Sample records for TELURO (tellurium)
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Sample records 1 - 5 shown.



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Angelaíta en la paragénesis del distrito Los Manantiales, provincia del Chubut: Una nueva especie mineral/ Angelaite in the paragenesis of Los Manantiales district, Chubut, Argentina: a new mineral species

Brodtkorb, M.K. de; Paar, W.
2004-12-01

Resumen en español Angelaíta, Cu2AgPbBiS2 , una nueva especie mineral, fue localizada en la mina Ángela, mineralización de tipo IS del distrito Los Manantiales, Chubut, Argentina. La paragénesis incluye esfalerita, pirita, calcopirita, galena y en menor cantidad arsenopirita, betekhtinita, bornita, matildita, oro, plata, electrum, telurio, cervelleíta y hematita. La galena presenta numerosas inclusiones de angelaíta, aikinita, wittichenita y miharaíta. Esta paragénesis se presenta e (mas) n vetas asociada a diferentes rocas volcánicas de la Formación Lonco Trapial de edad jurásica. La composición química de angelaíta fue obtenida con una microsonda electrónica. Se presenta en granos anhedrales de 10-100mm, es de color gris verdoso, moderadamente pleocroica y anisótropa. Resumen en inglés Angelaíte Cu2AgPbBiS2, a new mineral species, occurs in Mina Ángela, an IS type mineralization at the Los Manantiales district. The assemblage contains sphalerite, pyrite, chalcopyrite, galena with numerous inclusions of angelaíte, aikinite, miharaíte, and in smaller amounts arsenopyrite, betekhtinite, bornite, matildite, gold, silver, electrum, tellurium cervelleíte and hematite. Galena presents numerous inclusions of angelaíta, aikinita, wittichenita y miharaíta. (mas) This paragenesis occurs in veins associated with different volcanic rocks of the jurassic Lonco Trapial Formation. Angelaíte was observed as anhedral grains of 10-100mm, greenish grey in colour, moderately pleochroic and anisotropic.

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2

Simultaneous speciation of arsenic, selenium, antimony and tellurium species in waters and soil extracts by capillary electrophoresis and UV detection

Casiot, Corinne; Barciela, Mª del Carmen; Boisson, Jolanda; Donard, Olivier F. X.; Potin-Gautier, Martine
1998-01-01

Digital.CSIC (Spain)

3

Nonlinear optical susceptibility of multicomponent tellurite thin film glasses

Muñoz-Martín, David; Fernández Martínez, Héctor; Fernández Navarro, José María; Gonzalo de los Reyes, José

5 pags.; 3 figs.; 2 tabs. | Tellurite (TeO2–TiO2–Nb2O5) thin film glasses have been produced by pulsed laser deposition. The dispersion of the real and imaginary parts of the linear refractive index has been measured in the range from 300 to 1700 nm. Films present high refractive index (n=2.01) and ...

DRIVER (Spanish)

4

Nonlinear optical susceptibility of multicomponent tellurite thin film glasses

Muñoz-Martín, David; Fernández Martínez, Héctor; Fernández Navarro, José María; Gonzalo de los Reyes, José; Solís Céspedes, Javier; Fierro, Jose L. G.; Domingo Maroto, Concepción; García-Ramos, José Vicente
2008-12-02

Digital.CSIC (Spain)

5

CdTe thin films electrodeposition on gold electrode in EDTA-Ammonia aqueous solutions/ Electrodeposición de películas delgadas de CdTe sobre electrodo de oro en soluciones acuosas de EDTA-Amonio

Montilla, Milagro; Alarcón, Domingo; Ortiz, Reynaldo
2007-12-01

Resumen en español En este trabajo se muestran los resultados obtenidos del estudio del crecimiento electroquímico y caracterización de películas delgadas del semiconductor CdTe. El crecimiento se realizó mediante la electrodeposición catódica a potencial constante a partir de soluciones acuosas alcalinas de las especies precursoras TeO3(2-) y Cd2+ y EDTA como agente acomplejante para el Cd2+. La composición de las películas se determinó por espectroscopía de emisión atómica con (mas) plasma inductivamente acoplado (AES-ICP) y espectroscopia de dispersión de rayos X (EDX). Estudios realizados por espectroscopía de reflectancia UV-visible y fotovoltametría, permitieron determinar que las películas CdTe electrodepositadas presentan un comportamiento de semiconductor tipo p y un valor de brecha energética de 1,64 eV. Resumen en inglés In the present work, we report the electrochemical growth and characterization of CdTe semiconductor thin films in alkaline solution. The electrodeposition was performed cathodically applying a constant potential. Tellurium (IV) and Cd2+ aqueous alkaline solutions were employed as precursor of CdTe. EDTA was used as complexing agent for Cd2+ ions. The thin film composition was determined by atomic emission spectroscopy with inductive coupling plasm (AES-ICP) and Energy Di (mas) spersive X-ray Analysis). UV-visible spectroscopy allowed determining the optical band gap energy, which was 1.64 eV. The photovoltammetric experiment shows up that the synthesized CdTe thin film was p-type semiconductor.

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