel, Skoczen, Andrzej Заглавие : Fast neutron damage of silicon pin photodiodes Выходные данные : Krakow, 1990 Колич.характеристики :26 с.: ил.; 21 см Серия: Rep.:Inst. fizyki i techniki jadrowej AGH, ISSN 0302-9034 Примечания : ; Рез. англ., пол., рус.-Библиогр.: с. 26 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Перейти к источнику в Интернете: Fast neutron damage of silicon pin photodiodes Доп.точки доступа: Kazimierz, Korbel; Skoczen, Andrzej SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

259

Fabrication of a double-sided silicon microstrip detector with an ONO capacitor dielectric film KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, Производство, , деизиопо полупроводниковый детектор

Saitoh, Y.; Akamine, T.; Inoue, M.; Yamanaka, J.

R/17226/95-147 Fabrication of a double-sided silicon microstrip detector with an ONO capacitor dielectric film [Text] : сборник научных трудов / Y.Saitoh,T.Akamine,M.Inoue и др. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 6 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-147). - 1000 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5.002 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Akamine, T.; Inoue, M.; Yamanaka, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

260

F (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

261

Exchange of phosphorus and silicon over the sediment-water interface during positive redox-turnover Chem. communications / Univ. of Stockholm 0 ^aОбмен фосфора и кремния над поверхностью раздела осадок - вода в период позитивного окислительно-восстановительного обмена 0 ; фосфор; кремний; поверхность раздела; осадок-вода 0 ; фосфор; кремний; поверхность раздела; осадок-вода Библиогр.: с.42-44 0 ; фосфор; кремний; поверхность раздела; осадок-вода


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Gunnars A. Заглавие : Exchange of phosphorus and silicon over the sediment-water interface during positive redox-turnover : The role of iron and manganese Выходные данные : Stockholm, 1990 Колич.характеристики :4, 51 c: ил Серия: Chem. communications / Univ. of Stockholm, ISSN 0366-5607; 1990, N 4 Примечания : ; Библиогр.: с.42-44 ISBN, Цена 91-7540-087-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.35.33 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; фосфор; кремний; поверхность раздела; осадок-вода Перейти к источнику в Интернете: Exchange of phosphorus and silicon over the sediment-water interface during positive redox-turnover SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

262

Evaluation of double sided, AC-coupled, double metal silicon strip detectors for H1 hera Progress report Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Pitzl, D.; Eichler, R.; Erdmann, W.; Gabathuler, K.

R/17568/93-4 Evaluation of double sided, AC-coupled, double metal silicon strip detectors for H1 hera [Text] : сборник научных трудов / D.Pitzl,R.Eichler,W.Erdmann и др. - Zurich : [s. n.], 1993. - 13 p. : ill. - (Progress report / ETHZ-ITP ; 93-4). - 100 р. Библиогр.:с.13ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Pitzl, D.; Eichler, R.; Erdmann, W.; Gabathuler, K. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

263

European Cooperation in Legal Metrology (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


2006-04-17

ТипОрганизацияПолное название (официальное)European Cooperation in Legal Metrology - Европейское сотрудничество в области законодательной метрологииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация междун …

VINITI Projects Database (Russian)

264

European Committee for Standardization - Европейский Комитет по стандартизации (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


2006-04-17

ТипОрганизацияПолное название (официальное)European Committee for Standardization - Европейский Комитет по стандартизацииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация международная деятельностьСокращё …

VINITI Projects Database (Russian)

268

Element depth profiles of porous silicon Сообщение обьединного института ядерных исследований

Nikonov, O.A.; Kulik, M.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Kobzev A.P., Nikonov O.A., Kulik M. Заглавие : Element depth profiles of porous silicon . -Препринт Выходные данные : Dubna, 1997 Колич.характеристики :4 p.: il. Серия: Сообщение обьединного института ядерных исследований; Е14-97-184 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 + ; 31.19.15 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Element depth profiles of porous silicon, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Nikonov, O.A.; Kulik, M. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

270

Electronic structure and supercondicting gap of silicon clathrate Ba8Si46 studied with ultrahigh-resolution photoemission spectroscopy Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aЭлектронная структура и сверхпроводящая щель в клатрате кремния Ba8Si46, исследуемые методом фотоэмиссионной спектроскопии со сверхвысоким разрешением. Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Fukushima, A.; Kiss, T.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Yokoya T., Fukushima A., Kiss T. Заглавие : Electronic structure and supercondicting gap of silicon clathrate Ba8Si46 studied with ultrahigh-resolution photoemission spectroscopy Выходные данные : Chiba: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 2001 Колич.характеристики :4 с.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3619 Примечания : ; Библиогр. : с. 3 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Electronic structure and supercondicting gap of silicon clathrate Ba8Si46 studied with ultrahigh-resolution photoemission spectroscopy Доп.точки доступа: Fukushima, A.; Kiss, T. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

271

Electromagnetic noise studies in a silicon strip detector,used as part of a luminosity monitor at LEP Rapport полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деиопо полупроводниковый детектор

Tafjord, H.; Buran, T.

