|
|
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon chemistry Выходные данные : Wien, 1999 Колич.характеристики :241 с: ил Серия: Monatsh. fuer Chemie, ISSN 0026-9247; Vol. 130, N 1 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.- Рез. англ., нем Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 + ; 31.21.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; химия; кремний Перейти к источнику в Интернете: Silicon chemistry Доп.точки доступа: Schubert, U. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Vibrational modes of silicon nanostructures UMSI research report Кремний, , кр
R/17401/95/22 Vibrational modes of silicon nanostructures [Text] : сборник научных трудов / X.Jing,N.Troullier,R.Chelikowsky и др. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1995. - 11 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 95/22). - 2000 р. Библиогр.:с.8ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:530.145 Рубрики: Кремний Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Jing, X.; Troullier, N.; Chelikowsky, R.; Wu, K. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Н/2509/Е14-96-245 Dielectric properties of ion implanted silicon layers [Text] : препринт / P.Zukowski,J.Partyka,P.Wegierek и др. - Dubna, 1996. - 6 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е14-96-245). - 300 экз. - 1248 р.ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:537.226(04) Рубрики: Кремний--Диэлектрические свойства Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Zukowski, P.; Partyka, J.; Wegierek, P. Экз-ры: хр(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sah C.T. Заглавие : High efficiency crystalline silicon solar cells: 3d techn. rep., June 15, 1986 Выходные данные : Б.м., 1986 Колич.характеристики :5, 44 с: ил Серия: NASA contractor rep.; N 1805301 Примечания : ; Библиогр.: с. 41-44 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.41.35 + ; 45.09.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; высокоэффективная солнечная установка; кристаллический кремний Перейти к источнику в Интернете: High efficiency crystalline silicon solar cells: 3d techn. rep., June 15, 1986 SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/6006/13535-EN Non-destructive characterisation by means of ultrasonics of radial cracks resulting from vickers indentations in reaction-bonded silicon nitride [Text] : сборник научных трудов / ed. P. Lemaitre. - Luxembourg : Office for ofic.publ.of the europ.communities, 1991. - 30 p. - (Physical sciences) (Rapport EUR / EURATOM ; 13535-EN). - 500 р.ГРНТИ 61.35.29УДК 666.762.93.01:620.179 Рубрики: Кремний, нитриды--Ультразвуковой метод исследования Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Lemaitre, P. \ed.\ Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-104679 SILICON$
соколов игорь анатольевич (Информатика/Персоналии)
2006-02-21
Страна: Russian Federation Город: москва Адрес: ул. Вавилова дом 44 корп. 2 Email: isokolov@ipiran.ru Факс: +7 (095) 930-45-05 Телефон: +7 (095) 137-34-94 Должность: директор Уч …
институт проблем информатики (Информатика/Организации)
2006-02-21
Тип: нии Профиль деятельности: Институт выполняет фундаментальные исследования в области информатики и прикладные разработки программных и технических средств и систем. Сокр. название: ИПИ РАН …
Ющенко Аркадий Семенович (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Russian Federation Город: Москва Должность: Зав. Кафедрой "Робототехника" Уч. степень: доктор технических наук Звание: профессор Специальность по ВАК: Роботы, манипуляторы и р …
Экологический центр "Дронт" (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Экологический центр "Дронт" …
Экоинформация и водные ресурсы (Экология/Статьи)
2006-02-22
Тип Статья в сериальном издании Авторы Арский Ю.М, Потапов И.И., Крапивин В.Ф. Название Экоинформация и водные ресурсы Реферат рассмотрены некоторые принципы методики обработки данных о состоя …
Шоргин Сергей Яковлевич (Автоматика и радиоэлектроника/Персоналии)
2006-04-24
ФамилияШоргинИмяСергейОтчествоЯковлевичСтранаRUZIPГородмоскваАдресул. Вавилова дом 44 корп. 2emailsshorgin@ipiran.ru (mailto:sshorgin@ipiran.ru) Ключевые словаФакс: +7 (095) 930-45-05Телефон+7 (095) 1 …
2006-04-13
Типнаучный центрПолное название (официальное)Государственный научный центр России Центральный научно-исследовательский институт робототехники и технической ки-бернетикиПрофиль деятельностиРобототехник …
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Исследование и разработка космических, подводных, противопожарных и спец. роботов, роботов для обслуживания ядерных реакторов, систем управления и монитор …
Центр энергоэффективности Мурманской области (ЦЭЭМО) (Энергетика/Организации)
2006-02-18
Типрегиональное отделениеПолное название (официальное)Центр энергоэффективности Мурманской области (ЦЭЭМО)Профиль деятельностиСокращённое официальное названиеДата созданияГРНТИ44РФФИОбласть наукэнерге …
Центр для нашего будущего (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Центр для нашего будущего Пр …
Цветная металлургия. Известия ВУЗов (Металлургия/Ресурсы)
2006-02-20
Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название Ц …
ЦНИИ эпидемилогии МЗ РФ (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)
2006-02-15
Типнаучно-исследовательский институтПолное название (официальное)ЦЕНТРАЛЬНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭПИДЕМИОЛОГИИ МИНИСТЕРСТВА ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РОССИИПрофиль деятельностиРазработка теоретиче …
ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СИБИРСКИЙ БОТАНИЧЕСКИЙ САД (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)
2006-02-16
ТипПолное название (официальное)ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СИБИРСКИЙ БОТАНИЧЕСКИЙ САДПрофиль деятельностиОсновные направления исследований- биоразнообразие растительного мира Сибири, его структурно-динамическая орга …
ЦЕНТР «БИОИНЖЕНЕРИЯ» (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)
2006-02-16
ТипПолное название (официальное)ЦЕНТР «БИОИНЖЕНЕРИЯ»Профиль деятельностиОсновные направления исследований: разработка эффективных систем трансформации растений; исследование механизмов гетеропогичной …
ФИПС Роспатента (ГСНТИ/Hidden)
2004-12-21
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ ПРОМЫШЛЕННОЙ СОБСТВЕННОСТИ РОССИЙСКОГО АГЕНСТВА ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (ФИПС Роспатента) fips@rupto.ru (mailto:fips@rupto.ru) http://www.rupto.ru Телефон …
2006-04-13
Тип7НазваниеУправление динамическим качеством металлорежущих станков на основе искусственного интеллектаОписаниеРассмотрено управление динамическим качеством станков на стадии проектирования и в прцес …
2004-12-16
Указатель предметных рубрик по проблемам химической и биологической безопасности 1. Общие вопросы химической и биологической безопасности (#1) 1.1. Нормативные акты (конвенции, протоколы, соглашен …
2006-09-28
Алгебра - 8 [Первая страница] Предоставление копий Том 73. Алгебра …
Теория и практика металлургии (Металлургия/Статьи)
2006-02-19
Тип Отдельный выпуск журнала Авторы учредитель: Отделение материаловедения и металлургии Академии ин …
ТИХООКЕАНСКИЙ ИНСТИТУТ БИООРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)
2006-02-16
ТипПолное название (официальное)ТИХООКЕАНСКИЙ ИНСТИТУТ БИООРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИПрофиль деятельностиОсновные направления исследований: изучение химического строения и биологической функции основных классо …
Станкевич Лев (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Russian Federation Город: С.-Петербург Звание: профессор Специальность по ВАК: Роботы, манипуляторы и робототехнические системы Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организац …
Ссылки на похожие порталы и сайты (ГСНТИ/Hidden)
2004-12-29
Ссылки на похожие порталы и сайты 1. Министерство промышленности, науки и технологий России — www.mnstp.ru (http://www.mnstp.ru/) 2. Российская академия наук - www.uis.isi …
Слайд-фильм о проекте (e-Земля/О проекте)
2005-02-17
Этот слайд-фильм рассказывает о текущем состоянии проекта "Электронная Земля". Слайд-фильм в формате PowerPoint. Размер всех файлов > 30 МБайтПерейти к просмотру слайд-фильма о проекте .. …
Сверхтвердые материалы (Металлургия/Статьи)
2006-02-20
Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название С …
Санкт-Петербургский институт информа- тики и автоматизации РАН (Машиностроение/Организации)
2006-04-13
ТипнаучнаяПолное название (официальное)Санкт-Петербургский институт информа- тики и автоматизации РАНПрофиль деятельностиисследования по проблемам информатики, автоматизацииСокращённое официальное наз …
06934002502 Руководство по выбору силикона для разработки шампуней с кондиционированием [Текст] / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 14 c. - англ. - Пер.ст. A Silicone Selection Guide for Developing Conditioning Shampoos / D. J. Halloran из журн.: Soap/cosmetics Chemical Specialities. - 1992. - Vol. 68, N 3. - P.22,24-26. - Б. ц. Библиогр.: 8 назв. Рубрики: Шампунь Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Halloran, D. J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Российские научные издательства (ГСНТИ/Hidden)
2004-12-29
Специализированные, научные и технические издательства России Название Город URL или почтовый адрес Виды издаваемой литературы Тематика (основная специализация) "Connect". Информа …
Реформа ЖКХ (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип журнал Полное название (официальное) Реформа ЖКХ Профиль деятельност …
Реферативная БД "Биология" (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Ресурсы)
2005-02-14
Периодичность 12 номеров в год, ретроспектива с 1981 года Диалоговый поиск в БД (http://www.viniti.ru/bnd.html) …
Региональные базы и банки данных (ГСНТИ/Ресурсы)
2004-12-12
Название БД: Электронный книжный каталог (БД ЭКК) Название автоматизированной системы: Содержание: записи базы данных содержат поля, являющиеся аналогами реквизитов типовых форм документов, исп …
РОСИНФОРМРЕСУРС (ГСНТИ/Hidden)
2004-12-17
РОССИЙСКОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ ИНФОРМАЦИОННЫХ РЕСУРСОВ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ МИНИСТЕРСТВА ПРОМЫШЛЕННОСТИ, НАУКИ И ТЕХНОЛОГИЙ РФ (РОСИНФОРМРЕСУРС) msv@rosinf.ru (mailto:msv@rosinf.ru) Б …
Потапов Иван Иванович (Экология/Персоналии)
2006-02-22
Фамилия Потапов Имя Иван Отчество Иванович Страна Russian Federation ZIP Город москва Адрес ул. Усиевича,20 email infote@vinitimsk.su Ключевые слова Факс 4959430060 Телефон 4951 …
2006-02-22
Тип Статья в сериальном издании Авторы Веселовский А.В., Мещерякова В.Б., Мельников И.В., Секнин А. Название Построение информационной системы для геоэкологического мониторинга рудных месторожде …
Посольство Испании (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Посольство Испании Профиль …
2006-02-22
Тип Статья в сериальном издании Авторы Грекулова Л.А., Иванов С.И. Название Полупромышленные испытания малоотходной технологии обогащения комплексных теслитовых руд Реферат Передатсавлены матер …
2004-12-09
$query=$_GET['query']; $org=$_GET['org']; $rub=$_GET['rub']; $sq=""; $ss='/usr/local/etc/falcon/modfrs/msearch.pl "'; if($query!="")$sq=$ss."(".$query.")"; if($org!="") { if($sq!= …
2006-02-16
Типнаучно-исследовательский институтПолное название (официальное)ПЕТЕРБУРГСКИЙ ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ им. Б.П. КОНСТАНТИНОВА РАНОТДЕЛЕНИЕ МОЛЕКУЛЯРНОЙ И РАДИАЦИОННОЙ БИОФИЗИКИ Профиль деятельностиИсс …
Открытое акционерное общество "Северсталь" (Металлургия/Организации)
2006-02-19
ТипОАОПолное название (официальное)Открытое акционерное общество "Северсталь"Профиль деятельностипроизводство металлопродукции, научная работа в области энергосберегающих технологийСокращённ …
Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат" (Металлургия/Организации)
2006-02-19
ТипОАОПолное название (официальное)Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат"Профиль деятельностивыпуск металлопродукции,научная работа в области энергосберегаю …
2006-02-22
Тип Статья в сериальном издании Авторы Ди Джиовамбаттиста Р., Тюпкин Ю.С. Название Особенности сейсмичности перед серией опасных землятресений, произошедших в центральной Италии в сентябре-октябр …
Основы управления манипуляционными роботами (Машиностроение/Ресурсы)
2006-04-13
Тип7НазваниеОсновы управления манипуляционными роботамиОписаниеТеория манипуляционных роботов, методы управле- ния имиКлючевые словаманипуляционные роботы; управление; динамика, кинематикаПерспективы …
Орловский региональный центр "Энегосбережение" (Энергетика/Организации)
2006-02-18
Типрегиональное отделениеПолное название (официальное)Орловский региональный центр "Энегосбережение"Профиль деятельностиРазработка политики и нормативно-правовых актов в области энергосбереж …
Организация ООН по промышленному развитию (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Организация ООН по промышленному развитию …
Организации, учреждения и органы исполнительной власти РФ (Безопасность/Ресурсы)
2004-12-16
Информационный сервер правительства Российской Федерации (http://www.government.gov.ru/index.html) Содержит актуальную информацию по органам исполнительной власти, законодательным и нормативным, п …
Областной фонд энергосбережения и развития ТЭК Нижегородской области (Энергетика/Организации)
2006-02-18
Тип региональное отделение Полное название (официальное) Областной фонд энергосбережения и развития …
ОАО Днепропетровский металлургический комбинат им. Ф.Э.Дзержинского (Металлургия/Организации)
2006-02-19
Тип ОАО Полное название (официальное) Открытое акционерное общество Днепропетровский металлургическ …
О повторном рассмотрении федерального закона № 203013-3 (Энергетика/Ресурсы)
2006-02-17
Тип 4 Название О повторном рассмотрении федерального закона "О внесении изменений в федеральный зако …
О внесении изменений в федеральный закон "Об энергосбережении" (Энергетика/Ресурсы)
2006-02-17
Тип 4 Название О внесении изменений в федеральный закон "Об энергосбережении" …
Новейшие достижения (Математика/Ресурсы)
2007-02-01
Современные проблемы математики. Новейшие достижения ISSN 0202-747X Научный редактор и составитель академик РАН Р. В. Гамкрелидзе Серия "Современные проблемы математики. Новейшие достижения …
Научно-производственное объединение "Тарис" (Машиностроение/Организации)
2006-04-13
Типнаучно-производственное объединениеПолное название (официальное)Научно-производственное объединение "Тарис"Профиль деятельностиразработка и производство робототехнических систем для атомн …
Научно-производственная фирма "Экология и охрана окружющей среды" (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип хозяйственная Полное название (официальное) Научно-производственная фирма "Экология и охрана ок …
2006-02-16
ТипинститутПолное название (официальное)Государственное Учреждение Научно-исследовательский Институт вирусологии имени Д.И. Ивановского Российской академии медицинских наук.Профиль деятельностиИзучени …
2004-12-12
Название БД: Системы и приборы контроля и учета электроэнергии, теплоэнергии, газа и водорасхода Название автоматизированной системы: Содержание: характеристики изделий, назначение, область при …
НОВОСТИ ТЕПЛОСНАБЖЕНИЯ (Энергетика/Статьи)
2006-02-17
Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название Н …
2006-04-13
ТипуниверситетПолное название (официальное)Московский технический университет связи и информатики. Кафедра "Робото- техника и мехатроника"Профиль деятельностиподготовка специалистов, проведе …
Московский институт стали и сплавов (Технологический университет) (Металлургия/Организации)
2006-02-18
ТипинститутПолное название (официальное)Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования . Московский институт стали и сплавов. (Технологиический университет)Профиль де …
2006-02-20
Тип: Университет Профиль деятельности: Подготовка высококвалифицированных кадров для автомобильного транспорта, дорожно-мостового и аэродромного строительства, промышленности дорожно-строительных …
Моделирование движений упругих манипуляторов и мобильных роботов (Машиностроение/Ресурсы)
2006-04-13
Тип7НазваниеМоделирование движений упругих манипуляторов и мобильных роботовОписаниеИсследование динамики, управления и навигации упругих манипуляторов и мобильных роботовКлючевые словамобильные робот …
Моделирование глобальных изменений окружающей среды (Экология/Статьи)
2006-02-22
Тип Статья в сериальном издании Авторы Крапивин В.Ф., Потапов И.И. Название Моделирование глобальных изменений окружающей среды Реферат Обсуждаются задачи и трудности синтеза параметрических о …
Миротин Леонид Борисович (Транспорт/Персоналии)
2006-02-20
Страна: Russian Federation Город: Москва Адрес: 125319, Москва, Ленинградские пр-т, 64 Email: ccl@logistics.madi.ru Факс: +7 (495) 155 07 43 Телефон: 155 03 30; 155 04 80 Должность …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Гладштейн М.А. Заглавие : Микроконтроллеры смешанного сигнала С8051Fxxx фирмы Silicon Laboratories и их применение : руководство пользователя Выходные данные : М.: Додэка-XXI, 2008 Колич.характеристики :328 с. Серия: Мировая электроника Примечания : ; Библиогр.: с. 328 ISBN, Цена 978-5-94120-162-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.47 УДК : Предметные рубрики: Микроконтроллеры Перейти к источнику в Интернете: Микроконтроллеры смешанного сигнала С8051Fxxx фирмы Silicon Laboratories и их применение, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Мехатроника, автоматизация, управление (Машиностроение/Ресурсы)
2006-02-16
Теоретический и прикладной научно-технический журнал. В № 12 приводится сводный указатель статей. Ключевые слова:Машиностроение, робототехника, роботы, исследование, проектирование ГРНТИ: 55.3 …
Международный совет по охоте и охране дичи (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Международный совет по охоте и охране дичи …
