Sample records for IONES TELURO (tellurium ions)
from WorldWideScience.org

Sample records 1 - 2 shown.



1

Simultaneous speciation of arsenic, selenium, antimony and tellurium species in waters and soil extracts by capillary electrophoresis and UV detection

Casiot, Corinne; Barciela, Mª del Carmen; Boisson, Jolanda; Donard, Olivier F. X.; Potin-Gautier, Martine
1998-01-01

Digital.CSIC (Spain)

2

CdTe thin films electrodeposition on gold electrode in EDTA-Ammonia aqueous solutions/ Electrodeposición de películas delgadas de CdTe sobre electrodo de oro en soluciones acuosas de EDTA-Amonio

Montilla, Milagro; Alarcón, Domingo; Ortiz, Reynaldo
2007-12-01

Resumen en español En este trabajo se muestran los resultados obtenidos del estudio del crecimiento electroquímico y caracterización de películas delgadas del semiconductor CdTe. El crecimiento se realizó mediante la electrodeposición catódica a potencial constante a partir de soluciones acuosas alcalinas de las especies precursoras TeO3(2-) y Cd2+ y EDTA como agente acomplejante para el Cd2+. La composición de las películas se determinó por espectroscopía de emisión atómica con (mas) plasma inductivamente acoplado (AES-ICP) y espectroscopia de dispersión de rayos X (EDX). Estudios realizados por espectroscopía de reflectancia UV-visible y fotovoltametría, permitieron determinar que las películas CdTe electrodepositadas presentan un comportamiento de semiconductor tipo p y un valor de brecha energética de 1,64 eV. Resumen en inglés In the present work, we report the electrochemical growth and characterization of CdTe semiconductor thin films in alkaline solution. The electrodeposition was performed cathodically applying a constant potential. Tellurium (IV) and Cd2+ aqueous alkaline solutions were employed as precursor of CdTe. EDTA was used as complexing agent for Cd2+ ions. The thin film composition was determined by atomic emission spectroscopy with inductive coupling plasm (AES-ICP) and Energy Di (mas) spersive X-ray Analysis). UV-visible spectroscopy allowed determining the optical band gap energy, which was 1.64 eV. The photovoltammetric experiment shows up that the synthesized CdTe thin film was p-type semiconductor.

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