R/15656/94-23 Odegaard, T. Electromagnetic noise studies in a silicon strip detector,used as part of a luminosity monitor at LEP [Text] : сборник / T.Odegaard,H.Tafjord,T.Buran. - Oslo : [s. n.], 1994. - 8 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 94-23). - 300 р. Библиогр.:с.8ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Tafjord, H.; Buran, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

272

Electrochemical reduction of structurally related pyridyl-,imidazolyl-sulfoxides and sulfides at the mercury electrode Acta univers.upsaliensis.Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the faculty of science 0 ^aЭлектрохимическое восстановление структурно связанных пиридил-,имидазолил-сульфоксидов и сульфидов на ртутном электроде


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : WendsJo S Заглавие : Electrochemical reduction of structurally related pyridyl-,imidazolyl-sulfoxides and sulfides at the mercury electrode Выходные данные : Uppsala, 1986 Колич.характеристики :51 с Серия: Acta univers.upsaliensis.Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the faculty of science; N 55 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.15.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Electrochemical reduction of structurally related pyridyl-,imidazolyl-sulfoxides and sulfides at the mercury electrode SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

273

Electrochemical reduction of structurally related pyridyl imidazolyl sulfoxides and sulfides at the mercury electrode Acta Univ. upsaliensis.Comprehensive summaries of Uppsala diss. from the fac. of science


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : WendsJo, Stig Заглавие : Electrochemical reduction of structurally related pyridyl imidazolyl sulfoxides and sulfides at the mercury electrode Выходные данные : Б.м.,Б.г. Колич.характеристики :51 p.: ill. Серия: Acta Univ. upsaliensis.Comprehensive summaries of Uppsala diss. from the fac. of science, ISSN 02827468;NN 55;55 ISBN, Цена 91-554-4913-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.15 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Electrochemical reduction of structurally related pyridyl imidazolyl sulfoxides and sulfides at the mercury electrode SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

274

Electrical properties of polycrystalline silicon Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology 0 ^aЭлектрические свойства поликремния.Дис. 0 ; электрические свойства поликремния 0 ; электрические свойства поликремния Библиогр.:с.44-49 0 ; электрические свойства поликремния


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Rydberg M. Заглавие : Electrical properties of polycrystalline silicon : Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :49 с: ил Серия: Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 497 Примечания : ; Библиогр.:с.44-49 ISBN, Цена 91-554-4616-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.23 + ; 29.19.31 + ; 45.09.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; электрические свойства поликремния Перейти к источнику в Интернете: Electrical properties of polycrystalline silicon SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

275

Effect of iron and silicon in aluminium and its alloys Key engineering materials;N44-45 0 ^aВлияние железа и кремния в алюминии и его сплавах:Труды межд. семинара, Балатонфюред, 1989 Trans tech. publ 0 ; железо; кремний; алюминий Библиогр. в конце ст.-Указ. в конце кн 0 ; железо; кремний; алюминий


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Effect of iron and silicon in aluminium and its alloys : Proc. of the Intern. workshop, Balatonfured, May 1989 Выходные данные : Zurich etc: Trans tech. publ, 1990 Колич.характеристики :371 с: ил Серия: Key engineering materials;N44-45 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ. в конце кн ISBN, Цена 0-87849-605-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 53.49.15 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; железо; кремний; алюминий Перейти к источнику в Интернете: Effect of iron and silicon in aluminium and its alloys, Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

276

ESD in silicon integrated circuits 0 ^aЭлектростатический разряд в интегральных кремниевых схемах. WileyCop. 2002

Duvvury, Charvaka; Anderson, W.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Amerasekera, Ajith, Duvvury, Charvaka, Anderson W. Заглавие : ESD in silicon integrated circuits . -2d ed Выходные данные : Chichester (W.Sx.): WileyCop. 2002,Б.г. Колич.характеристики :X, 412 c.: ил Примечания : ; Указ. : 401-412; Библиогр. в конце глав ISBN, Цена 0-471-49871-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: ESD in silicon integrated circuits Доп.точки доступа: Duvvury, Charvaka; Anderson, W. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

278

Dynamical percolation model of conductance fluctuations in hydrogenated amorphous silicon UMSI research report Кремний, Флуктуации, , кр

Kakalios, J.

R/17401/94/253 Lust, L. M. Dynamical percolation model of conductance fluctuations in hydrogenated amorphous silicon [Text] : сборник / L.M.Lust,J.Kakalios. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1994. - 13 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 94/253). - 200 р. Библиогр.:с.8-9ГРНТИ 47.09.29УДК 621.315.592.3 Рубрики: Кремний--Флуктуации Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Kakalios, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

279

Double-sided microstrip sensor for the barrel of the SDC silicon tracker KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Ohsugi, T.; Iwata, Y.; Ohyama, H.; Ohmoto, T.