Международная служба труда при Международной организации труда (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Международная служба труда при Международной организац …
Международная организация по стандартизации (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Международная организация по стандартизации …
Математический анализ (Математика/Ресурсы)
2007-07-23
ISSN 0202-7453 Научный редактор и составитель академик РАН Р. В. Гамкрелидзе Серия "Математический анализ" издавалась с 1963 по 1991 год. Предоставление копий Все тома серии доступны в э …
Макаров Игорь Михайлович (Машиностроение/Персоналии)
2006-04-13
ФамилияМакаровИмяИгорьОтчествоМихайловичСтранаRUГородМоскваАдрес119454, пр-т Вернадского, д.78emailmirea@mirea.ac.ru (mailto:mirea@mirea.ac.ru)Ключевые словаФакс433-02-24Телефон433-04-55Должностьзав. …
МГВМИ Эколого-технологический факультет (Металлургия/Организации)
2006-02-18
ТипинститутПолное название (официальное)Московский Государственный Вечерний Металлургический Инстут. Эколого-технологический факультетПрофиль деятельностиподготовка специалистов, научная работа в обла …
Лопота Виталий Александрович (Машиностроение/Персоналии)
2006-04-13
ФамилияЛопотаИмяВиталийОтчествоАлександровичСтранаRUГородС.-ПетербургАдресТихорецкий пр., 21emailinfo@rtc.ru (mailto:info@rtc.ru)Ключевые словаФакс(812)556 - 3992Телефон(812)552 - 0110Должностьдиректо …
Ленский Анатолий Викторович (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Russian Federation Город: Москва Должность: Зав. Учебно-научной лабораторией Специальность по ВАК: Роботы, манипуляторы и робототехнические системы Область наук: Техника ГРНТИ …
06934003150 Лазерное осаждение сплавов карбида кремния [Текст] / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 5 c. - Пер.ст. Laser deposition of silicon carbid alloys / A. Black из журн.: Journal of Applied Physics. - 1988. - Vol. 64, N 5. - P. 2403-2404. - Б. ц. Библиогр.: 1 назв.ГРНТИ 47.09.2961.31.47 Рубрики: Кремний, карбиды, пленки Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Black, A. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Крапивин Владимир Федорович (Экология/Персоналии)
2006-02-21
Фамилия Крапивин Имя Владимир Отчество Федорови …
Корнеев Владимир Николаевич (Экология/Персоналии)
2006-02-22
Фамилия Корнеев Имя Владимир Отчество Николаевич Страна Belarus ZIP Город минск Адрес ул. Славинского1, корп 2 email cricuwr@infonet.by Ключевые слова Факс Телефон 5172642734 …
Конференция ООН по торговле и развитию (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Конференция ООН по торговле и развитию …
Комитет ООН по природным ресурсам (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Комитет ООН по природным ресурсам …
Комиссия по глобальному управлению (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Комиссия по глобальному управлению …
Комиссия Европейского сообщества (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Комиссия Европейского сообщества …
Книга Коммерческая логистика. Для студентов вузов (Транспорт/Издания)
2006-04-13
Тип7НазваниеКнига Коммерческая логистика. Для студентов вузовОписаниеУчебное пособие составлено в точном соответствии с Государственными образовательными стандартами специальностей 062200 `Логистика`, …
Каталог (1997 год. Серия 2) (ГСНТИ/Журнал "Научно-техническая информация")
2004-12-22
Журнал "Научно-техническая информация"Каталог (1997 год. Серия 2) Выпуск №1 (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=228&Itemid=310) Выпуск №2 (http://science.vi …
06932002474 Кабели с изоляцией из двуокиси кремния и системы соединителей для атомных реакторов [Текст] / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 11 c. : ил. - Пер. материала фирмы: Silicon dioxide insulated SI Cable and connector systems for nuclear reactors / Whittaker Electronic Resourses(США). - 1990. - P. 1-4. - Б. ц.ГРНТИ 45.47.4158.33.39 Рубрики: Атомные электрические станции Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Источникии особенности загрязнения речных систем в горнорудных районах (Экология/Статьи)
2006-02-22
Тип Статья в сериальном издании Авторы Янин Е.П. Название Источникии особенности загрязнения речных систем в горнорудных районах Реферат Масштабы техногенного воздействия на водные системы в г …
Источники и особенности загрязнения речных ситем в горнорудных районах (Экология/Статьи)
2006-02-22
Тип Статья в сериальном издании Авторы Янин Е.П. Название Источники и особенности загрязнения речных ситем в горнорудных районах Реферат Масштабы техногенного воздействия на водные системы в г …
Институт экологической безопасности (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип научная Полное название (официальное) Институт экологической безопасности …
Институт проблем информатики (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)
2006-04-24
ТипнииПолное название (официальное)Институт проблем информатикиПрофиль деятельностиИнститут выполняет фундаментальные исследования в области информатики и прикладные разработки программных и техническ …
Институт Проблем Механики РАН (Машиностроение/Организации)
2006-04-13
ТипинститутПолное название (официальное)Институт Проблем Механики РАНПрофиль деятельностиНаучные методы создания машин и робо- тотехнических систем и др. ислледования в соотв.с Перечнем приоритетных н …
Институт Острова Земля (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Институт Острова Земля Профи …
Известия Уральского го. Горного университета (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип журнал Полное название (официальное) Известия Уральского го. Горного университета …
2006-02-16
ТипНаучно-исследовательский институтПолное название (официальное)ИНСТИТУТ ЭВОЛЮЦИОННОЙ ФИЗИОЛОГИИ И БИОХИМИИ им. И.М. СЕЧЕНОВАПрофиль деятельностиОсновные направления исследований: механизмы организац …
2006-02-16
ТипНаучно-исследовательский институтПолное название (официальное)ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКОЙ БИОЛОГИИ И ФУНДАМЕНТАЛЬНОЙ МЕДИЦИНЫ РАНПрофиль деятельностиРазработка теории и методов направленного химического во …
ИНСТИТУТ ФИЗИОЛОГИИ ПРИРОДНЫХ АДАПТАЦИЙ (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)
2006-02-16
ТипПолное название (официальное)ИНСТИТУТ ФИЗИОЛОГИИ ПРИРОДНЫХ АДАПТАЦИЙПрофиль деятельностиОсновные научные направления: эндокринные и иммунные механизмы адаптации и реадаптации организма человека и ж …
ИНСТИТУТ СИСТЕМАТИКИ И ЭКОЛОГИИ ЖИВОТНЫХ (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)
2006-02-16
ТипПолное название (официальное)ИНСТИТУТ СИСТЕМАТИКИ И ЭКОЛОГИИ ЖИВОТНЫХПрофиль деятельностиОсновные направления исследований- биоразнообразие и состояние ресурсов животного мира: фаунистика, экология …
ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ГЕНЕТИКИ им. Н.И. ВАВИЛОВА РАН (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)
2006-02-16
ТипПолное название (официальное)ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ГЕНЕТИКИ им. Н.И. ВАВИЛОВАПрофиль деятельностиОсновные направления исследований - изучение структурно-функциональной организации генома, выяснение механи …
ИНСТИТУТ МИКРОБИОЛОГИИ (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)
2006-02-16
ТипПолное название (официальное)ИНСТИТУТ МИКРОБИОЛОГИИПрофиль деятельностиОсновные направления исследований-, изучение биоразнообразия микроорганизмов, создание и пополнение коллекций чистых культур м …
2004-12-17
ИНСТИТУТ НАУЧНОЙ ИНФОРМАЦИИ ПО ОБЩЕСТВЕННЫМ НАУКАМ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИНИОН РАН) market@inion.ru (mailto:market@inion.ru) Телефон директора: (095) 128-88-81 Тематика СИО …
Зенкевич Станислав Леонидович (Машиностроение/Персоналии)
2006-04-13
ФамилияЗенкевичИмяСтаниславОтчествоЛеонидовичСтранаRUГородМоскваАдрес123308, Измайловская пл., д.7emailzenkev@rk10.bmstu.ru (mailto:zenkev@rk10.bmstu.ru)Ключевые словаФакс(495)367-06-46Телефон(495)165 …
Захаров Виктор Николаевич (Информатика/Персоналии)
2006-02-21
Страна: Russian Federation Город: москва Адрес: ул. Вавилова дом 44 корп. 2 Email: vzakharov@ipiran.ru Факс: +7 (095) 930-45-05 Телефон: +7 (095) 135-61-17 Должность: Ученый секрет …
Европейская федерация по охране природы и животных (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Европейская федерация по охране природы и животных …
Диаграммы состояния металлических систем (Металлургия/Ресурсы)
2006-02-20
Тип Книга Авторы Кузнецов В.Н., Петрова Л.А., и др. Название …
ДОПОГ. Европейское соглашение о международной дорожной перевозке опасных грузов (Транспорт/Ресурсы)
2006-04-12
Тип7НазваниеДОПОГ. Европейское соглашение о международной дорожной перевозке опасных грузовОписаниеЕвропейское соглашение о международной дорожной перевозке опасных грузов (ДОПОГ), совершенное в Женев …
Градецкий Валерий Георгиевич (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Должность: Зав. Лабораторией Специальность по ВАК: Роботы, манипуляторы и робототехнические системы Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организация: Институт проблемы механики, РАН …
Государственные стандарты Российской Федерации (ГОСТ Р) (ГСНТИ/Hidden)
2004-12-16
1.0-92 ГСС РФ. Основные положения. 1.10-95 ГСС РФ. Порядок разработки, принятия, регистрации правил и рекомендаций по стандартизации, метрологии, сертификации, аккредитации и информации о …
ГУП "ВНИИстандарт" (ГСНТИ/Hidden)
2004-12-21
ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО - ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ СТАНДАРТИЗАЦИИ ГОССТАНДАРТА РОССИИ" (ГУП "ВНИИстандарт") vniistand@gost.ru (mailto:vniistand@gos …
2006-02-16
Типнаучный центрПолное название (официальное)ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РФ ВИРУСОЛОГИИ И БИОТЕХНОЛОГИИ «ВЕКТОР»Профиль деятельностиГосударственный научный центр вирусологии и биотехнологии «Вектор» …
ГОРНОТАЕЖНАЯ СТАНЦИЯ им. В.Л. КОМАРОВА (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)
2006-02-16
ТипПолное название (официальное)ГОРНОТАЕЖНАЯ СТАНЦИЯ им. В.Л. КОМАРОВАПрофиль деятельностиОсновные направления исследований- репродукция, селекция и охрана ценных видов растений дальневосточной флоры …
ГЛАВНЫЙ БОТАНИЧЕСКИЙ САД им. Н.В. ЦИЦИНА РАН (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)
2006-02-16
ТипПолное название (официальное)ГЛАВНЫЙ БОТАНИЧЕСКИЙ САД им. Н.В. ЦИЦИНАПрофиль деятельностиОсновные направления исследований- интродукция и акклиматизация растений; сохранение генофонда растений ex s …
Выпуск 8. 1997 год. Серия 1 (ГСНТИ/Журнал "Научно-техническая информация")
2004-12-24
Выпуск 8. 1997 год. Серия 1 ОБЩИЙ РАЗДЕЛ Aнтопольский Л. Б. (http://www.viniti.ru/cgi-bin/nti/nti.pl?action=show&year=1_1997&issue=8&page=1) Проблемы классификации и идентификации инфор …
Выпуск 2. 1997 год. Серия 1 (ГСНТИ/Журнал "Научно-техническая информация")
2004-12-24
Выпуск 2. 1997 год. Серия 1 ОБЩИЙ РАЗДЕЛ Урсул А. Д. (http://www.viniti.ru/cgi-bin/nti/nti.pl?action=show&year=1_1997&issue=2&page=1) Становление информационного общества и модель опере …
Выпуск 11. 1997 год. Серия 2 (ГСНТИ/Журнал "Научно-техническая информация")
2005-01-25
Выпуск 11. 1997 год. Серия 2 ОБЩИЙ РАЗДЕЛ Фрумкина Р. М. (http://www.viniti.ru/cgi-bin/nti/nti.pl?action=show&year=2_1997&issue=11&page=1) Лингвистика в зеркале других наук (http://www. …
Выпуск 10. 1997 год. Серия 1 (ГСНТИ/Журнал "Научно-техническая информация")
2004-12-24
Выпуск 10. 1997 год. Серия 1 (http://www.viniti.ru/cgi-bin/nti/nti.pl?action=show&year=1_1997&issue=10&page=1) Пятая Всероссийская конференция "Проблемы законодательства в сфере информати …
Выпуск 1. 1998 год. Серия 2 (ГСНТИ/Журнал "Научно-техническая информация")
2005-01-25
Выпуск 1. 1998 год. Серия 2 ОБЩИЙ РАЗДЕЛ Штерн И. Б. (http://www.viniti.ru/cgi-bin/nti/nti.pl?action=show&year=2_1998&issue=1&page=1) Энциклопедия в зеркале когнитивной парадигмы (http: …
Всемирный банк (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип хозяйственная Полное название (официальное) Всемирный банк Профиль д …
Всемирная организация здравоохранения (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Всемирная организация здравоохранения …
Волоконная оптика. Техническое руководство (Информатика/Статьи)
2006-02-22
Тип: Книга Авторы: Дональд Джю Стерлинг Реферат: Эта книга посвящена одному из новых, бурно развивающихся направлений телекоммуникации. Она занимает особое место в немногочисленном ряду книг п …
Вестник машиностроения (Машиностроение/Ресурсы)
2006-02-16
Научно-технический и производственный журнал. В № 12 ежегодного тома приводится сводный указатель опубликованных статей. Ключевые слова: Робототехника, роботы, исследование, проектирование, эксплу …
Вестник МГТУ им. Баумана. Сер. "Приборостроение" (Машиностроение/Ресурсы)
2006-02-16
Научно-технический журнал. Ежегодно в последнем номере (№ 4) приводится сводный указатель статей. Ключевые слова: робототехника, роботы, исследование, автоматика, автоматическое управление ГРН …
2004-12-10
Название БД: Регистрация интеллектуального продукта Название автоматизированной системы: Содержание: реферативная информация о результатах творческой деятельности зарегистрированных во ВНТИЦ с 19 …
2004-12-21
ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭКОНОМИКИ МИНЕРАЛЬНОГО СЫРЬЯ И НЕДРОПОЛЬЗОВАНИЯ" (ВИЭМС) asnti@viems.ru (mailto:asnti@viems.ru) Т …
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Бюро по сотрудничеству в области экономических иссдедо …
Будзко Владимир Игоревич (Автоматика и радиоэлектроника/Персоналии)
2006-04-24
ФамилияБудзкоИмяВладимирОтчествоИгоревичСтранаRUZIPГородмоскваАдресул. Вавилова дом 44 корп. 2email vbudzko@ipiran.ru (mailto:vbudzko@ipiran.ru) Ключевые словаФакс: +7 (095) 930-45-05Телефон+7 (0 …
Бракович Игорь Сергеевич (Экология/Персоналии)
2006-02-22
Фамилия Бракович Имя Игорь Отчество Сергеевич Страна Belarus ZIP Город минск Адрес пр. Ф. Скорины,66 email Ключевые слова Факс 5172842830 Телефон Должность Фото www …
Бондарь Владимир Владимирович (Химия/Персоналии)
2006-06-15
Фамилия Бондарь Имя Владимир Отчество Владимирович Страна RU ZIP Город Москва Адрес 125219, ул. Усиевича, 20-А, институт ВИНИТ …
Благотворительная программа Корпорации "Америкэн Экспресс" (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Благотворительная программа Корпорации "Америкэн Экспр …
2004-12-12
Название БД: GZTYY-YY (статьи из газет, опубликованных в СССР в 1988-1991 гг. и в Российской Федерации в 1992-2001 гг.) Название автоматизированной системы: "Общероссийский банк данных госбибли …
2004-12-12
Сведения о Базах данных патентов, товарных знаков, документации, относящейся к программам для ЭВМ, базам данных и технологиям интегральных микросхем Вы можете найти на сайте ФИПС: http://www.fips …
БИБЛИОТЕКА ПО ЕСТЕСТВЕННЫМ НАУКАМ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (БЕН РАН) (ГСНТИ/Hidden)
2004-12-17
БИБЛИОТЕКА ПО ЕСТЕСТВЕННЫМ НАУКАМ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (БЕН РАН) osiat@ben.irex.ru (mailto:osiat@ben.irex.ru) http://www.ben.irex.ru Телефон директора (095) 291-22-89 Тема …
Альпийское действие (Экология/Организации)
2006-02-20
Тип неизвестно Полное название (официальное) Альпийское действие Профиль …
Александров Валерий Сергеевич (Информатика/Персоналии)
2006-02-21
Страна: Russian Federation Город: Санкт-Петербург Адрес: Московский пр., 19 Email: V.S.Alexandrov@vniim.ru Телефон: 7 (812) 316-90-73, Должность: Заместитель директора по науке Обл …
Алгебра. Топология. Геометрия (Математика/Издания)
2006-06-02
ISSN 0233-6723 Научный редактор и составитель академик РАН Р. В. Гамкрелидзе Серия "Алгебра. Топология. Геометрия" издавалась с 1962 по 1988 год. Предоставление копий Все тома серии дост …
Авдеев Виктор Васильевич (Энергетика/Персоналии)
2006-02-18
ФамилияАвдеевИмяВикторОтчествоВасильевичСтранаRUZIPГородмоскваАдрес109028, Подколокольный пер., д.13/5 РАЭФ Минтопэнерго РосииemailКлючевые словаЭнергосберегающая политика; энергосберегающие проекты; …
АОЗТ "Эдитус" (Алтайский край) (Энергетика/Организации)
2006-02-18
Тип региональное отделение Полное название (официальное) АОЗТ "Эдитус" (Алтайский край) …
silicon pad shower maximum detector for a
R/5815/AE-95/08 A silicon pad shower maximum detector for a "shashlik" calorimeter [Text] : сборник / S.J.Alvsvaag,O.A.Maeland,A.Klovning и др. - Roma : [s. n.], 1995. - 6 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-95/08). - 500 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Калориметры в ядерной физике Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Alvsvaag, S.J.; Maeland, O.A.; Klovning, A.; Benvenuti, A.C. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
silicon calorimeter for cosmic antimatter search [Pubblicazione] INFN Антивещество, , ан
R/5815/AE-92/24 A silicon calorimeter for cosmic antimatter search [Text] : материалы временных коллективов / G.Barbiellini,G.Basini,V.Bidoli и др. - Roma : [s. n.], 1992. - 12 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-92/24). - 5 р. Библиогр.:с.12.ГРНТИ 41.25.37УДК 537.591.08 Рубрики: Антивещество Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Barbiellini, G.; Basini, G.; Bidoli, V. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/5815/TC-94/03 A remote controlled polarizer for silicon detectors [Text] : сборник научных трудов / S.Alteri,O.Barnaba,P.Bruschi и др. - Roma : [s. n.], 1994. - 12 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/03). - 100 р. Библиогр.:с.12ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Alteri, S.; Barnaba, O.; Bruschi, P.; Fossati, F. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Davies, Gordon Заглавие : The optical properties of lumi nescence centras in silicon Выходные данные : Amsterdam: North-Holland Publishing Co, 1989 Колич.характеристики :с. 83-188: ил Серия: Physics Reports, ISSN 03701573;Vol.176;N3/4 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.31.23 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; люминесцентные центры; кремний Перейти к источнику в Интернете: The optical properties of lumi nescence centras in silicon SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/5815/AE-92/21 The design of the L3 silicon microvertex detector [Text] : сборник научных трудов / B.Alpat,G.Ambrosi,G.Barbagli и др. - Roma : [s. n.], 1992. - 6 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-92/21). - 5 р. Библиогр.:с.6.ГРНТИ 47.31.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Встречных пучков системы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Alpat, B.; Ambrosi, G.; Barbagli, G. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
