Sample records for ELIPSOMETRIA (ellipsometry)
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Caracterización eléctrica de películas delgadas de Al2O3 depositadas sobre GaAs por la técnica de rocío pirolítico/ Electrical characterization of thin films of Al2O3 deposited on GaAs by spray pyrolysis technique

Chávez-Ramírez, J.; Aguilar-Frutis, M.; Burillo, G.; López-Romero, S.; Alvarez-Fregoso, O.; Falcony, C.; Flores-Morales, C.
2008-03-01

Resumen en español Se estudiaron las características eléctricas de películas delgadas de óxido de aluminio preparadas por la técnica de rocío pirolítico ultrasónico. Las películas delgadas se depositaron a partir de una solución de acetilacetonato de aluminio en N,N-dimetilformamida sobre substratos monocristalinos de GaAs (100) tipo-p. La temperatura de depósito fue de 300 a 600 ºC. Las propiedades eléctricas de las películas en función de la temperatura de substrato se dete (mas) rminaron por medidas de capacitancia y corriente contra voltaje mediante la incorporación de las películas en estructuras tipo MOS (metal-óxido-semiconductor). La densidad de estados de interfaz resultó del orden de 10(12) 1/eV-cm² y el dispositivo MOS soportó campos eléctricos mayores a 5MV/cm, sin mostrar rompimiento dieléctrico. El índice de refracción se determinó por elipsometría a 633nm, con un valor máximo del orden de 1.64. Resumen en inglés Electrical characteristics of thin films of aluminum oxide prepared by spray pyrolysis were studied. The films were prepared from solution onto single crystal GaAs (100) substrates at temperatures from 300°C to 600°C. The electrical characteristics of these films as a function of the substrate temperature were determined from the capacitance and current versus voltage measurements of metal-oxide-semiconductor (MOS) structures incorporating them. The interface states den (mas) sity was of the order of 10(12) 1/eV-cm² and the films can stand electric fields higher than 5MV/cm, without observing destructive dielectric breakdown. The refractive index at 633 nm near to 1.64 was measured by ellipsometry.

Scientific Electronic Library Online (Spanish)

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Thermal stability of copper nitride thin films: The role of nitrogen migration

González-Arrabal, Raquel; Gordillo, Nuria; Martín-González, Marisol S.; Ruiz-Bustos, R.; Agulló-López, F.
2010-05-20

Digital.CSIC (Spain)

5

Spectroscopic ellipsometry of composite thin films with embedded Bi nanocrystals

Serna, Rosalía; Sande, J. C. G. de; Ballesteros, J. M.; Afonso, Carmen N.
1998-10-15

Digital.CSIC (Spain)

6

Size mediated control of the optical and magneto-optical properties of Co nanoparticles in ZrO2

Clavero, C.; Sepúlveda Martínez, Borja; Armelles Reig, Gaspar; Konstantinović, Z.; García del Muro, M.; Labarta, A.; Batlle, X.
2006-10-12

Digital.CSIC (Spain)

8

Plasma assisted chemical vapor deposition silicon oxynitride films grown from SiH4 + NH3 + O2 gas mixtures

Olivares Roza, J.; Sánchez Garrido, Olga; Albella Martín, José María
1998-09-01

Digital.CSIC (Spain)

10

Optical constants of Cu(In1−xGax)5Se8 crystals

Levcenko, S.; Durán, L.; Gurieva, G.; Alonso, M. I.; Arushanov, E.; Durante Rincón, C. A.; León, M.
2010-02-01

Digital.CSIC (Spain)

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Optical and magneto-optical properties of Fe nanoparticles

Menéndez, José Luis; Armelles Reig, Gaspar; Bescós, B.; Serna, R.; Gonzalo, J.; Doole, R.; Petford-Long, A. K.; Alonso, M. I.
2002-05-13

Digital.CSIC (Spain)

12

From Photonic Crystals to Photonic Glasses through disorder

López Fernández, Ceferino; García Fernández, Pedro David
2010-01-01

Digital.CSIC (Spain)

14

Estructura y porosidad de recubrimientos híbridos de SiO2

Durán Carrera, Alicia Amparo; Gallardo Serra, Ivonne Janet; Galliano, P.
2001-01-01

Digital.CSIC (Spain)

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Complex dielectric function of ion implantation amorphized SiC determined by spectroscopic ellipsometry

Lohner, T.; Zolnai, Z.; Petrik, P.; Battistig, Gabor; García Lopez, Francisco Javier; Morilla, Yolanda

4 pages.-- PACS 61.72.up, 68.55.Ln, 78.20.Ci, 78.66.Jg, 82.80.Yc.-- Special Issue: 4th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE4).-- Copyright © 2008 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. | Measuring with a spectroscopic ellipsometer we determined the complex dielectric fun...

DRIVER (Spanish)

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Complex dielectric function of ion implantation amorphized SiC determined by spectroscopic ellipsometry

Lohner, T.; Zolnai, Z.; Petrik, P.; Battistig, Gabor; García López, Francisco Javier; Morilla, Yolanda; Koós, A.; Osváth, Z.; Fried, M.
2008-03-17

Digital.CSIC (Spain)