R/17226/93-128 Double-sided microstrip sensor for the barrel of the SDC silicon tracker [Text] : presented at the intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors May 22-24 1993,Hiroshima / T.Ohsugi,Y.Iwata,H.Ohyama и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 18 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-128). - 100 р. Библиогр.:с.10-11ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ohsugi, T.; Iwata, Y.; Ohyama, H.; Ohmoto, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

280

Dose characteristics of high-energy neutrons for radiation damage evaluation of silicon semiconductor devices Препринт полупроводниковый прибор; влияние; ионизирующее излучение Полупроводниковые приборы, Влияние ионизирующих излучений, , попр полупроводниковый прибор; влияние; ионизирующее излучение

Alekseev, F.G.; Savitskaya, E.N.; Kharlampiev, S.A.; Kurochkin, I.A.

Н/7868/IHEP-94-65 Dose characteristics of high-energy neutrons for radiation damage evaluation of silicon semiconductor devices [Text] : препринт / F.G.Alekseev,E.N.Savitskaya,S.A.Kharlampiev,I.A.Kurochkin. - Protvino, 1994. - 14 p. : il. - (Препринт / Институт физики высоких энергий(Серпухов) ; IHEP-94-65). - 240 экз. - Б. ц.ГРНТИ 47.33УДК 621.382:539.16(04) Рубрики: Полупроводниковые приборы--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Alekseev, F.G.; Savitskaya, E.N.; Kharlampiev, S.A.; Kurochkin, I.A. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

281

Digest of papers of the 2001 topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in RF systems,12-14 Sept. 2001, Ann Arbor(Mi), USA IEEE publications IEEE Topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in RF systems ; Интегральные схемы СВЧ

Ponchak, G.E.; Topical meeting on

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Digest of papers of the 2001 topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in RF systems,12-14 Sept. 2001, Ann Arbor(Mi), USA Выходные данные : Piscataway(NJ): IEEE, 2001 Колич.характеристики :X,236 p.: ill. Коллективы : Topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in RF systems Серия: IEEE publications/ Institute of electrical and electronics engineers(New York), ISSN 0149-144X; 01EX496 Примечания : ; Библиогр. в конце ст. ISBN, Цена 0-7803-7129-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 УДК : Предметные рубрики: Интегральные схемы СВЧ Перейти к источнику в Интернете: Digest of papers of the 2001 topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in RF systems,12-14 Sept. 2001, Ann Arbor(Mi), USA Доп.точки доступа: Ponchak, G.E.; Topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in RF systems SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

282

Dielectric properties of ion implanted silicon layers Препринт Кремний, Диэлектрические свойства, , кр

Zukowski, P.; Partyka, J.; Wegierek, P.

Н/2509/Е14-96-245 Dielectric properties of ion implanted silicon layers [Text] : препринт / P.Zukowski,J.Partyka,P.Wegierek и др. - Dubna, 1996. - 6 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е14-96-245). - 300 экз. - 1248 р.ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:537.226(04) Рубрики: Кремний--Диэлектрические свойства Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Zukowski, P.; Partyka, J.; Wegierek, P. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

283

Device physics and photo-induced changes in amorphous silicon solar cells Researches of the Electrotechnical Laboratory 0 ^aФизика устройств и фотонаведенные переходы в солнечных элементах на аморфном кремнии Denshi Gijutsu Sogo Kenkyujo 0 ; солнечные элементы Текст яп.-Рез. англ.-Библиогр.: с.144-157 и 182-185 0 ; солнечные элементы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sakata I. Заглавие : Device physics and photo-induced changes in amorphous silicon solar cells Выходные данные : Tokyo: Denshi Gijutsu Sogo Kenkyujo, 1988 Колич.характеристики :185, 7 с: ил Серия: Researches of the Electrotechnical Laboratory, ISSN 03669106;N898 Примечания : ; Текст яп.-Рез. англ.-Библиогр.: с.144-157 и 182-185 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.33 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; солнечные элементы Перейти к источнику в Интернете: Device physics and photo-induced changes in amorphous silicon solar cells, Перейти к источнику в Интернете:  SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

284

Development of novel fabrication techniques for a silicon micro-Vertex detector unit using the flip-chip bonding method KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, Производство, , деизиопо

Saitoh, Y.; Takeuchi, H.; Mandai, M.; Koseki, O.

R/17226/93-165 Development of novel fabrication techniques for a silicon micro-Vertex detector unit using the flip-chip bonding method [Text] : submitted to the IEEE transaction on nuclear sci.symp.,Nov.2-6,1993,San Francisco(Ca) / Y.Saitoh,H.Takeuchi,M.Mandai и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 5 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-165). - 100 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5.002 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Takeuchi, H.; Mandai, M.; Koseki, O. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

285

Development of novel architecture and assembly techniques for a detector unit for a silicon micro-vertex detector using the flip-chip bonding method KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые, , деизиопо

Saitoh, Y.; Yamanaka, J.; Suzuki, H.; Miyahara, S.

R/17226/92-171 Development of novel architecture and assembly techniques for a detector unit for a silicon micro-vertex detector using the flip-chip bonding method [Text] : сборник научных трудов / Y.Saitoh,J.Yamanaka,H.Suzuki и др. - Tsukuba : [s. n.], 1992. - 5 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 92-171). - 10 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Yamanaka, J.; Suzuki, H.; Miyahara, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

286

Development of new assembly techniques for a silicon micro-vertex detector unit using the flip-chip bonding method KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений,полупроводниковые, , деизиопо

Saitoh, Y.; Takeuchi, H.; Mandai, M.; Kanazawa, H.