X51-совместимые микроконтроллеры фирмы Silicon Laboratories (Cygnal) ИД СКИМЕН 0; Микроконтроллеры
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Николайчук О.И. Заглавие : X51-совместимые микроконтроллеры фирмы Silicon Laboratories (Cygnal) Выходные данные : М.: ИД СКИМЕН, 2004 Колич.характеристики :639 с. Примечания : ; Библиогр.: с. 632-633 ISBN, Цена 5-94929-005-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.47 УДК : Предметные рубрики: Микроконтроллеры Перейти к источнику в Интернете: X51-совместимые микроконтроллеры фирмы Silicon Laboratories (Cygnal), Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/5815/TC-93/05 WIDGET:A data acquisition system for a balloon borne silicon particle calorimeter [Text] : сборник научных трудов / F.Aversa,P.Battaiotto,V.Bidoli и др. - Roma : [s. n.], 1993. - 13 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-93/05). - 10 р. Библиогр.:с.10ГРНТИ 29.15.39УДК 537.591.08 Рубрики: Космические лучи--Методы исследования--Аппаратура Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Aversa, F.; Battaiotto, P.; Bidoli, V.; Colavita, A. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
W (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-06
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Fujita M., Ghosh I., Prasad M. Заглавие : Verification techniques for system-level design Выходные данные : Burlington, Ma: Morgan Kaufmann publ., 2008 Колич.характеристики :VIII, 240 p.: ill Серия: The Morgan Kaufmann series in systems on silicon/ ed.: W. Wolf Примечания : ; Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 235-240 ISBN, Цена 978-0-12-370616-4: р2953.46 р. ГРНТИ : ; 47.14.07 УДК : Предметные рубрики: Интегральные схемы большие Перейти к источнику в Интернете: Verification techniques for system-level design Доп.точки доступа: Ghosh, I.; Prasad, M. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Hasan A.K. Заглавие : Das Verhalten von Gasblasen in Siliconolen sowie in flussigen Schlacken : Diss Выходные данные : Aachen, 1989 Колич.характеристики :69, 78 с: ил Примечания : ; Библиогр.: с. 63-66 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 53.31.23 + ; 61.51.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; газовый пузырь; силиконовое масло; шлак Перейти к источнику в Интернете: Das Verhalten von Gasblasen in Siliconolen sowie in flussigen Schlacken SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ashenden P.J., Lewis J. Заглавие : VHDL-2008. Just the new stuff Выходные данные : Burlington, Ma: Morgan Kaufmann publ., 2008 Колич.характеристики :X, 244 p. Серия: The Morgan Kaufmann series in systems on silicon/ ed.: W. Wolf Примечания : ; Алф. указ.: с. 237-244 ISBN, Цена 978-0-12-374249-0: р1979.63 р. ГРНТИ : ; 50.05.09 УДК : Предметные рубрики: Программирования языки Перейти к источнику в Интернете: VHDL-2008. Just the new stuff Доп.точки доступа: Lewis, J. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
University of Würzburg. Robotics and Telematics (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Mobile Robots, Telematics, Space exploration, Robots in medicine ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Würzburrg, Deutschland www …
University of Electro-Communications. Takase Lab. (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Robots for production and man support Сокр. название: EC ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo, Japan www.Taka.is.uec.ac.jp/Engl …
University of Dortmund. Institute of Robotics Research (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Multi-Robot-Systems, Space robotics, Automation, Communication, Mobile robots Сокр. название: IRF ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Do …
University of Bremen. Institute for Automation (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Servicerobotics, Planning, Vision, Teaching, Inverse kinematics ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Bremen, Deutschland http://siem …
University of Birmingham, Nanoscale Physics Research Laboratory (Химия/Организации)
2006-04-05
Типнаучный центрПолное название (официальное)University of Birmingham, Nanoscale Physics Research LaboratoryПрофиль деятельностиThe Laboratory is committed to establishing and consolidating strong lin …
University Aachen. European Center for Mechatronics (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Mechatronics, Micromechanics, Service robots, Communication, Userinterface, Sensor systems ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Aachen, Deutsc …
University Aachen Prozeßsteuerung in der Schweißtechnik (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Manufacturing ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Aahen, Deutschland www.rwth-aahen.de (www.rwth-aahen.de) …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Neuharth C.R. Заглавие : Ultra-high-purity silicon for infrared detectors : A materials perspective Выходные данные : Washington, 1989 Колич.характеристики :13 с: ил Серия: Inform. circular/U.S. Dep. of the interior, Bureau of mines; 9237 Примечания : ; Библиогр.: с.12 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.37 + ; 47.57 + ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; инфракрасный детектор; полупроводниковый материал Перейти к источнику в Интернете: Ultra-high-purity silicon for infrared detectors, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Ultra-fast silicon bipolar technology Выходные данные : Berlin etc.: Springer-Verl., 1988 Колич.характеристики :IX, 167 с: ил., табл Серия: Springer series in electronics and photonics;Vol.27 Примечания : ; Библиогр. в конце докл.-Пред. указ.: с. 165-167 ISBN, Цена 3-540-50638-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; интегральные микросхемы Перейти к источнику в Интернете: Ultra-fast silicon bipolar technology, Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Treitinger, L. \.\; Miura-Mattausch, M. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Ultra-fast silicon bipolar technology Выходные данные : Berlin etc.: Springer-Verl., 1988 Колич.характеристики :IX, 167 с: ил Серия: Springer series in electronics and photonics;N27 Примечания : ; Библиогр. в конце гл.-Указ.: с.165-167 ISBN, Цена 3-540-50638-I: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; сверхбыстрая технология; кремниевые биполярных транзисторов Перейти к источнику в Интернете: Ultra-fast silicon bipolar technology Доп.точки доступа: Treitinger, L. \.\; Miura-Mattausch, M. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Ultra clean processing of silicon surfaces : Proc. of the Fourth Intern. symp. on ultra clean processing of silicon surfaces (UCPSS'98), held in Ostend, Belgium, Sept. 21-23, 1998 Выходные данные : Zuerich: Scitec publ., 1999 Колич.характеристики :XIV, 301 c.: ил., табл Серия: Diffusion a. defect data, ISSN ISSN-1012; Vol. 65-66 Примечания : ; Библиогр. в конце докл. - ; Указ. : Auth. ind., Keyword ind. : c. 295-301 ISBN, Цена 3-908450-40-3: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Ultra clean processing of silicon surfaces Доп.точки доступа: Heyns, Marc \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
U (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-06
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
М/42285/24(1995) Two-wavelength laser-induced dissociation of silicon tetrafluoride with CW Co -lasers [Text] : препринт / M.Ehbrecht,F.Huisken,N.A.Karpov и др. - Moscow, 1995. - 27 p. : il. - (Препринт / Институт общей физики(Москва) ; 24(1995)). - 45 экз. - Б. ц.ГРНТИ 31.15.29УДК 546.28'161:542.65(04) Рубрики: Кремний, фториды--Осаждение Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ehbrecht, M.; Huisken, F.; Karpov, N.A. Экз-ры: хр(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Morita T. Заглавие : Triggered fragmentation experiment with sodium, silicone oil, and pentane Выходные данные : Karlsruhe, 1990 Колич.характеристики :79 с: ил Серия: Ber./KfK/Kernforschungszentrum, ISSN 0303-4003; N 3701e Примечания : ; Рез. англ., нем.-Библиогр.: с.70-75 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 58.33.28 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; триггерная фрагментация Перейти к источнику в Интернете: Triggered fragmentation experiment with sodium, silicone oil, and pentane SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17226/93-76 Transputer based local event builder for the KEK B-factory silicon micro vertex detector [Text] : монография / C.Fukunaga,M.Tanaka,H.Ikeda,Y.Igarashi. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 14 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-76). - 10 р. Библиогр.:с.9-10ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений,полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fukunaga, C.; Tanaka, M.; Ikeda, H.; Igarashi, Y. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Didyk A.Yu., Kobzev A.P., Orelovich O.L. Заглавие : Track effects in silicon irradiated by swift high energy heavy ions . -Препринт Выходные данные : Dubna, 2000 Колич.характеристики :7 p.: il. Серия: Сообщения Объединенного института ядерных исследований; Е14-2000-107 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 УДК : Предметные рубрики: Кремний Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Track effects in silicon irradiated by swift high energy heavy ions, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Kobzev, A.P.; Orelovich, O.L. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : . 47.35.31. grnti Заглавие : Towards the first silicon laser : proceedings of the NATO Advanced research workshop on towards the first silicon laser, Trento, Italy, 21-26 Sept. 2002 Выходные данные : Dordrecht: Kluwer acad. publ., 2003 Колич.характеристики :XIV, 482 c.: ил., портр., табл Серия: NATO science series. Ser. II, Mathematics, physics and chemistry ; vol. 93 Примечания : ; Библиогр. в конце докл. Указ.: Subject ind.: c. 477-478 ISBN, Цена 1-4020-1194-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.35.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Towards the first silicon laser SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Toshiba. Research and Development Center (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Vision, Speech, Humanoids, Pipeline inspection, Control, Modular manipulation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo www.toshiba …
Tohoku University. Advanced Robotics (Nakano) Lab. (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Kinematics, Control, Cooperation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Индекс: 980-8579 Город: Sendai, Miyagi, Japan Адрес: 01 Ao …
R/17401/93/122 Thermal plasma synthesis of silicon and silicon carbide nanoparticles [Text] : сборник научных трудов / M.Hatch,Q.Wei,L.Yang и др. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1993. - 7 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 93/122). - 50 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 61.31.47УДК 661.68.091.088 Рубрики: Кремний--Термическая обработка Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Hatch, M.; Wei, Q.; Yang, L.; Stachowicz, L. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17401/94/185 Yeckel, A. Theoretical analysis and design considerations for float-zone refinement of electronic grade silicon sheets [Text] : сборник научных трудов / A.Yeckel,G.Salinger,J.J.Derby. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1994. - 34 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 94/185). - 100 р. Библиогр.:с.32-34ГРНТИ 47.09.29УДК 621.315.592 Рубрики: Кремний Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Salinger, G.; Derby, J.J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/5815/AE-96/01 Caria, M. The use of the two simultaneous coordinates in a silicon microstrip detector [Text] : invited talk at VERTEX 95,the IV intern.workshop on vertex detectors,Ein Gedi,11-18 June,1995 / M.Caria. - Roma : [s. n.], 1996. - 23 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/01). - 2000 р. Библиогр.:с.22-23ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
М/42285/22(1995) Новиков, Ю. А. The thickness measurement of nanometer layers of SiO2 made in the process of the thermometric oxidation of silicon [Text] : препринт / Ю. А. Новиков, A. V. Rakov, I. B. Strizhkov. - Moscow, 1995. - 12 p. : il. - (Препринт / Институт общей физики(Москва) ; 22(1995)). - 100 экз. - Б. ц.ГРНТИ 45.09.37УДК 621.315.61.002(04) Рубрики: Кремний, оксиды, пленки--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Rakov, A.V.; Strizhkov, I.B.; Novikov Yu.A. Экз-ры: хр(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Gatti, Susanne Заглавие : The role of sponges in high-Antarctic carbon and silicon cycling : A modelling approach Выходные данные : Bremerhaven: Alfred-Wegener-Inst. fuer Polar-u. Meeresforschung, 2002 Колич.характеристики :VI, 124 c.: ил., табл Серия: Ber. zur Polar-u. Meeresforschung, ISSN 1618-3193; 434 Примечания : ; Библиогр. : с. 93-102. - ; Парал. загл. сер. , англ. Рез. : англ., нем. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.31.23 УДК : Перейти к источнику в Интернете: The role of sponges in high-Antarctic carbon and silicon cycling SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
The Institute of Nanotechnology (Химия/Организации)
2006-02-21
Тип: институт Профиль деятельности: Развитие и продвижение всех аспектов нанотехнологии. Организация международных научных мероприятий, обучающих курсов для поощрения внедрения нанотехнологии в п …
Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Belforte S., Budagov J., Chlachidze G. Заглавие : The CDF silicon vertex trigger for b physics study . -Препринт Выходные данные : Dubna, 2001 Колич.характеристики :8 p.: il. Серия: Сообщения Объединенного института ядерных исследований; Е1-2001-19 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Предметные рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Содержание : Перейти к источнику в Интернете: The CDF silicon vertex trigger for b physics study, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Budagov, J.; Chlachidze, G. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/5815/AE-94/05 Caria, M. Tests of a large scale production of double side sensors for the L3 silicon microvertex detector [Text] : сборник научных трудов / M.Caria,E.Fiandrini,R.Massetti. - Roma : [s. n.], 1994. - 11 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-94/05). - 50 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5.002 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fiandrini, E.; Massetti, R. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/5815/AE-93/21 Test beam results from the prototype L3 silicon microvertex detectors [Text] : сборник научных трудов / A.Adam,O.Adriani,S.Ahlen и др. - Roma : [s. n.], 1993. - 19 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-93/21). - 20 р. Библиогр.:с.18-19ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Adam, A.; Adriani, O.; Ahlen, S.; Ambrosi, G. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/5815/AE-95/05 Temperature dependence of time resolution and electronic noise in a silicon detector telescope [Text] : сборник / A.Codino,M.T.Brunetti,C.Federico и др. - Roma : [s. n.], 1995. - 14 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-95/05). - 100 р. Библиогр.:с.14ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Codino, A.; Brunetti, M.T.; Federico, C.; Grimani, C, Экз-ры: ХР(1) SILICON$
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Adaptive control, Mobile robots, Distributed AI, Neural Networks ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Münche n,, Deutschland www. …
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Autonomous robots, Vision, Pattern recognition, Medical robotics, Planning, Manipulation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Hamburg, Deutsch …
Technical University Berlin. Real-Time Systems (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Human interface, Vision, Realtime ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Berlin, Deutschland www.tu-berlin.de (www.tu-ber …
Subsurface and petroleum geology of the southwestern Santa Clara valley (
