Sample records for ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (junction transistors)
from WorldWideScience.org

Sample records 1 - 20 shown. Select sample records:



1

Центр для нашего будущего (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Центр для нашего будущего Пр …

VINITI Projects Database (Russian)

2

ЦНИИ эпидемилогии МЗ РФ (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)


2006-02-15

Типнаучно-исследовательский институтПолное название (официальное)ЦЕНТРАЛЬНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭПИДЕМИОЛОГИИ МИНИСТЕРСТВА ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РОССИИПрофиль деятельностиРазработка теоретиче …

VINITI Projects Database (Russian)

3

Фонд по охране окружающей среды (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Фонд по охране окружающей среды …

VINITI Projects Database (Russian)

4

Универсальная десятичная классификация (ГСНТИ/Рубрикаторы)


2004-12-09

УДК Консорциум Россия (http://forum.udcc.ru/index.php?s=3ba2c637762a492a7961eb7e821d2621) Общая методика применения Универсальной десятичной классификации Краткие исторические сведения об УДК Униве …

VINITI Projects Database (Russian)

5

Транзисторы и линейные ИС Practical transistors and linear integrated circuits Мир Транзисторы Интегральные схемы линейные

Greenfield, J. D.

Ж2-92/15589 Гринфилд, Д. Транзисторы и линейные ИС [Текст] : руководство по анализу и расчету / Д.Гринфилд;Пер. с англ. Н.И.Кузнецова. - М. : Мир, 1992. - 556 с. : ил. - Пер. изд. : Practical transistors and linear integrated circuits / J. D. Greenfield. - New York et al., 1988. - 6700 экз. - ISBN 5-03-001633-3 : Б. ц. Библиогр. в конце глав. Предм.-имен. указ.: с.545-552ГРНТИ 47.33УДК 621.3.049.77621.382.3 Рубрики: ТранзисторыИнтегральные схемы линейные Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Greenfield, J. D. Экз-ры: хр(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

7

Том 73 (Математика/Издания)


2006-09-28

Алгебра - 8     [Первая страница] Предоставление копий   Том 73. Алгебра …

VINITI Projects Database (Russian)

8

Структура кайнозойских осадочных бассейнов зоны сочленения Восточной Азии с Тихим океаном The structure of cenozoic sedimentrary basins of the East Asia and Pacific ocean junction zone ДВО РАН кайнозойская группа осадочная порода Кайнозойская группа, , грка Осадочные породы, , оспо кайнозойская группа осадочная порода


Ж2-92/15994 Кириллова, Г. Л. Структура кайнозойских осадочных бассейнов зоны сочленения Восточной Азии с Тихим океаном [Текст] = The structure of cenozoic sedimentrary basins of the East Asia and Pacific ocean junction zone : монография / Г.Л.Кириллова. - Владивосток : ДВО РАН, 1992. - 140 с. : ил. - 300 экз. - ISBN 5-7442-0311-7 : Б. ц. В надзаг.:Рос.АН.Дальневост. отд-ние, Ин-т тектоники и геофизики. Библиогр.: с. 131-138ГРНТИ 38.29.2338.15.19УДК 551.77/.79(5)552.5(5) Рубрики: Кайнозойская группаОсадочные породы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: хр(2) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

9

Ссылки на похожие порталы и сайты (ГСНТИ/Hidden)


2004-12-29

Ссылки на похожие порталы и сайты 1. Министерство промышленности, науки и технологий России — www.mnstp.ru (http://www.mnstp.ru/) 2. Российская академия наук - www.uis.isi …

VINITI Projects Database (Russian)

10

Северный совет министров (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Северный совет министров Про …

VINITI Projects Database (Russian)

12

Российские научные издательства (ГСНТИ/Hidden)


2004-12-29

Специализированные, научные и технические издательства России Название Город URL или почтовый адрес Виды издаваемой литературы Тематика (основная специализация) "Connect". Информа …

VINITI Projects Database (Russian)

14

Принципиальная гидрометаллургическая технология рациональной переработки кжк образований (Экология/Статьи)


2006-02-22

Тип Статья в сериальном издании Авторы Иванков С.И. Название Принципиальная гидрометаллургическая технология рациональной переработки кобальтоносных железомаргонцевых корковых образований Рефера …

VINITI Projects Database (Russian)

18

Организации, учреждения и органы исполнительной власти РФ (Безопасность/Ресурсы)


2004-12-16

Информационный сервер правительства Российской Федерации (http://www.government.gov.ru/index.html) Содержит актуальную информацию по органам исполнительной власти, законодательным и нормативным, п …

VINITI Projects Database (Russian)

21

Международная организация по стандартизации (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Международная организация по стандартизации …

VINITI Projects Database (Russian)

22

Математика в сети Интернет (Математика/Ресурсы)


2006-06-02

    • В Московском математическом обществе • The American Mathematical Society (AMS) • Санкт-Петербургское математическое обществ …

VINITI Projects Database (Russian)

23

Конференция ООН по торговле и развитию (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Конференция ООН по торговле и развитию …

VINITI Projects Database (Russian)

27

Институт Острова Земля (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Институт Острова Земля Профи …

VINITI Projects Database (Russian)

30

Европейский союз охраны побережий (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Европейский союз охраны побережий …

VINITI Projects Database (Russian)

32

Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE транзистор насыщение моделирование Транзисторы биполярные транзистор насыщение моделирование

Smithies, S. A.

96/133 Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE [Текст] / ТПП БССР. - [Б. м. : б. и.]. - 7 c. : ил. - англ. - Пер.ст. A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE / S. A. Smithies, Poole из журн.: Journal of Solid-State Circuits. - 1987. - Vol. 22, N 2. - P.301-303. - Б. ц. Библиогр.:20 назв.ГРНТИ 47.33 Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Smithies, S. A. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

33

ГУП "ВНИИстандарт" (ГСНТИ/Hidden)


2004-12-21

ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО - ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ СТАНДАРТИЗАЦИИ ГОССТАНДАРТА РОССИИ" (ГУП "ВНИИстандарт") vniistand@gost.ru (mailto:vniistand@gos …

VINITI Projects Database (Russian)

34

ГЛАВНЫЙ БОТАНИЧЕСКИЙ САД им. Н.В. ЦИЦИНА РАН (Биология, Медицина, Сельское хозяйство/Организации)


2006-02-16

ТипПолное название (официальное)ГЛАВНЫЙ БОТАНИЧЕСКИЙ САД им. Н.В. ЦИЦИНАПрофиль деятельностиОсновные направления исследований- интродукция и акклиматизация растений; сохранение генофонда растений ex s …

VINITI Projects Database (Russian)

36

Всемирная организация здравоохранения (Экология/Организации)


2006-02-20

Тип неизвестно Полное название (официальное) Всемирная организация здравоохранения …

VINITI Projects Database (Russian)

40

Англо-русский словарь по информатике (Информатика/Ресурсы)


2005-02-11

   A B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=195&Itemid=310)&nb …

VINITI Projects Database (Russian)

42

Александров Валерий Сергеевич (Информатика/Персоналии)


2006-02-21

Страна: Russian Federation Город: Санкт-Петербург Адрес: Московский пр., 19 Email: V.S.Alexandrov@vniim.ru Телефон: 7 (812) 316-90-73, Должность: Заместитель директора по науке Обл …

VINITI Projects Database (Russian)

43

Александров Валерий Сергеевич (Автоматика и радиоэлектроника/Персоналии)


2006-04-17

ФамилияАлександровИмяВалерийОтчествоСергеевичСтранаRUZIPГородСанкт-ПетербургАдресМосковский пр., 19emailV.S.Alexandrov@vniim.ru (mailto:V.S.Alexandrov@vniim.ru)Ключевые словаФаксТелефон7 (812) 316-90- …

VINITI Projects Database (Russian)

44

superconducting tunnel junction receiver for millimeter-wave astronomy US. NASA techn. memorandum 0 ^aПриемник на сверхпроводящем туннельном переходе для астрономических наблюдений в диапазоне миллиметровых волн

Kerr, A.R

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Pan S.-K, Kerr A.R Заглавие : A superconducting tunnel junction receiver for millimeter-wave astronomy Выходные данные : Washington, 1986 Колич.характеристики :243 с Серия: US. NASA techn. memorandum; N 87792 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 41.51.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: A superconducting tunnel junction receiver for millimeter-wave astronomy Доп.точки доступа: Kerr, A.R JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

45

study of new structure short channel MOS transistors Researches Моп-транзисторы


R/1872/923 Sekigawa, T. A study of new structure short channel MOS transistors [Text] : материал технической информации / T.Sekigawa. - Tokyo : [s. n.], 1991. - 110 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; n923). - 5.00 р. Текст яп.Рез.англ.Библиогр.в конце книгиГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Моп-транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

46

study of Josephson tunnel junctions with niobium nitride thin films as electrodes Researches of the electrotechnical lab. 0 ^aИсследование туннельного перехода Джозефсона с тонкими пленками нитрида ниобия в качестве электродов Текст англ., яп. Библиогр. в конце разд


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Shoji A Заглавие : A study of Josephson tunnel junctions with niobium nitride thin films as electrodes Выходные данные : Mito, 1987 Колич.характеристики :58 с Серия: Researches of the electrotechnical lab., ISSN 0366-9106 ; N 885 Примечания : ; Текст англ., яп. Библиогр. в конце разд Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.17 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: A study of Josephson tunnel junctions with niobium nitride thin films as electrodes JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

47

separate spatial extents of the trailing horseshoe root vortex legs from a wing and plate junction Rep./AIAA 0 ^aРазличие в пространственной протяженности боковых шнуров П-образного вихря, сходящего с места стыка крыла с пластиной V nadzag.takze: AIAA 17th fluid dynamics, plasma dynamics, and lasers conf. June 25-27, 1984, Snowmass (Co.). Библиогр.: с.6


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Rood E.P Заглавие : The separate spatial extents of the trailing horseshoe root vortex legs from a wing and plate junction Выходные данные : New York, 1984 Колич.характеристики :6 с Серия: Rep./AIAA; N 84-1526 Примечания : ; V nadzag.takze: AIAA 17th fluid dynamics, plasma dynamics, and lasers conf. June 25-27, 1984, Snowmass (Co.). Библиогр.: с.6 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 55.47.03 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: The separate spatial extents of the trailing horseshoe root vortex legs from a wing and plate junction JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

48

numerical method for general condition of two-phase flow in non-equilibrium states Research A simple and rational numerical method of two-phase flow with volume-junction model Двухкомпонентные системы, Динамика


R/17608/97-080/2 Okazaki, M. A simple and rational numerical method of two-phase flow with volume-junction model [Text] / M. Okazaki. - S.l. : [s. n.].2 : The numerical method for general condition of two-phase flow in non-equilibrium states. - 1997. - 43 p. : ill. - (Research / Japan atomic energy research institute(Tokyo) ; 97-080). - 5.00 р. Библиогр.:с.25ГРНТИ 30.51.29УДК 532.529 Рубрики: Двухкомпонентные системы--Динамика Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

49

influence of process-induced defects on electrical properties of silicon junctions 0 ^aЗависимость процесса возникновения дефектов от электрических свойств кремниевых контактов 0 ; дефект;кремниевый контакт Библиогр.:с.45-66 0 ; дефект;кремниевый контакт


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Andersson G.I. Заглавие : The influence of process-induced defects on electrical properties of silicon junctions : Diss. Выходные данные : Goteborg, 1992 Колич.характеристики :V,66 c: ил Примечания : ; Библиогр.:с.45-66 ISBN, Цена 91-7032-675-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.11 + ; 29.19.31 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; дефект;кремниевый контакт Перейти к источнику в Интернете: The influence of process-induced defects on electrical properties of silicon junctions JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

50

Xiyou jinshu cailiao yu (Металлургия/Статьи)


2006-02-20

Тип Отдельный выпуск журнала Авторы Название X …

VINITI Projects Database (Russian)

51

Wideband transistors and wideband hybrid IC modules Philips data handbook:Semiconductors полупроводниковый прибор Полупроводниковые приборы, Справочники полупроводниковый прибор


Q/5505/S10 Philips data handbook:Semiconductors [Text]. - Eindhoven : Philips.B. S10 : Wideband transistors and wideband hybrid IC modules. - 1987. - 780,VII p. p. : ill. - 4.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382(03) Рубрики: Полупроводниковые приборы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

54

Vertical charge transport in junction charge-coupled devices 0 ^aВертикальный перенос заряда в приборах с зарядовой связью с p-n-переходом. Дис Рез. голл. Библиогр. в конце разд


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Klauw C.L.M Заглавие : Vertical charge transport in junction charge-coupled devices : Diss Выходные данные : Delft, 1987 Колич.характеристики :8, 172 с Примечания : ; Рез. голл. Библиогр. в конце разд Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.14.07 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Vertical charge transport in junction charge-coupled devices JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

55

Verification calculation in saturated condition Research A simple and rational numerical method of two-phase flow with volume-junction model Двухкомпонентные системы, Динамика


R/17608/97-079/1 Okazaki, M. A simple and rational numerical method of two-phase flow with volume-junction model [Text] / M. Okazaki. - S.l. : [s. n.].1 : Verification calculation in saturated condition. - 1997. - IV,57 p. p. : ill. - (Research / Japan atomic energy research institute(Tokyo) ; 97-079). - 5.00 р. Рез.яп.Библиогр.:с.25ГРНТИ 30.51.29УДК 532.529 Рубрики: Двухкомпонентные системы--Динамика Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

56

Vacuum transistors Futuretech транзистор Транзисторы транзистор


R/16822/64(1988) Futuretech [Text] : a probing look at strategic technologies that will significantly affect industry. - Englewood(NJ) : Techn.insights.64(1988) : Vacuum transistors. - 1988. - 14 p. - 3.00 р. Библиогр.:с.14ГРНТИ 47.29УДК 621.382.3 Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

57

V (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

58

University of Würzburg. Robotics and Telematics (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mobile Robots, Telematics, Space exploration, Robots in medicine ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Würzburrg, Deutschland www …

VINITI Projects Database (Russian)

60

University of Southern California Robotics Research Laboratory (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Research in autonomous robotics, biological and artificial neural systems, reinforcement learning, genetic algorithms, robotic and prosthetic hands, desig …

VINITI Projects Database (Russian)

62

University of Electro-Communications. Yamafuji and Ulyanov Lab. (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mechatronics, Mobile robots, Manipulators Сокр. название: EC ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo, Japan www.yama.mce.uec.ac.jp/ …

VINITI Projects Database (Russian)

64

University of Dortmund. Institute of Robotics Research (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Multi-Robot-Systems, Space robotics, Automation, Communication, Mobile robots Сокр. название: IRF ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Do …

VINITI Projects Database (Russian)

66

University of Bremen. Institute for Automation (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Servicerobotics, Planning, Vision, Teaching, Inverse kinematics ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Bremen, Deutschland http://siem …

VINITI Projects Database (Russian)

69

University Aachen. European Center for Mechatronics (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mechatronics, Micromechanics, Service robots, Communication, Userinterface, Sensor systems ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Aachen, Deutsc …

VINITI Projects Database (Russian)

70

University Aachen Prozeßsteuerung in der Schweißtechnik (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Manufacturing ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Aahen, Deutschland www.rwth-aahen.de (www.rwth-aahen.de) …

VINITI Projects Database (Russian)

73

Turbulence structure near the nose of a wing-body junction Rep./AIAA 0 ^aСтруктура турбулентности вблизи передней точки стыка крыла с фюзеляжем V nadzag. takze: AIAA 19th fluid dynamics, plasma dynamics and lasers conf., June 8-10, 1987, Honolulu, Hawaii. Библиогр.: с. 13,14

Simpson, R.L

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Devenport W.J, Simpson R.L Заглавие : Turbulence structure near the nose of a wing-body junction Выходные данные : New York, 1987 Колич.характеристики :14 с Серия: Rep./AIAA; N 87-1310 Примечания : ; V nadzag. takze: AIAA 19th fluid dynamics, plasma dynamics and lasers conf., June 8-10, 1987, Honolulu, Hawaii. Библиогр.: с. 13,14 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 30.15.31 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Turbulence structure near the nose of a wing-body junction Доп.точки доступа: Simpson, R.L JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

74

Tunneling spectroscopy for ferromagnet/superconductor junctions UMSI research report эффект Джозефсона Джозефсона эффект эффект Джозефсона

Valls, O.T.

