Sample records for enamels
from WorldWideScience.org

Sample records 1 - 1 shown.



1

Desenvolvimento do pigmento condutor SnO2 -Sb2O3 e sua aplicação em vidrados semicondutores/ Development of a SnO2 -Sb2O3 conductor pigment and its applications in semiconductor glazes

Aguiar, R.; Paskocimas, C. A.; Leite, E. R.; Longo, E.; Maurício, M. R. D.
2004-06-01

Resumo em português Esmaltes semicondutores são utilizados no recobrimento de isoladores elétricos para evitar descargas superficiais nos isoladores, associadas a grandes diferenças de potencial, proporcionando uma melhora no desempenho sob poluição ambiental. Como os vidrados utilizados nas indústrias cerâmicas são isolantes, uma maneira de torná-los semicondutores é adicionando óxidos condutores. Misturou-se ao esmalte porcentagens variadas do pigmento condutor SnO2 dopado com 5 (mais) % de Sb2O3. O esmalte foi aplicado sobre peças de porcelana a verde e queimado a 1250 ºC. Por microscopia eletrônica de varredura verificou-se que a concentração de pigmento na superfície das amostras é baixa e não influencia a condutividade elétrica. Na fratura, a porcentagem de pigmento ficou próxima de 35%. Assim, a superfície ficou com aspecto visual de ótima qualidade. A resistividade elétrica ocorreu pelo interior do vidrado, obtendo-se valores próximos de 10(4) Ohm.m. Resumo em inglês Semiconductor glazes are employed on electrical insulators to avoid surface discharge under conditions of intense electric fields, providing better performance in polluted environments. Semiconductor enamels are of great interest for electrical insulator coatings to avoid surface discharges, related to large potential differences. This enhances the performance of the insulator under polluted environments. Glazes used in ceramic industries are not conductive. The addition (mais) of conductive oxides to the glaze composition results in a semiconductor enamel. Sb2O3-doped SnO2 was mixed with the enamel in different concentrations. The resulting enamel was applied over green porcelain and fired at 1250 ºC. Scanning electron microscopy characterization was performed and it was verified that the pigment concentration on the surface is low and does not affect the electrical conductivity. The pigment concentration on the fracture surface is approximately 35%. The insulator surface presents a high quality visual aspect and low surface roughness. The electrical resistivity is approximately 10(4) Ohm.m and occurs through the bulk of the glaze.

Scientific Electronic Library Online (Portuguese)