Sample records for mosfet
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1

SiC-MOSFET と Si-MOSFET のスイッチング特性と損失比較

濱脇 栄一郎; 木村 周作; 吉村 源; 米森 秀登; 八坂 保能

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

3

4.3mΩcm2,1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET

原田 信介; 岡本 光央; 八尾 勉; 福田 憲司; 荒井 和雄

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

4

4.3mΩcm2,1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET

原田 信介; 岡本 光央; 八尾 勉; 福田 憲司; 荒井 和雄
2007-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

5

Si MOSFET Doherty Power Amplifiers With Unequally Divided Input Power

KANEYAMA YOHEI; TAKAYAMA YOICHIRO; FUJITA TAKAYUKI; MAENAKA KAZUSUKE
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

6

15.5m.OMEGA.cm'2'-680V Superjunction MOSFET

SAITO WATARU; OMURA ICHIRO; AIDA SATOSHI; KOZUKI SHIGEO; IZUMISAWA MASARU; YOSHIOKA HIRONORI; OKUMURA HIDEKI; YAMAGUCHI MASAKAZU; OGURA TSUNEO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

8

Gate Charge 20V Class Trench-aligning Lateral Power MOSFET

MATSUNAGA SHIN'ICHIRO; SAWADA MUTSUMI; FUJISHIMA NAOHITO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

13
14

Generation of a barrier discharge by high-frequency high-voltage inverter using High-Speed MOSFET

OKUI HAJIME; IKEDA ATSUSHI; HAMADA KOSUKE; KOMATSU YASUHIRO; KIDOSAKI TAKAKO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

15

Design method of low-power dual-supply-voltage system LSI taking into account leakage current of MOSFET

WATANABE SHIGEYOSHI; KANAI MASAKI; NAGASAWA AKIRA; HANAMI SATOSHI; KOBAYASHI MANABU; TAKABATAKE TOSHITOKU
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

21

200V Super Junction MOSFET Fabricated by Trench Filling Epitaxial Si Growth

SHIBATA TAKUMI; YAMAUCHI SHOICHI; YAMAGUCHI HITOSHI; NOGAMI SHOJI; YAMAOKA TOMONORI; HATTORI YOSHIYUKI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

22

Development of Super Junction MOSFET-Breakthrough of On-resistance Si Limit using Trench Filling Epitaxial Growth-

YAMAUCHI SHOICHI; SHIBATA TAKUMI; YAMAGUCHI HITOSHI; NOGAMI SHOJI; YAMAOKA TOMONORI; HATTORI YOSHIYUKI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

24

A Pipelined ADC using Two-MOSFET's Circuitry

TAKAKUBO KAORI; KANEKO AKIYUKI; TAKAKUBO HAJIME
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

25

Vertical Double-Gate MOSFET Device Technology

MASAHARA MEISHOKU; LIU YONGXUN; ENDO KAZUHIKO; MATSUKAWA TAKASHI; SUZUKI EIICHI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

27

Numerical switching characteristics analysis of low voltage Trench MOSFET with floating-P layer

AKIYAMA MIWAKO; KAWAGUCHI YUSUKE; ONO SHOTARO; YAMAGUCHI YOSHIHIRO; NAKAGAWA AKIO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

29

Effective hole mobility for Ge p-MOSFET with amorphous Zr silicate gate insulator

KAMATA YOSHIKI; INO TSUNEHIRO; KAMIMUTA YUICHI; IIJIMA RYOSUKE; KOYAMA MASATO; NISHIYAMA AKIRA
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

34
35

Power MOSFETs for Automobile Electric Systems

ARITA YASUHIKO; NISHIMURA TAKEYOSHI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

38

Battery Protection IC Integrating Bi-directional Trench Lateral Power MOSFETs

SUGI AKIO; SAWADA MUTSUMI; SUGIMOTO MASATOSHI; MATSUNAGA SHIN'ICHIRO; IWAYA MASANOBU; FUJISHIMA NAOTO; TAKAGIWA KAZUMI; LU HONGFEI
2007-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

