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1

Absorción óptica y dependencia de la brecha de energía con la temperatura en monocristales del sistema Cd1-xMn xIn2S4

Betancourt, L; Sagredo, V; Rincón, C; Delgado, G.E
2006-05-01

Resumen en español Las propiedades ópticas de monocristales del sistema espinela Cd1-xMn xIn2S4 (x=1.0; 0.8), han sido estudiadas por la técnica de absorción óptica. Del análisis de los datos experimentales, se encontró que la brecha de energía en el MnIn2S4 (x = 1.0) varía desde 2.012 a 1.898 eV entre 9 y 300 K. La dependencia de Eg con la temperatura fue analizada considerando dos modelos teóricos reportados en la literatura. El mejor ajuste fue obtenido usando la expresión de P (mas) ässler. La temperatura de Debye del MnIn2S4 fue estimada alrededor de 153 K, que corresponde a una energía efectiva de los fonones e f f = K Bθ 10 meV para dicho compuesto. Resumen en inglés The optical properties of spinel single crystals of Cd1-xMn xIn2S4 (x=1.0; 0.8) have been studied by optical absorption technique. From the analysis of the experimental data, it was found that the band gap energy Eg of MnIn2S4 (x = 1.0), varies from 2.012 to 1.898 eV between 9 and 300 K. The temperature dependence of Eg, was analyzed by considering two theoretical models reported in the literature. The best fit was obtained by using an expression proposed by Passler. The (mas) Debye temperature of MnIn2S4 was estimated to be around 153 K, that correspond to an effective phonon energy e f f = K Bθ 10 meV for this compound.

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2

URBACH’S TAIL IN INDIRECT BAND-GAP SEMICONDUCTORS/ ESTUDIO DE LA COLA DE URBACH EN SEMICONDUCTORES CRISTALINOS DE BRECHA INDIRECTA

Durán-Flores, Larissa; Fonthal, Gerardo
2003-04-01

Resumen en español Resumen En este trabajo se estudiaron los parámetros de las colas de bandas en GaP, Ge y Si, semiconductores de brecha indirecta, a partir de datos encontrados en la literatura. Se comprobó que el borde de absorción óptico de los materiales estudiados obedece la Regla de Urbach. Se estableció que el desorden estructural en materiales monocristalinos es aproximadamente cero, producto del desorden natural en la red del cristal. El ancho de la cola o energía de Urbach (mas) que se determinó en los tres materiales se mantuvo entre 20 y 39 meV para 77K y 60 y 70 meV para 300K. El parámetro de "steepness" obtenido para cada material fue menor de 0.55, describiendo una fuerte interacción fonónica típica en el comportamiento de los semiconductores de brecha indirecta. Resumen en inglés Abstract In this work, the band tail parameters in GaP, Ge and Si, indirect band gap semiconductors, have been studied using the published data. It is established that the optical absorption edge in these materials obeys Urbach’s Rule. It is also found that the structural disorder in monocrystalline materials is around zero, due to the natural disorder of the crystal lattice. The width of the exponential tail or Urbach’s energy is found between 20 and 39meV at 77K and 6 (mas) 0-70meV at 300K. Also, the steepness parameter s is above 0.55, indicating a strong phonon interaction typical in indirect band gap semiconductors.

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3

Absorción óptica a altas presiones del TLGaSe2

Power, Ch.; Molina, I.; Chacón, L.; González, J.; Pérez-Kuroki, A. Jagui; Chervin, J.C.
2010-06-01

Resumen en español En el presente estudio hemos medido el espectro de transmisión óptica normal no polarizado en el compuesto semiconductor laminar TlGaSe2, hasta la presión de 27.6 GPa. Nuestros resultados muestran que en el rango del visible existe la contribución de dos brechas de energía directas, que presentan una dependencia lineal con la presión. La transición débil , asignada a la brecha fundamental de energ� (mas) �a, decrece hasta los 0.9 GPa con un coeficient lineal de -5.31 × l0-² eVGPa-¹ y la transición muestra un coeficient de -9.95 × 10-² eVGPa-¹ hasta 5.3 GPa (límite de presión en el espectro visible). Los resultados en el infrarrojo no muestran la presencia de la transición E A, dejando ver solamente el comportamiento de la segunda transición justo hasta la presión de metalización 24.6 GPa. En el rango de presión estudiado de 0.0 a 27.6 GPa, la transición E B muestra un comportamiento no lineal con la presión de coeficient cuadrático 1.83 × l0-3 eVGPa-2. Resumen en inglés In this paper the spectrum of optical normal transmission not polarized of TlGaSe2 is measured as a function of pressure up to 27.6 GPa at room temperature. Our results show that in the range of the visible exist the contributions of two direct gaps of energy, which present a linear dependence with the pressure. The weak transition assigned to the fundamental gap of energy, decreases up to 1.5 GPa with a l (mas) inear coefficien of -5.31 × l0-2 eVGPa-¹ and the transition shows a coefficien of -9.95 × 10-² eVGPa-¹ up to 5.3 GPa (limit of pressure in the visible spectrum). The results in the infrared do not show the presence of the transition E A allowing to see only the behavior of the second transition rightly up to the pressure of metallization 24.6 GPa. In the range of pressure studied from 0.0 to 27.6 GPa, the transition E B shows a not linear behavior with the pressure of quadratic coefficien 1.83 × l0-3 eVGPa-2.