R/17401/99/159 Zutic, I. Tunneling spectroscopy for ferromagnet/superconductor junctions [Text] : сборник научных трудов / I.Zutic,O.T.Valls. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1999. - 16 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 99/159). - 10.00 р. Библиогр.:с.15-16ГРНТИ 29.19.29УДК 538.945.6:535 Рубрики: Джозефсона эффект Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Valls, O.T. Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

75

Tunneling in the junction superconductor-normal metal: bipolaron model and experiment Препринт эффект Джозефсона Джозефсона эффект, , джэф эффект Джозефсона

Рубин, С.Г.; Rubin S.G.; Melkonian G.G.

М/39018/001-96 Мелконян, Г. Г. Tunneling in the junction superconductor-normal metal: bipolaron model and experiment [Текст] : препринт / Г.Г.Мелконян,С.Г.Рубин. - Moscow, 1996. - 20 p. : il. - (Препринт / Московский инж.-физ.ин-т ; 001-96). - 100 экз. - Б. ц.ГРНТИ 29.19.29УДК 538.945.6(04) Рубрики: Джозефсона эффект Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Рубин, С.Г.; Rubin S.G.; Melkonian G.G. Экз-ры: хр(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

76

Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aНастраиваемый эффект спаривания в связанных сверхпроводящих одноэлектронных транзисторах. [Туннелирование одноэлектронное; Эффект Джозефсона]. Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Kimura, Mitsuru

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Katsumoto Shingo, Kimura Mitsuru Заглавие : Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Выходные данные : Tokyo: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 1996 Колич.характеристики :4 с.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3202 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 + ; 29.19.03 + ; 47.03.08 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Tunable parity effect in coupled superconducting single-electron transistors Доп.точки доступа: Kimura, Mitsuru TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

77

Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors Doktorsavhandlingar vid Chalmers techniska hogskola;N639 0 ^aСвойства гетероперехода биполярных транзисторов 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория Библиогр.: с. 47-68 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Ramberg L.P. Заглавие : Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors Выходные данные : Goteborg, 1987 Колич.характеристики :6, 68 с: ил Серия: Doktorsavhandlingar vid Chalmers techniska hogskola;N639 Примечания : ; Библиогр.: с. 47-68 ISBN, Цена 91-7032-327-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы; гетеропереходы; теория Перейти к источнику в Интернете: Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

78

Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors 0 ^aПеренос и соответствующие свойства гетеропереходов биполярных транзиторов Библиогр.: с.47-68 и в конце ст


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ramberg L.P Заглавие : Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors : Diss Выходные данные : Goteborg, 1987 Колич.характеристики :6, 68 с Примечания : ; Библиогр.: с.47-68 и в конце ст Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transport and related properties of heterojunction bipolar transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

79

Transistorschaltungen selbst entwickeln: Schon das Ohmsche Gesetz reicht aus, Transistorschaltungen erfolgreich durchzurechnen Franzis Elektronikbuch fur jedermann 0 ^aСамостоятельная разработка транзисторных схем. Для успешного расчета транзисторных схем достаточно знать закон Ома Franzis Указ.: с. 134-135


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Knobloch W Заглавие : Transistorschaltungen selbst entwickeln: Schon das Ohmsche Gesetz reicht aus, Transistorschaltungen erfolgreich durchzurechnen : Mit 87 Abbild Выходные данные : Munchen: Franzis, 1985 Колич.характеристики :135 с Серия: Franzis Elektronikbuch fur jedermann Примечания : ; Указ.: с. 134-135 ISBN, Цена 3-7723-7791-2: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistorschaltungen selbst entwickeln: Schon das Ohmsche Gesetz reicht aus, Transistorschaltungen erfolgreich durchzurechnen TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

80

Transistors Транзисторы


R/11575/60 ed. Transistors [Text]. - Pine Brook(NJ) : [s. n.].60 ed. - . - 1990. - Pag.var. - 60.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(05) Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

81

Transistors Транзисторы


R/11575/60 ed.,update Transistors [Text]. - Pine Brook(NJ) : [s. n.].60 ed.,update. - 1990. - Pag.var. - 20.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(05) Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

82

Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz Publications Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres полупроводниковый прибор Транзисторы полевые полупроводниковый прибор


R/1226/747/8,Sect.1 Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres [Text]. - Geneve : [s. n.].Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz. - 1 ed. - 1987. - 33 p. : ill. - (Publications / Commission electrotechnique internationale ; 747). - 0.50 р. Загл. и текст парал. англ.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

83

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

84

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

85

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

86

Transistors 0 ^aТранзисторы DATA Business publ 0 ; транзисторы 0 ; транзисторы


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors Выходные данные : San Diego (Ca): DATA Business publ, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

87

Transistors 0 ^aТранзистор. 1984


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Transistors . -55th ed Выходные данные : Pine Brook (N.J.),Б.г. Колич.характеристики :4, 7 с Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

88

Transfer-energy-dependent escape rate of electronic through a small-capacitance tunnel junctions Techn.rep.of ISSP.Ser.A 0 ^aСкорость утечки электронов, зависящая от переноса энеогий через малоемкостные туннельные переходы Inst.for solid state physics, Univ.of Tokyo 0 ; утечка электронов Библиогр.:с.21-22 0 ; утечка электронов

Ando, T.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ueda M., Ando T. Заглавие : Transfer-energy-dependent escape rate of electronic through a small-capacitance tunnel junctions Выходные данные : Tokyo: Inst.for solid state physics, Univ.of Tokyo, 1994 Колич.характеристики :25 c: ил Серия: Techn.rep.of ISSP.Ser.A, ISSN 0082-4798; N 2842 Примечания : ; Библиогр.:с.21-22 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.03 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; утечка электронов Перейти к источнику в Интернете: Transfer-energy-dependent escape rate of electronic through a small-capacitance tunnel junctions Доп.точки доступа: Ando, T. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

89

Traffic signal junctions Laboratory report автомобильная сигнализация городской транспорт Автомобильная сигнализация Городской транспорт, Организация движения автомобильная сигнализация городской транспорт

Semmens, M.C.

R/10820/1063 Kimber, R. M. Traffic signal junctions [Text] : a track appraisal of conventional and novel designes / R.M.Kimber,M.C.Semmens. - Crowthorne(Berkshire) : [s. n.], 1982. - 32 p. : ill. - (Laboratory report / Transport and road research lab., ISSN 0305-1293 ; n1063). - 4.00 р. Библиогр.:с.16ГРНТИ 55.43.4173.43.11УДК 629.113.018656.9.02 Рубрики: Автомобильная сигнализацияГородской транспорт--Организация движения Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Semmens, M.C. Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

90

Total-dose effects of y-ray irradiation on SOI-MOS transistors KEK preprint Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, Влияние ионизирующих излучений, , деизиопо

Matsushita, T.; Fukunaga, C.; Ikeda, H.; Saitoh, Y.

R/17226/94-195 Total-dose effects of y-ray irradiation on SOI-MOS transistors [Text] : submitted to Nucl.instrum.meth.,A. / T.Matsushita,C.Fukunaga,H.Ikeda,Y.Saitoh. - Tsukuba : [s. n.], 1995. - 18 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-195). - 1000 р. Библиогр.:с.8-9ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые--Влияние ионизирующих излучений Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Matsushita, T.; Fukunaga, C.; Ikeda, H.; Saitoh, Y. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

91

Toshiba. Research and Development Center (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Vision, Speech, Humanoids, Pipeline inspection, Control, Modular manipulation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Tokyo www.toshiba …

VINITI Projects Database (Russian)

92

Thyristors transistors Discontinued discrete semiconductors


R/16873/2 Discontinued discrete semiconductors [Text] / DATA digest. - San Diego(Ca) : data business publ.Vol. 2 : Thyristors transistors. - 1990. - 998, D84 p. - ISBN 1046-395X : 133.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382(05) Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

93

Thin film transistors 0 ^aТонкопленочные транзисторы: Материалы и процессы.Т. 2: Поликристаллические тонкопленочные кремниевые транзисторы.


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Thin film transistors Выходные данные : Б.м.,Б.г. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Thin film transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

94

Thermal and electrical behaviour of a resistive junction in the ATLAS toroids [Pubblicazione] INFN Детекторы ионизирующих излучений, Магниты, , деизио

Acerbi, E.; Ambrosio, G.; Sorbi, M.; Volpini, G.

R/5815/TC-97/07 Thermal and electrical behaviour of a resistive junction in the ATLAS toroids [Text] : сборник научных трудов / E.Acerbi,G.Ambrosio,M.Sorbi,G.Volpini. - Milano : [s. n.], 1997. - 13 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-97/07). - 3000 р. Библиогр.:с.13ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.07 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений--Магниты Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Acerbi, E.; Ambrosio, G.; Sorbi, M.; Volpini, G. Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

95

Theory of Andreev reflection in a junction with a strongly disordered semiconductor UMSI research report гетеропереход Гетеропереходы, , ге гетеропереход

Clarke, P.; Glazman, L.I.

R/17401/96/7 Aleiner, I. L. Theory of Andreev reflection in a junction with a strongly disordered semiconductor [Text] : сборник / I.L.Aleiner,P.Clarke,L.I.Glazman. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1996. - 4 p. : 2 l.ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 96/7). - 1000 р. Библиогр.:с.4ГРНТИ 47.33УДК 621.315.592.9 Рубрики: Гетеропереходы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Clarke, P.; Glazman, L.I. Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

96

Theory of Andreev reflection in a junction with a strongly disordered semiconductor UMSI research report ; Гетеропереходы , ге

Clarke, P.; Glazman, L.I.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Aleiner I.L., Clarke P., Glazman L.I. Заглавие : Theory of Andreev reflection in a junction with a strongly disordered semiconductor Выходные данные : Minneapolis(Mn), 1996 Колич.характеристики :4 p.: 2 l.ill Серия: UMSI research report/ University of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute; 96/7 Примечания : ; Библиогр.:с.4 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Гетеропереходы Перейти к источнику в Интернете: Theory of Andreev reflection in a junction with a strongly disordered semiconductor Доп.точки доступа: Clarke, P.; Glazman, L.I. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

97

The bases for the development of high-temperature integrated squid-systems. 1. Josephson junctions Препринт сверхпроводящий магнитометр Магнитометры сверхпроводящие, , масв сверхпроводящий магнитометр

Polushkin V.N.

Н/2509/Д13-92-339 Полушкин, В. Н. The bases for the development of high-temperature integrated squid-systems. 1. Josephson junctions [Text] : препринт / В.Н.Полушкин. - Dubna, 1992. - 23 p. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Д13-92-339). - 130 экз. - 00. 57 Библиогр.: с. 20-23 (55 назв.)ГРНТИ 59.29УДК 621.317.444-973(04) Рубрики: Магнитометры сверхпроводящие Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Polushkin V.N. Экз-ры: хр(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

98

The Vertebrate neuromuscular junction Neurology a. neurobiology; Vol. 23 0 ^aСинапсы у позвоночных 0 ; Синапс Библиогр. в конце ст. Указ.: с. 425-439 0 ; Синапс

Salpeter, M. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : The Vertebrate neuromuscular junction Выходные данные : New York, 1987 Колич.характеристики :439 с Серия: Neurology a. neurobiology; Vol. 23 Примечания : ; Библиогр. в конце ст. Указ.: с. 425-439 ISBN, Цена 0-8451-2725-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.39.17 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; синапс Перейти к источнику в Интернете: The Vertebrate neuromuscular junction Доп.точки доступа: Salpeter, M. \.\ JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

100

The Institute of Nanotechnology (Химия/Организации)


2006-02-21

Тип: институт Профиль деятельности: Развитие и продвижение всех аспектов нанотехнологии. Организация международных научных мероприятий, обучающих курсов для поощрения внедрения нанотехнологии в п …

VINITI Projects Database (Russian)

101

Technische Universität Münchenn. Theoretische Informatik und Grundlagen der KI (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Adaptive control, Mobile robots, Distributed AI, Neural Networks ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Münche n,, Deutschland www. …

VINITI Projects Database (Russian)

103

Technique de mise en serie des transistors de puissance pour la moyenne et haute tension 0 ^aТехника серийного выпуска мощностных транзисторов для среднего и высокого напряжения.Дис Библиогр.: с.139-141


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Cabaleiro Cortizo Заглавие : Technique de mise en serie des transistors de puissance pour la moyenne et haute tension : Diss Выходные данные : Toulouse, 1984 Колич.характеристики :141 с Примечания : ; Библиогр.: с.139-141 Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Technique de mise en serie des transistors de puissance pour la moyenne et haute tension TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

104

Technical University of Hamburg-Harburg. Department for machine tools and automation technology (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Autonomous robots, Vision, Pattern recognition, Medical robotics, Planning, Manipulation ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Hamburg, Deutsch …

VINITI Projects Database (Russian)

105

Technical University Berlin. Real-Time Systems (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Mobile robots, Human interface, Vision, Realtime ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Berlin, Deutschland www.tu-berlin.de (www.tu-ber …

VINITI Projects Database (Russian)

106

T (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-04

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

107

Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors Internal report DESY F35D-96-122, July 1996 0 ^aИзучение радиационных повреждений в аналоговых трактах КМОП, МОП-транзисторах и МОП-конденсаторах 0 ; ядерная физика 0 ; экспериментальные установки 0 ; ядерная физика 0 ; экспериментальные установки Рез. нем 0 ; ядерная физика 0 ; экспериментальные установки


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Bottcher, Stephan Заглавие : Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors : Diss. ... Univ. Hamburg Выходные данные : Hamburg, 1996 Колич.характеристики :134 стб: ил; 30 см Серия: Internal report DESY F35D-96-122, July 1996 Примечания : ; Рез. нем Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; ядерная физика--0 ; экспериментальные установки Перейти к источнику в Интернете: Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

108

Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes Acta polytechnica Scandinavica. El, Electrical engineering series Транзисторы биполярные, , битр Диоды полупроводниковые, , дипо


R/5050/72 Eranen, S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes [Text] : diss. / S.Eranen. - Helsinki : [s. n.], 1992. - 29 p. : ill. - (Acta polytechnica Scandinavica. El, Electrical engineering series, ISSN 0001-6845 ; n72). - ISBN 951-666-357-5 : 10 р. Библиогр.:с.27-29ГРНТИ 47.2947.33УДК 621.382.2(043)621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярныеДиоды полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

109

Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes Acta polytechnica Scandinavica. Electrical engineering ser. 0 ^aИзучение прибора на основе биполярного транзистора и полевого транзистора с полупроводниковым затвором 0 ; транзисторы;полупроводники Библиогр.: с.27-29 0 ; транзисторы;полупроводники


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Eranen S. Заглавие : Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss Выходные данные : Helsinki, 1992 Колич.характеристики :29 с: ил Серия: Acta polytechnica Scandinavica. Electrical engineering ser., ISSN 0001-6845; N 72 Примечания : ; Библиогр.: с.27-29 ISBN, Цена 951-666-357-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы;полупроводники Перейти к источнику в Интернете: Studies on the Insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

110

String junction as a baryonic constituent Препринт квантовая хромодинамика Квантовая хромодинамика, , квхр квантовая хромодинамика

Нефедиев, А.В.; Nefediev A.V.; Kalashnikova Yu.S.