39

Development of Evaluation Method for Estimating Stress-Induced Change in Drain Current in Deep-sub-micron MOSFETs

KUMAGAI YUKIHIRO; OTA HIROYUKI; MIURA HIDEO; SHIMIZU AKIHIRO; KAMOHARA SHIRO; MAEKAWA KEIICHI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

40

Fabrication of MOSFETs and LEDs for Si/III-V-N optoelectronic integrated circuits

OTA NARUTO; MORISAKI YUJI; MOON SOO-YOUNG; ISHIJI SEIGI; FURUKAWA YUZO; YONEZU HIROO; WAKAHARA AKIHIRO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

41

20m.OMEGA.cm'2' 660V Super Junction MOSFETs Fabricated by Deep Trench Etching and Epitaxial Growth

TAKAHASHI KOTA; KURIBAYASHI HITOSHI; KAWASHIMA TOMOYUKI; WAKIMOTO SETSUKO; MOCHIZUKI KUNIO; NAKAZAWA HARUO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

44

高速ゲート電圧制御による多並列MOSFETの損失均等化

奥田 達也; 角田 義一; 浅井 孝公; 浦壁 隆浩
2004-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

46

高移動度チャネルを有するひずみSi-on-insulator / ひずみSiGe-on-insulatorデュアルチャネルCMOSの作製と電気特性

手塚 勉; 中払 周; 守山 佳彦; 平下 紀夫; 豊田 英二; 杉山 直治; 水野 智久; 高木 信一
2006-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

47

高温アニールによる4H-SiCエッチング形状変形の異方性

河田 泰之; 俵 武志; 中村 俊一; 後藤 雅秀; 岩室 憲幸
2010-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

48

高感度遠赤外線センサー用極低温読み出し回路の開発

渡部 豊喜; 芝井 広; 平尾 孝憲; 永田 洋久; 日比 康詞; 川田 光伸; 中川 貴雄; 野田 学
2003-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

53

電源用AlGaN/GaN FETの開発

馬場 良平; 町田 修; 金子 信男; 岩渕 昭夫; 矢野 浩司; 松本 俊
2010-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

54
55

電流モードLCシミュレーション形高域フィルタ

三宅 宏樹; 沖根 光夫; 高木 茂孝; 佐藤 隆英
2009-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

57

電子ビーム励起と水素還元を用いた酸化物/金属エピタキシャルハイブリッド化

保坂 誠; 秋田 泰志; 杉本 雄樹; 小山 浩司; 小林 圭介; 鈴木 利昌; 吉本 護
2008-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

64

走査型容量顕微鏡によるMOSFET動作時の不純物分布計測

臼田 宏治; 木村 健次郎; 小林 圭; 山田 啓文
2008-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

72

自己消弧形電力用半導体素子の動向(要旨)

自己消弧形電力用半導体素子調査専門委員会

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

73

自己バイアスチャネルダイオードの電気的特性

菅原 文彦; 吉田 竜也; 星 秀明; 山口 日出男; 大沼 孝一
2010-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

74

縦型ダブルゲートMOSFETデバイス技術

昌原 明植; 柳 永〓; 遠藤 和彦; 松川 貴; 鈴木 英一
2006-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

78

磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法

池田 佳子; 大村 一郎; 土門 知一; 山口 好広; 川口 雄介; 山口 正一

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

79

磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法

池田 佳子; 大村 一郎; 土門 知一; 山口 好広; 川口 雄介; 山口 正一
2010-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

80

磁気エネルギー回生スイッチ(MERS)による単相誘導電動機の力率改善

高久 拓; 鳴島 じゅん; 磯部 高範; 北原 忠幸; 嶋田 隆一
2006-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

83
84

液晶を用いたパワーMOSFETの不良解析

川島 勇; 谷田 宏; 北村 一芳; 横沢 真覩

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

87

次世代ボルテージレギュレータ向け低損失システムインパッケージ

橋本 貴之; 川島 徹也; 白石 正樹; 秋山 登; 宇野 友影; 松浦 伸悌

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

88

次世代ボルテージレギュレータ向け低損失システムインパッケージ

橋本 貴之; 川島 徹也; 白石 正樹; 秋山 登; 宇野 友影; 松浦 伸悌
2010-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