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Subsurface and petroleum geology of the southwestern Santa Clara valley ("Silicon Valley"), California Выходные данные : Denver, 2002 Колич.характеристики :VI, 55 c: ил Серия: U.S.Geol. survey professional paper; 1663 Примечания : ; Библиогр.: с.42-47 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.53.23 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; подземная геология; нефтяная геология; "кремниевая долина" Перейти к источнику в Интернете: Subsurface and petroleum geology of the southwestern Santa Clara valley ("Silicon Valley"), California Доп.точки доступа: Stanley, R.G.; Jachens, R.C.; Lillis, P.G. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/1872/979 Toyoshima, Y. Study on the growth mechanisms of hydrogenated amorphous silicon films by infrared reflection absorption spectroscopy [Text] : сборник / Y.Toyoshima. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 78 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; 979). - 5000 р. Текст яп.Рез.англ.Библиогр.:с.75-77ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:539.23 Рубрики: Кремниевые пленки--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Gervino G., Bagnolatti E., Boero M. Заглавие : Study on silicon detectors Выходные данные : Б.м., 1990 Колич.характеристики :20 кол с.: ил Серия: Pubblicazione;IMFM/TC-90/12/ Ist. naz. di fisica nucleare Примечания : ; Библиогр.: kol.18 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые детекторы Перейти к источнику в Интернете: Study on silicon detectors Доп.точки доступа: Bagnolatti, E.; Boero, M. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Sobolev Yu.G., Kushniruk V.F., Bialkowski E. Заглавие : Study of the charge multiplication phenomenon is silicon epitaxial detector . -Препринт Выходные данные : Dubna, 1999 Колич.характеристики :6 p.: il. Серия: Сообщения Объединенного института ядерных исследований; Е13-99-185 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Предметные рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Study of the charge multiplication phenomenon is silicon epitaxial detector, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Kushniruk, V.F.; Bialkowski, E. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Suvorov A.L., Cheblukov Yu.N., Laazarev N.E. Заглавие : Study of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy Выходные данные : Moscow, 1998 Колич.характеристики :12 p.: il. Серия: Препринт; 24-98 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.29 УДК : Предметные рубрики: Углерод Кремний Катоды Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Study of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Cheblukov, Yu.N.; Laazarev, N.E. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Н/7868/IHEP 93-106 Study of position resolution and electron-hadron separation of electromagnetic calorimeter with a silicon structure [Text] : препринт / V.B.Gorodnichev,V.A.Kachanov,V.Yu.Khodyrev и др. - Protvino, 1993. - 12 c. : ил. - (Препринт / Институт физики высоких энергий(Серпухов) ; IHEP 93-106). - 260 экз. - 49 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074(04) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Gorodnichev, V.B.; Kachanov, V.A.; Khodyrev, V.Yu. Экз-ры: хр(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Goeransson K. Заглавие : Structure and stability trende in the platium metal-silicon systems : Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :48 c: ил Серия: Acta Univ.Upsaliensis.Comprehensive summ.of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 448 Примечания : ; Библиогр.:с.47-48 ISBN, Цена 91-554-4448-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 + ; 61.31.51 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; металл; платина; кремний Перейти к источнику в Интернете: Structure and stability trende in the platium metal-silicon systems SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Spinning-current method for offset reduction in silicon Hall plates Датчики Холла, , дахо
J2/24496 Munter, P. J.A. Spinning-current method for offset reduction in silicon Hall plates [Text] : diss. / P.J.A.Munter. - Delft : [s. n.], 1992. - 149 p. : ill. - ISBN 90-6275-780-4 : 10 р. Рез.гол.Библиогр.:с. 125-129ГРНТИ 50.09.37УДК 681.586.728(043) Рубрики: Датчики Холла Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/5815/AE-96/04 Della Ricca, G. Simulation of the DELPHI STIC silicon shower maximum detector [Text] : сборник / G.Della Ricca,M.Prest. - Roma : [s. n.], 1996. - 24 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/04). - 3000 р. Библиогр.:с.23-24ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Prest, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/5815/TC-95/27 Bonvicini, V. Simulating capacitive cross-talk effects in DC-coupled hybrid silicon pixel detectors [Text] : сборник научных трудов / V.Bonvicini,M.Pindo. - S.l. : [s. n.], 1995. - 27 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-95/27). - 2000 р. Библиогр.:с.27ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Pindo, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicones and silicone-modified materials Выходные данные : Washington: Amer. chem. soc., 2000 Колич.характеристики :XI, 602 с.: ил., табл Серия: ACS symp. ser., ISSN 0097-6156; 729 Примечания : ; Библиогр. в конце докл. - ; Указ. : Auth. ind., Subject ind. : с. 561-602 ISBN, Цена 0-8412-3613-5: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicones and silicone-modified materials Доп.точки доступа: Clarson, Stephen J. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Silicone elastomers Rapra rev. rep. 0 ^aСиликоновые эластомеры. Rapra technology ltd
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Jerschow, Peter Заглавие : Silicone elastomers Выходные данные : Shawbury, Shrewsbury (Shropshire): Rapra technology ltd, 2001 Колич.характеристики :164 с.: ил., табл Серия: Rapra rev. rep., ISSN 0889-3144; Vol. 12, nr 5, rep. 137 Примечания : ; Библиогр. : с. 65; Указ. : Subject ind. : с. 153-164 ISBN, Цена 1-85957-297-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.59.33 + ; 61.63 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Silicone elastomers SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Silicon-on-insulator technology: materials to VLSI 0 ^aТехнология
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Colinge, Jean Pierre, Colinge, Jean-Pierre Заглавие : Silicon-on-insulator technology: materials to VLSI . -3d ed Выходные данные : Boston: Kluwer acad. publ., Cop. 2004 Колич.характеристики :X, 366 c.: ил., табл Примечания : ; Указ. : с. 361-366; Библиогр. в конце гл ISBN, Цена 1-4020-7773-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.31.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon-on-insulator technology: materials to VLSI, Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Colinge, Jean-Pierre SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Silicon-on-insulator : Its technology a. applications Выходные данные : Tokyo: KTK sci. publ.;Dordrecht etc.:Reidel, 1985 Колич.характеристики :VIII, 295 с.: ил.; 24 см. Примечания : ; Указ.-Библиогр. в конце докл. ISBN, Цена 90-277-1940-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.07 Перейти к источнику в Интернете: Silicon-on-insulator, Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Furukawa, Seljiro \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon-containing polymers : The science a. technology of their synthesis a. applications Выходные данные : Dordrecht etc.: Kluwer acad. publ.Cop. 2000,Б.г. Колич.характеристики :XX, 768 c.: ил., портр., табл Примечания : ; Библиогр. в конце ст. - ; Указ. : с. 763-768 ISBN, Цена 0-412-83110-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.59.33 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon-containing polymers Доп.точки доступа: Jones, Richard G. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon-based millimeter-wave devices Выходные данные : Berlin etc: Springer, 1994 Колич.характеристики :XVI,343 c: ил Серия: Springer series in electronics a. photonics; Vol.32 Примечания : ; Библиогр.в конце гл.-Указ.:с.339-343 ISBN, Цена 3-540-58047-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.29.37 + ; 47.33.29 + ; 47.45 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; миллиметровые волны Перейти к источнику в Интернете: Silicon-based millimeter-wave devices Доп.точки доступа: Luy, J.-F.; Russer, P. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon-based materials and devices Выходные данные : Б.м.,Б.г. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon-based materials and devices SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Kasper E., Paul D.J. Заглавие : Silicon quantum integrated circuits. Silicon-germanium heterostructure devices: basics and realisations Выходные данные : Berlin [etc.]: Springer Verl., 2005 Колич.характеристики :XII, 360 p.: ill Серия: NanoScience and technology/ ed.: P. Avouris [et al.], ISSN 1434-4904 Примечания : ; Библиогр. в конце разд. ISBN, Цена 3-540-22050-X: р3850.73 р. ГРНТИ : ; 47.33.37 УДК : Предметные рубрики: Микроэлектронные приборы Перейти к источнику в Интернете: Silicon quantum integrated circuits. Silicon-germanium heterostructure devices: basics and realisations, Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Paul, D.J. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Silicon pixel detectors : Proc. of the Intern. workshop on silicon. pixel detectors for particles a x-rays, Leuven, Belgium, May 31-Jun. 2, 1988 Выходные данные : Amsterdam: North-Holland Publ. Co, 1989 Колич.характеристики :VI, 467-630 с Серия: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment;Sec. A, ISSN 01689002;Vol275 Примечания : ; Библиогр. в конце докл Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремневые детекторы Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Silicon pixel detectors, Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Heijne, E.H.M. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Tisnek N., Kuivalainen P., Khusainov A.Kh. Заглавие : Silicon p-i-n detector for scintillation light, elementary particles and X-rays spectroscopy Выходные данные : Gatchina, 2000 Колич.характеристики :10 p.: il. Серия: Препринт; ЕР-17-2000 2360 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Предметные рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Silicon p-i-n detector for scintillation light, elementary particles and X-rays spectroscopy, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Kuivalainen, P.; Khusainov, A.Kh. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Silicon nanoelectronics 1 ^aКремниевая наноэлектроника^zrus Taylor & Francis
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon nanoelectronics Выходные данные : Boca Raton (FL): Taylor & Francis, 2005 Колич.характеристики :313, 12 c.: ил., портр Примечания : ; Указ. : с. 305-313; Библиогр. в конце ст ISBN, Цена 0-8247-2633-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09 + ; 47.03.05 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Silicon nanoelectronics, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Oda, Shunri \.\; Ferry, David \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon molecular beam epitaxy... : Proc.of symp.L on silicon molecular beam epitaxy of the...E-MRS Spring conf. Выходные данные : Amsterdam etc: North-Holland, 1995 Колич.характеристики :XIV,450 c: ил Серия: J.of crystal growth, ISSN 0022-0248; Vol.157,N 1-4 Примечания : ; Библиогр.в конце докл.-Указ.:с.442-450 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 55.20.15 + ; 47.13.11 + ; 29.19.15 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; эпитаксия кремния Перейти к источнику в Интернете: Silicon molecular beam epitaxy... Доп.точки доступа: Kasper, E.; Parker, E.H.C. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Kari G. Заглавие : Silicon micromechanics with applications in optical scanning and sensing systems Выходные данные : Uppsala, 1988 Колич.характеристики :30 с: ил Серия: Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss. from the fac. of science, ISSN 0282-7468; N160 Примечания : ; Библиогр.: с.30 ISBN, Цена 91-554-2265-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.11 + ; 81.37.13 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; микромеханика кремния Перейти к источнику в Интернете: Silicon micromechanics with applications in optical scanning and sensing systems, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Tennerz, Lars Заглавие : Silicon micromachining with applications in sensors and actuators Выходные данные : Б.м.,Б.г. Колич.характеристики :34 с Серия: Acta Univ. upsaliensis.Comprehensive summaries of Uppsala diss. from the fac. of science, ISSN 02827468;211 Примечания : ; Библиогр.: с. 32-34 ISBN, Цена 91-554-2418-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 59.13.13 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; силикон; механическая обработка Перейти к источнику в Интернете: Silicon micromachining with applications in sensors and actuators, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Strandman C. Заглавие : Silicon micromachining with applications in microoptics : Diss. Выходные данные : Uppsala, 1998 Колич.характеристики :37 c: ил Серия: Acta Univ.Upsaliensis.Comprehensive summ.of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 401 Примечания : ; Библиогр.:с.32-37 ISBN, Цена 91-554-4314-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 81.37.13 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; обработка; микрооптика Перейти к источнику в Интернете: Silicon micromachining with applications in microoptics SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Tenerz L. Заглавие : Silicon micromachining with application in sensors and actuators Выходные данные : Uppsala, 1989 Колич.характеристики :34 с Серия: Acta Universitatis Upsaliensis. Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the faculty of Science; 211 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.11 + ; 81.37.13 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний механическая микрообработка Перейти к источнику в Интернете: Silicon micromachining with application in sensors and actuators SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Adamovich, Aggarwal M.M., Alexandrov Yu.A. Заглавие : Silicon induced interactions with emulsion AT 3.7 and 14.6 AGeT Выходные данные : Dubna, 1992 Колич.характеристики :16 p.: il. Серия: Препринт; N1-92-569 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.19 УДК : Предметные рубрики: Ядерные реакции с тяжелыми ионами Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Silicon induced interactions with emulsion AT 3.7 and 14.6 AGeT, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Aggarwal, M.M.; Alexandrov, Yu.A. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon in polymer synthesis Выходные данные : Berlin etc: Springer, 1996 Колич.характеристики :XI,494 c: ил Примечания : ; Библиогр.:с.485-491.-Указ.:с.493-494 ISBN, Цена 3-540-58294-0: Б.ц. УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; синтез полимеров Перейти к источнику в Интернете: Silicon in polymer synthesis, Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Kricheldorf, H.R.; Burger, C. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Brook, Michael A. Заглавие : Silicon in organic, organometallic, and polymer chemistry Выходные данные : New York: WileyCop. 2000,Б.г. Колич.характеристики :XXIV, 680 c.: ил., табл Примечания : ; Указ. : Subject ind. : c. 644-680; Библиогр. в конце глав ISBN, Цена 0-471-19658-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.21.29 + ; 31.25.01 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Silicon in organic, organometallic, and polymer chemistry SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Colvin Ernest W. Заглавие : Silicon in organic synthesis : Butterworths monographs in chemistry and chemical engineering Выходные данные : London: Butterworth and Co (Publishers) Ltd, 1981 Колич.характеристики :348 p. ISBN, Цена 0-408-10619-0: р19-97 УДК : Предметные рубрики: Органическая химия (англ. яз.) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 1 ; органический синтез ; кремний (англ. яз.) Перейти к источнику в Интернете: Silicon in organic synthesis SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bruce S. Заглавие : Silicon germanium heterojunction bipolar transistors : Large-signal modelling a. low-frequency noise characterization aspects: Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :126 с: ил Серия: Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 479 Примечания : ; Библиогр.:с.109-112 ISBN, Цена 91-554-4558-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Перейти к источнику в Интернете: Silicon germanium heterojunction bipolar transistors SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Silicon detectors for synchrotron radiation digital mammography [Pubblicazione] INFN
R/5815/TC-94/12 Silicon detectors for synchrotron radiation digital mammography [Text] : сборник научных трудов / F.Arfelli,G.Barbiellini,G.Cantatore и др. - Roma : [s. n.], 1994. - 7 p. : 2l ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/12). - 100 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 76.29.48УДК 618.19-073.75 Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Arfelli, F.; Barbiellini, G.; Cantatore, G.; Castelli, E. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Silicon compilers : The technology, the vendors, the opportunities1 Выходные данные : Fort Lee (NJ): Techn. insights, 1987 Колич.характеристики :193 с: ил Серия: Emerging technologies;N26 ISBN, Цена 0-914993-40-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 + ; 50.41.25 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; компоновка кремниевых интегральных схем; технология; продажа; использование; автоматизация; расчет Перейти к источнику в Интернете: Silicon compilers SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
J2/25443 Silicon compilation [Text] : сборник научных трудов / ed. D. D. Gajski. - reading(ma) [etc.] : Addisom-Wesley publ.co., 1988. - X,452 p. p. : ill. - ISBN 0-201-09915-2 : 12500 р. Библиогр.в конце частей.ГРНТИ 47.33.31УДК 621.3.049.771.14.001.2-52 Рубрики: Интегральные схемы большие--Проектирование--Автоматизация Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Gajski, D.D. \ed.\ Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Gajski D.D. Заглавие : Silicon compilation Выходные данные : New York: Addison-Wesley, 1989 Колич.характеристики :450 с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.05 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевая компиляция Перейти к источнику в Интернете: Silicon compilation SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Silicon carbide power devices World sci.