R/17226/93-60 Development of new assembly techniques for a silicon micro-vertex detector unit using the flip-chip bonding method [Text] : монография / Y.Saitoh,H.Takeuchi,M.Mandai и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 17 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-60). - 10 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений,полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Takeuchi, H.; Mandai, M.; Kanazawa, H. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

287

Determination of the void fraction in hydrogenated amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon carbon Rappori tecnici FARE 0 ^aОпределение пустотных фракций в гидрогенированных аморфных кремнии и кремнистом углероде 0 ; пустотная фракция; гидрогенированный аморфный кремний; гидрогенированный кремнистый углерод Рез. ит.-Библиогр.: с. 11 0 ; пустотная фракция; гидрогенированный аморфный кремний; гидрогенированный кремнистый углерод


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Menna P. Заглавие : Determination of the void fraction in hydrogenated amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon carbon Выходные данные : Roma, 1988 Колич.характеристики :11 с: ил Серия: Rappori tecnici FARE/ Com. naz. per la ricerca e per lo sviluppo dell'energia nucleare e delle energie alternative, ISSN 03936279;N88/15 Примечания : ; Рез. ит.-Библиогр.: с. 11 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.09.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; пустотная фракция; гидрогенированный аморфный кремний; гидрогенированный кремнистый углерод Перейти к источнику в Интернете: Determination of the void fraction in hydrogenated amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon carbon SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

288

Design study of CMOS VLSI for KEK B-factory silicon micro-vertex detector KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Ikeda, H.; Fujita, Y.; Ikeda, M.; Inaba, S.

R/17226/92-135 Design study of CMOS VLSI for KEK B-factory silicon micro-vertex detector [Text] : сборник научных трудов / H.Ikeda,Y.Fujita,M.Ikeda и др. - Tsukuba : [s. n.], 1992. - 30 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; n92-135). - 5 р. Библиогр.:с. 16ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ikeda, H.; Fujita, Y.; Ikeda, M.; Inaba, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

289

Data scanner system of the BELLE silicon vertex detector KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Fukunaga, C.; Korhonen, T.; Tanaka, M.; Ikeda, H.

R/17226/95-60 Data scanner system of the BELLE silicon vertex detector [Text] : сборник научных трудов / C.Fukunaga,T.Korhonen,M.Tanaka,H.Ikeda. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 5 p. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-60). - 1000 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fukunaga, C.; Korhonen, T.; Tanaka, M.; Ikeda, H. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

291

Darmstadt University of Technology. Control Engineering an Process Automation (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Control, Manufacturing, Workpiece machining with robots with fuzzy-neuro methods ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Darmstadt, Deutschland …

VINITI Projects Database (Russian)

292

Damage formation in silicon irradiated by heavy ions with energy more than 1 MeV/a.m.u. Препринт

Дидык, А.Ю.; Didyk A.Yu.; Adawi V.A.

Н/2509/E14-94-334 Adawi, M. A. Damage formation in silicon irradiated by heavy ions with energy more than 1 MeV/a.m.u. [Text] : препринт / M.A.Adawi,А.Ю.Дидык. - Dubna, 1994. - 11 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; E14-94-334). - 300 экз. - 196 р.ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:539.16(04) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Дидык, А.Ю.; Didyk A.Yu.; Adawi V.A. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

294

D (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

295

Crystal orientation of silver films on silicon surfaces revealed by surface X-ray diffraction Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aОриентация кристаллов в серебряных пленках на поверхности кремния, продемонстрированная методом рентгеновской дифракции. Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Akimoto, K.; Horii, S.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Hata A., Akimoto K., Horii S. Заглавие : Crystal orientation of silver films on silicon surfaces revealed by surface X-ray diffraction Выходные данные : Chiba: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 2003 Колич.характеристики :4 с.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3695 Примечания : ; Библиогр. : с. 3 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.19 + ; 29.19.16 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Crystal orientation of silver films on silicon surfaces revealed by surface X-ray diffraction Доп.точки доступа: Akimoto, K.; Horii, S. SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

296

Cosmic ray antiproton/electron discrimination capability of the CAPRICE silicon-tungsten calorimeter using neural networks [Pubblicazione] INFN Калориметры в ядерной физике, , кафияд

Bellotti, R.; Boezio, M.; Castellano, M.; De Marzo, C.

R/5815/AE-96/17 Cosmic ray antiproton/electron discrimination capability of the CAPRICE silicon-tungsten calorimeter using neural networks [Text] : сборник научных трудов / R.Bellotti,M.Boezio,M.Castellano и др. - S.l. : [s. n.], 1996. - 12 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/17). - 2000 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 29.05.45УДК 537.591.08 Рубрики: Калориметры в ядерной физике Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Bellotti, R.; Boezio, M.; Castellano, M.; De Marzo, C. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

297

Cooling test and thermal simulation of silicon microstrip detector for high luminosity operation KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Kohriki, K.; Kondo, T.; Iwasaki, H.; Terada, S.