92

有機薄膜および複合膜の評価技術とデバイス応用の最近の進展

加藤 景三; 新保 一成; 岡本 徹志; 青木 裕介; 家地 洋之
2010-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

98

新構造5kV級4H-SiC SEMOSFETの電気的特性

浅野 勝則; 林 利彦; 高山 大輔; 菅原 良孝; Sei-Hyung Ryu; John W. Palmour
2005-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

101

数値制御プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化

森 勇藏; 佐野 泰久; 山村 和也; 森田 諭; 森田 瑞穂; 大嶋 一郎; 斉藤 祐司; 須川 成利; 大見 忠弘

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

106

微細MOSFETの低温動作

坪内 和夫; 益 一哉; 易 幼文; 御子柴 宣夫

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

107

微細MOSFETのスケーリング限界

谷口 研二; 園田 賢一郎; 浜口 智尋

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

109
117

小容量無停電電源装置

岡村 幸一; 加護谷 隆巳; 黒木 一男

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

120
121

容量性非線形負荷のV-Q特性を用いた反射波とクロストークの再現手法

渡辺 武実; 松元 藤彦; センクラシン アピラック; 野口 泰明
2009-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

122
125

双方向トレンチ横型パワーMOS内蔵バッテリー保護IC

杉 祥夫; 澤田 睦美; 杉本 雅俊; 松永 慎一郎; 岩谷 将伸; 藤島 直人; 高際 和美; 魯 鴻飛

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

126

双方向トレンチ横型パワーMOS内蔵バッテリー保護IC

杉 祥夫; 澤田 睦美; 杉本 雅俊; 松永 慎一郎; 岩谷 将伸; 藤島 直人; 高際 和美; 魯 鴻飛
2007-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

129

半導体素子積載用接着剤のパッケージ信頼性に及ぼす影響

武井  信二; 今井 誠; 船越 孝章; 小山 正晃; 竹内 茂行
2008-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

137
138

低雑音センサインターフェース回路に向けたJFET混載CMOS技術

高尾 英邦; 浅岡 力弥; 澤田 和明; 川人 祥二; 石田 誠
2003-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

146

モバイル機器用CMOS DC-DCコンバータの最適設計手法

片山 靖; 江戸 雅晴; 伝田 俊男; 川島 鉄也; 二宮 保
2004-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

148
152

フレックス・パスゲートSRAMによる雑音余裕向上

大内 真一; 昌原 明植; 坂本 邦博; 遠藤 和彦; 柳 永〓; 松川 貴; 関川 敏弘; 小池 汎平; 鈴木 英一
2008-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

155

パワー半導体デバイスの最新技術動向

寺島 知秀; 白石 正樹; 岩室 憲幸
2010-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

156

パワーデバイス電気特性の機械的応力依存性

臼井 正則; 田中 宏明; 堀田 幸司; 桑野 聡; 石子 雅康
2008-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

157

パワーエレクトロニクスシステム設計のための瞬時値シミュレーション

菊間 俊明; 岡田 有功; 高崎 昌洋; 小谷 和也; 葛巻 淳彦; 武田 秀雄; 村尾 武

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

158

パワーエレクトロニクスシステム設計のための瞬時値シミュレーション

菊間 俊明; 岡田 有功; 高崎 昌洋; 小谷 和也; 葛巻 淳彦; 武田 秀雄; 村尾 武
2011-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

160

パワ-MOSFETの直列接続

大熊 繁; 大和 育男; 岩田 幸二

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

161

ハイブリッド車用パワー半導体の宇宙線耐量

西田 秀一; 庄司 智幸; 大西 豊和; 藤川 東馬; 野瀬 昇; 石子 雅康; 濱田 公守
2010-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

165

ナノメータMOSFETにおける容量パラメータの直接測定

猪川 洋; 藤原 聡; 西口 克彦; 小野 行徳; 佐藤 弘明

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

166

ナノメータMOSFETにおける容量パラメータの直接測定

猪川 洋; 藤原 聡; 西口 克彦; 小野 行徳; 佐藤 弘明
2008-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