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : . 47.33.29. grnti Автор(ы) : Baliga, B.Jayant Заглавие : Silicon carbide power devices Выходные данные : New Jersey: World sci., 2005 Колич.характеристики :XXI, 503 c.: ил Примечания : ; Библиогр. в конце гл. Указ.: с. 493-503 ISBN, Цена 981-256-605-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon carbide power devices SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : ; 31.15.17. grnti Заглавие : Silicon carbide and related materials. 2005, pt 2 : Proceedings of the International conference on silicon carbide and related materials-2005, Pittsburgh, Pa, USA, Sept 18-23, 2005 Выходные данные : Б.м., 2006 Колич.характеристики :C. LXX-XC, 781-1612, 10: ил., табл Серия: Е; vol. 527-529 ISBN, Цена 0-87849-425-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.15.17 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon carbide and related materials. 2005, pt 2 SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : ; 31.15.17. grnti Заглавие : Silicon carbide and related materials. 2005, pt 1 : Proceedings of the International conference on silicon carbide and related materials-2005, Pittsburgh, Pa, USA, Sept. 18-23, 2005 Выходные данные : Б.м., 2006 Колич.характеристики :778, LVI c.: ил., табл Серия: Е; vol. 527-529 ISBN, Цена 0-87849-425-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.15.17 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Silicon carbide and related materials. 2005, pt 1 SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Rochow E.G. Заглавие : Silicon and silicones : About stoneage tools, antique pottery, modern ceramics, computers, space materials and how they all got that way Выходные данные : Berlin: Springer, 1987 Колич.характеристики :11, 181 с: ил Примечания : ; Имен., предм. указ. и указ. источника: с.175-181 ISBN, Цена 3-540-17565-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; силиконы; применение Перейти к источнику в Интернете: Silicon and silicones, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/5815/TC-94/09 Silicon X-ray detector for synchrotron radiation digital radiology [Text] : сборник / F.Arfelli,G.Barbiellini,G.Cantatore и др. - Trieste : [s. n.], 1994. - 8 p. : 8 l.ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/09). - 50 р. Библиогр.:с.7.ГРНТИ 76.29.62УДК 615.471:616-073.753 Рубрики: Рентгенология Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Arfelli, F.; Barbiellini, G.; Cantatore, G.; Castelli, E. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Silicon : Evolution and future of a technology Выходные данные : Berlin etc.: Springer, 2004 Колич.характеристики :XX, 549 c.: ил.; 24 см ISBN, Цена 3-540-40546-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.31.47 + ; 47.09.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний--0 ; полупроводниковые материалы Перейти к источнику в Интернете: Silicon Доп.точки доступа: Siffert, Paul; Krimmel, Eberhard F SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Shape and functional elements of the bulk silicon microtechnique Springer ; Кремниевые структуры
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Fruhauf J. Заглавие : Shape and functional elements of the bulk silicon microtechnique : a man. of wet-etched silicon structures Выходные данные : Berlin [etc.]: Springer, 2005 Колич.характеристики :XII, 221 p.: ill Примечания : ; Библиогр. в конце глав. Указ.: с. 217-221 ISBN, Цена 3-540-22109-3: р3508.67 р. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Предметные рубрики: Кремниевые структуры Перейти к источнику в Интернете: Shape and functional elements of the bulk silicon microtechnique SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Shimura, Fumio Заглавие : Semiconductor silicon crystal technology Выходные данные : San Diego etc.: Acad. press, 1989 Колич.характеристики :VIII, 426 с.: ил.; 23 см. Примечания : ; Указ.-Библиогр. в конце гл. ISBN, Цена 0-12-640045-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 Перейти к источнику в Интернете: Semiconductor silicon crystal technology, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Semiconductor silicon : Materials science a. technology. Proc. of the summer school, Erice, July Б-15, 1988 Выходные данные : Berlin: Springer-Verl.; Heidelberg; New York, 1989 Колич.характеристики :IX, 345 с: ил Серия: Springer series in materials science;N13 Примечания : ; Библиогр. в конце гл. -Указ.: с. 345 ISBN, Цена 3-540-51073-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; полупроводниковые устройства Перейти к источнику в Интернете: Semiconductor silicon, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Harbeke, G. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17226/93-130 Unno, Y. The SDC silicon tracking system [Text] : presented at the intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors,May 22-24 1993,Hiroshima / Y.Unno. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 41 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-130). - 100 р. Библиогр.:с.18ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Russian Linguistics (Лингвистика/Издания)
2005-05-28
Изд-во Kluwer www.slavistiek.nl/rl, www.kluweronline.com/issn/0304-3487 …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Suzuki A. Заглавие : Role of higher solanes in process for hydrogenated amorphous silicon films Выходные данные : Tsukuba, 2000 Колич.характеристики :64 p.: ill. Серия: Researches/ Electrotechnical laboratory(Tokyo), ISSN 0366-9106; N992 Примечания : ; Текст яп.Рез.англ.Библиогр.в конце ст. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 УДК : Предметные рубрики: Кремниевые пленки Перейти к источнику в Интернете: Role of higher solanes in process for hydrogenated amorphous silicon films SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Robohoo! (Машиностроение/Ресурсы)
2006-04-13
Тип2НазваниеRobohoo!ОписаниеКаталог интернет-ресурсов по робототехникеКлючевые словаРобототехника, автоматизация, интернет-ресурсыПерспективы развитияТип доступаФормат данныхmimeОбъём данныхЗаписей0Ки …
Ri (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-06
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
R/17226/93-92 Readout system of the silicon microstrip vector detector for the KEK B-factory [Text] : presented at the intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors,May 22-24,1993,Hiroshima / M.Tanaka,H.Ikeda,Y.Fujita и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 16 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-92). - 50 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Tanaka, M.; Ikeda, H.; Fujita, Y.; Ozaki, H. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Re Squared (Машиностроение/Организации)
2006-04-13
Тип2НазваниеRe SquaredОписаниеRe Squared provides expertise in the field of robotics engineeringКлючевые словаробототехника, разработки, экспертизаПерспективы развитияТип доступасвободныйФормат данных …
R/17226/96-1 Radiation tolerance for the SMA2SH - series front-end chips for silicon micro-strip detector [Text] : сборник научных трудов / H.Ikeda,C.Fukunaga,Y.Saitoh и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 15 kol. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-1). - 1000 р. Библиогр.:кол:7-8ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ikeda, H.; Fukunaga, C.; Saitoh, Y.; Inoue, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Н/2509/Е14-95-97 Radiation hardness of silicon detectors for collider experiments [Text] : препринт / I.Golutvin,A.Cheremukhin,E.Fefelova и др. - Dubna, 1995. - 39 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е14-95-97). - 340 экз. - 1872 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5(04) Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Golutvin, I.; Cheremukhin, A.; Fefelova, E. Экз-ры: хр(1) SILICON$
R/17226/93-140 Radiation effects of double-sided silicon strip sensors [Text] : presented at the intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors,May 22-24 1993,Hiroshima / N.Tamura,T.Hatakenaka,Y.Iwata и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 21 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-140). - 100 р. Библиогр.:с.9ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Tamura, N.; Hatakenaka, T.; Iwata, Y.; Kubota, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/12165/17,N 11 Borchi, E. Radiation damage in silicon detectors [Text] : сборник / E.Borchi,M.Bruzzi. - Bologna : [s. n.], 1994. - 63 p. : ill. - (La rivista del nuovo cimento. Ser.3, ISSN 0393-697X ; vol.17,N 11). - 500 р. Библиогр.:с.59-63ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Bruzzi, M. Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-105863 SILICON$
Quantum transport of electrons in nanostructured silicon MOSFETs МОП-транзисторы полевые, , мопотр
J2/24498 Graaf, C. de Quantum transport of electrons in nanostructured silicon MOSFETs [Text] : diss. / C.de Graaf. - Delft : [s. n.], 1992. - 132 p. : ill. - 10 р. Рез.гол.Библиогр. в конце статейГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(043) Рубрики: МОП-транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/96-77 Proton irradion P-bulk silicon strip detectors using 12 GeV PS at KEK [Text] : сборник научных трудов / S.Terada,H.Iwasaki,T.Kohriki и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 12 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-77). - 3000 р. Библиогр.:с.12ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Terada, S.; Iwasaki, H.; Kohriki, T.; Kondo, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Proceedings...,Banff,Canada,1997 Выходные данные : Amsterdam etc: Elsevier, 1998 Колич.характеристики :X,271 c: ил Коллективы : International symposium on silicon molecular beam epitaxy (7;1997;Banff) Серия: Thin solid films, ISSN 0040-6090; Vol.321 Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.: с.265-271 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.16 + ; 47.13.11 + ; 55.20.15 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; молекулярно-пучковая эпитаксия Перейти к источнику в Интернете: Proceedings...,Banff,Canada,1997 Доп.точки доступа: Barbeau, J.H. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Proceedings of the fifth international symposium on inorganic... Amherst (Ma), Aug. 8-12, 1988 Выходные данные : London: Gordon and Breach Science Publ., 1989 Колич.характеристики :250 с: ил Серия: Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, ISSN 0308-664X; Vol.41; N1-2, 1989; Pt.1 ISBN, Цена 0-677-22130-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; неорганическая; циклическая; система Перейти к источнику в Интернете: Proceedings of the fifth international symposium on inorganic... Amherst (Ma), Aug. 8-12, 1988, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Proceedings of the fifth international symposium on inorganic... Amherst (Ma), Aug. 8-12, 1988 Выходные данные : London: Gordon and Breach Science Publ., 1989 Колич.характеристики :217(253-470) с: ил Серия: Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, ISSN 0308-664X; 41; N3-4, 1989; Pt.2 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; неорганическая; циклическая система Перейти к источнику в Интернете: Proceedings of the fifth international symposium on inorganic... Amherst (Ma), Aug. 8-12, 1988 SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Proceedings of the XIII International symposium on the organic chemistry of sulfur chemistry, 7-12 Aug. 1988, Odense, Denmark Выходные данные : New York etc.: Gordon a. Beach, 1988 Колич.характеристики :IV, 209-394 с: ил Серия: Phosphorus, sulfer a. silicon a. the related elements, ISSN 1042-6507; Vol.43, N1/2, N3/4 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.21.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; органическая химия Перейти к источнику в Интернете: Proceedings of the XIII International symposium on the organic chemistry of sulfur chemistry, 7-12 Aug. 1988, Odense, Denmark Доп.точки доступа: Pedersen, C.Th. \.\; Becher, J. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Proceedings of the XIII International symposium on the organic chemistry of sulfur chemistry, 7-12 Aug. 1988, Odense, Denmark Выходные данные : New York etc.: Gordon a. Beach, 1989 Колич.характеристики :208 с: ил Серия: Phosphorus, sulfer a. silicon a. the related elements, ISSN 1042-6507; Vol.43, N1/2, N3/4 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.21.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; сера; органическая химия Перейти к источнику в Интернете: Proceedings of the XIII International symposium on the organic chemistry of sulfur chemistry, 7-12 Aug. 1988, Odense, Denmark Доп.точки доступа: Pedersen, C.Th. \.\; Becher, J. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Proceedings of symposium B on science and technology of defects in silicon of the E-MRS meeting, Strasbourg, France, May 30-June 2, 1989 Выходные данные : Lausanne: Elsevier Sequoia SA,Б.г. Колич.характеристики :12, 505 с.: рис., табл Серия: Materials Science and Engineering.Solid- State Materials for Advanced Technology;B, ISSN 09215107;Vol.4;Nr1/4 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с. 497-505 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.01.13 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; наука; технология; дефекты кремния Перейти к источнику в Интернете: Proceedings of symposium B on science and technology of defects in silicon of the E-MRS meeting, Strasbourg, France, May 30-June 2, 1989 SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Preparation and properties of silicon nitride based materials Выходные данные : Aedermannsdorf: Trans Tech Publications, Journal Division, 1989 Колич.характеристики :VIII, 307 с: ил Серия: Materials Science Forum, ISSN 02555476;Vol.47 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.1-7 ISBN, Цена 0-87849-593-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.35.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; нитрид кремния Перейти к источнику в Интернете: Preparation and properties of silicon nitride based materials, Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Bonnell, Dawn \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Pr (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-06
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
R/17226/96-2 Power-supply/ground-ripple rejection capability of the SMA2SH preamplifier array for a silicon micro-strip detector [Text] : сборник научных трудов / H.Ikeda,Y.Saitoh,M.Inoue и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 12 kol. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-2). - 1000 р. Библиогр.:кол.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ikeda, H.; Saitoh, Y.; Inoue, M.; Yamanaka, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Slater, Robert Заглавие : Portraits in silicon Выходные данные : Cambridge: MIT press; London, 1987 Колич.характеристики :14,374 с.: рис Примечания : ; Bibliogr.: с. 359-362.-Указ.: с. 365-374 ISBN, Цена 0-262-19262-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 50.01.09 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; портрет;силикон;компьютер;история компьютера Перейти к источнику в Интернете: Portraits in silicon SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : ; 31.15.17. grnti Заглавие : Porous silicon carbide and gallium nitride : epitaxy, catalysis, and biotechnology applications Выходные данные : Chichester (W. Sx.): Wiley, 2008 Колич.характеристики :XIV, 318 c.: ил., табл Примечания : ; Библиогр. в конце ст. Указ.: с. 311-318. - ; В подзаг.: Feenstra Randall M., Wood Colin E.C. ISBN, Цена 978-0-470-51752-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.15.17 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Porous silicon carbide and gallium nitride SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Kamins T. Заглавие : Polycrystalline silicon for integrated circuit applications Выходные данные : Boston: Kluwer academic publ.; Dordrecht; Lancaster, 1988 Колич.характеристики :VIII, 290 с: ил Серия: The kluwer international series in engineering and computer science;N45 Примечания : ; Библиогр.: с. 249-280.-Указ.: с. 281-290 ISBN, Цена 0-89838-259-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; поликристаллический кремний; интегральные схемы Перейти к источнику в Интернете: Polycrystalline silicon for integrated circuit applications, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Cerofolini G., Meda L. Заглавие : Physical chemistry of, in and on silicon Выходные данные : Berlin: Springer-Verl.; Heidelberg; New York, 1989 Колич.характеристики :8, 122 с: ил Серия: Springer series in materials science;8 Примечания : ; Библиогр.: с. 105-118.-Указ.: Subject ind.: с. 121-122 ISBN, Цена 3-540-19049-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 + ; 31.17.15 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний Перейти к источнику в Интернете: Physical chemistry of, in and on silicon, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Meda, L.; Mooradia, A. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements Gordon and Breach Science Publ.