Н/11110/52-95 Калашникова, Ю. С. String junction as a baryonic constituent [Text] : препринт / Ю.С.Калашникова,А.В.Нефедиев. - Moscow, 1995. - 8 p. - (Препринт / Институт теоретической и экспериментальной физики(Москва) ; 52-95). - 80 экз. - Б. ц.ГРНТИ 29.05УДК 539.121.7(04) Рубрики: Квантовая хромодинамика Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Нефедиев, А.В.; Nefediev A.V.; Kalashnikova Yu.S. Экз-ры: хр(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

111

Stimulation of superconductivity in multilayer structures with weak josephson junction Препринт эффект Джозефсона Джозефсона эффект эффект Джозефсона

Cherenkov, V.A.; Fedyanin, V.K.

Н/2509/Е17-90-53 Гришин, В. Е. Stimulation of superconductivity in multilayer structures with weak josephson junction [Text] : препринт / В. Е. Гришин, V. A. Cherenkov, V. K. Fedyanin. - Dubna, 1990. - 9 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е17-90-53). - 330 экз. экз. - 16 к. р. Перед загл. авт.: V.E.Grishin, V.A.Cherenkov, V.K.Fedyanin. Bibliogr.: p. 9 (12 nazv.)ГРНТИ 29.19.29УДК 538.945.6(04) Рубрики: Джозефсона эффект Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Cherenkov, V.A.; Fedyanin, V.K. Экз-ры: хр(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

112

Statistical data of the uranium industry Rep./US. Dep. of energy. Grand junction area office 0 ^aСтатистические данные по урановой промышленности. 1 янв. 1983


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Statistical data of the uranium industry Выходные данные : Б.м., 1982 Колич.характеристики :85 с. Библиогр.: с.77 Серия: Rep./US. Dep. of energy. Grand junction area office; N 100(82) Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 58.01.73 + ; 58.09.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Statistical data of the uranium industry JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

113

Statistical data of the uranium industry Rep./US. Dep. of energy. Grand junction area office 0 ^aСтатистические данные по урановой промышленности. 1 янв. 1982


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Statistical data of the uranium industry Выходные данные : Б.м., 1983 Колич.характеристики :94 с. Библиогр.: с.77 Серия: Rep./US. Dep. of energy. Grand junction area office; N 100(83) Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 58.01.73 + ; 58.09.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Statistical data of the uranium industry JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

114

Statics and dynamics of singleelectron solitons in two-dimensional arrays of ultrasmall tunnel junctions Препринт эффект Джозефсона Джозефсона эффект эффект Джозефсона

Bakhvalov, N.S.; Kazacha, G.S.; Likharev, K.K.; Serdyukova, S.I.

Н/2509/Е11-90-177 Statics and dynamics of singleelectron solitons in two-dimensional arrays of ultrasmall tunnel junctions [Text] : препринт / N.S.Bakhvalov,G.S.Kazacha,K.K.Likharev,S.I.Serdyukova. - Dubna, 1990. - 17 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е11-90-177). - 465 экз. экз. - 24 к. р. Bibliogr.: p. 16-17 (12 nazv.)ГРНТИ 29.19.29УДК 538.945.6(04) Рубрики: Джозефсона эффект Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Bakhvalov, N.S.; Kazacha, G.S.; Likharev, K.K.; Serdyukova, S.I. Экз-ры: хр(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

115

Spin polarized tunneling in ferromagnet/unconventional superconductor junctions UMSI research report эффект Джозефсона Джозефсона Эффект эффект Джозефсона

Valls, O.T.

R/17401/99/15 Zutic, I. Spin polarized tunneling in ferromagnet/unconventional superconductor junctions [Text] : сборник научных трудов / I.Zutic,O.T.Valls. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1999. - 10 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 99/15). - 5.00 р. Библиогр.:с.3ГРНТИ 29.19.29УДК 538.945.6 Рубрики: Джозефсона Эффект Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Valls, O.T. Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

116

Small-signal transistors for amplifier and switching applications Siemens Транзисторы, Справочники, , тр


G2/19658 Small-signal transistors for amplifier and switching applications [Text] : data book 1988/89. - munchen : Siemens, 1988. - 155 p. : ill. - 3000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(03) Рубрики: Транзисторы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

117

Small-signal transistors for amplifier and switching applications Siemens ; Транзисторы . Справочники , тр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Small-signal transistors for amplifier and switching applications : Data book 1988/89 Выходные данные : Muchen: Siemens, 1988 Колич.характеристики :155 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors for amplifier and switching applications TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

118

Small-signal transistors Philips Транзисторы, Справочники, , тр


G2/19615 Small-signal transistors [Text] : data handbook SC04. - S.l. : Philips, 1995. - 1247 p. : ill. - 35000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3(03) Рубрики: Транзисторы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

119

Small-signal transistors Philips ; Транзисторы . Справочники , тр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Small-signal transistors : Data handbook SC04 Выходные данные : Б.м., 1995 Колич.характеристики :1247 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

120

Small-signal transistors Discrete semiconductors:SC/Philips semiconductors 0 ^aТранзисторы, работающие в режиме малого сигнала. Справочник Philips


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Small-signal transistors Выходные данные : Hamburg: Philips, 1991 Колич.характеристики :896, III с.: ил. Серия: Discrete semiconductors:SC/Philips semiconductors Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.01.33 Перейти к источнику в Интернете: Small-signal transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

121

Single electron tunneling in ultrasmall tunnel junctions Doktorsavhandlingar/Chalmers tekniska hogskola 0 ^aОдноэлектронное туннелирование в сверхмалых туннельных переходах 0 ; одноэлектронное туннелирование 0 ; одноэлектронное туннелирование


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Delsing P. Заглавие : Single electron tunneling in ultrasmall tunnel junctions Выходные данные : Goteborg, 1990 Колич.характеристики :Разд. паг. с Серия: Doktorsavhandlingar/Chalmers tekniska hogskola; N 752 ISBN, Цена 91-7032-509-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.03 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; одноэлектронное туннелирование Перейти к источнику в Интернете: Single electron tunneling in ultrasmall tunnel junctions, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

122

Single electron tunneling in ultrasmall tunnel junctions Doktorsavh. vid Chalmers tekn. hogsk. N.S. 0 ^aЕдиничное электронное туннелирование в ультрамалых туннельных переходах 0 ; электронное туннелирование Библиогр.: с.42-45 и в конце ст 0 ; электронное туннелирование


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Delsing P. Заглавие : Single electron tunneling in ultrasmall tunnel junctions : Akad. avh Выходные данные : Goteborg, 1990 Колич.характеристики :53 с: ил Серия: Doktorsavh. vid Chalmers tekn. hogsk. N.S.; N 752 Примечания : ; Библиогр.: с.42-45 и в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.31 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; электронное туннелирование Перейти к источнику в Интернете: Single electron tunneling in ultrasmall tunnel junctions JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

123

Silicon germanium heterojunction bipolar transistors Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology 0 ^aКремниевые и германиевые биполярные гетеротранзисторы. Моделирование при большом уровне сигнала и характеристика низкочастотного шума. Дис. 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Библиогр.:с.109-112 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bruce S. Заглавие : Silicon germanium heterojunction bipolar transistors : Large-signal modelling a. low-frequency noise characterization aspects: Diss. Выходные данные : Uppsala, 1999 Колич.характеристики :126 с: ил Серия: Acta Univ. upsaliensis. Comprehensive summ. of Uppsala diss.from the Fac.of science and technology, ISSN 1104-232X; N 479 Примечания : ; Библиогр.:с.109-112 ISBN, Цена 91-554-4558-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; кремниевые; германиевые; гетеротранзисторы Перейти к источнику в Интернете: Silicon germanium heterojunction bipolar transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

125

Scientific results Chile Triple Junction:covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama,to Valparaiso,Chile,sites 859-863,12 Nov.1991-12 Jan.1992 Proceedings of the Ocean drilling program.Scientific results Ocean drilling program


R/17353/141 Ocean drilling program. Proceedings of the Ocean drilling program.Scientific results [Text] / Nat.science found. - College Station(Tx) : [s. n.]. - ISSN 0884-5891.Vol. 141 : Scientific results Chile Triple Junction:covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama,to Valparaiso,Chile,sites 859-863,12 Nov.1991-12 Jan.1992. - 1995. - XX,499 p. p. : ill. - 100000 р. Библиогр.в конце глав.Указ.:с.485-499 Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

126

Scientific results Chile Triple Junction:covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama,to Valparaiso,Chile,sites 859-863,12 Nov.1991-12 Jan.1992 Proceedings of the Ocean drilling program.Scientific results ; Бурение в море , бумо


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Scientific results Chile Triple Junction:covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama,to Valparaiso,Chile,sites 859-863,12 Nov.1991-12 Jan.1992 Выходные данные : Б.м., 1995 Колич.характеристики :XX,499 p.: ill. Серия: Proceedings of the Ocean drilling program.Scientific results/ Ocean drilling program, ISSN 0884-5891; Vol.141 Примечания : ; Библиогр.в конце глав.Указ.:с.485-499 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.59.29 УДК : Предметные рубрики: Бурение в море Перейти к источнику в Интернете: Scientific results Chile Triple Junction:covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama,to Valparaiso,Chile,sites 859-863,12 Nov.1991-12 Jan.1992 JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

127

S (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

128

Role of junction plasmons in light emission of mom diodes Publ./Kozp. fiz. kut. int. 0 ^aРоль переходных плазмонов в световой эмиссии MOM-диодов Рез. на англ., рус. и венг.яз. Библиогр.: с.14

Szentirmay, Zs; Felszerfalvi, J

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : KroWo N, Szentirmay Zs, Felszerfalvi J Заглавие : Role of junction plasmons in light emission of mom diodes Выходные данные : Budapest, 1985 Колич.характеристики :19 с Серия: Publ./Kozp. fiz. kut. int., ISSN 0368-5330; N 1985-64 Примечания : ; Рез. на англ., рус. и венг.яз. Библиогр.: с.14 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.29.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Role of junction plasmons in light emission of mom diodes, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Szentirmay, Zs; Felszerfalvi, J JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

129

Robot Books.com (Машиностроение/Ресурсы)


2006-04-13

Тип2НазваниеRobot Books.comОписаниеReviews of robotics books, plus robot kits, movies, and toy robotsКлючевые словароботы, элементы, книги, продажаПерспективы развитияТип доступасвободныйФормат данных …

VINITI Projects Database (Russian)

131

Research on gallium arsenide diffused junction solar cells for the period Oct. 1, 1982 to June 30,1984 US. NASA contractor report 0 ^aИсследование солнечных элементов с диффузионным переходом на арсениде галлия за период с окт. 1980 по июнь 1984 Библиогр.: с.13-14

Borrego, J.M; Chandhi, S.K

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Research on gallium arsenide diffused junction solar cells for the period Oct. 1, 1982 to June 30,1984 Выходные данные : Troy (N.J.), 1984 Колич.характеристики :54 с Серия: US. NASA contractor report; CR-174057 Примечания : ; Библиогр.: с.13-14 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.41.31 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Research on gallium arsenide diffused junction solar cells for the period Oct. 1, 1982 to June 30,1984 Доп.точки доступа: Borrego, J.M; Chandhi, S.K JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

132

Report. 0 ^aОтчет Департамента энергетики США. N 100(83). Статистические данные по промышленности урана, 1 янв. 1983 US. Department of energy. Grand junction area office


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Report. Выходные данные : Б.м., 1983 Коллективы : US. Department of energy. Grand junction area office Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 58.09.29 + ; 44.09.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Report. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

133

Report. 0 ^aОтчет Департамента энергетики США. N 100(82). Статистические данные по промышленности урана, 1 янв. 1982 US. Department of energy. Grand junction area office


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Report. Выходные данные : Б.м., 1982 Коллективы : US. Department of energy. Grand junction area office Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 58.09.29 + ; 44.09.31 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Report. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

134

Red book (Металлургия/Издания)


2006-02-20

Тип Книга Авторы G.Effenberg, O.I. Bodak, L.A. Petrova Название …

VINITI Projects Database (Russian)

135

Ra (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

136

Quantum effects of resistance-shunted Josephson junctions Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aКвантовые эффекты в шунтированных резистором переходах Джозефсона. Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Imada, Masatoshi

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Kato Takeo, Imada Masatoshi Заглавие : Quantum effects of resistance-shunted Josephson junctions Выходные данные : Tokyo: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 1999 Колич.характеристики :15 с.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3512 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Quantum effects of resistance-shunted Josephson junctions Доп.точки доступа: Imada, Masatoshi JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

137

Quantum coherent effects, phase transitions, and the dissipative dynamics of ultra small tunnel junctions Physics rep. 0 ^aКвантовые когерентные системы, фазовые переходы и диссипативная динамика ультрамалых туннельных контактов North-Holland 0 ; контакты туннельные ультрамалые Библиогр.: с.407-411 0 ; контакты туннельные ультрамалые

Zaikin, A.D.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Schon G., Zaikin A.D. Заглавие : Quantum coherent effects, phase transitions, and the dissipative dynamics of ultra small tunnel junctions Выходные данные : Amsterdam: North-Holland, 1990 Колич.характеристики :237-413 с: ил Серия: Physics rep., ISSN 0370-1573; Vol.198 N 5/6 Примечания : ; Библиогр.: с.407-411 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; контакты туннельные ультрамалые Перейти к источнику в Интернете: Quantum coherent effects, phase transitions, and the dissipative dynamics of ultra small tunnel junctions, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Zaikin, A.D. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

138

Quantitative visualization of junction and tip vortices using particle displacement velocimetry Rep./AIAA;91-0269 0 ^aКоличественная визуализация концевых и пересекающихся вихрей методом измерения скорости перемещения частиц 0 ; количественная визуализация;вихрь;измерение скорости Библиогр.:с.13 0 ; количественная визуализация;вихрь;измерение скорости

Fu T.C.; Katz J.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Shekarriz A., Fu T.C., Katz J. Заглавие : Quantitative visualization of junction and tip vortices using particle displacement velocimetry Выходные данные : Washington, 1991 Колич.характеристики :13 c: ил Серия: Rep./AIAA;91-0269 Примечания : ; Библиогр.:с.13 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 30.17.51 + ; 59.31.31 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; количественная визуализация;вихрь;измерение скорости Перейти к источнику в Интернете: Quantitative visualization of junction and tip vortices using particle displacement velocimetry Доп.точки доступа: Fu T.C.; Katz J. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

139

Prozessstromquellen mit Transistorschaltern hoher Taktfrequenz Источники электрического тока полупроводниковые