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El desarrollo humano y la equidad en Cuba: una visión actualizada/ Human development and equity in Cuba

López Pardo, Cándido M
2004-03-01

Resumen en español Este trabajo pretende actualizar los conocimientos existentes acerca del estado del desarrollo humano y la equidad en Cuba a escala territorial -considerando como territorios las provincias del país- realizar una nueva aplicación del Índice de Desarrollo Humano y Equidad introducido en la Investigación sobre Desarrollo Humano y Equidad en Cuba 1999, analizar los resultados encontrados y compararlos con los hallados en esa Investigación. El Índice de Desarrollo Human (mas) o y Equidad contempla ocho dimensiones relevantes del desarrollo humano (desarrollo económico, consumo personal, nivel de educación, estado de salud de la población, acceso a servicios básicos, acceso a la energía, calidad de la vivienda y participación política) y cada dimensión está representada a través de un indicador considerado como trazador del concepto involucrado en la dimensión. Los resultados para el país de los indicadores considerados en el índice resultan, en general, superiores en la presente edición que en la versión previa. En el presente cálculo del índice, en comparación con el anterior, para todos los indicadores -excepto para la circulación mercantil minorista per cápita- la brecha entre las provincias ha disminuido, o es prácticamente igual, y en todos los casos es muy pequeña. El volumen de inversiones per cápita es el indicador que presenta más diferencia entre las provincias: la cifra para Ciudad de La Habana es cerca de 7 veces mayor que en Pinar del Río; para el resto de los indicadores la disparidad relativa es pequeña. Ciudad de La Habana y Guantánamo son las provincias con mayor y menor equilibrio en el logro de los aspectos particulares del desarrollo humano: la variabilidad de Guantánamo es más de 3 veces superior a la de Ciudad de La Habana. La estrecha relación que existe entre la homogeneidad en la obtención de los logros de los aspectos considerados del desarrollo humano y el índice traduce que el desarrollo global de las provincias está fuertemente vinculado con el equilibrio en el logro de los aspectos parciales del desarrollo. La ubicación de las provincias jerarquizadas según el valor descendente del índice en la actual edición es la siguiente: Ciudad de La Habana, Cienfuegos, La Habana, Ciego de Ávila, Matanzas, Sancti Spíritus, Villa Clara, Las Tunas, Pinar del Río, Camagüey, Holguín, Santiago de Cuba, Guantánamo y Granma Resumen en inglés This paper is aimed at updating the present knowledge on the state of human development and equity in Cuba at territorial scale - provinces are considered as territories- and at making a new application of Human Development and Equity index introduced in the research work on human development and equity in Cuba in 1999 and to analyze the results so far achieved and compare them to the findings of that research. The Human Development and Equity Index comprises eight releva (mas) nt dimensions of the human development (economic development, personal consumption, educational level, health status of the population, access to basic services, access to energy, quality of housing and political involvement) and each dimension is represented by an indicator considered as tracer of the concept involved in that dimension. The results of the indicators considered in the Index for the country are generally higher in the present issue of the Index than in the previous version. In comparison to the previous Index, in the present calculation of the Index for all the indicators, -except for retail merchandise circulation per capita - the gap had narrowed among the provinces and was very small and practically the same in all cases. The per capita amount of investments was roughly 7 times higher in Ciudad de La Habana than in Pinar del Río, the rest of indicators showed small relative odds ratio. Ciudad de La Habana and Guantánamo were the provinces with the highest and the lowest balance in the attainment of the particular aspects of the human development: variability in Guantánamo was over 3 times higher than that of Ciudad de La Habana. The close linking of homogeneity in the attainment of the analyzed aspects of the human development and the Index reveals that the global development of the provinces is strongly related to the balanced attainment of the partial aspects of the development. The order of the provinces hierarchically classified according to the descending value of the Index in the present version is the following: Ciudad de La Habana, Cienfuegos, La Habana, Ciego de Avila, Matanzas, Sancti Spiritus, Villa Clara, Las Tunas, Pínar del Río, Camagüey, Holguín, Santiago de Cuba, Guantánamo and Gramma

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5

Zeeman energy and anomalous spin splitting in lateral GaAs quantum dots

Valín-Rodríguez, Manuel; Puente, Antonio; Serra, Llorenç
2004-12-01

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6

Unparticles-Higgs Interplay

Delgado, Antonio; Espinosa, José Ramón; Quirós, Mariano
2007-08-13

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7

Unidades litoestratigráficas do Ordovícico da região de trás-os-Montes (Zona Centro-Ibérica, Portugal)

Sá, Artur A.; Meireles, Carlos; Coke, Carlos; Gutiérrez-Marco, J. C.
2005-01-01

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8

Tuning of spontaneous emission of two-dimensional photonic crystal microcavities by accurate control of slab thickness

Alija, Alfonso R.; Martínez Rodríguez, Luis Javier; García-Martín, Antonio; Dotor, María Luisa; Golmayo, Dolores; Postigo, Pablo Aitor
2005-03-29

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10

Trabajo en producción de comidas: consecuencias en la alimentación y estado nutricional de los trabajadores/ Work in production of meals: consequences in the feeding and nutritional status of the workers