Вид документа : Журнал Шифр издания : Заглавие : Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements Выходные данные : London: Gordon and Breach Science Publ.,Б.г. ISSN: 10426507 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.23 Перейти к источнику в Интернете: Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17226/96-140 Performance of a double-sided silicon microstrip detector with a wide-pitch N-side readout using a field-plate and a multi P-stop structure [Text] : submitted to the IEEE nuclear science symp.,Nov.3-9,1996,Anaheim(Ca) / Y.Saitoh,T.Akamine,M.Inoue и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 7 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-140). - 1000 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Akamine, T.; Inoue, M.; Yamanaka, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Oxygen, carbon, hydrogen and nitrogen in crystalline silicon : Symp. held Dec. 2-5, 1985, Boston, Mass., USA Выходные данные : Pittsburg (Pa): Materials research soc., 1987 Колич.характеристики :15, 579 с: ил Коллективы : Materials research society(Boston) Серия: Symposia proceedings/ Materials reserach soc., ISSN 02729172;Vol.59 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Авт., предм. указ.: с. 575-579 ISBN, Цена 0-931837-24-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 + ; 29.01.13 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; примеси; кислород; углерод; водород; азот; полупроводник; конференция Перейти к источнику в Интернете: Oxygen, carbon, hydrogen and nitrogen in crystalline silicon, Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Mikkelsen, J.C. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Q/3409/4,1993 Persson, J. Oxidation studies of silicon nitride based ceramics [Text] : an interpretation of the nonparabolic oxidation behaviour:Diss. / J.Persson. - Stockholm : [s. n.], 1993. - 81 p. : ill. - (Chemical communications / Stockholm univ., ISSN 0366-5607 ; n4,1993). - ISBN 91-7153-164-5 : 20 р. Библиогр.:с.76-81ГРНТИ 61.35.29УДК 666.762.93.01:620.193(043) Рубрики: Керамические материалы и изделия, нитридные--Коррозия и защита от нее Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Osaka University. Asada Lab. (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Vision-based behavior learning of mobile robots, Visual servoing and its application ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Osaka, Japan www …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Heuvel J.C.van den Заглавие : Optical properties and transport properties of hydrogenated amorphous silicon : Diss Выходные данные : Delft, 1989 Колич.характеристики :IX, 133 с: ил Примечания : ; Библиогр. в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 + ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; гидрогенезированный аморфный кремний Перейти к источнику в Интернете: Optical properties and transport properties of hydrogenated amorphous silicon SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/11634/106 Aarnio, J. Optical integrated structures and circuits on silicon [Text] : diss. / J.Aarnio. - Espoo : VTT, 1992. - Pag.var. : ill. - (Publications / Valtion teknillinen tutkimuskeskus(Helsinki), ISSN 0358-5069 ; n106). - ISBN 951-38-4224-X : 10 р., 50 р. Библиогр. в конце статейГРНТИ 29.33.39УДК 621.3.049.77.082.5(043) Рубрики: Интегральная оптикаИнтегральные схемы оптические Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(2) SILICON$
R/16572/PR-95-21 Optical analog readout and control of the central silicon vertex detector of H1 at HERA [Text] : сборник / W.Erdmann,R.Eichler,H.Niggli и др. - Villigen : [s. n.], 1995. - 12 p. : ill. - (Progress report / Paul Scherrer Inst. ; PR-95-21). - 1000 р. Библиогр.:с.5-6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Erdmann, W.; Eichler, R.; Niggli, H.; Pitzl, D. Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-106436 SILICON$
R/17226/95-100 Korhonen, T. Operator interface and control system for the BELLE experiment silicon microvertex detector [Text] : presented at the 9th conf.on real-time computer applications in nuclear,particle and plasma physics(RT-95),May 23-26,1995,East Lansing,MI,USA / T.Korhonen,C.Fukunaga,M.Tanaka. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 5 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-100). - 1000 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fukunaga, C.; Tanaka, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Н/2509/Е7-94-346 Цыганов, Ю. С. On the nature of incident angle dependence of residual defect in silicon surface barrier detector [Text] : препринт / Ю.С.Цыганов,А.Н.Поляков. - Dubna, 1994. - 4 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е7-94-346). - 305 экз. - 90 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5(04) Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Поляков, А.Н.; Polyakov A.N.; Tsyganov Yu.S. Экз-ры: хр(1) SILICON$
J2/24465 Wijnen, P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors [Text] : diss. / P.J. van Wijnen. - Delft : [s. n.], 1992. - V,265 p. p. : ill. - 30 р., 20 р. Рез.гол.Библиогр. в конце статей.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(2) SILICON$
O (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-06
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
Newsflash 3 (Newsflashes/Newsflash)
2004-08-09
Aoccdrnig to a rscheearch at an Elingsh uinervtisy, it deosn't mttaer in waht oredr the ltteers in a wrod are, the olny iprmoetnt tihng is taht frist and lsat ltteer is at the rghit pclae. The rset ca …
R/17226/94-145 New profiled silicon PIN photodiode for scintillation detector [Text] : сборник научных трудов / Y.Saitoh,T.Akamine,K.Satoh и др. - S.l. : [s. n.], 1994. - 5 p. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-145). - 100 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.3 Рубрики: Сцинтилляционные детекторы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Akamine, T.; Satoh, K.; Inoue, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/93-169 New insulator film of integrated capacitor for a silicon strip detector [Text] : submitted to the IEEE transaction on nuclear sci.symp.,Nov.2-6,1993,San Francisco(Ca) / S.Okuno,H.Ikeda,T.Akamine и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 4 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-169). - 100 р. Библиогр.:с.4ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Okuno, S.; Ikeda, H.; Akamine, T.; Saitoh, Y. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/5815/AE-96/12 New developments in silicon drift detectors [Text] : сборник / A.Rashevsky,V.Bonvicini,P.Burger и др. - Roma : [s. n.], 1996. - 13 p. : 11 l.il. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/12). - 3000 р. Библиогр.:с.9ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.23 Рубрики: Пропорциональные камеры Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Rashevsky, A.; Bonvicini, V.; Burger, P.; Виноградов, Л. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Соболев Н.А., Shek E.I., Shabalin E.P. Заглавие : Neutron transmutation doping of silicon by magnesium Выходные данные : St.Petersburg, 1993 Колич.характеристики :9 p. Серия: Препринт; 1606 Примечания : ; Библиогр.: с. 9 (8 назв.) Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Предметные рубрики: Кремний Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Neutron transmutation doping of silicon by magnesium, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Shek, E.I.; Shabalin, E.P. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
National Nanotechnology Initiative (Химия/Ресурсы)
2006-04-05
ТипНазваниеNational Nanotechnology InitiativeОписаниеThe National Nanotechnology Initiative (NNI) is a federal R&D program established to coordinate the multiagency efforts in nanoscale science, e …
Mitsubishi Heavy Industries. Developing Innovative Robots (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Microrobots, Group or colony control, Snake robots ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo www.iijnet.or.jp/MMC/no.11/MHI.html (www.i …
Minority carrier transport in heavily doped silicon Транзисторы биполярные, , битр
J2/24380 Pan, Y. Minority carrier transport in heavily doped silicon [Text] : diss. / Y.Pan. - Delf : [s. n.], 1992. - VIII,139 p. p. - 30 р. Библиогр.:с.118-127ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Microwave circuits on silicon substrates Выходные данные : New York: Inst.of electrical & electronics eng., 1998 Колич.характеристики :509-722 c: ил Серия: IEEE trans.on microwave theory & techniques, ISSN 0018-9480; Vol.46,N 5,pt 2 (spec.iss.) Примечания : ; Библиогр.в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; свч-схемы; кремниевая подложка Перейти к источнику в Интернете: Microwave circuits on silicon substrates Доп.точки доступа: Luy, J.-F.; Ponchak, G.E. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Rangsten P. Заглавие : Microstructure technology in silicon, quartz and diamond : Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :37 c: ил Серия: Acta Univ.Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss.from the Fac.of science a. technology, ISSN 1104-232X; N 484 Примечания : ; Библиогр.: с.35-37 ISBN, Цена 91-554-4572-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.04 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; кварц; алмазы; микроструктура Перейти к источнику в Интернете: Microstructure technology in silicon, quartz and diamond SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Johansson, Stefan Заглавие : Micromechanical properties of silicon Выходные данные : Б.м.,Б.г. Колич.характеристики :25 с Серия: Acta Univ. upsaliensis.Comprehensive summaries of Uppsala diss. from the fac. of science, ISSN 02827468;146;Vol. ISBN, Цена 91-554-2223-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.35 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; микромеханические свойства; силикон Перейти к источнику в Интернете: Micromechanical properties of silicon, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17226/93-129 Micro-discharges of AC-coupled silicon strip sensors [Text] : presented at the intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors,May 22-24 1993,Hiroshima / T.Ohsugi,Y.Iwata,H.Ohyama и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 17 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-129). - 100 р. Библиогр.:с.9-10ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ohsugi, T.; Iwata, Y.; Ohyama, H.; Ohmoto, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/15656/96-07 Avset, B. S. Measurements and characterization of a hole trap in neutron-irradiated silicon [Text] : сборник / B.S.Avset. - Oslo : [s. n.], 1996. - 42 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 96-07). - 10000 р. Библиогр.:с.40-42ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:539.16 Рубрики: Кремний--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/5815/AE-95/10 Troncon, C. Measurement of spatial resolution and charge collection in double sided double metal silicon microstrip detectors [Text] : сборник / C.Troncon. - Roma : [s. n.], 1995. - 5 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-95/10). - 500 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Materials research society (Металлургия/Статьи)
2006-02-19
Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название M …
M (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-04
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Shudo K.-i., Komori F., Hattori K., Murata Y. Заглавие : Light-induced monolayer modification of chlorinated silicon (111) surfaces studied with a scanning tunneling microscope Выходные данные : Tokyo: Inst. for solid state physics, 1994 Колич.характеристики :26 c: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; N 2830 Примечания : ; Библиогр.: с.17 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.31.27 + ; 29.19.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; поверхность кремния; адсорбция Перейти к источнику в Интернете: Light-induced monolayer modification of chlorinated silicon (111) surfaces studied with a scanning tunneling microscope Доп.точки доступа: Komori, F.; Hattori, K.; Murata, Y. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
V2346/Vol.57,N 1-6,1993 Light emission from silicon [Text] : papers from symp.,held in Strasbourg,1993 / ed. J. -C. Vial. - Amsterdam : North-Holland, 1993. - XII,358 p. p. : ill. - (Journal of luminescence, ISSN ISSN 0022-2313 ; vol.57,N 1-6,1993). - Б. ц. Библиогр.в конце статей.Указ.:с.351-354ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:535.37(063) Рубрики: Кремний--Люминесценция--Съезды и конференции Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Vial, J.-C. \ed.\ Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17401/94/117 Binggeli, N. Langevin molecular dynamics with quantum forces:application to silicon clusters [Text] : монография / N.Binggeli,J.R.Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1994. - 20 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 94/117). - 100 р. Библиогр.:с.16-18ГРНТИ 29.17УДК 536.75 Рубрики: Статистическая физика Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Chelikowsky, J.R. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/93-67 LSI design and data-acquisition architecture for a silicon micro-vertex detector at the KEK B-factory [Text] : монография / M.Tanaka,H.Ikeda,M.Ikeda и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 15 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-67). - 10 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Tanaka, M.; Ikeda, H.; Ikeda, M.; Inaba, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
L (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-05
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
Kyushu University. Systems Control (Mohri) Lab. (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Kinematics, Control, Artificial life ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Email: tsuji@mech.kyushu-u.ac.jp Город: Fukuoka, Fukuoka, …
Kyushu Institute of Technology. Yamashita Lab (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: институт Профиль деятельности: Control, Walking, Manufacturing Сокр. название: KYUTECH ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Email: a584202@tobata.isc.kyutech.ac.jp Индекс: 804-8 …
Kosuge Kazuhiro (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Japan Город: Sendai Адрес: 01, Aobayama, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan Email: kosuge@irs.mech.tohoku.ac.jp Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организация: Tohoku universi …
Kimura Shigeru (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Japan Адрес: 502, Kandatsu, Tsuchiura, Ibaraki, 300-0013, Japan Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организация: Hitachi Ltd., Mechanical Engineering Research Lab. …
Katoh Ryozo (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Japan Город: Kitakyushu Адрес: Tobata, Kitakyushu, Fukuoka, 804-8550 Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организация: Kyushu Ins. Of Technol., Dep. Mech. & Control Eng. htt …
Kasahara Hironari (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Japan Город: Tokyo Адрес: 3-4-1, Okubo,Shinjyuku-ku, Tokyo, 168-8555 Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организация: Waseda Univ., Dep. Electr-l, Electron. & Comp. Eng www …
R/5815/TC-94/13a Bonvicini, V. Junction and interstrip capacitance of silicon microstrip detectors [Text] : монография / V.Bonvicini,M.Prest,N.Zampa. - Roma : [s. n.], 1994. - 7 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/13a). - 100 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Prest, M.; Zampa, N. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Journal of nanoscience and nanotechnology (Металлургия/Ресурсы)
2006-02-20
ТипОтдельный выпуск журналаАвторыНазваниеJournal of nanoscience and nanotechnologyРефератпубликуются материалы по нанотехнологиям и наноматериаламКлючевые словананотехнологии, наноматериалыПолное назв …
Journal of inorganic and organometallic polymers Proceedings <
V4934/Vol.1,N 4,1991/2 "Advances in silicon-based polymer science",international topical workshop (2;1990;Hawaii). Proceedings [Text] / Ed.:J.M.Zeigler. - New York,London : Plenum press.2. - 1991. - 427-606 p. p. : ill. - (Journal of inorganic and organometallic polymers, ISSN ISSN 1053-0495 ; vol.1,N 4,1991). - Б. ц. Библиогр.в конце статейГРНТИ 31.25.15УДК 678.84(063) Рубрики: Полимеры кремнийорганические--Съезды и конференции Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Journal of inorganic and organometallic polymers Proceedings <
V4934/Vol.1,N 3,1991/1 "Advances in silicon-based polymer science",international topical workshop (2;1990;Hawaii). Proceedings [Text] / Ed.:J.M.Zeigler. - New York,London : Plenum press.1. - 1991. - 245-426 p. p. : ill. - (Journal of inorganic and organometallic polymers, ISSN ISSN 1053-0495 ; vol.1,N 3,1991). - Б. ц. Библиогр.и конце статейГРНТИ 31.25.15УДК 678.84(063) Рубрики: Полимеры кремнийорганические--Съезды и конференции Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Journal of computational and theoretical nanoscience (Металлургия/Ресурсы)
2006-02-19
Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название J …
Japan Marine Science and Technology Center Deep Sea Research (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Underwater robotics Сокр. название: JAMSTEC ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Yokosuka, Kanagawa, Japan www.jamstec.go.jp/index-e/ …
J (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-03
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
Ishihara Hidenori (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Japan Город: Nagoya Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организация: Nagoya University www.mein.nagoya-u.ac.jp/staff/ishihara-e.html (www.mein.nagoya-u.ac.jp/staff/ishihara-e. …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Tiren, Jonas Заглавие : Investigations on silicon microelectronic and micromechanic devices Выходные данные : Б.м.,Б.г. Колич.характеристики :35 с Серия: Acta Univ. upsaliensis.Comprehensive summaries of Uppsala diss. from the fac. of science, ISSN 02827468;198 ISBN, Цена 91-554-2380-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; микроэлектроника Перейти к источнику в Интернете: Investigations on silicon microelectronic and micromechanic devices, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : Автор(ы) : Cheremukhin A., Golutvin I., Rashevsky A. Заглавие : Investigation of silicon planar detectors for LHC project Выходные данные : Dubna, 1994 Колич.характеристики :18 p.: il. Серия: Препринт; E13-94-247 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : 539.1.074.5(04) Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Investigation of silicon planar detectors for LHC project, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Golutvin, I.; Rashevsky, A. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Investigation of silicon planar detectors for LHC project Препринт
Н/2509/E13-94-247 Investigation of silicon planar detectors for LHC project [Text] : препринт / A.Cheremukhin,I.Golutvin,A.Rashevsky и др. - Dubna, 1994. - 18 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; E13-94-247). - 370 экз. - 300 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5(04) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Cheremukhin, A.; Golutvin, I.; Rashevsky, A. Экз-ры: хр(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Pichler P. Заглавие : Intrinsic point defects, impurities and their diffusion in silicon Выходные данные : Wien: Springer; New York, 2004 Колич.характеристики :XXI, 554 c: ил Серия: Computational microelectronics Примечания : ; Библиогр. в конце гл.- Указ.: с.543-554 ISBN, Цена 3-211-20687-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.11 + ; 47.09.29 + ; 29.19.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; точечные дефекты; примеси; кремний Перейти к источнику в Интернете: Intrinsic point defects, impurities and their diffusion in silicon SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
International University Bremen. Robotics Lab. (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Robotic rescue, Embedded systems Сокр. название: IUB ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Bremen, Deutschland http://robotics.iu- …
2006-04-17
ТипОрганизацияПолное название (официальное)International Electrotechnical Commission Международная Электротехническая КомиссияПрофиль деятельностиМетрология стандартизация международная деятельностьСо …
Intelligent Robot (Машиностроение/Организации)
2006-04-13
Тип2НазваниеIntelligent RobotОписаниепроизводство роботов для образовательных, промышленных и военных целейКлючевые словаРобототехника, промышленность, образование, вооружениеПерспективы развитияТип д …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Oudheusden B.V.van Заглавие : Integrated silicon flow sensors : Diss Выходные данные : Delft, 1989 Колич.характеристики :XIV, 184 с: ил Примечания : ; Загл., рез. англ., нидерл. -Библиогр.: с. 169-177 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 59.37.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые датчики Перейти к источнику в Интернете: Integrated silicon flow sensors SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Lian W. Заглавие : Integrated silicon flip-flop sensors : Diss Выходные данные : Delft, 1989 Колич.характеристики :125 с: ил Примечания : ; Библиогр. в конце гл Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.37 + ; 50.09.37 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые триггерные датчики Перейти к источнику в Интернете: Integrated silicon flip-flop sensors, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Wolffenbuttel R.F. Заглавие : Integrated silicon colour sensors : Diss. Выходные данные : Delft, 1988 Колич.характеристики :II, 108 с: ил Примечания : ; Рез. гол.-Библиогр. в конце гл Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.37 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые датчики; спектральная чувствительность Перейти к источнику в Интернете: Integrated silicon colour sensors SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Instabilities in silicon devices : Silicon passivation and related instabilities Выходные данные : Amsterdam: North-Holland, 1986 Колич.характеристики :24, 517 с.: ил. Примечания : ; Библиогр. в конце гл.-Авт., предм. указ. к Т. 1: с. 503-517 ISBN, Цена 0-444-87944-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09 + ; 29.19.31 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; пассирование; структура--0 ; неустойчивость; металл-окисел-полупроводник Перейти к источнику в Интернете: Instabilities in silicon devices, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Barbottin, G. \.\; Vapaille, A. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Piemonte C., Rashevsky A., Nouais D. Заглавие : Influence of the leakage current on the performance of large area silicon drift detectors Выходные данные : Roma, 2000 Колич.характеристики :18 p.: ill Серия: [Pubblicazione] INFN/ Istituto nazionale di fisica nucleare(Roma); TC-00/04 Примечания : ; Библиогр.:с.18 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Предметные рубрики: Пропорциональные камеры Перейти к источнику в Интернете: Influence of the leakage current on the performance of large area silicon drift detectors Доп.точки доступа: Rashevsky, A.; Nouais, D. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