G2/15518 G@:oller, E. Prozessstromquellen mit Transistorschaltern hoher Taktfrequenz [Text] : Diss. / E.G@:oller. - Stuttgart : [s. n.], 1990. - 157 S. : Ill. - 1.00 р. Библиогр.:с.152-157ГРНТИ 47.59.39УДК 621.311.6:621.382(043) Рубрики: Источники электрического тока полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-90903 TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

140

Proceedings, Apr. 25-26, 1985 Grand Junction (Co) 0 ^aТруды западного симп. по синтетическим топливам, Гранд-Джанкшен, 1985 Western synfuels symposium(Grand Junction, Co;1985) Colorado school of mines 0 ; синтетическое топливо Библиогр. в конце ст 0 ; синтетическое топливо


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Proceedings, Apr. 25-26, 1985 Grand Junction (Co) Выходные данные : Golden (Co): Colorado school of mines, 1985 Колич.характеристики :V, 130 с: ил Коллективы : Western synfuels symposium(Grand Junction, Co;1985) Примечания : ; Библиогр. в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 61.53.03 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; синтетическое топливо Перейти к источнику в Интернете: Proceedings, Apr. 25-26, 1985 Grand Junction (Co) JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

141

Practical transistors and linear integrated circuits Практические транзисторы и линейные интегральные схемы Wiley транзистор линейная интегральная схема Транзисторы Интегральные схемы линейные транзистор линейная интегральная схема


J2/23119 Greenfield, J. D. Practical transistors and linear integrated circuits [Text] : материал технической информации / J.D.Greenfield. - new york [etc.] : Wiley, 1988. - XIV, 686 p. 686 p. : ill. - ISBN 0-471-89097-9 : 31.60 р. Библиогр.в конце частей.Указ.:с.667-686 Перевод заглавия: Практические транзисторы и линейные интегральные схемыПеревод заглавия: Практические транзисторы и линейные интегральные схемыГРНТИ 47.33УДК 621.382.3621.3.049.77 Рубрики: ТранзисторыИнтегральные схемы линейные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-95468 TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

142

Practical transistors and linear integrated circuits 0 ^aПрактические транзисторы и линейные интегральные схемы Wiley 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы Библиогр. в конце частей.-Указ.: с. 667-686 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Greenfield J.D. Заглавие : Practical transistors and linear integrated circuits Выходные данные : New York etc: Wiley, 1988 Колич.характеристики :XIV, 686 с: ил Примечания : ; Библиогр. в конце частей.-Указ.: с. 667-686 ISBN, Цена 0-471-89097-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 + ; 47.33.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы; линейные интегральные схемы Перейти к источнику в Интернете: Practical transistors and linear integrated circuits TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

144

PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs Philips МОП-транзисторы, Справочники


G2/19614 PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs [Text] : data handbook. - S.l. : Philips, 1995. - 637 p. : ill. - 20000 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(03) Рубрики: МОП-транзисторы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

145

PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs Philips ; МОП-транзисторы силовые . Справочники , моситр


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs : Data handbook Выходные данные : Б.м., 1995 Колич.характеристики :637 p.: ill. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: МОП-транзисторы силовые Перейти к источнику в Интернете: PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

146

Power transistors IEEE press sel. reprint ser. 0 ^aСиловые транзисторы: устройство, проектирование и применение IEEE press

Baliga, B.J; Chen, D.Y

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Power transistors : Device, design and applications Выходные данные : New York: IEEE press, 1984 Колич.характеристики :393 с Серия: IEEE press sel. reprint ser. Цена : Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Power transistors Доп.точки доступа: Baliga, B.J; Chen, D.Y TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

147

Power MOS transistors 0 ^aМощные транзисторы:Справочник Philips components 0 ; транзистор 0 ; транзистор


Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : Заглавие : Power MOS transistors : Product specifications Выходные данные : Eindhoven: Philips components, 1989 Колич.характеристики :498 с: ил Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзистор Перейти к источнику в Интернете: Power MOS transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

148

Poland: junction of the main geological provinces of Europe Geological quarterly/ Polish geological institute 0 ^aПольша: соединение главных геологических провинций Европы 0 ; геологические провинции Европы; Польша 0 ; геологические провинции Европы; Польша Библиогр. в конце ст 0 ; геологические провинции Европы; Польша

Narkiewicz, M.; Ziegler, P.A.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Poland: junction of the main geological provinces of Europe Выходные данные : Warsaw, 2006 Колич.характеристики :210 c: ил Серия: Geological quarterly/ Polish geological institute, ISSN 1641-7291; Vol.50, N 1 Примечания : ; Библиогр. в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.21.19 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; геологические провинции европы; польша Перейти к источнику в Интернете: Poland: junction of the main geological provinces of Europe Доп.точки доступа: Narkiewicz, M.; Ziegler, P.A. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

149

Plates and junctions in elastic multi-structures asymptotic analysis Recherches en mathematiques appliques;N14 0 ^aПластины и соединения в упругих мультиконструкциях: асимптоматический анализ Masson 0 ; пластины Библиогр.: с.191-205.-Указ.: с.207-215.-ISBN 2-225-82221-2 0 ; пластины


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ciarlet P.G. Заглавие : Plates and junctions in elastic multi-structures asymptotic analysis Выходные данные : Berlin etc: Masson, 1990 Колич.характеристики :VI, 215 с: ил Серия: Recherches en mathematiques appliques;N14 Примечания : ; Библиогр.: с.191-205.-Указ.: с.207-215.-ISBN 2-225-82221-2 ISBN, Цена 3-540-52917-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 30.19.19 + ; 67.11.03 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; пластины Перейти к источнику в Интернете: Plates and junctions in elastic multi-structures asymptotic analysis, Перейти к источнику в Интернете:  JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

150

Plates and junctions in elastic multi-structures an asymptotic analysis Recherches en mathematiques appliquees Пластины и соединения в упругих мультиконструкциях: асимптоматический анализ Masson пластинка упругая система Пластинки Упругие системы пластинка упругая система


R/16914/14 Ciarlet, P. G. Plates and junctions in elastic multi-structures an asymptotic analysis [Text] : монография / P.G.Ciarlet. - berlin [etc.] : Masson, 1990. - VI,215 p. p. : ill. - (Recherches en mathematiques appliquees, ISSN 0298-3168 ; n14). - ISBN 3-540-52917-9 : 17.00 р. Библиогр.:с.191-205.Указ.: с.207-215 Перевод заглавия: Пластины и соединения в упругих мультиконструкциях: асимптоматический анализПеревод заглавия: Пластины и соединения в упругих мультиконструкциях: асимптоматический анализГРНТИ 30.19.1530.19.19УДК 624.073539.3 Рубрики: ПластинкиУпругие системы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-94885 JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

151

Plate motions recorded in tectostratigraphic terranes of the Franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction,northwestern California U.S.Geol.survey bull./Dep.of the interior 0 ^aДвижение плит,отраженное в тектоностратиграфических слоях Францисканского комплекса и эволюция тройного контакта Мендосино,северо-запад Калифорнии 0 ; движение плит, двпл Библиогр.: с.56-60 0 ; движение плит, двпл

Sliter, W.V.; Frederiksen, N.O.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : McLaughlin R.J., Sliter W.V., Frederiksen N.O. Заглавие : Plate motions recorded in tectostratigraphic terranes of the Franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction,northwestern California Выходные данные : Washington, 1994 Колич.характеристики :IV,60 c: ил Серия: U.S.Geol.survey bull./Dep.of the interior; N1997 Примечания : ; Библиогр.: с.56-60 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.17.17 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; движение плит, двпл Перейти к источнику в Интернете: Plate motions recorded in tectostratigraphic terranes of the Franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction,northwestern California Доп.точки доступа: Sliter, W.V.; Frederiksen, N.O. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

152

Plate motions recorded in tectonostratigraphic terranes of the franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction, northwestern California Bull./US.Geol.survey 0 ^aДвижение плит, регистрируемое в тектоностратиграфической группе пластов францисканского комплекса и эволюция тройного сопряжения Мендосино, сев.-зап.Калифорния US GPO 0 ; тектоника; стратиграфия; США, те Библиогр.:с.56-60 0 ; тектоника; стратиграфия; США, те

McLaughlin, R.J.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Plate motions recorded in tectonostratigraphic terranes of the franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction, northwestern California Выходные данные : Washington: US GPO, 1994 Колич.характеристики :IV,60 c: ил Серия: Bull./US.Geol.survey; 1997 Примечания : ; Библиогр.:с.56-60 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.17.91 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; тектоника; стратиграфия; сша, те Перейти к источнику в Интернете: Plate motions recorded in tectonostratigraphic terranes of the franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction, northwestern California Доп.точки доступа: McLaughlin, R.J. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

153

Plate motions recorded in tectonostratigraphic terranes of the Franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction,northwestern California Bulletin US Gov.print.off. тектоника Тектоника, США, , те тектоника

McLaughlin, R.J.; Sliter, W.V.; Frederiksen, N.O.; Harbert, W.P.

R/971/1997 Plate motions recorded in tectonostratigraphic terranes of the Franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction,northwestern California [Text] : сборник научных трудов / R.J.McLaughlin,W.V.Sliter,N.O.Frederiksen и др. - Washington : US Gov.print.off., 1994. - IV,60 p. p. : ill. - (Bulletin / US.Geol.survey ; 1997). - 200 р. Библиогр.:с.56-60ГРНТИ 38.17.91УДК 551.24(73) Рубрики: Тектоника--США Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: McLaughlin, R.J.; Sliter, W.V.; Frederiksen, N.O.; Harbert, W.P. Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

154

Plate motions recorded in tectonostratigraphic terranes of the Franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction,northwestern California Bulletin US Gov.print.off. ; Тектоника; США, те

Sliter, W.V.; Frederiksen, N.O.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : McLaughlin R.J., Sliter W.V., Frederiksen N.O. Заглавие : Plate motions recorded in tectonostratigraphic terranes of the Franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction,northwestern California Выходные данные : Washington: US Gov.print.off., 1994 Колич.характеристики :IV,60 p.: ill. Серия: Bulletin/ US.Geological survey; 1997 Примечания : ; Библиогр.:с.56-60 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.17.91 УДК : Предметные рубрики: Тектоника Перейти к источнику в Интернете: Plate motions recorded in tectonostratigraphic terranes of the Franciscan complex and evolution of the Mendocino triple junction,northwestern California, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Sliter, W.V.; Frederiksen, N.O. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

155

Phonon detection in single crystalline silicon with superconducting tunneling junctions Progress report Детектирование фононов в монокристаллическом кремнии со сверхпроводящими туннельными переходами эффект Джозефсона Джозефсона эффект эффект Джозефсона

Hagen, C.W.; Zehnder, A.

R/16572/PR-89-32 Rothmund, W. Phonon detection in single crystalline silicon with superconducting tunneling junctions [Text] : материал технической информации / W.Rothmund,C.W.Hagen,A.Zehnder. - Villigen : [s. n.], 1989. - 5 p. : ill. - (Progress report / Paul Scherrer Inst. ; PR-89-32). - 1.00 р. Библиогр.:с.5 Перевод заглавия: Детектирование фононов в монокристаллическом кремнии со сверхпроводящими туннельными переходамиПеревод заглавия: Детектирование фононов в монокристаллическом кремнии со сверхпроводящими туннельными переходамиГРНТИ 29.19.29УДК 538.945.6 Рубрики: Джозефсона эффект Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Hagen, C.W.; Zehnder, A. Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-86805 JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

156

Phonon detection in single crystalline silicon with superconducting tunneling junctions Progress rep./Paul Scherrer Inst.;PR-89-32 0 ^aДетектирование фононов в монокристаллическом кремнии со сверхпроводящими туннельными переходами 0 ; фононы;монокристаллической кремний Библиогр.:с.5 0 ; фононы;монокристаллической кремний

Hagen C.W.; Zehnder A.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Rothmund W., Hagen C.W., Zehnder A. Заглавие : Phonon detection in single crystalline silicon with superconducting tunneling junctions Выходные данные : Villigen, 1989 Колич.характеристики :5 c: ил Серия: Progress rep./Paul Scherrer Inst.;PR-89-32 Примечания : ; Библиогр.:с.5 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 + ; 29.19.31 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; фононы;монокристаллической кремний Перейти к источнику в Интернете: Phonon detection in single crystalline silicon with superconducting tunneling junctions Доп.точки доступа: Hagen C.W.; Zehnder A. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

157

Parallels in cell to cell junctions in plants and animals NATO ASI ser.Ser.H:Cell biology 0 ^aАналогии в клеточных взаимодействиях у растений и животных.Труды семинара перспективных исследований.Йорк,Великобритания,1989 Springer 0 ; клеточные взаимодействия, взкл Библиогр. в конце докл 0 ; клеточные взаимодействия, взкл

Robards, A.W.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Parallels in cell to cell junctions in plants and animals : Proc.of the NATO Advanced research workshop on parallels in cell to cell communication in plants a. animals,held in York,England,July 2-7,1989 Выходные данные : Berlin etc.: Springer, 1990 Колич.характеристики :VIII,283 c: ил Серия: NATO ASI ser.Ser.H:Cell biology; Vol.46 Примечания : ; Библиогр. в конце докл ISBN, Цена 3-540-51768-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.19.21 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; клеточные взаимодействия, взкл Перейти к источнику в Интернете: Parallels in cell to cell junctions in plants and animals, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Robards, A.W. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

158

Paleoseismic investigation of the Clarkston, Junction Hills, and Wellsville faults, West Cache fault zone, Cache County, Utah Spec.studies/ Utah. Geol. a. mineral survey 0 ^aПалеосейсмическое исследование разломов Кларкстон, Джанкшон Хиллз и Уэлсвилл, зона разломов Уэст-Каш, графство Каш, Юта 0 ; палеосейсмическое исследование разломов; Юта 0 ; палеосейсмическое исследование разломов; Юта Библиогр.:с.19-20 0 ; палеосейсмическое исследование разломов; Юта

Giraud, R.E.; Mayes, B.H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Black B.D., Giraud R.E., Mayes B.H. Заглавие : Paleoseismic investigation of the Clarkston, Junction Hills, and Wellsville faults, West Cache fault zone, Cache County, Utah Выходные данные : Salt Lake City (UT), 2000 Колич.характеристики :23 c: ил Серия: Spec.studies/ Utah. Geol. a. mineral survey; 98 Примечания : ; Библиогр.:с.19-20 ISBN, Цена 1-5579-1646-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 37.31.19 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; палеосейсмическое исследование разломов; юта Перейти к источнику в Интернете: Paleoseismic investigation of the Clarkston, Junction Hills, and Wellsville faults, West Cache fault zone, Cache County, Utah Доп.точки доступа: Giraud, R.E.; Mayes, B.H. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

159

Pa (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

160

PN junction diode Modular ser. on solid state devices; Vol. 2 0 ^aPN плоскостной диод Addison-Wesley 0 ; плоскостные диоды 0 ; плоскостные диоды


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Neudeck G. Заглавие : The PN junction diode Выходные данные : New York: Addison-Wesley, 1989 Колич.характеристики :180 с Серия: Modular ser. on solid state devices; Vol. 2 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; плоскостные диоды Перейти к источнику в Интернете: The PN junction diode, Перейти к источнику в Интернете:  JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

162

On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors Транзисторы биполярные, , битр, , битр


J2/24465 Wijnen, P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors [Text] : diss. / P.J. van Wijnen. - Delft : [s. n.], 1992. - V,265 p. p. : ill. - 30 р., 20 р. Рез.гол.Библиогр. в конце статей.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(2) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

163

On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors 0 ^aХарактеристика и оптимизация высокоскоростных кремниевых биполярных транзисторов.Дис. 0 ; биполярные; транзисторы Рез.нидерл.-Библиогр.в конце ст 0 ; биполярные; транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Wijnen P.J.van Заглавие : On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors : Diss. Выходные данные : Delft, 1992 Колич.характеристики :V,265 с: ил Примечания : ; Рез.нидерл.-Библиогр.в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные; транзисторы Перейти к источнику в Интернете: On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors, Перейти к источнику в Интернете:  TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

166

Newsflash 2 (Newsflashes/Newsflash)


2004-08-09

Yesterday all servers in the U.S. went out on strike in a bid to get more RAM and better CPUs. A spokes person said that the need for better RAM was due to some fool increasing the front-side bus spee …

VINITI Projects Database (Russian)

167

National Nanotechnology Initiative (Химия/Ресурсы)


2006-04-05

ТипНазваниеNational Nanotechnology InitiativeОписаниеThe National Nanotechnology Initiative (NNI) is a federal R&D program established to coordinate the multiagency efforts in nanoscale science, e …

VINITI Projects Database (Russian)

168

National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: 3-d vision, Human friendly systems, Field robotics, Intelligent transport systems, Humanoids, Auditory signal processing Сокр. название: AIST ГРНТИ: …

VINITI Projects Database (Russian)

170

Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Springer sci. and Business Media, inc. ; Транзисторы

Guo, J.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Lundstrom M.S., Guo J. Заглавие : Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Выходные данные : New York (NY) [etc.]: Springer sci. and Business Media, inc., 2006 Колич.характеристики :VI, 217 p.: ill Примечания : ; Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 213-217 ISBN, Цена 0-387-28002-2: р2728.63 р. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Доп.точки доступа: Guo, J. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

171

Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation Springer sci. and Business Media, inc. 38281; Транзисторы

Guo, J.