Matos, Cristina Henschel; Proença, Rossana Pacheco Da Costa; Costa, Soraya Pacheco Da
2009-03-01

Resumen en español El objetivo del presente estudio es identificar la relación entre trabajar en la producción de comidas y la alimentación y estado nutricional de trabajadores que desarrollan su labor en ese sector. Se trata de una investigación cualitativa y descriptiva desarrollada como estudio de caso, utilizando el abordaje del Análisis Ergonómico del Trabajo. La recopilación de datos se realizó a través de entrevistas con trabajadores y observación directa de actividades des (mas) arrolladas en el puesto de trabajo. Además, se recogieron datos sobre el Índice de Masa Corporal, el riesgo de enfermedad metabólica asociada a la obesidad, el gasto energético y el consumo de comida durante el trabajo. Los resultados demuestran que la mayoría de los trabajadores presenta un gasto energético significativo en relación a las actividades que realizaban durante su turno de trabajo. Sin embargo, en la evaluación del estado nutricional se pudo evidenciar que solamente dos trabajadores presentaran eutrofia mientras los demás presentaran exceso de peso. El tipo de comida que era consumida por la mayoría de los trabajadores se caracteriza por ser hiperlipídica e hipoglicídica. Además, las personas estudiadas tenían el hábito de picar entre horas, probablemente debido a que, por un lado, pasaba demasiado tiempo entre una comida y la siguiente y por el otro, estaban constantemente en contacto directo con los alimentos preparados. Por ello, se ha podido evidenciar que, en este caso, el lugar de trabajo y sus características representan una fuerte influencia en el estado nutricional y el tipo de alimentación de los trabajadores estudiados. Resumen en inglés The present study aimed to identify the relationship between the nature of work with food production and eating habits, as well as the nutritional status of operators. This qualitative and descriptive research was developed as a case study, with the use of Work Ergonomic Analysis. Data was collected through interviews with the operators, and direct and equipped observation of the activities carried out during their work. Body mass index was also assessed, along with the r (mas) isk of metabolic disease associated with obesity, as well as energy expenditure and food intake during work shifts. The results show that most operators had high-energy expenditure due to the activities carried out during their work shifts. However, the nutritional status assessment showed that only two operators were eutrophic and the others were overweight. Food intake was characterized by hyperlipidic and hyperglycemic diets. The operators reported regular food intake during the intervals between meals, possibly because of the long time gap between them and the direct contact with the meals they serve. In conclusion, it was observed that the place of work and its characteristics highly influenced nutritional status and eating practices of the operators.

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11

The role of an electronic surface state in the stopping power of a swift charged particle in front of a metal

Silkin, Viatcheslav M.; Alducin Ochoa, Maite; Juaristi Oliden, Joseba Iñaki; Chulkov, Eugene V.; Echenique, Pedro M.
2008-07-08

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12

The Higgs as a Portal to Plasmon-like Unparticle Excitations

Delgado, Antonio; Espinosa, José Ramón; No Redondo, José Miguel; Quirós, Mariano
2008-02-19

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13

Synthesis, characterization, and photoactivity of InTaO4 and In0.9Ni0.1TaO4 thin films prepared by electron evaporation

Rico, V. J.; Frutos, F.; Yubero Valencia, Francisco; Espinós Manzorro, Juan Pedro; González-Elipe, Agustín R.
2009-12-23

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14

Structure of Ti-55 from relativistic one-neutron knockout

Maierbeck, P.; Gernhäuser, R.; Krücken, R.; Kröll, T.; Álvarez-Pol, H.; Aksouh, F.; Aumann, T.; Behr, K.; Benjamim, E. A.; Benlliure, J.; Bildstein, V.; Böhmer, M.; Boretzky, K.; García Borge, María José; Brünle, A.; Bürger, A.; Caamaño, M.; Casarejos, E.; Chatillon, A.; Chulkov, L. V.; Cortina-Gil, D.; Enders, J.; Eppinger, K.; Faestermann, T.; Friese, J.; Fabbietti, L.; Gascón, M.; Geissel, H.; Gerl, J.; Gorska, M.; Hansen, P. G.; Jonson, B.; Kanungo, R.; Kiselev, O.; Kojouharov, I.; Klimkiewicz, A.; Kurtukian, T.; Kurz, N.; Larsson, K.; Le Bleis, T.; Mahata, K.; Maier, L.; Nilsson, T.; Nociforo, C.; Nyman, G.; Pascual-Izarra, C.; Perea, A.; Pérez, D.; Prochazka, A.; Rodríguez-Tajes, C.; Rossi, D.; Schaffner, H.; Schrieder, G.; Schwertel, S.; Simon, H.; Sitar, B.; Stanoiu, M.; Sümmerer, K.; Tengblad, Olof; Weick, H.; Winkler, S.; Brown, B. A.; Otsuka, T.; Tostevin, J.; Rae, W. D. M.
2009-03-31

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15

Strong covalent bonding between two graphene layers

Andrés Rodríguez, Pedro Luis de; Ramírez, Rafael; Vergés, José A.
2008-01-14

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16

Strain and phonon shifts in GaAs1−xPx alloys

Armelles Reig, Gaspar; Sanjuan Álvarez, María Luisa; González, Luisa; González, Yolanda
1996-03-25