IEEE Transaction on Robotics & Automation (Машиностроение/Ресурсы)
2006-02-16
Научно-технический журнал, рассматривающий вопросы электронизации и автоматизации робототехники. Ключевые слова: робототехника, роботы, автоматизация, электроника ГРНТИ: 55.30 ISSN: 1042-29 …
IEE Proceedings. Control Theory & Applications (Машиностроение/Ресурсы)
2006-02-16
Ключевые слова: автоматизация, мехатроника, применение ГРНТИ: 55.30 ISSN: 1350-2379 Создатель (автор) ресурса: The Institution of Electrical Engineers Язык: английский …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Oort R.C.van Заглавие : Hydrogenated amorphus and microcrystalline silicon deposited from silane-hydrogen mixtures : Diss Выходные данные : Delft, 1989 Колич.характеристики :120 с: ил Примечания : ; Библиогр. в конце гл Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; гидрогенезированный аморфный микрокристаллический кремний; силано-водородные смеси Перейти к источнику в Интернете: Hydrogenated amorphus and microcrystalline silicon deposited from silane-hydrogen mixtures SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/3812/B 509 Briere, M. A. Hydrogen incorporation and radiation induced dynamics in metal-oxide silicon structures [Text] : a study using nuclear reaction analysis:Diss. / M.A.Briere. - Berlin : [s. n.], 1993. - 90 p. : ill. - (Berichte / Hahn-Meitner-Inst., ISSN 1431-4940 ; b 509). - 150 р. Рез.нем.Библиогр.:с.60-68ГРНТИ 47.33УДК 621.382:539.16(043) Рубрики: Полупроводниковые приборы--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-104870 SILICON$
2006-02-17
Тип: хозяйственная Профиль деятельности: Mechatronics, Control, Vision ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo, Japan www.hitachi.co.jp (www.hitachi.co.jp) …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Heterostructures on silicon : One step further with silicon: Proc.of the NATO Advanced research workshop on heterostructures on silicon..., Cargese,Corsica,France, May 15-20,1988 Выходные данные : Dordrecht etc: Kluwer acad.publ., 1989 Колич.характеристики :XIII,362 c: ил Серия: NATO ASI ser. Ser.E:Appl.sciences; Vol.160 Примечания : ; Библиогр. в конце докл.-Указ.:с.359-362 ISBN, Цена 0-7923-0124-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 + ; 29.19.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремний; гетероструктуры Перейти к источнику в Интернете: Heterostructures on silicon Доп.точки доступа: Nissim, Y.I.; Rosencher, E. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Heteroepitaxy on silicon : Symp. Apr. 16-18, 1986, Palo Alto (Ca) Выходные данные : Pittsburg (Pa): Materials research soc., 1986 Колич.характеристики :XXII, 273 с: ил Коллективы : Materials research society(Boston) Серия: Symposia proceedings/ Materials reserach soc., ISSN 02729172;Vol.67 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с. 269-273 ISBN, Цена 0-931837-33-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 45.09.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; гетероэпитаксия на кремнии Перейти к источнику в Интернете: Heteroepitaxy on silicon Доп.точки доступа: Fan, J.C.C. \.\; Poate, J.M. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Heteroepitaxy on silicon : Fundamentals, structure, a. devices,Symp., held Apr. 5-8, 1988, Reno, Nevada, USA Выходные данные : Pittsburgh (Pa.): Materials research soc., 1988 Колич.характеристики :XV, 541 с.: ил.; 24 см. Серия: Materials research soc. symp. proc., ISSN 0272-9172 Примечания : ; Указ.-Библиогр. в конце докл. ISBN, Цена 0-931837-86-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 Перейти к источнику в Интернете: Heteroepitaxy on silicon Доп.точки доступа: Choi, Hong \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Handbook of silicon semiconductor metrology Выходные данные : New York; Basel: DekkerCop. 2001,Б.г. Колич.характеристики :XVI, 874 c.: ил., табл Примечания : ; Библиогр. в конце глав. - ; Указ. : c. 869-874 ISBN, Цена 0-8247-0506-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 90.27 + ; 47.09.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Handbook of silicon semiconductor metrology Доп.точки доступа: Diebold, Alain C \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
H (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-03
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
Global partnerchip for systems on silicon Полупроводниковые приборы, , попр
J2/26247 Global partnerchip for systems on silicon [Text] : сборник научных трудов / Siemens AG. - S.l. : [s. n.], S. a. - 18 p. : ill. - 1000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382 Рубрики: Полупроводниковые приборы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Furusho Junji (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Japan Город: Osaka Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организация: Osaka University www-dyna.mech.eng.osaka-u.ac.jp/~furusho/index-eng/html (www-dyna.mech.eng.osaka-u.ac.jp/~ …
R/1872/958 Nakazawa, S. Fundamental studies on the prediction of degradation of amorphous silicon solar cells [Text] : монография / S.Nakazawa,K.Nakahara,K.Nakamura. - Tsukuba : [s. n.], 1994. - 48 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; n958). - 50 р. Текст яп.ГРНТИ 44.41.35УДК 621.383.51.019.3 Рубрики: Солнечные батареи кремниевые--Надежность Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Nakahara, K.; Nakamura, K. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Fujita Masahiro (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Japan Город: Tokyo Email: mfujita@pdp.crl.sony.co.jp Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организация: SONY …
R/17401/95/259 Fracture toughness of silicon and thin film micro-structures by wedge indentation [Text] : сборник научных трудов / M.P.de Boer,He Huang,J.C.Nelson и др. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1995. - Var.pag. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 95/259). - 1000 р. Библиогр.в конце книгиГРНТИ 47.33.37УДК 621.3.049.76-416 Рубрики: Пленочная микроэлектроника Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Boer, M.P.de ; He Huang; Nelson, J.C.; Jiang, Z.P. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17401/93/129 Chelikowsky, J. R. First principles simulation of liquid silicon using langevin dynamics with quantum interatomic forces [Text] : сборник научных трудов / J.R.Chelikowsky,N.Troullier,N.Binggeli. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1993. - 15 p.,6 l. p.,6 l. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 93/129). - 10 р. Библиогр.:с.12-13ГРНТИ 31.17.15УДК 546.28-14 Рубрики: Кремний Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Troullier, N.; Binggeli, N. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/95-157 First observation of thermal runaway in the radiation damaged silicon detector [Text] : сборник научных трудов / T.Kohriki,T.Kondo,H.Iwasaki и др. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 3 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-157). - 1000 р. Библиогр.:с.3ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Kohriki, T.; Kondo, T.; Iwasaki, H.; Terada, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Dabrowski, Wladyslaw, Kazimierz, Korbel, Skoczen, Andrzej Заглавие : Fast neutron damage of silicon pin photodiodes Выходные данные : Krakow, 1990 Колич.характеристики :26 с.: ил.; 21 см Серия: Rep.:Inst. fizyki i techniki jadrowej AGH, ISSN 0302-9034 Примечания : ; Рез. англ., пол., рус.-Библиогр.: с. 26 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Перейти к источнику в Интернете: Fast neutron damage of silicon pin photodiodes Доп.точки доступа: Kazimierz, Korbel; Skoczen, Andrzej SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17226/95-147 Fabrication of a double-sided silicon microstrip detector with an ONO capacitor dielectric film [Text] : сборник научных трудов / Y.Saitoh,T.Akamine,M.Inoue и др. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 6 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-147). - 1000 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5.002 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Akamine, T.; Inoue, M.; Yamanaka, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
F (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-03
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Gunnars A. Заглавие : Exchange of phosphorus and silicon over the sediment-water interface during positive redox-turnover : The role of iron and manganese Выходные данные : Stockholm, 1990 Колич.характеристики :4, 51 c: ил Серия: Chem. communications / Univ. of Stockholm, ISSN 0366-5607; 1990, N 4 Примечания : ; Библиогр.: с.42-44 ISBN, Цена 91-7540-087-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.35.33 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; фосфор; кремний; поверхность раздела; осадок-вода Перейти к источнику в Интернете: Exchange of phosphorus and silicon over the sediment-water interface during positive redox-turnover SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17568/93-4 Evaluation of double sided, AC-coupled, double metal silicon strip detectors for H1 hera [Text] : сборник научных трудов / D.Pitzl,R.Eichler,W.Erdmann и др. - Zurich : [s. n.], 1993. - 13 p. : ill. - (Progress report / ETHZ-ITP ; 93-4). - 100 р. Библиогр.:с.13ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Pitzl, D.; Eichler, R.; Erdmann, W.; Gabathuler, K. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
European Committee for Electrotechnical Standardization (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)
2006-04-17
ТипОрганизацияПолное название (официальное)European Committee for Electrotechnical Standardization - Европейский Комитет по стандартизации в области электротехники и электроникиПрофиль деятельностиМет …
European Collaboration in Measurement Standards (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)
2006-04-17
ТипОрганизацияПолное название (официальное)European Collaboration in Measurement Standards - Европейское сотрудничество по эталонамПрофиль деятельностиМетрология стандартизация международная деятельно …
Epson. Industrial Robots-Devision (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: хозяйственная Профиль деятельности: Manufacturing, Manipulation, Control ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Email: robot.infos@epson.de Город: Deutschland www.epson.de/en …
Element depth profiles of porous silicon Сообщение обьединного института ядерных исследований
Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Kobzev A.P., Nikonov O.A., Kulik M. Заглавие : Element depth profiles of porous silicon . -Препринт Выходные данные : Dubna, 1997 Колич.характеристики :4 p.: il. Серия: Сообщение обьединного института ядерных исследований; Е14-97-184 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 31.17.15 + ; 31.19.15 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Element depth profiles of porous silicon, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Nikonov, O.A.; Kulik, M. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Electrotechnical Lab. Space Robotics Research (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Space robotics Сокр. название: ETL ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tsukuba, Ibaraki, Japan www.etl.go.jp/Organization/Space (www …
Electrotechnical Lab. Robotics Research Group (Машиностроение/Организации)
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Active Vision, Manipulation, Tele-Robotics, Humanoid Сокр. название: ETL ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tsukuba, Ibaraki, Japan …
Electronics World (Машиностроение/Ресурсы)
2006-04-13
Тип7НазваниеElectronics WorldОписаниеFocuses on electronic design technology and how to use it.Ключевые словаэлектроника, автоматика, робототехникаПерспективы развитияТип доступаФормат данныхmimeОбъём …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Yokoya T., Fukushima A., Kiss T. Заглавие : Electronic structure and supercondicting gap of silicon clathrate Ba8Si46 studied with ultrahigh-resolution photoemission spectroscopy Выходные данные : Chiba: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 2001 Колич.характеристики :4 с.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3619 Примечания : ; Библиогр. : с. 3 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Electronic structure and supercondicting gap of silicon clathrate Ba8Si46 studied with ultrahigh-resolution photoemission spectroscopy Доп.точки доступа: Fukushima, A.; Kiss, T. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/15656/94-23 Odegaard, T. Electromagnetic noise studies in a silicon strip detector,used as part of a luminosity monitor at LEP [Text] : сборник / T.Odegaard,H.Tafjord,T.Buran. - Oslo : [s. n.], 1994. - 8 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 94-23). - 300 р. Библиогр.:с.8ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Tafjord, H.; Buran, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Rydberg M. Заглавие : Electrical properties of polycrystalline silicon : Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :49 с: ил Серия: Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 497 Примечания : ; Библиогр.:с.44-49 ISBN, Цена 91-554-4616-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.23 + ; 29.19.31 + ; 45.09.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; электрические свойства поликремния Перейти к источнику в Интернете: Electrical properties of polycrystalline silicon SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Effect of iron and silicon in aluminium and its alloys : Proc. of the Intern. workshop, Balatonfured, May 1989 Выходные данные : Zurich etc: Trans tech. publ, 1990 Колич.характеристики :371 с: ил Серия: Key engineering materials;N44-45 Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ. в конце кн ISBN, Цена 0-87849-605-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 53.49.15 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; железо; кремний; алюминий Перейти к источнику в Интернете: Effect of iron and silicon in aluminium and its alloys, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Amerasekera, Ajith, Duvvury, Charvaka, Anderson W. Заглавие : ESD in silicon integrated circuits . -2d ed Выходные данные : Chichester (W.Sx.): WileyCop. 2002,Б.г. Колич.характеристики :X, 412 c.: ил Примечания : ; Указ. : 401-412; Библиогр. в конце глав ISBN, Цена 0-471-49871-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: ESD in silicon integrated circuits Доп.точки доступа: Duvvury, Charvaka; Anderson, W. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17401/94/253 Lust, L. M. Dynamical percolation model of conductance fluctuations in hydrogenated amorphous silicon [Text] : сборник / L.M.Lust,J.Kakalios. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1994. - 13 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 94/253). - 200 р. Библиогр.:с.8-9ГРНТИ 47.09.29УДК 621.315.592.3 Рубрики: Кремний--Флуктуации Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Kakalios, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/93-128 Double-sided microstrip sensor for the barrel of the SDC silicon tracker [Text] : presented at the intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors May 22-24 1993,Hiroshima / T.Ohsugi,Y.Iwata,H.Ohyama и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 18 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-128). - 100 р. Библиогр.:с.10-11ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ohsugi, T.; Iwata, Y.; Ohyama, H.; Ohmoto, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Н/7868/IHEP-94-65 Dose characteristics of high-energy neutrons for radiation damage evaluation of silicon semiconductor devices [Text] : препринт / F.G.Alekseev,E.N.Savitskaya,S.A.Kharlampiev,I.A.Kurochkin. - Protvino, 1994. - 14 p. : il. - (Препринт / Институт физики высоких энергий(Серпухов) ; IHEP-94-65). - 240 экз. - Б. ц.ГРНТИ 47.33УДК 621.382:539.16(04) Рубрики: Полупроводниковые приборы--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Alekseev, F.G.; Savitskaya, E.N.; Kharlampiev, S.A.; Kurochkin, I.A. Экз-ры: хр(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Digest of papers of the 2001 topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in RF systems,12-14 Sept. 2001, Ann Arbor(Mi), USA Выходные данные : Piscataway(NJ): IEEE, 2001 Колич.характеристики :X,236 p.: ill. Коллективы : Topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in RF systems Серия: IEEE publications/ Institute of electrical and electronics engineers(New York), ISSN 0149-144X; 01EX496 Примечания : ; Библиогр. в конце ст. ISBN, Цена 0-7803-7129-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 УДК : Предметные рубрики: Интегральные схемы СВЧ Перейти к источнику в Интернете: Digest of papers of the 2001 topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in RF systems,12-14 Sept. 2001, Ann Arbor(Mi), USA Доп.точки доступа: Ponchak, G.E.; Topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in RF systems SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sakata I. Заглавие : Device physics and photo-induced changes in amorphous silicon solar cells Выходные данные : Tokyo, 1988 Колич.характеристики :185 с: ил Серия: Researches/Elektrotechnical lab. (Tokyo), ISSN 0366-9106; N 898 Примечания : ; Библиогр. в конце гл Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.41.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; физические свойства приборов; фотоиндуцированные изменения; солнечные элементы; аморфный кремний Перейти к источнику в Интернете: Device physics and photo-induced changes in amorphous silicon solar cells SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sakata I. Заглавие : Device physics and photo-induced changes in amorphous silicon solar cells Выходные данные : Tokyo: Denshi Gijutsu Sogo Kenkyujo, 1988 Колич.характеристики :185, 7 с: ил Серия: Researches of the Electrotechnical Laboratory, ISSN 03669106;N898 Примечания : ; Текст яп.-Рез. англ.-Библиогр.: с.144-157 и 182-185 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.33 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; солнечные элементы Перейти к источнику в Интернете: Device physics and photo-induced changes in amorphous silicon solar cells, Перейти к источнику в Интернете: SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17226/93-165 Development of novel fabrication techniques for a silicon micro-Vertex detector unit using the flip-chip bonding method [Text] : submitted to the IEEE transaction on nuclear sci.symp.,Nov.2-6,1993,San Francisco(Ca) / Y.Saitoh,H.Takeuchi,M.Mandai и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 5 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-165). - 100 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5.002 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Takeuchi, H.; Mandai, M.; Koseki, O. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/92-171 Development of novel architecture and assembly techniques for a detector unit for a silicon micro-vertex detector using the flip-chip bonding method [Text] : сборник научных трудов / Y.Saitoh,J.Yamanaka,H.Suzuki и др. - Tsukuba : [s. n.], 1992. - 5 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 92-171). - 10 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Yamanaka, J.; Suzuki, H.; Miyahara, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/93-60 Development of new assembly techniques for a silicon micro-vertex detector unit using the flip-chip bonding method [Text] : монография / Y.Saitoh,H.Takeuchi,M.Mandai и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 17 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-60). - 10 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений,полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Saitoh, Y.; Takeuchi, H.; Mandai, M.; Kanazawa, H. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Menna P. Заглавие : Determination of the void fraction in hydrogenated amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon carbon Выходные данные : Roma, 1988 Колич.характеристики :11 с: ил Серия: Rappori tecnici FARE/ Com. naz. per la ricerca e per lo sviluppo dell'energia nucleare e delle energie alternative, ISSN 03936279;N88/15 Примечания : ; Рез. ит.-Библиогр.: с. 11 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.09.35 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; пустотная фракция; гидрогенированный аморфный кремний; гидрогенированный кремнистый углерод Перейти к источнику в Интернете: Determination of the void fraction in hydrogenated amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon carbon SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17226/92-135 Design study of CMOS VLSI for KEK B-factory silicon micro-vertex detector [Text] : сборник научных трудов / H.Ikeda,Y.Fujita,M.Ikeda и др. - Tsukuba : [s. n.], 1992. - 30 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; n92-135). - 5 р. Библиогр.:с. 16ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ikeda, H.; Fujita, Y.; Ikeda, M.; Inaba, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Wittam E.M., Totterdell D.H.J. Заглавие : Defects in detector grade silicon Выходные данные : London: H.M. stat. office, 1988 Колич.характеристики :3, 8 с: 5 ил Серия: Rep./Great Britain. Atomic energy authority. Research group; R 13186 Примечания : ; Библиогр.: с. 7 ISBN, Цена 0-7058-1388-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 53.41.31 + ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; дефекты; кремний; детектор; детекторное качество Перейти к источнику в Интернете: Defects in detector grade silicon Доп.точки доступа: Totterdell, D.H.J. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Defect minimasation in silicon carbide, silicon nitride and alumina ceramics : Akad. avh. Выходные данные : Goteborg: Dep. of inorganic chemistry, 1989 Колич.характеристики :Разд. паг с.: ил Примечания : ; Библиогр. в конце ст ISBN, Цена 91-7032-473-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.35.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; карбид кремния; нитрид кремния; глиноземистая керамика; дефекты Перейти к источнику в Интернете: Defect minimasation in silicon carbide, silicon nitride and alumina ceramics, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: Доп.точки доступа: Carlstrom, E. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17226/95-60 Data scanner system of the BELLE silicon vertex detector [Text] : сборник научных трудов / C.Fukunaga,T.Korhonen,M.Tanaka,H.Ikeda. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 5 p. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-60). - 1000 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fukunaga, C.; Korhonen, T.; Tanaka, M.; Ikeda, H. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