J2/27781 Lundstrom, M. S. Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation [Text] : монография / M. S. Lundstrom, J. Guo. - New York, NY [etc.] : Springer sci. and Business Media, inc., 2006. - VI, 217 p. : ill. - Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 213-217. - ISBN 0-387-28002-2 : 2728.63 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3 Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Guo, J. Экз-ры: хр(1), (1) Копия: мкф., Шифр MR-111757 TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

172

Nanofactory Instruments (Химия/Организации)


2006-04-05

Типпромышленная компанияПолное название (официальное)Nanofactory InstrumentsПрофиль деятельностиNanofactory Instruments develop, manufacture and sell unique solutions for the electron microscopy marke …

VINITI Projects Database (Russian)

173

N (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-06

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

174

Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors Forschungsber./BRD. Bundesmin. fur Forschung und Technologie 0 ^aИнтеграция на одной подложке ультравысокочастотных полевых МОП-транзисторов и биополярных транзисторов Библиогр.: с. 53


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Mueller W Заглавие : Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors Выходные данные : Bonn, 1982 Колич.характеристики :56 с Серия: Forschungsber./BRD. Bundesmin. fur Forschung und Technologie ; T-80-172 Примечания : ; Библиогр.: с. 53 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Monolithic integration of UHF-MOSFET-Structures and bipolar UHF transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

175

Molecular break-junctions: integration with light and conductance switching Wissenschaftliche Berichte Forschungszentrum(Karlsruhe) 56398; Молекулярная электроника


R/17669/7164 Forschungszentrum(Karlsruhe). Wissenschaftliche Berichte [Text] / FZKA. - Karlsruhe : [s. n.], 19 - . - ISSN 0947-8620.7164 : Molecular break-junctions: integration with light and conductance switching : Diss. / J.U.Wurfel. - Karlsruhe : [s. n.], 2005. - 119 S. : Ill. - 50.00 р.ГРНТИ 47.33.37УДК 621.3.049.76(043) Рубрики: Молекулярная электроника Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) Копия: мкф., Шифр MR-110600 JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

176

Modulation-duped field-effect transistors 0 ^aПолевые транзисторы с добавлением модуляций.Принципы расчета и технология IEEE press 0 ; полевые транзисторы 0 ; полевые транзисторы Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 0 ; полевые транзисторы

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Modulation-duped field-effect transistors : Principles (des.) a. technology Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,523 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 ISBN, Цена 0-8794-2255-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевые транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Modulation-duped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

177

Modulation-doped field-effect transistors 0 ^aПорлевые транзисторы с дополнительной модуляцией.Принципы, проектирование, технология IEEE press 0 ; полдевые транзисторы Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 0 ; полдевые транзисторы

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Modulation-doped field-effect transistors : Principles, design, a. technology Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,523 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.:с.511-522 ISBN, Цена 0-87942-255-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полдевые транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Modulation-doped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

178

Modulation-doped field-effect transistors 0 ^aПолевые транзисторы с добавленной модуляцией IEEE press 0 ; полевые транзисторы, потр Библиогр.в конце ст.-Указ.;с.441-454 0 ; полевые транзисторы, потр

Daembkes, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Modulation-doped field-effect transistors : Applications and circuits Выходные данные : New York: IEEE press, 1991 Колич.характеристики :XI,455 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце ст.-Указ.;с.441-454 ISBN, Цена 0-87942-256-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевые транзисторы, потр Перейти к источнику в Интернете: Modulation-doped field-effect transistors Доп.точки доступа: Daembkes, H. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

179

Modulation of cardiac gap junction channels 0 ^aМодуляция каналов сердечных щелевых контактов 0 ; сердечные щелевые контакты Библиогр.:с.97-107 0 ; сердечные щелевые контакты


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Kwak B.R. Заглавие : Modulation of cardiac gap junction channels : Diss. Выходные данные : Amsterdam, 1993 Колич.характеристики :114 c: ил Примечания : ; Библиогр.:с.97-107 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 34.39.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; сердечные щелевые контакты Перейти к источнику в Интернете: Modulation of cardiac gap junction channels JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

180

Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Report;N11 0 ^aМоделирование и методы измерения высокоскоростных биполярных транзисторов:Diss:Диссертация Helsingin teknillinen korkeakoulu.Electronic circuit design laboratory 0 ; биполярные транзисторы; измерение 0 ; биполярные транзисторы; измерение

Sipila, M. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Выходные данные : Espoo, 1989 Колич.характеристики :115 с: ил Коллективы : Helsingin teknillinen korkeakoulu.Electronic circuit design laboratory Серия: Report;N11 ISBN, Цена 951-754-881-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы; измерение Перейти к источнику в Интернете: Modelling and measurement methods for high speed bipolar transistors Доп.точки доступа: Sipila, M. \.\ TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

181

Modeling and measurement methods for high speed bipolar transistors Report Транзисторы биполярные, Моделирование Транзисторы биполярные, Параметры, Измерение


R/16608/11 Sipil@:a, M. Modeling and measurement methods for high speed bipolar transistors [Text] : diss. / M.Sipil@:a. - Espoo : [s. n.], 1989. - Pag.var. : ill. - (Report / Helsinki univ. of technology, ISSN 0783-9448 ; n11). - ISBN 951-754-881-8 : 2.00 р. Библиогр. в конце ст. В б-ке имеется 2-ой экз. мфиша: MF-91-15699ГРНТИ 47.33УДК 621.382.33(043) Рубрики: Транзисторы биполярные--МоделированиеТранзисторы биполярные--Параметры--Измерение Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(2), (2) Копия: мкф., Шифр MR-85201 TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

182

Microwave transistors Philips data handbook:Semiconductors полупроводниковый прибор Полупроводниковые приборы, Справочники полупроводниковый прибор


Q/5505/S11 Philips data handbook:Semiconductors [Text]. - Eindhoven : Philips.B. S11 : Microwave transistors. - 1985. - VIII,368 p. p. : ill. - 4.00 р.ГРНТИ 47.33УДК 621.382(03) Рубрики: Полупроводниковые приборы--Справочники Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

183

Microwave field-effect transistors-theory, design and applications Electronic and electrical engineering research studies: Electronic devices and systems ser. 0 ^aПолевые транзисторы диапазона СВЧ - теория, расчет структуры и применения Research studies press; New York et al. Библиогр. в конце глав. Указ.: с.631-636


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Pengelly R.S Заглавие : Microwave field-effect transistors-theory, design and applications . -2nd ed Выходные данные : Letchworth (Hertfordshire): Research studies press; New York et al., 1986 Колич.характеристики :22, 636 с Серия: Electronic and electrical engineering research studies: Electronic devices and systems ser.; N 1 Примечания : ; Библиогр. в конце глав. Указ.: с.631-636 ISBN, Цена 0-86380-040-8: Б.ц. УДК : Перейти к источнику в Интернете: Microwave field-effect transistors-theory, design and applications TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

184

Metal-semiconductor junction investigations and applications to device development Acta Univ. upsaliensis.Abstracts of Uppsala diss. from the Fac. of science


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bohlin, Kjell Заглавие : Metal-semiconductor junction investigations and applications to device development : Diss. Выходные данные : Б.м.,Б.г. Колич.характеристики :13 p.: ill. Серия: Acta Univ. upsaliensis.Abstracts of Uppsala diss. from the Fac. of science, ISSN 03450058;790;790 ISBN, Цена 91-554-1703-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.03 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Metal-semiconductor junction investigations and applications to device development, Перейти к источнику в Интернете:  JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

185

Matching properties of deep sub-micron mos transistors The Kluwer international series in engineering and computer science, analog circuits and signal processing Springer SpringerLink 20251; Моп-транзисторы

Maes, H.E.; Sansen, W.; SpringerLink (Online service)

621.382.323C90 Croon, J. A. Matching properties of deep sub-micron mos transistors [Electronic resource] / J. A. Croon, H. E. Maes, W. Sansen. - Electronic text data. - Boston, Ma : Springer, 2005. - (The Kluwer international series in engineering and computer science, analog circuits and signal processing, ISSN 0893-3405 ; 851). - ISBN 978-0-387-24313-9 : Б. ц.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Моп-транзисторыПерейти к источнику в Интернете: Matching properties of deep sub-micron mos transistors Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Maes, H.E.; Sansen, W.; SpringerLink (Online service) Экз-ры: TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

186

Macroscopic quantum tunneling of a fluxon in a long Josephson junction Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aМакроскопическое квантовое туннелирование флаксона в длинном переходе Джозефсона. Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Imada, Masatoshi

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Kato Takeo, Imada Masatoshi Заглавие : Macroscopic quantum tunneling of a fluxon in a long Josephson junction Выходные данные : Tokyo: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 1996 Колич.характеристики :13 c.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; N 3139 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 + ; 29.19.03 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Macroscopic quantum tunneling of a fluxon in a long Josephson junction Доп.точки доступа: Imada, Masatoshi JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

187

Macroscopic quantum tunneling of a fluxon in a long Josephson junction Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aМакроскопическое квантовое туннелирование флаксона в длинном переходе Джозефсона. Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Imada, Masatoshi

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Kato Takeo, Imada Masatoshi Заглавие : Macroscopic quantum tunneling of a fluxon in a long Josephson junction Выходные данные : Tokyo: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 1996 Колич.характеристики :13 c.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3139 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 + ; 29.19.03 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Macroscopic quantum tunneling of a fluxon in a long Josephson junction Доп.точки доступа: Imada, Masatoshi JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

191

K (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

192

Junction capacitance measurements for the determination of the density of gap states in hydrogenated amorphous silicon Rapp. tecn./Com. naz. per la ricerca e per lo sviluppo dell'energia nucleare e delle energie alternative 0 ^aИзмерение емкости перехода для определения плотности состояний энергетической зоны в гидрогенизированном аморфном кремнии Рез. ит. Библиогр.: с.17-18

Menna, P; Zellama, K

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Besi Vetrella, Menna P, Zellama K Заглавие : Junction capacitance measurements for the determination of the density of gap states in hydrogenated amorphous silicon Выходные данные : Roma, 1988 Колич.характеристики :34 с Серия: Rapp. tecn./Com. naz. per la ricerca e per lo sviluppo dell'energia nucleare e delle energie alternative, ISSN 0393-6279 ; RT/FARE/88/3 Примечания : ; Рез. ит. Библиогр.: с.17-18 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.27 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Junction capacitance measurements for the determination of the density of gap states in hydrogenated amorphous silicon Доп.точки доступа: Menna, P; Zellama, K JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

193

Junction and interstrip capacitance of silicon microstrip detectors [Pubblicazione] INFN полупроводниковый детектор Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, , деизиопо полупроводниковый детектор

Prest, M.; Zampa, N.

R/5815/TC-94/13a Bonvicini, V. Junction and interstrip capacitance of silicon microstrip detectors [Text] : монография / V.Bonvicini,M.Prest,N.Zampa. - Roma : [s. n.], 1994. - 7 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-94/13a). - 100 р. Библиогр.:с.6ГРНТИ 29.15.39УДК 539.1.074.5 Рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Prest, M.; Zampa, N. Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

194

Junction and interstrip capacitance of silicon microstrip detectors Pubblicazione INFN;TC-94/13a Библиогр.:с.6 ; Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые, деизиопо

Prest, M.; Zampa, N.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Bonvicini V., Prest M., Zampa N. Заглавие : Junction and interstrip capacitance of silicon microstrip detectors Выходные данные : Roma, 1994 Колич.характеристики :7 p.: ill. Серия: Pubblicazione INFN;TC-94/13a/ Ist. naz. di fisica nucleare Примечания : ; Библиогр.:с.6 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.15.39 УДК : Предметные рубрики: Детекторы ионизирующих излучений, полупроводниковые Перейти к источнику в Интернете: Junction and interstrip capacitance of silicon microstrip detectors Доп.точки доступа: Prest, M.; Zampa, N. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

195

Journal of nanoscience and nanotechnology (Металлургия/Ресурсы)


2006-02-20

ТипОтдельный выпуск журналаАвторыНазваниеJournal of nanoscience and nanotechnologyРефератпубликуются материалы по нанотехнологиям и наноматериаламКлючевые словананотехнологии, наноматериалыПолное назв …

VINITI Projects Database (Russian)

197

Josephson junctions: oscillators and broad band spectrometers at frequencis up to 1THz 0 ^aКонтакты Джозефсона: генераторы и широкополосные спектрометры для частот до 1THz:Дис Chalmers univ. of technology. Dep. of physics Библиогр. в конце разд ; Генераторы сверхвысоких частот сверхпроводящие ; Спектрометры сверхвысоких частот


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Edstam J. Заглавие : Josephson junctions: oscillators and broad band spectrometers at frequencis up to 1THz : Akad avh. Выходные данные : Coteborg: Chalmers univ. of technology. Dep. of physics, 1994 Колич.характеристики :114 с. разд. паг: ил Примечания : ; Библиогр. в конце разд ISBN, Цена 91-7032-915-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.39.31 + ; 47.39.35 Предметные рубрики: Генераторы сверхвысоких частот сверхпроводящие Спектрометры сверхвысоких частот Перейти к источнику в Интернете: Josephson junctions: oscillators and broad band spectrometers at frequencis up to 1THz JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

198

Japan Marine Science and Technology Center Deep Sea Research (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Underwater robotics Сокр. название: JAMSTEC ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Yokosuka, Kanagawa, Japan www.jamstec.go.jp/index-e/ …

VINITI Projects Database (Russian)

200

Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Препринт ^aInvestigation of radiation stability of transistors and integrated circuits using the heavy ion beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons

Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : Автор(ы) : Didyk A.Yu., Nazarov W.N., Gulbekian G.G. Заглавие : Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Выходные данные : Dubna, 1994 Колич.характеристики :11 p.: il. Серия: Препринт; E14-94-218 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 + ; 47.33.37 УДК : 621.382.3:539.16(04) + 621.3.049.77:539.16(04) Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

201

Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons Препринт

Didyk, A.Yu.; Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G.; Wronski, W.