172

ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発

熊谷 幸博; 太田 裕之; 三浦 英生; 清水 昭博; 蒲原 史朗; 前川 径一

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

182

シリコン・オン・インシュレーター (SOI) 基板構造の歪局ひずみ評価

臼田 宏治; 水野 智久; 沼田 典則; 手塚 勉; 杉山 直治; 守山 佳彦; 中払 周; 高木 信一
2005-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

187
188
193

アバランシェ耐量を有するFRDを使用したPFC付き高効率直流電源の開発

森本 裕貴; 檀上 謙三; 山本 浩史; 吉元 伸夫; 西村 良和; 奥村 三郎

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

199
200
201

Wide dynamic range CMOS image sensor by fusion of active and passive pixel sensors

NOSE YUGO; ADACHI YUDAI; KAGAWA KEIICHIRO; TAKASHIMA MASARU; TANI KUNIYUKI; WADA ATSUSHI; NUNOSHITA MASAHIRO; OTA JUN
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

208
210

Study of radiation effects on semiconductor devices

KUBOYAMA SATOSHI; IKEDA NAOMI; SATO YOHEI; OHIRA HIDEHARU; SHIMADA OSAMU; IWATA YOSHIYUKI; MURAKAMI TAKESHI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

211

Static Analysis of Multi-Oscillated Current Resonant Type DC-DC Converter

ARAKI RYU; MATSUO OSAMU; OTA HIROYUKI; TSUJI MINEO; ISHIZUKA YOICHI; MATSUO HIROFUMI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

212

Si電界効果トランジスタのゲート上への磁性薄膜の形成と電気特性

町 雅博; 脇谷 尚樹; 木口 賢紀; 田中 順三; 篠崎 和夫
2007-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

213

Signal Conditioning CMOS Circuits Integrated on Si (111) for Image-Recording Sensor of Neural Activity

電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌);  Vol. 123 (2003) No. 9  pp.363-367

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

214
218

SiC SBDの開発の現状

中村 孝; 三浦 峰生; 太田 真吾; 桐山 竜也; 岡村 裕司

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

228

Power Factor Correction Using Magnetic Energy Recovery Current Switches

TAKAKU TAKU; ISOBE TAKANORI; NARUSHIMA JUN; TSUTSUI HIROAKI; SHIMADA RYUICHI
2005-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

231

PFCガス分解用マグネトロン駆動電源

岩蕗 寛康; 岩田 明彦; 吉安 一
2006-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

232

Orthopedics should be known. Patient controlled analgesia (PCA).

HANAOKA KAZUO; OGAWA MAKOTO; HAYASHIDA MASAKAZU
2005-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

233

On Application of Model Predictive Control to Power Converter with Switching

ZANMA TADANAO; FUKUTA JUN'ICHI; DOKI SHINJI; ISHIDA MUNEAKI; OKUMA SHIGERU; MATSUMOTO TAKASHI; NISHIMORI EIJI
2007-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

235

Mechanical stress dependence of power device electrical characteristics

TANAKA HIROAKI; HOTTA KOJI; KUWANO SATOSHI; USUI MASANORI; ISHIKO MASAYASU
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

237

MOS形電界効果パワートランジスタ [制定] (JEC-2406-2004)

松瀬 貢規; 古関 庄一郎; 大田 正喜; 松井 幹彦
2005-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

238
242

Low-Ripple-Voltage and High-Speed Control System With MEMS Technology for Load Regulation of Switching Regulators

KONO MASASHI; ZHANG TING; LIU AIYAN; KIMURA KEIGO; KOBAYASHI HARUO; KOBORI YASUNORI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

243

Local Strain Evaluation of Strained-SOI Structures

USUDA KOJI; MIZUNO TOMOHISA; NUMATA TOSHINORI; TEZUKA TSUTOMU; SUGIYAMA NAOHARU; MORIYAMA YOSHIHIKO; NAKAHARAI SHU; TAKAGI SHIN'ICHI
2005-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