2006-02-17
Тип: университет Профиль деятельности: Control, Manipulaion, Mobile robots ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Darmstadt, Deutschland www.rt.e-technik.tu-darmstadt.de/index …
Damage formation in silicon irradiated by heavy ions with energy more than 1 MeV/a.m.u. Препринт
Н/2509/E14-94-334 Adawi, M. A. Damage formation in silicon irradiated by heavy ions with energy more than 1 MeV/a.m.u. [Text] : препринт / M.A.Adawi,А.Ю.Дидык. - Dubna, 1994. - 11 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; E14-94-334). - 300 экз. - 196 р.ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322:539.16(04) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Дидык, А.Ю.; Didyk A.Yu.; Adawi V.A. Экз-ры: хр(1) SILICON$
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Mobile robots, Manufacturing assistants, Learning, Human/robot interaction ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Berlin, Deutschland …
D (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-03
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Hata A., Akimoto K., Horii S. Заглавие : Crystal orientation of silver films on silicon surfaces revealed by surface X-ray diffraction Выходные данные : Chiba: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 2003 Колич.характеристики :4 с.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3695 Примечания : ; Библиогр. : с. 3 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.19 + ; 29.19.16 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Crystal orientation of silver films on silicon surfaces revealed by surface X-ray diffraction Доп.точки доступа: Akimoto, K.; Horii, S. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/5815/AE-96/17 Cosmic ray antiproton/electron discrimination capability of the CAPRICE silicon-tungsten calorimeter using neural networks [Text] : сборник научных трудов / R.Bellotti,M.Boezio,M.Castellano и др. - S.l. : [s. n.], 1996. - 12 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/17). - 2000 р. Библиогр.:с.7ГРНТИ 29.05.45УДК 537.591.08 Рубрики: Калориметры в ядерной физике Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Bellotti, R.; Boezio, M.; Castellano, M.; De Marzo, C. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/94-186 Cooling test and thermal simulation of silicon microstrip detector for high luminosity operation [Text] : сборник научных трудов / K.Kohriki,T.Kondo,H.Iwasaki и др. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 6 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-186). - 100 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Kohriki, K.; Kondo, T.; Iwasaki, H.; Terada, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Weijermars, Raud Заглавие : Convection experiments in high prandtl number silicones Выходные данные : Б.м.,Б.г. Колич.характеристики :12 с Серия: Acta Univ. upsaliensis.Comprehensive summaries of Uppsala diss. from the fac. of science, ISSN 02827468;101 Примечания : ; Библиогр.: с. 11-12 ISBN, Цена 91-554-2082-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 31.21 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; силиконы, эксперименты конвекционные Перейти к источнику в Интернете: Convection experiments in high prandtl number silicones SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17401/93/184 Fan, J. Conductance fluctuations in doped hydrogenated amorphous silicon [Text] : монография / J.Fan,L.M.Lust,J.Kakalios. - Minneapolis,Mn : [s. n.], 1993. - 4 с. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 93/184). - 50 р. Библиогр.:с.4ГРНТИ 47.09.29УДК 621.315.592.3 Рубрики: Кремний--Флуктуации Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Lust, L.M.; Kakalios, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
J2/26209 Communications components :GaAs & silicon products designer's catalog [Text]. - S.l. : Hewlett-Packard, 1993. - Pag.var. : ill. - 30000 р.ГРНТИ 49.13УДК 621.39:621.382(085) Рубрики: Аппаратура связи--Каталоги Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: фмз(1) SILICON$
Co (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2004-12-31
A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …
R/17226/95-137 Charge-partitioning study of a wide-pitch silicon micro-strip detector with a 64-channel CMOS preamplifier array [Text] : сборник научных трудов / H.Ikeda,T.Tsuboyama,S.Okuno и др. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 24 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-137). - 1000 р. Библиогр.:с.10ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Ikeda, H.; Tsuboyama, T.; Okuno, S.; Saitoh, Y. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/94-170 Ikeda, H. Characterization of the wide-pitch ohmic-side readout for a silicon micro-strip detector [Text] : сборник / H.Ikeda,S.Okuno. - Tsukuba : [s. n.], 1994. - 31 kol. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-170). - 100 р. Библиогр.:кол.17ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Okuno, S. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Stutzmann M., Nobile G., Rubino A., Menna P. Заглавие : Characterization of structural and electronic properties in undoped hydrogenated amorphous silicon Выходные данные : Roma, 1990 Колич.характеристики :19 с: ил Серия: Rappori tecnici FARE/ Com. naz. per la ricerca e per lo sviluppo dell'energia nucleare e delle energie alternative, ISSN 03936279;90/02 Примечания : ; Рез. англ., ит.-Библиогр.: с. 13 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 + ; 29.19.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; аморфный кремний Перейти к источнику в Интернете: Characterization of structural and electronic properties in undoped hydrogenated amorphous silicon Доп.точки доступа: Nobile, G.; Rubino, A.; Menna, P. SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/5815/AE-96/03 Caria, M. Characterization of large series of double sides silicon microstrip detectors [Text] : сборник / M.Caria,E.Fiandrini. - Roma : [s. n.], 1996. - 65 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/03). - 4000 р. Библиогр.:с.35-37ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fiandrini, E. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/95-172 Characterization of an irradiated double-sided silicon strip detector with fast binary readout electronics in a pion beam [Text] : сборник научных трудов / Y.Unno,T.Kohriki,T.Kondo и др. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 5 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-172). - 1000 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Unno, Y.; Kohriki, T.; Kondo, T.; Iwasaki, H. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/96-18 Characterization of an ONO-stacked insulator film for a silicon micro-strip detector [Text] : submitted to Nucl.Instrum.Methods,A / S.Okuno,H.Ikeda,Y.Saitoh и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 34 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-18). - 3000 р. Библиогр.:с.12-13ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Okuno, S.; Ikeda, H.; Saitoh, Y.; Akamine, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Centre for Molecular and Nanoscale Electronics at the University of Durham (Химия/Организации)
2006-04-05
Типнаучный центрПолное название (официальное)Centre for Molecular and Nanoscale Electronics at the University of DurhamПрофиль деятельностиThe Centre consolidates and promotes relevant activities acro …
Q/3409/4,1995 Zheng, J. Carbothermal preparation of nitrides and oxynitrides of aluminium and silicon in pressurized nitrogen [Text] : diss. / J.Zheng. - Stockholm : [s. n.], 1995. - 86 p. : ill. - (Chemical communications / Stockholm univ., ISSN 0366-5607 ; n4,1995). - ISBN 91-7153-350-8 : 300 р. Библиогр.:с.74-80ГРНТИ 61.35.29УДК 666.762(043) Рубрики: Керамические материалы и изделия, нитридные--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Н/2509/Е14-96-440 Capacitors integrated with a dielectric made of implanted silicon [Text] : препринт / P.Zukowski,J.Partyka,P.Wegierek,T.Maczka. - Dubna, 1996. - 6 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е14-96-440). - 300 экз. - 1248 р.ГРНТИ 47.33.3145.35УДК 621.3.049.77.002(04)621.319.4:621.382.002(04) Рубрики: Интегральные схемы--ПроизводствоКонденсаторы полупроводниковые--Производство Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Zukowski, P.; Partyka, J.; Wegierek, P.; Maczka, T. Экз-ры: хр(1) SILICON$
R/5815/TC-94/10 Gregori, M. Camac battery power sulpply for silicon detectors [Text] : сборник / M.Gregori,N.Zampa. - Trieste : [s. n.], 1994. - 7 p. : 7 l.ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/10). - 50 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Zampa, N. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Kohler J. Заглавие : Bringing silicon microsystems to space : Manufacture, performance, a. reliability: Diss. Выходные данные : Uppsla, 2001 Колич.характеристики :66 c: ил Серия: Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology, ISSN 1104-232X; N 678 Примечания : ; Библиогр.: с.62-66 ISBN, Цена 91-554-5196-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые микросистемы; производство; надежность Перейти к источнику в Интернете: Bringing silicon microsystems to space SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17226/96-7 Beam tests of a double-sided silicon strip detector with fast binary readout electronics before and after proton-irradiation [Text] : paper presented at the 2nd Intern.symp.on development and application of semiconductor tracking detectors,Hiroshima,Oct.10-13,1995 / Y.Unno,M.Takahata,H.Maeohmichi и др. - Tsukuba : [s. n.], 1996. - 12 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 96-7). - 1000 р. Библиогр.:с.12ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Unno, Y.; Takahata, M.; Maeohmichi, H.; Hinode, F. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/93-127 Beam test of the SDC double-sided silicon strip detector [Text] : presented at the IEEE 1993 nuclear science symp.,Nov.2-6 1993,San Francisco(Ca) / Y.Unno,F.Hinode,T.Akagi и др. - Tsukuba : [s. n.], 1993. - 5 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 93-127). - 100 р. Библиогр.:с.5ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Unno, Y.; Hinode, F.; Akagi, T.; Kohriki, T. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17401/95/267 Chelikowsky, J. R. Atomic and electronic structure of silicon clusters at finite temperature [Text] : сборник научных трудов / J.R.Chelikowsky,N.Binggeli. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1995. - Var.pag. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 95/267). - 1000 р. Библиогр.в конце книгиГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322 Рубрики: Кремний Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Binggeli, N. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Ars Robotica (Машиностроение/Ресурсы)
2006-04-13
Тип2НазваниеArs RoboticaОписаниеFeatures news, product reviews, tutorials, editorials, and interviews with robotics professionals. Topics include robo- tics, artificial intelligence, embedded control, …
Arai Hirohiko (Машиностроение/Персоналии)
2006-02-16
Страна: Japan Город: Tsukuba Адрес: 1-1-1, Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573 Область наук: Техника ГРНТИ: 55.30 Организация: University of Tsukuba, Inst. Eng. Mechanics & Syst …
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : . rugasnti. 29 Автор(ы) : Tsyganov Yu.S. Заглавие : Amplitude analysis of highly ionizing particle signals registered with silicon radiation detector. Some remarks to anomalies : preprint E13-2007-70 Выходные данные : JINR, 2007 Колич.характеристики :8 p. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29 УДК : Предметные рубрики: Физика Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 1 ; элементарные частицы--1 ; кремниевые детекторы Перейти к источнику в Интернете: Amplitude analysis of highly ionizing particle signals registered with silicon radiation detector. Some remarks to anomalies SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
R/17544/42 Pisarkiewicz, T. Amorphous silicon-carbon and silicon-germanium alloys as optoelectronic materials [Text] : сборник / T.Pisarkiewicz. - Krakow : [s. n.], 1996. - 155 p. : ill. - (Rozprawy monografie / Akad.gorniczo-hutnicza im.Stanislawa Staszica, ISSN 0867-6631 ; 42). - 2000 р. Библиогр.:с.143-155ГРНТИ 47.33.33УДК 621.383.002.3 Рубрики: Оптоэлектронные приборы--Материалы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Amorphous silicon technology : Symp. held Apr. 5-8, 1988, Reno, Nevada, USA Выходные данные : Pittsburgh (Pa): Materials research soc., 1988 Колич.характеристики :XVII, 718 с.: ил.; 24 см. Серия: Materials research soc. symp. proc., ISSN 0272-9172 Примечания : ; Указ.-Библиогр. в конце докл. ISBN, Цена 0-931837-88-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 61.31.47 Перейти к источнику в Интернете: Amorphous silicon technology Доп.точки доступа: Madan, Arun \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Amorphous silicon semiconductors-pure and hydrogenated : Symp. held Apr. 21-24, 1987, Anaheim (Ca) Выходные данные : Pittsburg (Pa): Materials research soc., 1987 Колич.характеристики :XXIII, 670 с: ил Коллективы : Materials research society(Boston) Серия: Symposia proceedings/ Materials reserach soc., ISSN 02729172;N95 Примечания : ; Библиогр. в конце гл.-Указ.: с. 665-670 ISBN, Цена 0-931837-62-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 + ; 47.09.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полупроводники Перейти к источнику в Интернете: Amorphous silicon semiconductors-pure and hydrogenated Доп.точки доступа: Madan, A. \.\ SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Amorphous silicon and related materials Выходные данные : Singapore etc: World sci, 1989 Колич.характеристики :XV, 717 с: ил., табл Серия: Advances in disordered semiconductors;Vol1;VolA ISBN, Цена 9971-50-615-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полупроводники аморфные Перейти к источнику в Интернете: Amorphous silicon and related materials SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : . 47.09.29. grnti Заглавие : Amorphous and nanocrystalline silicon... 2005 : ... held Mar. 28-Apr. 1, 2005, San Francisco, Calif., U.S.A. Выходные данные : Б.м., 2005 Колич.характеристики :XXII, 724 c.: ил., табл Серия: Geological society special publication ; Nr 251 Примечания : ; I. Materials research society (US). Spring meeting (2005; San Francisco) ISBN, Цена 1-55899-815-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 + ; 29.19.31 УДК : + + + Перейти к источнику в Интернете: Amorphous and nanocrystalline silicon... 2005 SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Albany NanoTech (Химия/Организации)
2006-04-05
Типнаучный центрПолное название (официальное)Albany NanoTechПрофиль деятельностиAlbany NanoTech is a fully-integrated research, development, prototyping, pilot manufacturing and education resource man …
2006-02-17
Тип: научный центр Профиль деятельности: Neural nets & spatio-temporal modelling Сокр. название: ATR ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Kyoto, Japan www.hip.atr.co.jp/dep …
R/17226/94-143 A stacked dielectric film for a silicon microstrip detector [Text] : сборник научных трудов / S.Okuno,H.Ikeda,T.Akamine и др. - S.l. : [s. n.], 1994. - 22 кол. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-143). - 100 р. Библиогр.:кол.11ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Okuno, S.; Ikeda, H.; Akamine, T.; Saitoh, Y Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/16572/PR-92-35 A silicon vertex detector for H1 at HERA [Text] : сборник / D.Pitzl,R.Eichler,W.Erdman и др. - Villigen : [s. n.], 1992. - 5 p. : ill. - (Progress report / Paul Scherrer Inst. ; PR-92-35). - 5 р. Библиогр.в конце книгиГРНТИ 47.31.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Pitzl, D.; Eichler, R.; Erdman, W.; Grab, C. Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-102814 SILICON$
R/5815/AE-95/06 Battiston, R. A silicon tracker for the anti matter spectrometer on the international space station alpha [Text] : сборник / R.Battiston. - Roma : [s. n.], 1995. - 8 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-95/06). - 100 р. Библиогр.:с.8ГРНТИ 41.51УДК 520 Рубрики: Астрономические инструменты и приборы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) SILICON$
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bairstow R. Заглавие : A programmable electronic Microplex Driver Unit for readout of silicon strip detectors Выходные данные : Chilton (oxon), 1990 Колич.характеристики :18, 33 с: ил Серия: Rep./Rutherford appleton lab.; N RAL-90-063 Примечания : ; Библиогр.: с.18 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевый детектор Перейти к источнику в Интернете: A programmable electronic Microplex Driver Unit for readout of silicon strip detectors SILICON$
The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)
Н/2509/Е7-95-388 Цыганов, Ю. A look at the phenomenon of charge multiplication in silicon radiation detector within the concept of dynamic focussing of the electric field [Text] : препринт / Ю. Цыганов, W. Kushniruk, A. Polyakov. - Dubna, 1995. - 10 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е7-95-388). - 305 экз. - 432 р.ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5(04) Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Kushniruk, W.; Polyakov, A.; Tsyganov Yu. Экз-ры: хр(1) SILICON$
R/5815/TC-96/24 A digital readout system for the SYRMEP silicon strip detectors [Text] : presented by D.Pontoni at the 4th Intern.conf.on position-sensitive detectors,Manchester,UK,1996 / F.Arfelli,G.Barbiellini,V.Bonvicini и др. - S.l. : [s. n.], 1996. - 6 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-96/24). - 3000 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 76.13.15УДК 618.19-073.75615.471:616-073.75-7 Рубрики: Маммография--Аппаратура Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Arfelli, F.; Barbiellini, G.; Bonvicini, V.; Bravin, A. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/5815/AE-96/18 A Silicon Pad Detector for E-835 experiment at Fermilab [Text] : сборник научных трудов / A.Buzzo,P.Musico,M.Pallavicini и др. - S.l. : [s. n.], 1996. - 19 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; AE-96/18). - 2000 р. Библиогр.:с.19ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Buzzo, A.; Musico, P.; Pallavicini, M.; Patrignani, C. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/5815/TC-94/24 Bilei, G. M. A PC based silicon data acquisition system [Text] : сборник научных трудов / G.M.Bilei,B.Checcucci,J.Ding. - S.l. : [s. n.], 1994. - 11 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/24). - 200 р. Библиогр.:с.9ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Checcucci, B.; Ding, J. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
R/17226/95-134 Korhonen, T. A GUI approach for control of the BELLE silicon detector data-acquisition system [Text] : сборник научных трудов / T.Korhonen,C.Fukunaga,M.Tanaka. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 20 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 95-134). - 1000 р. Библиогр.:с.12ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Fukunaga, C.; Tanaka, M. Экз-ры: ХР(1) SILICON$
A (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)
2005-01-03
A B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=195&Itemid=310)&nb …
"Черные металлы" (Металлургия/Статьи)
2006-02-20
Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Учредитель-МИСиС Название …
2004-12-21
РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИВ НАУЧНО - ТЕХНИЧЕСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ (ФЕДЕРАЛЬНАЯ АРХИВНАЯ СЛУЖБА РОССИИ) ("РГАНТД") rgantd@cityline.ru (mailto:rgantd@cityline.ru) Тематика СИО …
"ИНТЕРСТАНДАРТ" (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)
2006-04-14
ТипиздательствоПолное название (официальное)"ИНТЕРСТАНДАРТ"Профиль деятельностиМеждународная сертификация издательство информационные системыСокращённое официальное названиеДата создания1995 …
Website Policies and Important Links Comments
 |
 |
 |
WorldWideScience.org is maintained by the
U.S. Department of Energy's
Office of Scientific and Technical Information as the Operating Agent
for the WorldWideScience Alliance.