Н/2509/E14-94-218 Investigation of radiation resistance of transistors and integrated circuits using the heavy ions beam of energy higher than 1 MeV/amu and fast neutrons [Text] : препринт / A.Yu.Didyk,W.N.Nazarov,G.G.Gulbekian,W.Wronski. - Dubna, 1994. - 11 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; E14-94-218). - 300 экз. - 301 р.ГРНТИ 47.3347.33.37УДК 621.382.3:539.16(04)621.3.049.77:539.16(04) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Didyk, A.Yu.; Nazarov, W.N.; Gulbekian, G.G.; Wronski, W. Экз-ры: хр(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

202

Invariant junction conditions in general relativity Препринт теория относительности Относительности теория, , отте теория относительности

Kuzmichev V.V.

М/14605/ITP-94-41E Кузьмичев, В. В. Invariant junction conditions in general relativity [Text] : препринт / В.В.Кузьмичев. - Kiev, 1994. - 17 p. : il. - (Препринт / Институт теоретической физики(Киев) ; ITP-94-41E). - 100 экз. - Б. ц.ГРНТИ 29.05.41УДК 530.12:531.51(04) Рубрики: Относительности теория Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Kuzmichev V.V. Экз-ры: хр(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

203

International University Bremen. Robotics Lab. (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Robotic rescue, Embedded systems Сокр. название: IUB ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Bremen, Deutschland http://robotics.iu- …

VINITI Projects Database (Russian)

204

International Organization for Standardization (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


2006-04-17

ТипорганизацияПолное название (официальное)International Organization for Standardization - Международная организация по стандартизацииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация международная деяте …

VINITI Projects Database (Russian)

206

Intercellular communication through gap junctions Progress in cell research 0 ^aМежклеточные коммуникации через щелевые контакты.Труды Междунар.совещания,Хиросима,Япония,1993 г Elsevier 0 ; межклеточные коммуникации, коме Библиогр.в конце докл.-Указ.: c.455-459 0 ; межклеточные коммуникации, коме

Kanno, Y.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Intercellular communication through gap junctions Выходные данные : Amsterdam etc: Elsevier, 1995 Колич.характеристики :XIII,459 c: ил Серия: Progress in cell research, ISSN 0924-8315 (ser.); Vol.4 Примечания : ; Библиогр.в конце докл.-Указ.: c.455-459 ISBN, Цена 0-444-81929-0: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.17.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; межклеточные коммуникации, коме Перейти к источнику в Интернете: Intercellular communication through gap junctions Доп.точки доступа: Kanno, Y. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

207

I (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

211

Growth of the costochondral junction and its potential applicability for the reconstruction of the mandibular condyle Annales Univ. Turkuensis. Ser. D. Medica-odontologica 0 ^aРост реберно-хрящевого соединения и возможное его применение при реконструкции мыщелка нижней челюсти:Дисс Turun yliop. Библиогр.: с. 61-77 ; Мыщелки нижней челюсти. Пластическая хирургия


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Peltomaki, Timo Заглавие : Growth of the costochondral junction and its potential applicability for the reconstruction of the mandibular condyle : Diss Выходные данные : Turku: Turun yliop., 1993 Колич.характеристики :131 с. разд. паг: ил Серия: Annales Univ. Turkuensis. Ser. D. Medica-odontologica, ISSN 0355-9483; 108 Примечания : ; Библиогр.: с. 61-77 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 76.29.55 Предметные рубрики: Мыщелки нижней челюсти Перейти к источнику в Интернете: Growth of the costochondral junction and its potential applicability for the reconstruction of the mandibular condyle JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

212

Granular computing: at the junction of rough sets and fuzzy sets Studies in fuzziness and soft computing Springer-Verlag SpringerLink 12716; Информация, Обработка 20002; Множеств теория

Bello, R. ed.; SpringerLink (Online service)

004.62G72 Granular computing: at the junction of rough sets and fuzzy sets [Electronic resource] / ed. : R. Bello [et al.]. - Electronic text data. - Berlin ; Heidelberg : Springer-Verlag, 2008. - (Studies in fuzziness and soft computing, ISSN 1434-9922 ; 224). - ISBN 978-3-540-76973-6 : Б. ц.ГРНТИ 20.53.1927.03УДК 004.62510.22 Рубрики: Информация--ОбработкаМножеств теорияПерейти к источнику в Интернете: Granular computing: at the junction of rough sets and fuzzy sets Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Bello, R. \ed.\; SpringerLink (Online service) Экз-ры: JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

214

Geophysical and geological investigation of the Nankai through,Boso triple junction,Zenisu Ridge and Muroto through 0 ^aПредв.отчет о рейсе НИС Hakuho Maru KH 86-5, 22 нояб. - 14 дек.,1986 г. Геофиз. и геол. исслед.на ю-з Хонсю Hakuho Maru cruise KH 86-5 0 ; геология геофизика Япония 0 ; геология геофизика Япония

Taira, A. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Geophysical and geological investigation of the Nankai through,Boso triple junction,Zenisu Ridge and Muroto through : Preliminary report, Nov.22-Dec.14,1986 Выходные данные : Tokyo, 1988 Колич.характеристики :284 с Коллективы : Hakuho Maru cruise KH 86-5 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 37.25.03 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; геология геофизика япония Перейти к источнику в Интернете: Geophysical and geological investigation of the Nankai through,Boso triple junction,Zenisu Ridge and Muroto through Доп.точки доступа: Taira, A. \.\ JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

215

Geologic map of the Lampo Junction quadrangle,Box Elder county,Utah Utah geol.survey,map 136 0 ^aОбъяснит.записка к геол.карте планшета Лэмпо Дженкин, округ Бокс Элдер,Юта 0 ; геология Юта Библиогр.:с.15-16 0 ; геология Юта

Crittenden M.D.,jr; Jordan T.E.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Miller D.M., Crittenden M.D.,jr, Jordan T.E. Заглавие : Geologic map of the Lampo Junction quadrangle,Box Elder county,Utah Выходные данные : Salt Lake city, 1991 Колич.характеристики :16 c: ил Серия: Utah geol.survey,map 136 Примечания : ; Библиогр.:с.15-16 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.21.25 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; геология юта Перейти к источнику в Интернете: Geologic map of the Lampo Junction quadrangle,Box Elder county,Utah Доп.точки доступа: Crittenden M.D.,jr; Jordan T.E. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

217

Gap-Junction-Kanale mit unterschiedlichen Leitfahigkeiten 0 ^aЩель-синапс-канал с различной проводимостью:Дис. 0 ; щель; канал; проводимость Библиогр.: с. 93-114 0 ; щель; канал; проводимость


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Paschke D. Заглавие : Gap-Junction-Kanale mit unterschiedlichen Leitfahigkeiten : Diss. Выходные данные : Stuttgart, 1989 Колич.характеристики :117 с: ил Примечания : ; Библиогр.: с. 93-114 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 34.17.27 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; щель; канал; проводимость Перейти к источнику в Интернете: Gap-Junction-Kanale mit unterschiedlichen Leitfahigkeiten JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

218

Gap-Junction-Kan@:ale mit unterschiedlichen Leitf@:ahigkeiten


G2/15350 Paschke, D. Gap-Junction-Kan@:ale mit unterschiedlichen Leitf@:ahigkeiten [Text] / D.Paschke. - Stuttgart : [s. n.], 1989. - 117 S. : Ill. - 2.00 р. Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) Копия: мкф., Шифр MR-89633 JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

219

Gap junctions between heart cells in vitro:Electrophysiological,ultrastructural and immunocytochemical correlates 0 ^aЩелевой контакт между клетками сердца in vitro:электрофизиологические,ультраструктурные и иммуноцитохимические соотношения 0 ; контакт;клетки сердца Библиогр.в конце гл. 0 ; контакт;клетки сердца


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Rook M.B. Заглавие : Gap junctions between heart cells in vitro:Electrophysiological,ultrastructural and immunocytochemical correlates : Diss. Выходные данные : Amsterdam, 1991 Колич.характеристики :129 c: ил Примечания : ; Библиогр.в конце гл. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 34.39.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; контакт;клетки сердца Перейти к источнику в Интернете: Gap junctions between heart cells in vitro:Electrophysiological,ultrastructural and immunocytochemical correlates JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

220

Gap junctions Mod. cell biology 0 ^aМежклеточные контакты. Материалы международной конференции. Пасифик-Гров (США), 1987 г. Liss Указ.-Библиогр. в конце докл.

Hertzberg, Elliot L .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Заглавие : Gap junctions : Proc. of the Intern. conf. on gap junctions held at Pacific Grove, California, July 6-10, 1987 Выходные данные : New York: Liss, 1988 Колич.характеристики :XVIII, 548 с.: ил.; 24 см. Серия: Mod. cell biology Примечания : ; Указ.-Библиогр. в конце докл. ISBN, Цена 0-8451-3306-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.17.29 + ; 34.01.13 Перейти к источнику в Интернете: Gap junctions, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Hertzberg, Elliot L \.\ JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

221

Gap junction Channel modulation - a physiological viewpoint Progress in biophysics & molecular biology 0 ^aМодуляция чепов синапсических каналов - физиологическая точка зрения Pergamon press 0 ; Модуляция Чепов Библиогр.: с.148-153 0 ; Модуляция Чепов

Rivera, H.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Ramon F., Rivera H. Заглавие : Gap junction Channel modulation - a physiological viewpoint Выходные данные : Oxford: Pergamon press; New York, 1986 Колич.характеристики :127-153 с Серия: Progress in biophysics & molecular biology, ISSN 0079-6107; Vol. 48, N 3 [1] Примечания : ; Библиогр.: с.148-153 ISBN, Цена 0-08-035586-2: Б.ц. ГРНТИ : ; 76.29.51 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; модуляция чепов Перейти к источнику в Интернете: Gap junction Channel modulation - a physiological viewpoint Доп.точки доступа: Rivera, H. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

222

GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits 0 ^aБиполярные гетеротранзисторы на GaAs-GaAlAs и связанные с ними интегральные схемы. Дис Библиогр.: с.122-126


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Su L.M Заглавие : GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits : Diss Выходные данные : Aachen, 1984 Колич.характеристики :128 с Примечания : ; Библиогр.: с.122-126 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

223

G (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

225

Foster-Miller, Inc. (Химия/Организации)


2006-04-05

Типпромышленная компанияПолное название (официальное)Foster-Miller, Inc.Профиль деятельностиNanotechnology company providing system design and integration, microelectronics services, biomedical techno …

VINITI Projects Database (Russian)

226

FirstBots Home (Машиностроение/Ресурсы)


2006-04-13

Тип2НазваниеFirstBots HomeОписаниеFeaturing the simple mobile robot that most hobbyists can build in a weekend. Also containe links to uzer groups, publications, suppliers and other robotics topics.Кл …

VINITI Projects Database (Russian)

227

FinFETs and other multi-gate transistors Springer Science + Business Media LLC SpringerLink 37689; Транзисторы

Colinge, J. ed.; SpringerLink (Online service)

621.382.3F54 FinFETs and other multi-gate transistors [Electronic resource] / ed. J. Colinge. - Electronic text data. - Boston, Ma : Springer Science + Business Media LLC, 2008. - ISBN 978-0-387-71752-4 : Б. ц.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3 Рубрики: ТранзисторыПерейти к источнику в Интернете: FinFETs and other multi-gate transistors Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Colinge, J. \ed.\; SpringerLink (Online service) Экз-ры: TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

228

Feasibility study on preamorphisation with Ge ions followed by RTA for junction depth control in silicon Rep./Great Britain. Atomic energy authority. Research group; R 12117 0 ^aИсследование осуществимости предварительной аморфизации ионами германия для контроля глубины перехода в кремнии Библиогр.: с.9

Woods, T.A; Bishop, H.E; Chivers, D.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Feasibility study on preamorphisation with Ge ions followed by RTA for junction depth control in silicon Выходные данные : London, 1986 Колич.характеристики :9 с Серия: Rep./Great Britain. Atomic energy authority. Research group; R 12117 Примечания : ; Библиогр.: с.9 ISBN, Цена 0-7058-1383-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 45.09 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Feasibility study on preamorphisation with Ge ions followed by RTA for junction depth control in silicon Доп.точки доступа: Woods, T.A; Bishop, H.E; Chivers, D. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

229

Farbstoffausbreitung durch Gap Junctions in tierischen Zellkulturen 0 ^aРаспространение красителей через щелевые контакты в культурах клеток животных Stoffler u.Schutz 0 ; распространение красителей; культуры клеток животных 0 ; распространение красителей; культуры клеток животных Библиогр.:с.114-129 0 ; распространение красителей; культуры клеток животных


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Brummer F. Заглавие : Farbstoffausbreitung durch Gap Junctions in tierischen Zellkulturen Выходные данные : Stuttgart: Stoffler u.Schutz, 1988 Колич.характеристики :129 c: ил Примечания : ; Библиогр.:с.114-129 ISBN, Цена 3-926712-01-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.19.05 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; распространение красителей; культуры клеток животных Перейти к источнику в Интернете: Farbstoffausbreitung durch Gap Junctions in tierischen Zellkulturen JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

231

Extended abstracts of the second international workshop on junction technology IEEE publications International workshop on junction technology IEEE ; Электронно-дырочные переходы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Extended abstracts of the second international workshop on junction technology : Nov.29-30, 2001 Tokyo Выходные данные : Piscataway(NJ): IEEE, 2001 Колич.характеристики :106 p: ill Коллективы : International workshop on junction technology (2nd;2001) Серия: IEEE publications/ Institute of electrical and electronics engineers(New York); 01EX541C Примечания : ; Библиогр. в конце ст. ISBN, Цена 4-89114-019-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.29 УДК : Предметные рубрики: Электронно-дырочные переходы Перейти к источнику в Интернете: Extended abstracts of the second international workshop on junction technology JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

232

Extended abstracts of the second international workshop on junction technology IEEE publications IEEE Электронно-дырочные переходы, Съезды и конференции


R/6736/01EX541C Extended abstracts of the second international workshop on junction technology [Текст] : nov.29-30, 2001 Tokyo / International workshop on junction technology (2nd; 2001; Tokyo) ; IWJT'2001. - Piscataway(NJ) : IEEE, 2001. - 106 p : ill. - (IEEE publications / Inst. of electrical and electronics engineers ; 01EX541C). - ISBN 4-89114-019-4 : 10.00 р., 10.00 р. Библиогр. в конце ст.ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322(063) Рубрики: Электронно-дырочные переходы--Съезды и конференции Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1), (2) Копия: мкф., Шифр MR-109587 JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

233

European Cooperation in Legal Metrology (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