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18

Size quantization effects in InAs self-assembled quantum dots

Schmidt, K. H.; Medeiros-Ribeiro, Gilberto; García, Jorge M.; Petroff, P. M.
1997-01-01

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19

Raman-scattering study of the InGaN alloy over the whole composition range

Hernández, S.; Cuscó, Ramón; Pastor, D.; Artús, Lluís; O'Donnell, K. P.; Martin, R. W.; Watson, I. M.; Nanishi, Yasushi; Calleja, E.
2005-07-05

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20

Raman scattering and cathodoluminescence characterization of near lattice-matched InxAl1−xN epilayers

Cuscó, Ramón; Pastor, D.; Hernández, S.; Artús, Lluís; Martínez, O.; Jiménez, J.; Martin, R. W.; O'Donnell, K. P.; Watson, I. M.
2008-10-01

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21

Quantum well states, resonances and stability of metallic overlayers

Ogando, E.; Zabala, Nerea; Chulkov, Eugene V.; Puska, M. J.
2008-06-26

Digital.CSIC (Spain)

22

Pulsed Laser Melting Effects on Single Crystal Gallium Phosphide

Pastor, D.; Olea, J.; Toledano-Luque, M.; Mártil, I.; González-Díaz, G.; Ibáñez, Jordi; Cuscó, Ramón; Artús, Lluís
2009-03-01

Digital.CSIC (Spain)

23

Phase segregation in the Gd1−xSrxFeO3−δ series

Blasco, Javier; Stankiewicz, Jolanta; García, Joaquín
2006-03-01

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24

Phantom Higgs from Unparticles

Delgado, Antonio; Espinosa, José Ramón; No Redondo, José Miguel; Quirós, Mariano

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25

Phantom Higgs from Unparticles

Delgado, Antonio; Espinosa, José Ramón; No Redondo, José Miguel; Quirós, Mariano
2008-04-29

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26

Performance evaluation of a very high resolution small animal PET imager using silicon scatter detectors

Park, Sang-June; Rogers, W. Leslie; Huh, Sam; Kagan, Harris; Honscheid, Klaus; Burdette, Don; Chesi, Enrico; Lacasta Llácer, Carlos; Llosá, Gabriela; Mikuz, Marko; Studen, Andrej; Weilhammer, Peter; Clinthorne, Neal H.
2007-04-30

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28

Optical, Redox, and NLO Properties of Tricyanovinyl Oligothiophenes: Comparisons between Symmetric and Asymmetric Substitution Patterns

Casado, Juan; Ruiz Delgado, M. Carmen; Rey Merchán, M. Carmen; Hernández, Víctor; López Navarrete, Juan T.; Pappenfus, Ted M.; Williams, Nathaniel; Stegner, William J.; Johnson, Jared C.; Edlund, Brett A.; Janzen, Daron E.; Mann, Kent R.; Orduna, Jesús; Villacampa, Belén
2006-04-21

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29

Optical characterization of disordered InxGa12xP alloys

González, Luisa; González, Yolanda; Dotor, María Luisa; Martínez-Pastor, Juan
1998-05-18

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30

Migration of Nuclear Shell Gaps Studied in the d(Ne-24, p gamma)Ne-25 Reaction

Caballero, Luis; Rubio, Berta; Catford, W. N.; Timis, C. N.; Lemmon, R. C.; Labiche, M.; Orr, N. A.; Fernández-Domínguez, B.; Chapman, R.; Freer, M.; Chartier, M.; Savajols, H.; Rejmund, M.; Achouri, N. L.; Amzal, N.; Ashwood, N. I.; Baldwin, T. D.; Burns, M.; Casadjian, J. M.; Curtis, N.; France, G. de; Gelletly, W.; Liang, X.; Pain, S. D.; Pucknell, V. F. E.; Sorlin, O.; Spohr, K. -M.; Theisen, Ch.; Warner, D. D.
2010-05-14

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31

Microscopic and macroscopic dielectric description of mixed oxide thin films

Ferrer, F. J.; Yubero Valencia, Francisco; Mejías, J. A.; García-López, F. J.; González-Elipe, Agustín R.
2007-10-30

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32

Low density InAs quantum dots with control in energy emission and top surface location

Alonso-González, Pablo; Martín-Sánchez, Javier; González, Yolanda; González, Luisa; Fuster, David

In this work we extend the droplet epitaxy growth technique to the fabrication of low density InAs quantum dots (QDs) on GaAs (001) substrates with control in size, energy emission, and top surface location. In particular, depending on the amount of InAs material deposited, it has been possible to t...