R/17226/94-186 Cooling test and thermal simulation of silicon microstrip detector for high luminosity operation [Text] : сборник научных трудов / K.Kohriki,T.Kondo,H.Iwasaki и др. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 6 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-186). - 100 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Kohriki, K.; Kondo, T.; Iwasaki, H.; Terada, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

298

Conductance fluctuations in doped hydrogenated amorphous silicon UMSI research report Кремний, Флуктуации, , кр

Lust, L.M.; Kakalios, J.

R/17401/93/184 Fan, J. Conductance fluctuations in doped hydrogenated amorphous silicon [Text] : монография / J.Fan,L.M.Lust,J.Kakalios. - Minneapolis,Mn : [s. n.], 1993. - 4 с. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 93/184). - 50 р. Библиогр.:с.4ГРНТИ 47.09.29УДК 621.315.592.3 Рубрики: Кремний--Флуктуации Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Lust, L.M.; Kakalios, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

299

Complex sulfides 0 ^aКомплексные сульфиды. Обработка руд, концентратов !и побочных продуктов. Труды симпоз., Сан-Диего, 1985 The metallurgical soc. Библиогр. в конце гл. Указ.: с.936-938

Zunkel, A.D.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Complex sulfides : Proc. of ores, concentrates and by-products: Proc. of a symp. held San Diego (Ca), Nov. 10-13, 1985 Выходные данные : Warrendale (Pa): The metallurgical soc., 1985 Колич.характеристики :14, 938 с Примечания : ; Библиогр. в конце гл. Указ.: с.936-938 ISBN, Цена 0-87339-006-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.31.29 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Complex sulfides Доп.точки доступа: Zunkel, A.D. SULFIDES$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

300

Communications components :GaAs & silicon products designer's catalog Hewlett-Packard аппаратура Аппаратура связи, Каталоги аппаратура


J2/26209 Communications components :GaAs & silicon products designer's catalog [Text]. - S.l. : Hewlett-Packard, 1993. - Pag.var. : ill. - 30000 р.ГРНТИ 49.13УДК 621.39:621.382(085) Рубрики: Аппаратура связи--Каталоги Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: фмз(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

301

Co (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2004-12-31

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

302

Charge-partitioning study of a wide-pitch silicon micro-strip detector with a 64-channel CMOS preamplifier array KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Ikeda, H.; Tsuboyama, T.; Okuno, S.; Saitoh, Y.

R/17226/95-137 Charge-partitioning study of a wide-pitch silicon micro-strip detector with a 64-channel CMOS preamplifier array [Text] : сборник научных трудов / H.Ikeda,T.Tsuboyama,S.Okuno и др. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 24 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-137). - 1000 р. Библиогр.:с.10ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ikeda, H.; Tsuboyama, T.; Okuno, S.; Saitoh, Y. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

303

Characterization of the wide-pitch ohmic-side readout for a silicon micro-strip detector KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Okuno, S.

R/17226/94-170 Ikeda, H. Characterization of the wide-pitch ohmic-side readout for a silicon micro-strip detector [Text] : сборник / H.Ikeda,S.Okuno. - Tsukuba : [s. n.], 1994. - 31 kol. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-170). - 100 р. Библиогр.:кол.17ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Okuno, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

304

Characterization of large series of double sides silicon microstrip detectors [Pubblicazione] INFN полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Fiandrini, E.

R/5815/AE-96/03 Caria, M. Characterization of large series of double sides silicon microstrip detectors [Text] : сборник / M.Caria,E.Fiandrini. - Roma : [s. n.], 1996. - 65 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/03). - 4000 р. Библиогр.:с.35-37ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fiandrini, E. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

305

Characterization of an irradiated double-sided silicon strip detector with fast binary readout electronics in a pion beam KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Unno, Y.; Kohriki, T.; Kondo, T.; Iwasaki, H.

R/17226/95-172 Characterization of an irradiated double-sided silicon strip detector with fast binary readout electronics in a pion beam [Text] : сборник научных трудов / Y.Unno,T.Kohriki,T.Kondo и др. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 5 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-172). - 1000 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Unno, Y.; Kohriki, T.; Kondo, T.; Iwasaki, H. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

306

Characterization of an ONO-stacked insulator film for a silicon micro-strip detector KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Okuno, S.; Ikeda, H.; Saitoh, Y.; Akamine, T.

R/17226/96-18 Characterization of an ONO-stacked insulator film for a silicon micro-strip detector [Text] : submitted to Nucl.Instrum.Methods,A / S.Okuno,H.Ikeda,Y.Saitoh и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 34 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-18). - 3000 р. Библиогр.:с.12-13ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Okuno, S.; Ikeda, H.; Saitoh, Y.; Akamine, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

307

Centre for Molecular and Nanoscale Electronics at the University of Durham (Химия/Организации)


2006-04-05

Типнаучный центрПолное название (официальное)Centre for Molecular and Nanoscale Electronics at the University of DurhamПрофиль деятельностиThe Centre consolidates and promotes relevant activities acro …

VINITI Projects Database (Russian)