2006-04-17

ТипОрганизацияПолное название (официальное)European Cooperation in Legal Metrology - Европейское сотрудничество в области законодательной метрологииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация междун …

VINITI Projects Database (Russian)

234

European Committee for Standardization - Европейский Комитет по стандартизации (Автоматика и радиоэлектроника/Организации)


2006-04-17

ТипОрганизацияПолное название (официальное)European Committee for Standardization - Европейский Комитет по стандартизацииПрофиль деятельностиМетрология стандартизация международная деятельностьСокращё …

VINITI Projects Database (Russian)

237

Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone 0 ^aИсследование и реализация цифрового управления транзисторным регулятором скорости для асинхронных машин. Применение на электрической тяги Библиогр.: с. 153-155


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Venuat J Заглавие : Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone : Application a la traction electrique: Diss Выходные данные : Toulouse, 1983 Колич.характеристики :155 с Примечания : ; Библиогр.: с. 153-155 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 50.09.35 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude et realisation de la commande numerique d'un variateur de vitesse a transistors pour machine asynchrone TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

238

Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion 0 ^aИсследование характеристик короткозамкнутого асинхронного двигателя, питающегося от транзисторного (МОП) управляемого генератора мощности с широтно-импульсной модуляцией Библиогр.: с. 127-129


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Olivier E Заглавие : Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion : Diss Выходные данные : Grenoble, 1982 Колич.характеристики :129 с Примечания : ; Библиогр.: с. 127-129 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.29.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

239

Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion 0 ^aИсследование характеристик короткозамкнутого асинхронного двигателя, питающегося от транзисторного (МОП) управляемого генератора мощности с широтно-импульсной модуляцией Библиогр.: с. 127-129


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Olivier E Заглавие : Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion : Diss Выходные данные : Grenoble, 1982 Колич.характеристики :129 с Примечания : ; Библиогр.: с. 127-129 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.29.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Etude des performances d'un moteur asynchrone a cage alimente par un onduleur a transistors MOS de puissance commande en modulation de largeur d'impulsion TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

240

Epson. Industrial Robots-Devision (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: хозяйственная Профиль деятельности: Manufacturing, Manipulation, Control ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Email: robot.infos@epson.de Город: Deutschland www.epson.de/en …

VINITI Projects Database (Russian)

242

Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes Linkoping studies in science a. technology. Dissertations 0 ^aЭлектрические характеристики полевых транзисторов и туннельных диодов:Дис Linkoping univ. Dep. of physics a. measurement technology Библиогр. в конце разд. ; Кристаллические триоды полевые ; Кристаллические диоды туннельные


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Chen, Qiang Заглавие : Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes : Akad. avh. Выходные данные : Linkoping: Linkoping univ. Dep. of physics a. measurement technology, 1993 Колич.характеристики :115 с. разд. паг.: ил Серия: Linkoping studies in science a. technology. Dissertations, ISSN 0345-7524; N 314 Примечания : ; Библиогр. в конце разд. ISBN, Цена 91-7871-152-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Предметные рубрики: Кристаллические триоды полевые Кристаллические диоды туннельные Перейти к источнику в Интернете: Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

243

Ein Charge-Sheet-Modell des Silicon-on-Insulator MOS-Transistors fur die Schaltungssimulation Fortschritt-Ber. VDI.R.9 0 ^aЗарядово-плоская модель MOS-транзисторов с кремнием на изоляторе для моделирования схем VDI-Verl. 0 ; MOS-транзистор 0 ; MOS-транзистор 0 ; MOS-транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Abel, Hans Bernd Заглавие : Ein Charge-Sheet-Modell des Silicon-on-Insulator MOS-Transistors fur die Schaltungssimulation Выходные данные : Dusseldorf: VDI-Verl., 1994 Колич.характеристики :XI, 146 с: ил Серия: Fortschritt-Ber. VDI.R.9, ISSN 0178-9422; N 187 ISBN, Цена 3-18-318709-4: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; mos-транзистор Перейти к источнику в Интернете: Ein Charge-Sheet-Modell des Silicon-on-Insulator MOS-Transistors fur die Schaltungssimulation TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

244

Effects of a fillet on the flow past a wing body junction [Reports] American institute of aeronautics and astronautics(New York)

Davenport, W.; DeWitz, M.; Agarwal, N.; Amer.inst.of aeronautics and astronautics(New York)

R/2668/89-0986 American institute of aeronautics and astronautics(New York). [Reports] [Text] / Amer.inst.of aeronautics and astronautics. - Washington : [s. n.].N 89-0986 : Effects of a fillet on the flow past a wing body junction : rep. presented at the AIAA 2nd shear flow conf.,Mar.13-16,1989/Tempe(Az) / W.Davenport,M.DeWitz,N.Agarwal и др. - New York : [s. n.], 1989. - 11 p. : ill. - 1.500 р.ГРНТИ 89.0173.37УДК 629.73(05)629.78(05) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Davenport, W.; DeWitz, M.; Agarwal, N.; Amer.inst.of aeronautics and astronautics(New York) Экз-ры: ХР(1) Копия: мкф., Шифр MR-91100 JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

245

Effects of a fillet on the flow past a wing body junction Rep./AIAA; 89-0986 0 ^aВлияние зализа на течение за стыком крыла с фюзеляжем 0 ; стык крыла; фюзеляж Библиогр.: с. 10-11 0 ; стык крыла; фюзеляж

DeWitz, M.; Agarwal, N.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Davenport W., DeWitz M., Agarwal N. Заглавие : Effects of a fillet on the flow past a wing body junction Выходные данные : New York, 1989 Колич.характеристики :11 с: ил Серия: Rep./AIAA; 89-0986 Примечания : ; Библиогр.: с. 10-11 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 55.47.03 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; стык крыла; фюзеляж Перейти к источнику в Интернете: Effects of a fillet on the flow past a wing body junction, Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: DeWitz, M.; Agarwal, N. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

246

E (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca (h …

VINITI Projects Database (Russian)

247

Dynamics of vortices and charges in two dimensional arrays of small Josephson junctions Technical rep./School of electrical a. computer engineering. Chalmers univ. of technology 0 ^aДинамика вихрей и зарядов в двумерных цепочках малых контактов Джозефсона:Дисс. Библиогр. в конце глав ; Контакты (электр.) Джозефсона


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Chen, Chii Dong Заглавие : Dynamics of vortices and charges in two dimensional arrays of small Josephson junctions : Diss. Выходные данные : Goteborg, 1994 Колич.характеристики :6, 106 с: ил Серия: Technical rep./School of electrical a. computer engineering. Chalmers univ. of technology; N 251 Примечания : ; Библиогр. в конце глав ISBN, Цена 91-7032-943-5: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.33 + ; 47.09.31 Предметные рубрики: Контакты (электр.) Джозефсона Перейти к источнику в Интернете: Dynamics of vortices and charges in two dimensional arrays of small Josephson junctions JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

248

Dynamics and applications of long Josephson junctions 0 ^aДинамика и применение протяженных джозефсоновских контактов:Дис. Chalmers univ. of technology. Dep. of physics Библиогр. в конце разд. ; Контакты (электр.) Джозефсона


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Zhang, Vongming Заглавие : Dynamics and applications of long Josephson junctions : Akad. avh. Выходные данные : Goteborg: Chalmers univ. of technology. Dep. of physics, 1993 Колич.характеристики :171 с. разд. паг: ил Примечания : ; Библиогр. в конце разд. ISBN, Цена 91-7032-888-9: Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.29 Предметные рубрики: Контакты (электр.) Джозефсона Перейти к источнику в Интернете: Dynamics and applications of long Josephson junctions JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

249

Diseases in the cranio-cervical junction 0 ^aБолезни шейно-черепного соединения de Gruyter 0 ; Шея; череп; соединение 0 ; Шея; череп; соединение

Vorth, D. .; Glees, P. .

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Diseases in the cranio-cervical junction Выходные данные : Berlin: de Gruyter; New York, 1987 Колич.характеристики :402 с ISBN, Цена 0-89925-265-6: Б.ц. ГРНТИ : ; 76.29.40 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; шея; череп; соединение Перейти к источнику в Интернете: Diseases in the cranio-cervical junction Доп.точки доступа: Vorth, D. \.\; Glees, P. \.\ JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

250

Digital archive - geological report by J.S.Newberry and map by J.N.Macomb from the exploring expedition [Electronic resource]: from Santa Fe, New Mexico, to the junction of the Grand a. Green Rivers of the Great Colorado of the West in 1859, with descriptions of the tacious fossils coll.on the expedition 0 ^aЦифровой архив: геол.отчет Дж.С.Ньюберри и карт Дж.Н.Макомба из разведывательной экспедиции. [Электронный ресурс]. От Санта-Фе, Нью Мехико, к слиянию рек Гранд и Грин-Ривер, Большое Колорадо Запада, 1859. с описаниями неявных ископаемых, собранных во время экспедиции USGS 0 ; геологическая экспедиция 1859; США; цифровой архив 0 ; геологическая экспедиция 1859; США; цифровой архив 0 ; геологическая экспедиция 1859; США; цифровой архив

Meek, F.B.; McKinney, K.C.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Digital archive - geological report by J.S.Newberry and map by J.N.Macomb from the exploring expedition [Electronic resource]: from Santa Fe, New Mexico, to the junction of the Grand a. Green Rivers of the Great Colorado of the West in 1859, with descriptions of the tacious fossils coll.on the expedition Выходные данные : Washington: USGS, 2000 Колич.характеристики :1 electr.opt.disc ISBN, Цена 0-607-95547-3: Б.ц. ГРНТИ : ; 38.01.09 + ; 38.01.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; геологическая экспедиция 1859; сша; цифровой архив Перейти к источнику в Интернете: Digital archive - geological report by J.S.Newberry and map by J.N.Macomb from the exploring expedition [Electronic resource]: from Santa Fe, New Mexico, to the junction of the Grand a. Green Rivers of the Great Colorado of the West in 1859, with descriptions of the tacious fossils coll.on the expedition Доп.точки доступа: Meek, F.B.; McKinney, K.C. JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

251

Development and fabrication of a solar cell junction processing system Rep./US. Department of energy 0 ^aПроизводство и достижение в области систем обработки соединений солнечных батарей. Проект итогового отчета


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Development and fabrication of a solar cell junction processing system : Draft final rep Выходные данные : Bedford (Ma.), 1983 Колич.характеристики :135 с Серия: Rep./US. Department of energy; JPL/955640-83 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 44.41.31 УДК : + Перейти к источнику в Интернете: Development and fabrication of a solar cell junction processing system JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

252

Designing with field-effect transistors McGraw-Hill Транзисторы полевые

Oxner, E. сост.rev.

MF-92-15943 Designing with field-effect transistors [Text] : diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner. - 2nd ed. - New York etc. : McGraw-Hill, 1990. - 296 p. : ill. - 7.20 р. Указ. в конце кн.ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323(086.2) Рубрики: Транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Oxner, E. \сост.rev.\ Экз-ры: ХР(1), (1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

253

Designing with field-effect transistors 0 ^aПроектирование полевых транзисторов McGraw-Hill 0 ; полевой транзистор Указ. в конце кн 0 ; полевой транзистор


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Designing with field-effect transistors . -2 ed. Выходные данные : New York etc.: McGraw-Hill, 1990 Колич.характеристики :296 с: ил Примечания : ; Указ. в конце кн Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; полевой транзистор Перейти к источнику в Интернете: Designing with field-effect transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

254

Design,production,and testing of field effect transistors US.NASA contractor rep. 0 ^aРасчет,производство и испытание канальных транзисторов Библиогр.в конце текста


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sclar N Заглавие : Design,production,and testing of field effect transistors Выходные данные : Washington, 1982 Колич.характеристики :84 с Серия: US.NASA contractor rep.; N 166321 Примечания : ; Библиогр.в конце текста Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Design,production,and testing of field effect transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

255

Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Rapports ; Фазовращатели . Проектирование , фа ; Фазовращатели . Моделирование , фа

Jensen, G.U.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Nawaz M., Jensen G.U. Заглавие : Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Выходные данные : Oslo, 1995 Колич.характеристики :39 p.: ill Серия: Rapports/ Universitetet i Oslo.Fysisk institutt, ISSN 0332-5571; 95-09 Примечания : ; Библиогр.:с.38-39 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.45.31 УДК : Предметные рубрики: Фазовращатели Фазовращатели Перейти к источнику в Интернете: Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Доп.точки доступа: Jensen, G.U. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

256

Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) Rapport Фазовращатели, Проектирование, , фа Фазовращатели, Моделирование, , фа

Jensen, G.U.

R/15656/95-09 Nawaz, M. Design and simulation of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel heterojunction field effect transistors(HFETs) [Text] : сборник / M.Nawaz,G.U.Jensen. - Oslo : [s. n.], 1995. - 39 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 95-09). - 200 р. Библиогр.:с.38-39ГРНТИ 47.45.31УДК 621.372.852.2 Рубрики: Фазовращатели--ПроектированиеФазовращатели--Моделирование Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Jensen, G.U. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

257

Design and realization of bipolar transistors Design and measurement in electronic engineering 0 ^aРасчет и реализация биполярных транзисторов Wiley 0 ; биполярные транзисторы Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.193-198 0 ; биполярные транзисторы


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Ashburn P. Заглавие : Design and realization of bipolar transistors Выходные данные : Chichester etc.: Wiley, 1988 Колич.характеристики :XVII, 198 с+ил Серия: Design and measurement in electronic engineering Примечания : ; Библиогр. в конце ст.-Указ.: с.193-198 ISBN, Цена 0-471-91700-1: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; биполярные транзисторы Перейти к источнику в Интернете: Design and realization of bipolar transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

258

Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology 0 ^aПроектирование и моделирование высокочастотных LDMOS транзисторов. Дис. 0 ; моделирование транзисторов 0 ; моделирование транзисторов Библиогр.: с.47-50 0 ; моделирование транзисторов


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Vestling L. Заглавие : Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors : Diss. Выходные данные : Uppsala, 2002 Колич.характеристики :50 c: ил Серия: Acta Upsaliensis. Comprehensive summ.of Uppsala diss. from the Fac. of science a. technology, ISSN 1104-232X; N 681 Примечания : ; Библиогр.: с.47-50 ISBN, Цена 91-554-5210-8: Б.ц. ГРНТИ : ; 47.14.07 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; моделирование транзисторов Перейти к источнику в Интернете: Design and modeling of high-frequency LDMOS transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

259

Darmstadt University of Technology. Control Systems Theory & Robotics Department (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: университет Профиль деятельности: Control, Manipulaion, Mobile robots ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Darmstadt, Deutschland www.rt.e-technik.tu-darmstadt.de/index …

VINITI Projects Database (Russian)

261

Daimler Chrysler Research & Technology. Cognition and Robotics Group, Sensor-based and... (Машиностроение/Организации)


2006-02-17

Тип: научный центр Профиль деятельности: Mobile robots, Manufacturing assistants, Learning, Human/robot interaction ГРНТИ: 55.30 Область наук: Техника Город: Berlin, Deutschland …

VINITI Projects Database (Russian)

263

Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance 0 ^aВклад в изучение прямых преобразователей частоты на транзисторах мощности. Дис Библиогр.: с. 169-172


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Perin A Заглавие : Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance : Diss Выходные данные : Toulouse, 1984 Колич.характеристики :172 с Примечания : ; Библиогр.: с. 169-172 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.37 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