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33

Low density InAs quantum dots with control in energy emission and top surface location

Alonso-González, Pablo; Martín-Sánchez, Javier; González, Yolanda; González, Luisa; Fuster, David
2008-11-04

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34

Laser thermal annealing effects on single crystal gallium phosphide

Pastor, D.; Olea, J.; Toledano-Luque, M.; Mártil, I.; González-Díaz, G.; Ibáñez, Jordi; Cuscó, Ramón; Artús, Lluís
2009-09-01

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35

Large disparity between gallium and antimony self-diffusion in gallium antimonide

Bracht, H.; Nicols, S. P.; Walukiewicz, W.; Silveira, Juan Pedro; Briones Fernández-Pola, Fernando; Haller, E. E.
2000-11-02

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36

La cuantificación de los sitios activos en las bases de DNA y RNA utilizando las funciones Fukui condensadas

Virginia Popa, M
2007-08-01

Resumen en español En este trabajo se calculan el momento dipolar, las funciones Fukui (FF), tomando en cuenta las cargas de Mulliken y las energías HOMO y LUMO para determinar los sitios activos de las bases de DNA y RNA (adenina, citosina, timina, guanina y uracilo) en fase gaseosa y en presencia del solvente. Se optimizaron las moléculas de DNA y RNA con los niveles de teoría AM1 en fase gas, HF/6-31G, LSDA/6-31++G, B3LYP/LANL2DZ, PBE/6-31++G y para uracilo se ha utilizado MP2/6-31++G (mas) , en fase gaseosa y en presencia de solvente ( =78.39) empleando el modelo de continuo polarizable de Tomasi (PCM). El momento dipolar grande inducido en las moléculas es dado por la presencia del solvente y es mayor cuando se introduce la correlación electrónica con PBE (Perdew-Burke-Ernzernhof) y el funcional local LSDA. Los primeros cuatro sitios activos encontrados indistintamente de los niveles de teoría utilizados coinciden con los datos experimentales presentes en la literatura. La diferencia HOMO-LUMO es muy pequeña cuando se utiliza DFT comparado con los métodos AM1, HF/6-31G y MP2/6-31++G. Si se conocen las energías de los orbitales frontera se pueden comparar sus energías con las de otros reactantes para determinar si es posible la existencia de un enlace o no y que tipo de enlace es. Resumen en inglés In this paper the dipolar moment, the Fukui functions by considering the Mulliken charges and the energies of HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) and LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) are computed in order to determine the most active centers of DNA and RNA (adenine, guanine, cytosine, timine and uracile), being them in gas phase and the solvent. The DNA and RNA molecules are optimized by using the theory levels AM1 in gas phase, HF/6-31G, LSDA/6-31++G, B3L (mas) YP/LANL2DZ, PBE/6-31++G and, for uracil MP2/6-31++G has also been used, in gas phase and the solvent phase ( = 78.39) with the Tomasi model of continued polarizable. The larger dipole moment induced on the molecule is due to the presence of the solvent and become even large when the electronic correlation is introduced with the PBE (Perdew-Burke-Ernzernhof) and the local functional LSDA (Local Spin Density Approximation). The first four active sites found indiscriminately of the theory level employed coincide with the experimental data already reported in the literature. The HOMO-LUMO (gap) is small when the DFT (Density Function Theory) is used along with LSDA/6-31++G, comparing this value with the rest levels of theory. If the energies of the frontier orbital are known, then such energy levels can be compared to those of the reactants, making it possible to determine whether a bound exists or not, and if so what type of bound it is.

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37

Interlayer exchange coupling in digital magnetic alloys

Men'shov, V. N.; Tugushev, V. V.; Echenique, Pedro M.; Caprara, S.; Chulkov, Eugene V.

11 pages, 3 figures.-- PACS nrs.: 73.40.Sx, 75.70.-i. | We discuss possible mechanisms for indirect exchange between ferromagnetic δ layers of transition metal inserted into a semiconducting host, taking into account the role of carrier confinement at these layers. We show that the Ruderman-Kittel-K...

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38

Interlayer exchange coupling in digital magnetic alloys

Men'shov, V. N.; Tugushev, V. V.; Echenique, Pedro M.; Caprara, S.; Chulkov, Eugene V.
2008-07-29

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39

Inferring missing data in satellite chlorophyll maps using turbulent cascading

Pottier, Claire; Turiel, Antonio; Garçon, Véronique
2008-09-11

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40

In situ optical spectroscopy of Ga dimers on GaP, GaAs and GaSb by surface chemical modulation

Postigo, Pablo Aitor; Armelles Reig, Gaspar; Utzmeier, T.; Briones Fernández-Pola, Fernando
1998-01-01

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41

Hydrodynamics of Holographic Superconductors

Amado, Irene; Kaminski, Matthias; Landsteiner, Karl
2009-05-06

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42

Half-metallic finite zigzag single-walled carbon nanotubes from first principles

Mañanes, A.; Duque, F.; Ayuela, Andrés; López, M. J.; Alonso, J. A.

10 pages, 15 figures.-- PACS nrs.: 73.22.-f, 75.75.+a, 72.80.Rj, 85.75.-d. | Density-functional calculations predict half-metallicity in zigzag single-walled carbon nanotubes of finite length with the two ends saturated with hydrogen. We have analyzed the change of the α- and β-spin electronic gaps ...