308

Carbothermal preparation of nitrides and oxynitrides of aluminium and silicon in pressurized nitrogen Chemical communications Керамические материалы и изделия, нитридные, Производство, , изкемани


Q/3409/4,1995 Zheng, J. Carbothermal preparation of nitrides and oxynitrides of aluminium and silicon in pressurized nitrogen [Text] : diss. / J.Zheng. - Stockholm : [s. n.], 1995. - 86 p. : ill. - (Chemical communications / Stockholm univ., ISSN 0366-5607 ; n4,1995). - ISBN 91-7153-350-8 : 300 р. Библиогр.:с.74-80ГРНТИ 61.35.29УДК 666.762(043) Рубрики: Керамические материалы и изделия, нитридные--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

309

Capacitors integrated with a dielectric made of implanted silicon Препринт интегральная схема; производство полупроводниковый конденсатор; производство Интегральные схемы, Производство, , инсх Конденсаторы полупроводниковые, Производство, , копо интегральная схема; производство полупроводниковый конденсатор; производство

Zukowski, P.; Partyka, J.; Wegierek, P.; Maczka, T.

Н/2509/Е14-96-440 Capacitors integrated with a dielectric made of implanted silicon [Text] : препринт / P.Zukowski,J.Partyka,P.Wegierek,T.Maczka. - Dubna, 1996. - 6 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е14-96-440). - 300 экз. - 1248 р.ГРНТИ 47.33.3145.35УДК 621.3.049.77.002(04)621.319.4:621.382.002(04) Рубрики: Интегральные схемы--ПроизводствоКонденсаторы полупроводниковые--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Zukowski, P.; Partyka, J.; Wegierek, P.; Maczka, T. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

311

Camac battery power sulpply for silicon detectors [Pubblicazione] INFN Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Zampa, N.

R/5815/TC-94/10 Gregori, M. Camac battery power sulpply for silicon detectors [Text] : сборник / M.Gregori,N.Zampa. - Trieste : [s. n.], 1994. - 7 p. : 7 l.ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/10). - 50 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Zampa, N. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

313

Bundeswehr University München Intelligent Robots Laboratory (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Vision guided autonomous robots, Humanoid servant robots, Learning robots, Calibration-free manipulation and navigation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Тех …

VINITI Projects Database (Russian)

314

Bringing silicon microsystems to space Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology 0 ^aДоведение кремниевых микросистем до места. Производствл, характеристика и надежность 0 ; кремниевые микросистемы; производство; надежность 0 ; кремниевые микросистемы; производство; надежность Библиогр.: с.62-66 0 ; кремниевые микросистемы; производство; надежность


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Kohler J. Заглавие : Bringing silicon microsystems to space : Manufacture, performance, a. reliability: Diss. Выходные данные : Uppsla, 2001 Колич.характеристики :66 c: ил Серия: Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology, ISSN 1104-232X; N 678 Примечания : ; Библиогр.: с.62-66 ISBN, Цена 91-554-5196-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые микросистемы; производство; надежность Перейти к источнику в Интернете: Bringing silicon microsystems to space SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

315

Beam tests of a double-sided silicon strip detector with fast binary readout electronics before and after proton-irradiation KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Unno, Y.; Takahata, M.; Maeohmichi, H.; Hinode, F.

R/17226/96-7 Beam tests of a double-sided silicon strip detector with fast binary readout electronics before and after proton-irradiation [Text] : paper presented at the 2nd Intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors,Hiroshima,Oct.10-13,1995 / Y.Unno,M.Takahata,H.Maeohmichi и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 12 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-7). - 1000 р. Библиогр.:с.12ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Unno, Y.; Takahata, M.; Maeohmichi, H.; Hinode, F. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

316

Beam test of the SDC double-sided silicon strip detector KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо

Unno, Y.; Hinode, F.; Akagi, T.; Kohriki, T.

R/17226/93-127 Beam test of the SDC double-sided silicon strip detector [Text] : presented at the IEEE 1993 nuclear science symp.,Nov.2-6 1993,San Francisco(Ca) / Y.Unno,F.Hinode,T.Akagi и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 5 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-127). - 100 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Unno, Y.; Hinode, F.; Akagi, T.; Kohriki, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

318

Atomic and electronic structure of silicon clusters at finite temperature UMSI research report кремний Кремний, , кр кремний

Binggeli, N.

R/17401/95/267 Chelikowsky, J. R. Atomic and electronic structure of silicon clusters at finite temperature [Text] : сборник научных трудов / J.R.Chelikowsky,N.Binggeli. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1995. - Var.pag. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 95/267). - 1000 р. Библиогр.в конце книгиГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322 Рубрики: Кремний Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Binggeli, N. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

320

Amplitude analysis of highly ionizing particle signals registered with silicon radiation detector. Some remarks to anomalies 1 ; Элементарные частицы 1 ; Кремниевые детекторы 1 ; Элементарные частицы 1 ; Кремниевые детекторы ; Физика 1 ; Элементарные частицы 1 ; Кремниевые детекторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : . rugasnti. 29 Автор(ы) : Tsyganov Yu.S. Заглавие : Amplitude analysis of highly ionizing particle signals registered with silicon radiation detector. Some remarks to anomalies : preprint E13-2007-70 Выходные данные : JINR, 2007 Колич.характеристики :8 p. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29 УДК : Предметные рубрики: Физика Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 1 ; элементарные частицы--1 ; кремниевые детекторы Перейти к источнику в Интернете: Amplitude analysis of highly ionizing particle signals registered with silicon radiation detector. Some remarks to anomalies SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