245

Intermodulation Distortion Asymmetries and Their Improvement in Microwave Power Amplifiers

WATANABE KAZUSHI; TAKAYAMA YOICHIRO; FUJITA TAKAYUKI; MAENAKA KAZUSUKE
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

246

Influence of Pressure and Gas flow rate on Synthesis of Al2O3 Nano Particle by Using Induction Thermal Plasmas

NAKANO MAKOTO; TANAKA YASUNORI; UESUGI YOSHIHIKO; SAKAI YOSHIFUMI; YUBUTA KAZUHIRO; FUJII TAKASHI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

247

Improvement of Microwave Power Amplifier Intermodulation Distortion by a Novel Second-Harmonic Short-Circuit Termination

TAKAYAMA YOICHIRO; WATANABE KAZUSHI; YAMAGUCHI KAZUYUKI; FUJITA TAKAYUKI; MAENAKA KAZUSUKE
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

251

High-current IPS for Automotive Use

TAKEUCHI SHIGEYUKI; NAKAZAWA MASAAKI; NISHIMURA TAKEYOSHI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

252

High density MOSBD (UMOS with built-in Trench Schottky Barrier Diode) for Synchronous Buck Converters

ONO SHOTARO; YAMAGUCHI YOSHIHIRO; MATSUDA NOBORU; TAKANO AKIO; AKIYAMA MIWAKO; KAWAGUCHI YUSUKE; NAKAGAWA AKIO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

253
254

Ge酸化物超薄膜の誘電特性

田村 雅大; 涌井 貞一; 中村 淳; 名取 晃子
2009-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

257

Feasibility Study of Si-Probe .MU.-Pseudo-MOS Technique for SOI-Layer Characterization

YAMAMOTO YASUKI; NAGASE MASAO; OMURA YASUHISA; OMURA YASUHISA
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

259

Examination of FG-MOS Multi-valued SRAM

KONDO HIROYASU; ISHIKAWA YOHEI; FUKAI SUMIO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

262

Energy-Saving Technologies for Advanced Air-Conditioner Inverter System

ENDO TAKAHISA; NUKUSHINA HARUNOBU; SHIMIZU SHIN'YA
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

263

Electro-thermal Analysis of Device Interactions in Submicron Si CMOS

HATAKEYAMA TOMOYUKI; FUSHINOBU KAZUYOSHI; OKAZAKI KEN
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

264

Electric Characteristics of 5 kV Novel 4H-SiC "SEMOSFET"

ASANO KATSUNORI; HAYASHI TOSHIHIKO; TAKAYAMA DAISUKE; SUGAWARA YOSHITAKA; RYU S-H; PALMOUR J W
2005-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

266

EDLC充電用並列モニタ回路の一構成法

溝口 武郎; 原田 克彦; 二宮 保
2010-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

270

Development of a Wearable Sugar Level Controlling Device with Built-in Two Types of the Electrolytic Micropump

NAKAMACHI EIJI; NAKANISHI NAOYUKI; UETSUJI YASUTOMO; TSUCHIYA KAZUYOSHI; YAMAMOTO HIDETAKE
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

274

Design for Efficiency Improvement and Future prediction in Multi Chip Module for DC-DC Converter

KAWAGUCHI YUSUKE; NAKAGAWA AKIO; KAWANO TOMOHIRO; TAKEI HIROSHI; ONO SHOTARO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

275

Critical temperature switch circuit with CMOS subthreshold region

HAGIWARA ATSUSHI; HIROSE TETSUYA; ASAI TETSUYA; AMEMIYA YOSHIHITO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

276

Composition of Sequential Circuit Method Multipliers using Multiple-Valued

NOMURA NAOHIRO; MURANAKA NORIAKI; IMANISHI SHIGERU; TOKUMARU MASATAKA
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

277

Common-Source Active Clamped Complex Type Converter

MIURA KIWAMU; JIN CHUN FENG; ISHIHARA YOSHIYUKI; TODAKA TOSHIYUKI
2007-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