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Half-metallic finite zigzag single-walled carbon nanotubes from first principles

Mañanes, A.; Duque, F.; Ayuela, Andrés; López, M. J.; Alonso, J. A.
2008-07-17

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44

Gallium self-diffusion in gallium phosphide

Wang, Lei; Volk, A.; Hsu, L.; Haller, E. E.; Erickson, J. W.; Cardona, M.; Ruf, T.; Silveira, Juan Pedro; Briones Fernández-Pola, Fernando
1997-02-03

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45

Flavor superconductivity from gauge/gravity duality

Ammon, Martin; Erdmenger, Johanna; Kaminski, Matthias; Kerner, Patrick
2009-10-01

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47

Evaluación de la dispersión de pigmento en resinas acrílicas para la fabricación de dientes artificiales/ Evaluation of the pigment dispersion in acrylic resins for the manufacture of artificial teeth

Ricaurte Avella, Germán; Osorio Vélez, Jaime Alberto; Niño Cardona, Juan Pablo; Correa, Jonathan; Alberto Rodríguez, Henry
2010-06-01

Resumen en español En la primera etapa de fabricación de dientes artificiales los pigmentos se dispersan en seco en un polvo de resina acrílica conformado por finas partículas esféricas. Esta dispersión tiene características especiales diferentes a la dispersión de pigmentos en resinas líquidas usual en el campo de las pinturas y recubrimientos o en la fabricación de plásticos. No hay muchos reportes sobre los métodos de análisis y control de este tipo de procesos. En este traba (mas) jo se pretende evaluar el método de poder colorante, usual en la industria de recubrimientos, contrastando sus resultados con el porcentaje de área de pigmento adherida a las esferas de resina aplicando técnicas de procesamiento digital de imágenes (PDI) a micrografías SEM. Se proponen y discuten, además, otros tres métodos alternativos basados en análisis de curvas de reflectancia, que permiten una evaluación rápida del proceso de dispersión, e incluso determinar el valor de la energía de la banda prohibida del pigmento. El método de poder colorante resulta ser el más sensible a las diferencias de dispersión. Finalmente, se aplican los cuatro métodos a una comparación entre tres procesos de molienda con diferentes energías y se discuten los resultados y las limitaciones de cada uno. Resumen en inglés In the first stage of manufacture of artificial teeth, pigments are dispersed in a dry powder composed of fine spherical particles of acrylic resin. This dispersion has different characteristics to the usual dispersion of pigments in liquid resins of paints and coatings, or in the manufacture of plastics. There is a lack of reports on methods of analysis and control of such processes. This article aims to evaluate the method of tinting power, usual in industrial coatings, (mas) contrasting the results with the percentage of adhered pigment to the surface of resin by analyzing SEM photographs with digital image processing (DIP) techniques. Three alternative methods based on analysis of the reflectance curves are proposed and discussed. These three methods enable a quicker assessment of the dispersion process than the former ones, and even allow to determine the value of the pigment band gap energy. The tinting power method proves to be the most sensitive to differences in dispersion. Finally, the four methods are applied. Comparison among three milling processes with different collision energies are presented together with their limitations.

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48

Enhancement of the photoluminescence intensity of a single InAs/GaAs quantum dot by separate generation of electrons and holes

Donchev, V.; Moskalenko, E. S.; Karlsson, K. F.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García, Jorge M.; Petroff, Pierre M.
2006-01-01

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Energetics of formation of TiGa3As4 and TiGa3P4 intermediate band materials

Palacios Clemente, Pablo; Wahnón Benarroch, Perla; Pizzinato, Sara; Conesa, José C.
2006-01-05

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Emission cross sections and spectroscopy of Ho3+ laser channels in KGd(WO4)2 single crystal

Pujol, Maria Cinta; Massons, Jaume; Aguilo, Magdalena; Diaz, Francisco; Rico, Mauricio; Zaldo, Carlos
2002-01-01

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Electronic state characterization of SiOx thin films prepared by evaporation

Barranco Quero, Ángel; Yubero Valencia, Francisco; Espinós Manzorro, Juan Pedro; Groening, P.; González-Elipe, Agustín R.
2005-06-08

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53

Electronic properties of a biased graphene bilayer

Castro, Eduardo V.; Novoselov, K. S.; Morozov, S. V.; Peres, N. M. R.; Lopes dos Santos, J. M. B.; Nilsson, Johan; Guinea, F.; Geim, A. K.; Castro Neto, A. H.
2010-05-05

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Effective tuning of the charge-state of single In(Ga)As/GaAs quantum dots by below barrier band gap excitation

Karlsson, K. F.; Moskalenko, E. S.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García, Jorge M.; Petroff, Pierre M.
2003-06-10

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Efecto del Láser de Baja Energía sobre la Expresión de GAP-43 (Growth Associated Protein 43) en Nervio Isquiático Lesionado de Rata/ Low-Energy Laser Effect on Expression of GAP-43 (Growth Associated Protein 43) in Rat Isquiatic Nerve Injury

