Sample records for DISRUPCION ELECTRICA (electrical breakdown)
from WorldWideScience.org

Sample records 1 - 7 shown.



1

Varistors based in the ZnO–Bi2O3 system: Microstructure control and properties

Peiteado, Marco; Fernández Lozano, José Francisco; Caballero, A. C.
2007-01-01

Digital.CSIC (Spain)

2

Transfección de células por medio de ondas de choque

Armenta Ruiz, E.; Varela Echavarría, A.; Martínez de la Escalera, G.; Loske Mehling, A.M.
2006-08-01

Resumen en español La incorporación de material genético al interior de una célula puede ser de gran utilidad para el tratamiento de algunas enfermedades heredadas y adquiridas. Desgraciadamente, la mayoría de los métodos para lograr dicha incorporación (transfección) no son selectivos. Este artículo describe la aplicación de ondas de choque como método para incorporar un gen reportero al interior de células en suspensión. Se diseñó un dispositivo experimental para generar ond (mas) as de choque por medio de descargas eléctricas en agua y enfocarlas con un reflector elipsoidal sobre los viales que contenían las celulas en suspensión. La transfección celular se logró debido a la cavitación acústica generada en el interior de los viales por el paso de las ondas de choque. A pesar de que el número de células transfectadas fue bajo, se demostró que, desde el punto de vista físico, es factible transfectar células con ondas de choque. Resumen en inglés Treatments for inherited and acquired diseases are pointing towards gene therapy, which depends on methods to introduce foreign genetic material into cells. Unfortunately, most of the methods available to allow incorporation of transgenes into the genome are not selective to target a particular population of cells. The present article describes the use of shock waves as a cell - permeabilization method to load a reporter gene into cultured cells. Shock waves were generate (mas) d by underwater electrical breakdown and focused on the vials containing cell suspension using an ellipsoidal reflector. Transfection was achieved due to acoustic cavitation generated inside the test vials after passage of each shock wave. The number of transfected cells was still low; nevertheless, our results show the feasibility of cell transfection by underwater shock waves.

Scientific Electronic Library Online (Spanish)

3

Nanostructural and electrical properties of functionally terminated self-assembled monolayers on silicon surfaces

Rittner, M.; Martín-González, Marisol S.; Flores, Araceli; Schweizer, H.; Effenberger, F.; Pilkhun, H.
2005-09-12

Digital.CSIC (Spain)

4

Influencia del tamaño de partícula del MnO2 en la evolución microestructural de varistores cerámicos basados en ZnO

Peiteado, Marco; Fernández Lozano, José Francisco; Villegas, Marina; Caballero Cuesta, Amador
2001-11-01

Digital.CSIC (Spain)

6

Caracterización eléctrica de películas delgadas de Al2O3 depositadas sobre GaAs por la técnica de rocío pirolítico/ Electrical characterization of thin films of Al2O3 deposited on GaAs by spray pyrolysis technique

Chávez-Ramírez, J.; Aguilar-Frutis, M.; Burillo, G.; López-Romero, S.; Alvarez-Fregoso, O.; Falcony, C.; Flores-Morales, C.
2008-03-01

Resumen en español Se estudiaron las características eléctricas de películas delgadas de óxido de aluminio preparadas por la técnica de rocío pirolítico ultrasónico. Las películas delgadas se depositaron a partir de una solución de acetilacetonato de aluminio en N,N-dimetilformamida sobre substratos monocristalinos de GaAs (100) tipo-p. La temperatura de depósito fue de 300 a 600 ºC. Las propiedades eléctricas de las películas en función de la temperatura de substrato se dete (mas) rminaron por medidas de capacitancia y corriente contra voltaje mediante la incorporación de las películas en estructuras tipo MOS (metal-óxido-semiconductor). La densidad de estados de interfaz resultó del orden de 10(12) 1/eV-cm² y el dispositivo MOS soportó campos eléctricos mayores a 5MV/cm, sin mostrar rompimiento dieléctrico. El índice de refracción se determinó por elipsometría a 633nm, con un valor máximo del orden de 1.64. Resumen en inglés Electrical characteristics of thin films of aluminum oxide prepared by spray pyrolysis were studied. The films were prepared from solution onto single crystal GaAs (100) substrates at temperatures from 300°C to 600°C. The electrical characteristics of these films as a function of the substrate temperature were determined from the capacitance and current versus voltage measurements of metal-oxide-semiconductor (MOS) structures incorporating them. The interface states den (mas) sity was of the order of 10(12) 1/eV-cm² and the films can stand electric fields higher than 5MV/cm, without observing destructive dielectric breakdown. The refractive index at 633 nm near to 1.64 was measured by ellipsometry.

Scientific Electronic Library Online (Spanish)

7

Biased Bilayer Graphene: Semiconductor with a Gap Tunable by the Electric Field Effect

Castro, Eduardo V.; Novoselov, K. S.; Morozov, S. V.; Peres, N. M. R.; Lopes dos Santos, J. M. B.; Nilsson, Johan; Guinea, F.; Geim, A. K.; Castro, A.
2007-11-23

Digital.CSIC (Spain)