321

Amorphous silicon-carbon and silicon-germanium alloys as optoelectronic materials Rozprawy monografie оптоэлектронный прибор Оптоэлектронные приборы, Материалы, , оппр оптоэлектронный прибор


R/17544/42 Pisarkiewicz, T. Amorphous silicon-carbon and silicon-germanium alloys as optoelectronic materials [Text] : сборник / T.Pisarkiewicz. - Krakow : [s. n.], 1996. - 155 p. : ill. - (Rozprawy monografie / Akad.gorniczo-hutnicza im.Stanislawa Staszica, ISSN 0867-6631 ; 42). - 2000 р. Библиогр.:с.143-155ГРНТИ 47.33.33УДК 621.383.002.3 Рубрики: Оптоэлектронные приборы--Материалы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

322

Amorphous silicon technology Materials research soc. symp. proc. 0 ^aТехнология аморфного кремния. Материалы симпозиума. Рино (США), 1988 г. Materials research soc. Указ.-Библиогр. в конце докл.

Madan, Arun .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Amorphous silicon technology : Symp. held Apr. 5-8, 1988, Reno, Nevada, USA Выходные данные : Pittsburgh (Pa): Materials research soc., 1988 Колич.характеристики :XVII, 718 с.: ил.; 24 см. Серия: Materials research soc. symp. proc., ISSN 0272-9172 Примечания : ; Указ.-Библиогр. в конце докл. ISBN, Цена 0-931837-88-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.31.47 Перейти к источнику в Интернете: Amorphous silicon technology Доп.точки доступа: Madan, Arun \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

323

Amorphous silicon semiconductors-pure and hydrogenated Symposia proceedings 0 ^aПолупроводники на базе аморфного кремния-чистого и гидрогенизированного:Труды симп., Анахейм, 1987 Materials research society(Boston) Materials research soc. 0 ; полупроводники Библиогр. в конце гл.-Указ.: с. 665-670 0 ; полупроводники

Madan, A. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Amorphous silicon semiconductors-pure and hydrogenated : Symp. held Apr. 21-24, 1987, Anaheim (Ca) Выходные данные : Pittsburg (Pa): Materials research soc., 1987 Колич.характеристики :XXIII, 670 с: ил Коллективы : Materials research society(Boston) Серия: Symposia proceedings/ Materials reserach soc., ISSN 02729172;N95 Примечания : ; Библиогр. в конце гл.-Указ.: с. 665-670 ISBN, Цена 0-931837-62-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 + ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полупроводники Перейти к источнику в Интернете: Amorphous silicon semiconductors-pure and hydrogenated Доп.точки доступа: Madan, A. \.\ SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

324

Amorphous silicon and related materials Advances in disordered semiconductors;Vol1;VolA 0 ^aАморфный кремний и родственные материалы World sci 0 ; полупроводники аморфные 0 ; полупроводники аморфные


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Amorphous silicon and related materials Выходные данные : Singapore etc: World sci, 1989 Колич.характеристики :XV, 717 с: ил., табл Серия: Advances in disordered semiconductors;Vol1;VolA ISBN, Цена 9971-50-615-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полупроводники аморфные Перейти к источнику в Интернете: Amorphous silicon and related materials SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

325

Amorphous and nanocrystalline silicon... 2005 Geological society special publication I. Materials research society (US). Spring meeting (2005; San Francisco)


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : . 47.09.29. grnti Заглавие : Amorphous and nanocrystalline silicon... 2005 : ... held Mar. 28-Apr. 1, 2005, San Francisco, Calif., U.S.A. Выходные данные : Б.м., 2005 Колич.характеристики :XXII, 724 c.: ил., табл Серия: Geological society special publication ; Nr 251 Примечания : ; I. Materials research society (US). Spring meeting (2005; San Francisco) ISBN, Цена 1-55899-815-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 + ; 29.19.31 УДК : + + + Перейти к источнику в Интернете: Amorphous and nanocrystalline silicon... 2005 SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

326

Albany NanoTech (Химия/Организации)


2006-04-05

Типнаучный центрПолное название (официальное)Albany NanoTechПрофиль деятельностиAlbany NanoTech is a fully-integrated research, development, prototyping, pilot manufacturing and education resource man …

VINITI Projects Database (Russian)

327

A stacked dielectric film for a silicon microstrip detector KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Okuno, S.; Ikeda, H.; Akamine, T.; Saitoh, Y

R/17226/94-143 A stacked dielectric film for a silicon microstrip detector [Text] : сборник научных трудов / S.Okuno,H.Ikeda,T.Akamine и др. - S.l. : [s. n.], 1994. - 22 кол. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-143). - 100 р. Библиогр.:кол.11ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Okuno, S.; Ikeda, H.; Akamine, T.; Saitoh, Y Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

328

A silicon vertex detector for H1 at HERA Progress report Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые, , деизиопо

Pitzl, D.; Eichler, R.; Erdman, W.; Grab, C.