Matamala, Fernando; Paredes, Marco; Cornejo, Ricardo
2010-09-01

Resumen en español El láser infrarrojo se ha utilizado con fines terapéuticos en artritis reumatoide, dolor músculo-esquelético, enfermedades dentales y óseas. A nivel de lesiones nerviosas, se ha utilizado como coadyuvante en tratamientos conservadores y quirúrgicos; sin embargo, no está claro aún cual es su participación en los mecanismos moleculares asociados al proceso regenerativo. Varios genes y sus productos de expresión relacionados conregeneración axonal, están siendo i (mas) nvestigados, entre éstos, la proteína GAP-43 (growth associated protein 43) ha sido detectada en diferentes tipos de lesiones de nervios periféricos, donde su expresión aumenta notablemente durante el proceso de recuperación. Con el propósito de evaluar la expresión del transcrito de GAP-43 en nervio isquiático de rata lesionado y, posteriormente, irradiados con láser infrarrojo de 2 J/cm2, se evaluó mediante RT- PCR en tiempo real la expresión del transcrito de GAP-43, en nervios lesionados tratados y no tratados. Los resultados indican que el nivel de expresión de GAP-43 en nervio tratado con láser de 2 J/cm2 , es mayor que en el nervio lesionado no tratado. También se observó un aumento de la expresión hasta dos semanas post-tratamiento. Estos resultados sugieren un efecto estimulante del láser infrarrojo de 2 J/cm2 sobre la expresión de GAP-43, en nervio isquiático de rata lesionado por compresión, lo cual podría estar relacionado con un menor tiempo de regeneración del nervio Resumen en inglés The Low-energy laser has been used in therapy for rheumatoid arthritis, musculoskeletal pain, dental disease and bone disease. At the level of nerve injury has been used as an adjunct to conservative and surgical treatments is not clear yet although the molecular mechanisms associated with the regenerative process. Several genes and their expression products associated with axonal regeneration are being investigated between these the protein GAP-43 (Growth associated prot (mas) ein 43) has been detected in different types of peripheral nerve injuries, where its expression increases markedly during the recovery process. In order to evaluate the expression of GAP-43 transcript in rat injured sciatic nerve and then irradiated with infrared laser of 2 J/cm2 was evaluated by RT-PCR in real time transcript expression of GAP-43 in nerve treated and untreated injuries. The results indicate that the expression level of GAP-43 in nerve treated with 2 J/cm2 laser is higher than in untreated injured nerve him. There was also an increased expression up to two weeks post-treatment. These results suggest a stimulatory effect of 2 J/cm2 infrared laser on the expression of GAP-43 in rat injured nerve compression, which could be related to a shorter time of regeneration of injured nerve

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Dynamics and potential energy surfaces for small to medium size He(n)-dihalogen clusters

Delgado Barrio, Gerardo; Valdés, Álvaro; López Durán, David; Lara Castells, M. Pilar de; Prosmiti, Rita; Villarreal, Pablo
2007-04-28

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Determination of the deformation potentials of GaAs0.80P0.20

González, Yolanda; Armelles Reig, Gaspar; González, Luisa
1994-08-01

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Critical thickness determination of InAs, InP and GaP on GaAs by X-ray interference effect and transmission electron microscopy

Mazuelas, A.; González, Luisa; Ponce, F. A.; Tapfer, L.; Briones Fernández-Pola, Fernando
1993-08-01

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Crecimiento de películas de CdTe:Al

González-Alcudia, M.; Zapata-Torres, M.; Meléndez-Lira, M.; Peña, J.L.
2006-02-01

Resumen en español Se crecieron películas del compuesto ternario CdTe:Al utilizando la tecnica transporte de vapor en espacio reducido combinado con evaporacion libre (CSVT-FE, por su siglas en inglés). La evaporación del aluminio (Al) se realizó a partir de dos tipos de fuente; una construida de grafito y la otra de tantalio. Las películas fueron crecidas sobre substratos de vidrio Corning. Con el objetivo de lograr diferentes concentraciones de aluminio se vario la temperatura de la (mas) fuente del Al, manteniendo fijas las temperaturas de la fuente de CdTe y la del substrato. Las películas fueron caracterizadas utilizando difraccion de rayos-X, análisis por dispersión de energía de rayos-X (EDAX, por su siglas en ingles) y transmisión óptica. Los resultados mostraron que en las películas crecidas con la fuente de grafito para la evaporacion del Al, éste no se incorporo en la matriz, al menos al nivel de sensibilidad de la técnica de cuantificación de EDAX; se mantuvo siempre la misma estructura cristalografica y el ancho de energía prohibida del CdTe. En las muestras crecidas con fuente de tantalio sí se logro incorporar el Al. Los patrones de difraccion de rayos-X mostraron que las películas exhibieron un tipo de estructura cristalina dependiente de la concentracion de aluminio. Las películas mantuvieron la fase cubica hasta una concentración de Al del 2.16% at; para 19.65% at de Al se obtuvo una combinacion de fases; para concentraciones mayores a 21 % at las películas fueron amorfas. Se estudiaron las muestras que mantuvieron una estructura cubica, encontrándose que el parámetro de red va disminuyendo y el ancho de banda de energía prohibida aumenta conforme se incrementa la concentracion de Al. Resumen en inglés CdTe:Al films were grown by the close space vapor transport technique combined with free evaporation (CSVT-FE). The Aluminum (Al) evaporation was made by two kinds of sources: one made of graphite and the other of tantalum. The films were deposited on glass substrates. The Al source temperatura was varied maintaining the CdTe source temperature fixed as well as the substrate temperature. The films were characterized by x-ray energy dispersive analysis (EDAX), x ray diffra (mas) ction and optical transmission. The results showed for the films grown with the graphite source for Al evaporation, the Al did not incorporate in the CdTe matrix, at least to the level of EDAX sensitivity; they maintained the same crystal structure and band gap. For the samples grown with the tantalum source, we were able to incorporate the Al. The x ray diffraction patterns show that the films have a crystal structure that depends on Al concentration. They were cubic up to 2.16 at. % Al concentration; for 19.65 at. % we found a mixed phase; for Al concentration higher than 21 at. % the films were amorphous. For samples with cubic structure it was found that the lattice parameter decreasesand the band gap increases with Al concentration.