278

CUSTOM MODULE

KUMAKURA NORIO; AOKI KAZUYUKI; MATSUNUMA TOKUJI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

282

Balanced-Type Low-Voltage Switched-Capacitor Bilinear Integrator

YOSHIDA TAKESHI; WADA KAZUYUKI; ISHIKAWA MASAYUKI; TADOKORO YOSHIAKI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

283

Analysis of Class DE Amplifire with Nonliear Capacitance

SEKIYA HIROO; SEKIYA HIROO; WATANABE TAKAYUKI; WATANABE TAKAYUKI; SUETSUGU TADASHI; YAHAGI TAKASHI; YAHAGI TAKASHI
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

284

Acoustic Amplifier Using MEMS Technology

TANAKA MASANOSUKE; TERADA MAIKA; KONISHI SATOSHI
2005-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

285

A Smart Temperature Sensor with Subthreshold CMOS Circuits

UENO KEN'ICHI; HIROSE TETSUYA; ASAI TETSUYA; AMEMIYA YOSHIHITO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

288

A High-Order Filter Using MOS Integrators

GEMBA YUJI; SHIGEHIRO TAKANORI; OKINE MITSUO
2007-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

289

A DC Design Technique of CMOS Amplifiers based on Spice

TAGUCHI SHUSAKU; KAWATA JUNJI; USHIDA AKIO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

290
291
292

A 45nm High Performance Bulk Logic Platform Technology (CMOS6) using Ultra High NA(1.07) Immersion Lithography with Hybrid Dual-Damascene Structure and Porous Low-k BEOL

NII HIDEAKI; SANUKI TOMOYA; OKAYAMA YASUNORI; OTA KAZUNOBU; IWAMOTO TOSHIYUKI; FUJIMAKI TSUYOSHI; KIMURA TAIKI; WATANABE RYUJI; KOMODA TAIKI; EIHO AYUMI; AIKAWA KO; YAMAGUCHI RIE; MORIMOTO RUI; OSHIMA KATSUSUKE; YOKOYAMA TAKASHI; MATSUMOTO TAKUJI; HACHIMINE KIYOTA; SOGO YASUNORI; SHINO SEIYA; KANAI SADAO; YAMAZAKI TAKASHI; TAKAHASHI SEIJI; MAEDA HIDENORI; IWATA TOSHIHIKO; ONO KEIICHI; TAKEGAWA YOICHI; OISHI KANAME; TOGO MITSUHIRO; FUKASAKU KATSUHIKO; TAKASU YASUO; YAMASAKI HIROYUKI; INOKUMA HIDEMIKI; MATSUO KOJI; SATO TSUTOMU; NAKAZAWA MASASHI; KATAGIRI TAKAHIRO; NAKAZAWA KEIICHI; SHIN'YAMA TAKU; TETSUKA TOMOKI; FUJITA SHIGERU
2007-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

293

5kV級4H-SiC SEJFETのオン特性の温度依存性及びスイッチング特性

浅野 勝則; 林 利彦; 高山 大輔; 菅原 良孝; Sei-Hyung Ryu; John W. Palmour
2005-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

294

4.3 m.OMEGA.cm'2', 1100 V normally-off IEMOSFET on SiC

HARADA SHINSUKE; OKAMOTO MITSUO; YATSUO TSUTOMU; FUKUDA KENJI; ARAI KAZUO
2007-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)

295

2次側アシストソフトスイッチング高周波リンク PWM DC/DC コンバータ

佐藤 伸二; モイセエフ セルゲイ; 石飛 学; 平木 英治; 中岡 睦雄

Journal@rchive (Japan) (Japanese)

296

2次側アシストソフトスイッチング高周波リンク PWM DC/DC コンバータ

佐藤 伸二; モイセエフ セルゲイ; 石飛 学; 平木 英治; 中岡 睦雄
2003-01-01

J-STAGE (Japan) (Japanese)

300

2.7m.OMEGA.cm'2', 700V IEMOSFET on 4H-SiC carbon-face

HARADA SHINSUKE; KATO MAKOTO; OKAMOTO MITSUO; YATSUO TSUTOMU; FUKUDA KENJI; ARAI KAZUO
2006-01-01

J-EAST (Japan) (Japanese)