R/16572/PR-92-35 A silicon vertex detector for H1 at HERA [Text] : сборник / D.Pitzl,R.Eichler,W.Erdman и др. - Villigen : [s. n.], 1992. - 5 p. : ill. - (Progress report / Paul Scherrer Inst. ; PR-92-35). - 5 р. Библиогр.в конце книгиГРНТИ 47.31.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Pitzl, D.; Eichler, R.; Erdman, W.; Grab, C. Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-102814 SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

329

A silicon tracker for the anti matter spectrometer on the international space station alpha [Pubblicazione] INFN Астрономические инструменты и приборы, , асинпр


R/5815/AE-95/06 Battiston, R. A silicon tracker for the anti matter spectrometer on the international space station alpha [Text] : сборник / R.Battiston. - Roma : [s. n.], 1995. - 8 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-95/06). - 100 р. Библиогр.:с.8ГРНТИ 41.51УДК 520 Рубрики: Астрономические инструменты и приборы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

330

A programmable electronic Microplex Driver Unit for readout of silicon strip detectors Rep./Rutherford appleton lab. 0 ^aПрограммируемый электронный блок


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bairstow R. Заглавие : A programmable electronic Microplex Driver Unit for readout of silicon strip detectors Выходные данные : Chilton (oxon), 1990 Колич.характеристики :18, 33 с: ил Серия: Rep./Rutherford appleton lab.; N RAL-90-063 Примечания : ; Библиогр.: с.18 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевый детектор Перейти к источнику в Интернете: A programmable electronic Microplex Driver Unit for readout of silicon strip detectors SILICON$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

331

A look at the phenomenon of charge multiplication in silicon radiation detector within the concept of dynamic focussing of the electric field Препринт полупроводниковый детектор; ионизирующее излучение Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор; ионизирующее излучение

Kushniruk, W.; Polyakov, A.; Tsyganov Yu.

Н/2509/Е7-95-388 Цыганов, Ю. A look at the phenomenon of charge multiplication in silicon radiation detector within the concept of dynamic focussing of the electric field [Text] : препринт / Ю. Цыганов, W. Kushniruk, A. Polyakov. - Dubna, 1995. - 10 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е7-95-388). - 305 экз. - 432 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5(04) Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Kushniruk, W.; Polyakov, A.; Tsyganov Yu. Экз-ры: хр(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

332

A digital readout system for the SYRMEP silicon strip detectors [Pubblicazione] INFN маммография Маммография, Аппаратура, , ма маммография

Arfelli, F.; Barbiellini, G.; Bonvicini, V.; Bravin, A.

R/5815/TC-96/24 A digital readout system for the SYRMEP silicon strip detectors [Text] : presented by D.Pontoni at the 4th Intern.conf.on position-sensitive detectors,Manchester,UK,1996 / F.Arfelli,G.Barbiellini,V.Bonvicini и др. - S.l. : [s. n.], 1996. - 6 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-96/24). - 3000 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 76.13.15УДК 618.19-073.75615.471:616-073.75-7 Рубрики: Маммография--Аппаратура Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Arfelli, F.; Barbiellini, G.; Bonvicini, V.; Bravin, A. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

333

A Silicon Pad Detector for E-835 experiment at Fermilab [Pubblicazione] INFN Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые, , деизиопо

Buzzo, A.; Musico, P.; Pallavicini, M.; Patrignani, C.

R/5815/AE-96/18 A Silicon Pad Detector for E-835 experiment at Fermilab [Text] : сборник научных трудов / A.Buzzo,P.Musico,M.Pallavicini и др. - S.l. : [s. n.], 1996. - 19 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/18). - 2000 р. Библиогр.:с.19ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Buzzo, A.; Musico, P.; Pallavicini, M.; Patrignani, C. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

334

A PC based silicon data acquisition system [Pubblicazione] INFN полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Checcucci, B.; Ding, J.

R/5815/TC-94/24 Bilei, G. M. A PC based silicon data acquisition system [Text] : сборник научных трудов / G.M.Bilei,B.Checcucci,J.Ding. - S.l. : [s. n.], 1994. - 11 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/24). - 200 р. Библиогр.:с.9ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Checcucci, B.; Ding, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

335

A GUI approach for control of the BELLE silicon detector data-acquisition system KEK preprint полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Fukunaga, C.; Tanaka, M.

R/17226/95-134 Korhonen, T. A GUI approach for control of the BELLE silicon detector data-acquisition system [Text] : сборник научных трудов / T.Korhonen,C.Fukunaga,M.Tanaka. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 20 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-134). - 1000 р. Библиогр.:с.12ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fukunaga, C.; Tanaka, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

336

A (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=195&Itemid=310)&nb …

VINITI Projects Database (Russian)

338

"Черные металлы" (Металлургия/Статьи)


2006-02-20

Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Учредитель-МИСиС Название …

VINITI Projects Database (Russian)