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Correlation between optical properties and barrier composition in InxGa1−xP/GaAs quantum wells

Martínez-Pastor, Juan; González, Luisa; Aragón, G.; Guenaud, Ch.; Deleporte, E.
1998-12-15

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Communications: a model study on the electronic predissociation of the NeBr2 van der Waals complex

Sanz-Sanz, Cristina; Roncero, Octavio; Hernández-Lamoneda, Ramón; M. Pio, Jordan; A. Taylor, Molly; C. Janda, Kenneth
2010-06-10

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CdTe thin films electrodeposition on gold electrode in EDTA-Ammonia aqueous solutions/ Electrodeposición de películas delgadas de CdTe sobre electrodo de oro en soluciones acuosas de EDTA-Amonio

Montilla, Milagro; Alarcón, Domingo; Ortiz, Reynaldo
2007-12-01

Resumen en español En este trabajo se muestran los resultados obtenidos del estudio del crecimiento electroquímico y caracterización de películas delgadas del semiconductor CdTe. El crecimiento se realizó mediante la electrodeposición catódica a potencial constante a partir de soluciones acuosas alcalinas de las especies precursoras TeO3(2-) y Cd2+ y EDTA como agente acomplejante para el Cd2+. La composición de las películas se determinó por espectroscopía de emisión atómica con (mas) plasma inductivamente acoplado (AES-ICP) y espectroscopia de dispersión de rayos X (EDX). Estudios realizados por espectroscopía de reflectancia UV-visible y fotovoltametría, permitieron determinar que las películas CdTe electrodepositadas presentan un comportamiento de semiconductor tipo p y un valor de brecha energética de 1,64 eV. Resumen en inglés In the present work, we report the electrochemical growth and characterization of CdTe semiconductor thin films in alkaline solution. The electrodeposition was performed cathodically applying a constant potential. Tellurium (IV) and Cd2+ aqueous alkaline solutions were employed as precursor of CdTe. EDTA was used as complexing agent for Cd2+ ions. The thin film composition was determined by atomic emission spectroscopy with inductive coupling plasm (AES-ICP) and Energy Di (mas) spersive X-ray Analysis). UV-visible spectroscopy allowed determining the optical band gap energy, which was 1.64 eV. The photovoltammetric experiment shows up that the synthesized CdTe thin film was p-type semiconductor.

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Biased Bilayer Graphene: Semiconductor with a Gap Tunable by the Electric Field Effect

Castro, Eduardo V.; Novoselov, K. S.; Morozov, S. V.; Peres, N. M. R.; Lopes dos Santos, J. M. B.; Nilsson, Johan; Guinea, F.; Geim, A. K.; Castro, A.
2007-11-23

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Acidosis láctica

Soler Morejón, Caridad
2000-06-01

Resumen en español Se conoce que el ácido láctico es un producto terminal del metabolismo anaeróbico de la glucosa, que, en condiciones normales, los niveles séricos alcanzan las 2 mEq/L o menos. La mayor parte del lactato se elimina de forma muy eficaz por el hígado y se utiliza en la gluconeogénesis o para obtener energía. Si se producen incrementos considerables de las cifras de lactato sérico con disminución del metabolismo de conversión de lactato a piruvato se instala un cua (mas) dro de acidosis metabólica, a menudo grave, que puede llevar al paciente a la muerte. Desde el punto de vista clínico se debe sospechar ante un paciente con acidosis metabólica no bien explicada y anión Gap elevado, el cual se encuentra por encima de 25-30 mEq/L, aún en presencia de insuficiencia renal, de cetoacidosis o de la ingestión de un tóxico. La prevención de la hipoxia hística desempeña un papel importantísimo y en este sentido todas las medidas que contribuyen a garantizar una buena perfusión hística. Se señala la importancia del control adecuado de la diabetes mellitus, la selección más adecuada de hipoglicemiantes, el aporte de tiamina en los pacientes de riesgo, entre otras medidas Resumen en inglés It is know that lactic acid is a last product of glucose anaerobic metabolism, that, in normal conditions, serum levels reach 2 mEq/L or less. Most of lactate is released in a very efficacious way by liver and is used in gluconeogenesis or to obtain energy. If there are significant increases of serum lactate figures with a decrease of metabolism of the conversion of lactate in pyruvate, a situation of metabolic acidosis frequently serious will present, which may provoke d (mas) eath of patient. From the clinical point of view, it must be suspected in a patient with non well explained metabolic acidosis and a high anion gap, which is over 25-30 mEq/L, even in presence of renal failure, ketoacidosis or ingestion of a toxic agent. That prevention of tissue hypoxia play a very significant role and to this effect, all measures contributing to guarantee a good tissue perfusion. Importance of a appropiate control of diabetes mellitus, a rigurous selection of hypoglycemic agents, contribution of thiamine in risk patients, amongst other measures are emphasized

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A new in situ III-V surface characterization technique: chemical modulation spectroscopy

Postigo, Pablo Aitor; Utzmeier, T.; Armelles Reig, Gaspar; Briones Fernández-Pola, Fernando
1997-05-01

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