264

Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance 0 ^aВклад в изучение прямых преобразователей частоты на транзисторах мощности. Дис Библиогр.: с. 169-172


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Perin A Заглавие : Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance : Diss Выходные данные : Toulouse, 1984 Колич.характеристики :172 с Примечания : ; Библиогр.: с. 169-172 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 45.37 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Contribution a l'etude des convertisseurs directs de frequence a transistors de puissance TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

265

Conductance of carbon nanotube junctions in magnetic fields Techn. rep. of ISSP. Ser. A 0 ^aПроводимость переходов углеродных нанотрубок в магнитных полях. Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo

Ando, Tsuneya

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Matsumura Hajime, Ando Tsuneya Заглавие : Conductance of carbon nanotube junctions in magnetic fields Выходные данные : Chiba: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo, 2001 Колич.характеристики :9 c.: ил Серия: Techn. rep. of ISSP. Ser. A, ISSN 0082-4798; Nr 3608 Примечания : ; Библиогр. : с. 5-6 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.19.23 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Conductance of carbon nanotube junctions in magnetic fields Доп.точки доступа: Ando, Tsuneya JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

266

Computation of turbulent incompressible wing-body junction flow [Reports] American institute of aeronautics and astronautics(New York)

Amer.inst.of aeronautics and astronautics(New York)

R/2668/89-0279 American institute of aeronautics and astronautics(New York). [Reports] [Text] / Amer.inst.of aeronautics and astronautics. - Washington : [s. n.].N 89-0279 : Computation of turbulent incompressible wing-body junction flow : rep.presented at 27th aerospace sciences meet.,Jan.9-12,1989/Reno(Nv) / R.W.Burke. - New York : [s. n.], 1989. - 13 p. : ill. - 1.50 р.ГРНТИ 89.0173.37УДК 629.73(05)629.78(05) Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Amer.inst.of aeronautics and astronautics(New York) Экз-ры: ХР(1) Копия: мкф., Шифр MR-93704 JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

267

Coherent charge fluctuations in Josephson junctions and the oscillations of the effective capacitance IC:Intern. centre for theoretical physics 0 ^aФлуктуации когерентных зарядов в контакте Джозефсона и колебания эффективной емкости В надзаг.: IAEA, UNESCO.-Библиогр.: с. 5

Rozhavsky, A S

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Krive, I V, Rozhavsky, A S Заглавие : Coherent charge fluctuations in Josephson junctions and the oscillations of the effective capacitance Выходные данные : Miramare; Trieste, 1990 Колич.характеристики :5 с. ; 29 см. Серия: IC:Intern. centre for theoretical physics Примечания : ; В надзаг.: IAEA, UNESCO.-Библиогр.: с. 5 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 29.29 Перейти к источнику в Интернете: Coherent charge fluctuations in Josephson junctions and the oscillations of the effective capacitance Доп.точки доступа: Rozhavsky, A S JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

269

Classical and quantum charge dynamics in small tunnel junctions эффект Джозефсона Джозефсона эффект эффект Джозефсона


J2/22975 Geerlings, L. J. Classical and quantum charge dynamics in small tunnel junctions [Text] : diss. / L.J.Geerlings. - Delft : [s. n.], 1990. - 159 p. : ill. - 2.00 р. Библиогр.в конце статейГРНТИ 29.19.29УДК 538.945.6(043) Рубрики: Джозефсона эффект Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

270

Classical and quantum charge dynamics in small tunnel junctions 0 ^aКлассическая и квантовая динамика заряда в небольших туннельных переходах:Дис. 0 ; динамика заряда; туннельный переход Рез. гол.-Библиогр. в конце статей 0 ; динамика заряда; туннельный переход


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Geerlings L.J. Заглавие : Classical and quantum charge dynamics in small tunnel junctions : Diss. Выходные данные : Delft, 1990 Колич.характеристики :159 с: ил Примечания : ; Рез. гол.-Библиогр. в конце статей Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.07 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; динамика заряда; туннельный переход Перейти к источнику в Интернете: Classical and quantum charge dynamics in small tunnel junctions, Перейти к источнику в Интернете:  JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

271

Chile triple junction.Covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama,to Valparaiso,Chile,sites 859-863,12 Nov.1991-12 Jan.1992 Proceedings of the Ocean drilling program.Initial reports Бурение в море, , бумо


R/16013/141 Chile triple junction.Covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama,to Valparaiso,Chile,sites 859-863,12 Nov.1991-12 Jan.1992 [Text] : сборник научных трудов. - [S. l. : s. n.], 1992. - XVI,708 p. p. : ill. + 1 map. - (Proceedings of the Ocean drilling program.Initial reports / Nat.science foundation, ISSN 0884-5883 ; vol.141). - 400 р. Библиогр.в конце статей.ГРНТИ 38.59.15УДК 622.24.085.5(05) Рубрики: Бурение в море Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

272

Chile triple junction.Covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama,to Valparaiso,Chile,sites 859-863,12 Nov.1991-12 Jan.1992 Proceedings of the Ocean drilling program.Initial reports Ocean drilling program Библиогр.в конце статей. ; Бурение в море, бумо


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Chile triple junction.Covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama,to Valparaiso,Chile,sites 859-863,12 Nov.1991-12 Jan.1992 Выходные данные : College Station(Tx), 1992 Колич.характеристики :XVI,708 p.: ill.+1 map. Коллективы : Ocean drilling program Серия: Proceedings of the Ocean drilling program.Initial reports, ISSN 08845883;Vol.141 Примечания : ; Библиогр.в конце статей. Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.59.15 УДК : Предметные рубрики: Бурение в море Перейти к источнику в Интернете: Chile triple junction.Covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama,to Valparaiso,Chile,sites 859-863,12 Nov.1991-12 Jan.1992 JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

273

Chile triple junction Proceedings of the Ocean drilling program.Initial reports 0 ^aТройное Чилийское пересечение.Рез-т бурения по маршруту 141 бурового судна JOIDES resolution порт Балбоа,Панама -Вальпараизо,Чилиююю1991 Ocean drilling program 0 ; бурение Библиогр.в конце ст 0 ; бурение


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Заглавие : Chile triple junction : Covering leg 141 of the cruises of the drilling vessel JOIDES resolution,Balboa Harbor,Panama, to Valparaiso,Chile,sites 859-863,1991 Выходные данные : College Station(Tx), 1992 Колич.характеристики :XVI,708 c: ил Коллективы : Ocean drilling program Серия: Proceedings of the Ocean drilling program.Initial reports, ISSN 08845883;Vol.141 Примечания : ; Библиогр.в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 38.21.31 + ; 38.59.29 + ; 52.47.21 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; бурение Перейти к источнику в Интернете: Chile triple junction, Перейти к источнику в Интернете:  JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

274

Channel formation in organic field-effect transistors UMSI research report Univ.of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute полевой транзистор Транзисторы полевые полевой транзистор

Balk, J.W.; Ruden, P.P.; Univ.of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute

R/17401/2002/86 Li, T. Channel formation in organic field-effect transistors [Text] : сборник научных трудов / T.Li,J.W.Balk,P.P.Ruden. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2002. - 4312-4318 p. p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 2002/86). - 10.00 р. Библиогр.: с.4317-4318ГРНТИ 47.33УДК 621.382.323 Рубрики: Транзисторы полевые Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Balk, J.W.; Ruden, P.P.; Univ.of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

276

Cell junctions 0 ^aКлеточные контакты. Адгезия, развитие, патология.^zrus Wiley-VCH


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : ; 34.19.19. grnti Заглавие : Cell junctions : adhesion, development, and disease Выходные данные : Weinhein: Wiley-VCH, 2008 Колич.характеристики :XV, 301 c.: ил Примечания : ; Библиогр. в конце ст. Указ.: с. 295-301 ISBN, Цена 978-3-527-31882-7: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.19.19 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Cell junctions JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

277

Cambridge Scientific Abstracts (Металлургия/Организации)


2006-02-19

ТипбиблиотекаПолное название (официальное)Cambridge Scientific AbstractsПрофиль деятельностиинформационное обеспечение в области металлургииСокращённое официальное названиеCSAДата создания1966ГРНТИРФФ …

VINITI Projects Database (Russian)

278

Ca (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2004-12-31

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=197&Itemid=310) Ca&nb …

VINITI Projects Database (Russian)

280

Boundary condition at the junction Report series University of Auckland. Department of mathematics. School of mathematical and information sciences 44402; Электронно-дырочные переходы

Pavlov, B.; Yafyasov, A.

R/7871/548 University of Auckland. Department of mathematics. School of mathematical and information sciences. Report series [Text] / Univ. of Auckland. Dep.of mathematics . - Auckland : [s. n.], 19 - . - ISSN 1173-0889.548 : Boundary condition at the junction / M.Harmer, B.Pavlov, A.Yafyasov. - Auckland : [s. n.], 2006. - 30.00 р.ГРНТИ 29.19.31УДК 537.311.322 Рубрики: Электронно-дырочные переходы Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Pavlov, B.; Yafyasov, A. Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

281

Bonus rep.:Ballistic transistors:computer/communications breakthrough Futuretech транзистор Транзисторы транзистор


R/16822/2(1986) Futuretech [Text] : a probing look at strategic technologies that will significantly affect industry. - Englewood(NJ) : Techn.insights.2(1986) : Bonus rep.:Ballistic transistors:computer/communications breakthrough. - 1986. - 16 p. - 3.00 р. Библиогр.:с.15-16ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3 Рубрики: Транзисторы Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

282

Bifurcations of the solutions of modified Ginzburg-Landau equation for josephson junctions Сообщения Объединенного института ядерных исследований ^aBifurcations of the solutions of modified Ginzburg-Landau equation for Josephson junctions^ePreprint Перед загл. авт.: T.L.Boyadjiev 0; Джозефсона эффект


Вид документа : Однотомное издание (Препринт) Шифр издания : K Автор(ы) : Бояджиев Т.Л. Заглавие : Bifurcations of the solutions of modified Ginzburg-Landau equation for josephson junctions . -Препринт Выходные данные : Dubna, 2001 Колич.характеристики :16 p.: il. Серия: Сообщения Объединенного института ядерных исследований; Е11-2001-248 Примечания : Перед загл. авт.: T.L.Boyadjiev Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.09.39 УДК : Предметные рубрики: Джозефсона эффект Содержание : Перейти к источнику в Интернете: Bifurcations of the solutions of modified Ginzburg-Landau equation for josephson junctions, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  JUNCTION$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

283

Bifurcations of the solutions of modified Ginzburg-Landau equation for josephson junctions Препринт эффект Джозефсона Джозефсона эффект эффект Джозефсона


Н/2509/Е11-2001-248 Бояджиев, Т. Л. Bifurcations of the solutions of modified Ginzburg-Landau equation for josephson junctions [Text] : препринт / Т.Л.Бояджиев. - Dubna, 2001. - 16 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е11-2001-248). - 320 экз. - 2 .60 р. Перед загл. авт.: T.L.BoyadjievГРНТИ 29.19.29УДК 538.945.6(04) Рубрики: Джозефсона эффект Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: хр(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

284

Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads Researches/Electrotechn. lab. 0 ^aОсновы теории и расчет быстродействия интегральных микросхем с МОП-структурой с МОП-транзисторами в качестве нагрузки Текст на яп.яз. Рез. на англ.яз. Библиогр. в конце ст


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Hayashi Y Заглавие : Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads Выходные данные : Tsukuba, 1988 Колич.характеристики :212 с Серия: Researches/Electrotechn. lab.; N 890 Примечания : ; Текст на яп.яз. Рез. на англ.яз. Библиогр. в конце ст Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.13.17 УДК : Перейти к источнику в Интернете: Basic and high speed design theory of MOS-ICs with MOS transistors as the loads TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

285

B (Информатика/Англо-русский словарь по информатике)


2005-01-03

   A (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=196&Itemid=310) B Ca (http://science.viniti.ru/index.php?option=com_content&task=view&id=195&Itemid=310)&nb …

VINITI Projects Database (Russian)

286

Assessing the effects of thermal bridging at junctions and around openings Information paper Здания, Энергоснабжение


R/14148/IP 17/01 Ward, T. Assessing the effects of thermal bridging at junctions and around openings [Text] : сборник научных трудов / T.Ward. - Garston ; Watford : [s. n.], 2001. - 8 p. : ill. - (Information paper / BRE ; IP 17/01). - ISBN 1-86081-506-5 : 20.00 р. Библиогр.с.8ГРНТИ 67.53.21УДК 697.1 Рубрики: Здания--Энергоснабжение Держатели документа: ГПНТБ России Экз-ры: ХР(1) JUNCTION$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

288

Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Rapports ; Транзисторы СВЧ . Моделирование , свтр

Jensen, G.U.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Nawaz M., Jensen G.U. Заглавие : Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Выходные данные : Oslo, 1995 Колич.характеристики :13 p.: ill Серия: Rapports/ Universitetet i Oslo.Fysisk institutt, ISSN 0332-5571; 95-01 Примечания : ; Библиогр.:с.9 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33 УДК : Предметные рубрики: Транзисторы СВЧ Перейти к источнику в Интернете: Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Доп.точки доступа: Jensen, G.U. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

289

Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) Rapport транзистор Транзисторы СВЧ транзистор

Jensen, G.U.

R/15656/95-01 Nawaz, M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) [Text] : сборник / M.Nawaz,G.U.Jensen. - Oslo : [s. n.], 1995. - 13 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 95-01). - 200 р. Библиогр.:с.9ГРНТИ 47.33УДК 621.382.3.029.6 Рубрики: Транзисторы СВЧ Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Jensen, G.U. Экз-ры: ХР(1) TRANSISTORS$

State Public Technical Library of Russia (Russian)

290

Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors Comprehensive analytical chemistry;Vol.23 0 ^aАналитическое и медико-биологическое применение ион-селективных полевых транзисторов Elsevier 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение

Sibbald, A.

Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Автор(ы) : Bergveld P., Sibbald A. Заглавие : Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors Выходные данные : Amsterdam etc.: Elsevier, 1988 Колич.характеристики :XVI, 172 л с.: ил Серия: Comprehensive analytical chemistry;Vol.23 ISBN, Цена 0-444-42976-X: Б.ц. ГРНТИ : ; 34.05 + ; 76.13.31 + ; 47.33.29 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; ионселективные транзисторы; медико-биологическое применение Перейти к источнику в Интернете: Analytical and biomedical applications of ion-selective field-effect transistors, Перейти к источнику в Интернете: , Перейти к источнику в Интернете:  Доп.точки доступа: Sibbald, A. TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)

292

A study of new structure short channel MOS transistors Researches of the Electrotechn.lab. 0 ^aИзучение МОП транзисторов с новой короткоканальной структурой Electrotechn.lab. 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура Текст яп.-Рез.англ.-Библиогр.:с.104-110 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура


Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : K Автор(ы) : Sekigawa Toshihiro Заглавие : A study of new structure short channel MOS transistors Выходные данные : Tsukuda: Electrotechn.lab., 1991 Колич.характеристики :110,6 с: ил Серия: Researches of the Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106;N 923 Примечания : ; Текст яп.-Рез.англ.-Библиогр.:с.104-110 Цена : Б.ц. ГРНТИ : ; 47.33.29 УДК : Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 0 ; транзисторы;короткоканальная; структура Перейти к источнику в Интернете: A study of new structure short channel MOS transistors TRANSISTORS$

The Russian Union Catalog of Scientific Literature (Russian)